jjualXc)
UK8(20°S
|
|
|
|
Унб.Ц кзк'" - Z I |
( , о |
|
|
№ |
- | | |
|
|
|
0,8 |
|
|
и и«й (RK 1Ю' |
0.6 |
40 |
60 |
80 |
100 |
20 |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор —эмиттер транзисторов КТ802А от температуры окружающей среды
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавно-диффузионные мощные высокочастотные ГТ804А—ГТ804В
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в выходных каскадах строчной развертки телевизоров и в импульсных схемах бытовой электронной аппаратуры широкого применения.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
транзи-
стора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
3. Конструктивные |
данные |
|
Вес транзистора |
|
(макс.) |
|
10 г |
Высота |
корпуса |
(макс.) |
10,1 |
мм |
Диаметр |
баллона |
(макс.) |
16 |
» |
Диаметр |
фланца |
|
(макс.) |
22,5 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
11 |
» |
Диаметр |
выводов |
(мни.) |
1 |
» |
Транзистор заключен в герметичный холодиосварной Корпус* Со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
4. У казания по эксплуат ации
Транзисторы крепятся при помощи накидного фланща на теплоотводе со шлифованной поверхностью.
5. Устойчивость против внешних воздействий
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диапазон температур окружающей среды |
|
—25 ч- +60° С |
Относительная влажность при + 40±5°С |
|
95ч-98?б |
|
Термоциклирование |
в диапазоне |
температур |
|
—20 -5- +65° С |
Постоянные |
ускорения |
(макс.) |
|
|
25 |
g |
Ударные |
ускорения |
(макс.) |
|
• |
75 |
g |
Вибрация |
в |
диапазоне |
частот |
10 ч -600 гц |
(макс.) |
7,5 |
g |
6.Тепловые параметры
|
|
Определен |
|
Обозна |
Един. |
Нелнчина |
|
|
|
чение |
I1JM. |
Наибольшая |
температура |
перехода |
^макс |
°с |
1+ 6 5 1 |
Наименьшая |
температура |
перехода |
7\шн |
°с |
1—25( |
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
|
°С/вт |
щ |
корпус |
|
|
|
7?пк |
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
7?пс |
°с |
40 |
окружающая среда |
|
вт |
|
|
|
|
|
|
7.Классификационные параметры
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
Наименование параметра |
Обозна |
Един. |
для транзисторов |
чение |
нзм. |
ГТ801А |
ГТ8о4Б |
ГТ804В |
|
|
|
|
|
Максимально допусти |
|
|
|
|
|
мое напряжение |
кол |
|
|
|
|
|
лектор — эмиттер |
за |
|
в |
100 |
140 |
190 |
пертого транзистора |
£7кэз |
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
|
тор—эмиттер |
в режи |
|
|
|
|
|
ме насыщения |
/б в 1л, |
|
в |
0.4 |
0.5 |
0.6 |
/„« 1 0 а |
|
|
£7кэн |
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
|
тор — эмиттер |
|
при |
|
в |
45 |
55 |
75 |
^216= 1 |
|
|
£7кэо |
Б. Электрические параметры и данные
ТРАНЗИСТОР ГТ804А
/. М аксимально допустимые данные при температуре окружающей среды Тс= — 2 0 — + 6 5 ° С
|
|
1. мощности |
(вт) |
|
|
Определение |
|
Обозначение |
Величина |
Постоянная |
мощность, |
рассеиваемая |
тран |
1.2 |
зистором |
без теплоотвода |
|
Рт |
То же, со стандартным теплоотводом |
РТ |
Щ |
т |
Импульсная |
мощность |
при /и< 2 |
мсек; |
120 |
<?>ю |
|
|
|
Рм |
При Тс выше +25° С мощности рассчитываются по формулам:
|
|
|
70° С - Т°г |
р Т _ |
70 С — Р К |
|
|
Р |
= |
|
-О М ' |
I |
m |
|
вт, |
|
40 |
■ ВЩ\ |
|
2 |
|
|
|
* |
Лт ~~ |
|
|
Рт = 2,5 (70° С — Т°с), мвт\ |
Р тТ = |
0,5 (70°С — Т°к), вт. |
|
|
|
|
2. ТОКИ ( а ) |
|
|
|
|
|
Определение |
|
|
Обозначение |
Величина |
|
Постоянный ток коллектора в режиме уси |
fк т |
0,8 |
|
ления при £/к = 1,5 в |
|
|
|
|
То же, со |
стандартным |
теплоотводом |
|
Г |
щ |
|
Постоянный ток коллектора в режиме на |
* к т |
|
|
Iкит |
15 |
|
сыщения при асп=2 |
|
|
|
|
Импульсный ток коллектора в режимах |
|
|
|
усиления |
и насыщения |
при |
2 мсек, |
Iкм |
15 |
|
Q > ю |
|
|
|
|
|
|
Постоянный ток базы |
|
|
|
16т |
Ц Т |
При 7С° выше +25° С токи снижаются в соответствии с формулами:
1кт = 0,12 V?0°C - Т ° с , я; Гкп = 1,6 V l Q C - T l , я;
/ к„ „ = 2 , 4 / 7 0 ° С - 7 ' ; я
|
3. НАПРЯЖЕНИЯ (б) |
|
Определение |
|
Обозначение |
Напряжение |
коллектор — база при |
XX |
в |
цепи эмиттера |
|
^кбо |
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
кз |
в цепи базы и Гс = —2 0 + 4 5 ° С |
|
^кэк |
То же, при 7^=*+60рС |
|
^кэк |
Напряжение коллектор — эмиттер заперто |
го транзистора |
|
U кэз |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
Ro = 10 ом при Тс= —20-f- +45°С |
|
U кэк |
То же, при Т°с = + 6 0 с С |
|
^Лсэк |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
^21 6= 1 |
|
|
£/кэо |
Напряжение |
эмиттер — база при хх |
в це- |
пи коллектора |
|
^эбо |
Величина
|100|
100
60
|100|
100
50
э
2
//. Начальные токи (ма)
при температуре окружающей среды Тс= —20-ь+20сС
Определение |
|
|
Обозначе |
Величина |
|
|
|
|
|
|
ние |
|
макс. |
|
|
|
|
|
|
Ток коллекторного перехода при хх |
|
|
|
в цепи эмиттера |
при |
£/,<6= 120 |
в |
Асбо |
0,4 |
10 |
То же, при £/,<б = 100 в |
|
|
^кбо |
0.2 |
5,2 |
Ток коллекторного |
перехода запер |
|
|
|
того транзистора |
при |
£/,< = 120 |
в\ |
|
0.4 |
ПИ |
£/»6 = 0,5 в |
|
|
|
Лсэз |
То же, при Uк = Ю 0 |
в\ |
£/Эб = 0 ,5 |
в |
Лоз |
0,2 |
ш |
|
Определение |
|
|
Ток |
коллекторного |
перехода |
запер |
того транзистора прн UK= 50 |
в\ |
U6 = 0,5 в; Т°с = +55° С |
|
|
Ток |
эмиттерного |
перехода |
при |
хх |
в цепи коллектора и Ubб=0,5 в То же, при Т с = +60° С
|
Продолжение |
Обозначе |
Величина |
|
ние |
макс. |
мин. |
^кэз |
|
Щ |
1эбо |
0,01 |
щ |
^эбо |
— |
3 |
///. Параметры усиления и переклю чения
при температуре |
окружающей среды |
Гс«=20±5°С |
|
|
Величина |
Режим |
|
Обо |
измерения |
Определение |
Един. |
|
значе |
изм. |
|
|
|
ние |
мин. |
макс. |
Uк'. о V * |
|
|
Коэффициент передачи тока
Длительность заднего фрон та импульса тока коллек тора прн UK= 10 в
Предельная частота коэф фициента передачи тока
Л21Э |
— |
1~20] |
11501 |
10 |
5 |
ТР |
мксек |
|
|1 .0 | |
10 |
5 |
/Л 21б |
— |
10 |
— |
—- |
— |
IV. Напряж ения в реж име насыщ ения (в)
____________ при /и » 10 а, |
/в*= Г а_____________ |
|
|
|
Обозначе |
Величина |
|
Определение |
|
|
|
ние |
мин. |
макс. |
|
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
0Д5 |
|
при Г с= + 2 0 оС |
^кэн |
Щ |
То же, при Т°с «=Н*60° С |
^кэн |
— |
1,4 |
То же, при 7'с = —20° С |
^Лсэв |
— |
0,7 |
|
О |
|
|
|
Напряжение база—эмиттер приГс =» |
|
0,3 |
0,7 |
= +20° С |
|
^бэн |
|
|
|
|
.— . ■ |
ТРАНЗИСТОР ГТ804В
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды Г° = +20±5°С
Определение |
Обо |
значе |
|
|
ние |
Напряжение |
коллектор — эмиттер в |
|
режиме насыщения |
^кэн |
То же, при Т°с = -f60° С |
^кэн |
То же, при 7° = —20° С |
U кэн |
|
|
Напряжение |
коллектор — база |
Укбо |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
при Т°с = +45° С |
U кэк |
|
|
То же, при Т°с = +60° С |
£/кэк |
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
U кэз |
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
при 7° = + 45° С |
|
То же, при 7° = 4-60° С |
|
11апряжение |
коллектор — эмиттер |
U кэо |
Ток коллекторного перехода при хх |
|
в цепи эмиттера и UK= 160 в |
^кбо |
То же, при U K= 140 в |
^кбо |
Ток коллекторного перехода запер |
|
того транзистора при £УН= 160 в |
^кээ |
То же, при U к = 140 в |
^кэз |
=■—...........■ a
Величина
Един.
нзм.
мни.
в10.51
в— 11401
в |
— . |
140 |
в |
— |
80 |
в |
—г |
11401 |
в |
— |
140 |
в |
— |
70 |
в— Г § ]
ма |
0.5 |
8 |
ма |
0.3 |
4.3 |
ма |
0,5 |
Щ |
ма |
0.3 |
ГйП |
R6,°M
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов ГТ804А от величины сопротивления в цепи базы при /? = 0
