книги из ГПНТБ / Оптико-электронные приборы сборник статей
..pdfно равен площади участка сферы, отсекаемого боковыми гранями пирамиды KABCD. Телесный угол со' может быть вычислен по формуле
<о' = 4ср sin В . |
(11) |
Выразим величины, входящие в (11), через текущие коорди-
- 5 |
8 |
Рис. 5. К выводу формулы светового потока.
наты у, z точки К и геометрические параметры зазора b, d, I и •/.. Из треугольников LMK и LRK (рис. 5, а) следует, что
|
Ь |
|
|
- 2 ~ У |
(12) |
э = arctg---- j----- |
||
|
~Т |
|
и |
|
|
d_ |
+ T - lgx“ |
z |
2 |
||
sin 0 |
|
(13) |
173
Поток, проходящий через элементарную площадку ds', имею щую яркость В' (с учетом того, что co sa~ l), можно определить по формуле
d Е = х В'ш1d s'.
Суммарный поток, проходящий через всю площадь S' изображения источника,
|
F = |
4 J |
х В 'оу' |
ds'. |
|
(14) |
|
|
h |
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
Учитывая зависимости |
(10) —(13), а также представляя |
ds' в |
||||
виде ds' — dydz, из (14) получаем |
|
|
|
|||
|
|
|
ь_ |
|
|
|
|
|
|
~2 |
|
|
|
F = 4 x B ^ y j |
4arctg X |
|
|
|||
|
d |
|
ci |
l |
|
|
|
2 |
|
|
|
||
|
С* |
|
|
tg х — z |
|
|
X — j — dy |
\ |
|
|
-dz. |
|
|
о |
! |
|
|
|
|
|
|
о |
|
|
|
|
|
Дважды интегрируя, |
находим |
|
|
|
|
|
Ь |
Ь |
|
1 |
f ( d , l |
% |
р |
F = 16 * В ( f f У ( - у arctgy- + |
7" In JjTp) { V [ i r + -т |
+ T |
||||
|
— Y |
~т |
*+■ |
|
|
|
или |
|
|
|
|
|
|
f = 4 t S ("^) [ 6arcts T |
- T ln( 1+ / * ) ] x |
|
|
|||
X / ( < / 4 -/tg *)* + |
/* - / |
VW*~+~'), |
|
05) |
где т — коэффициент световых потерь в оптической системе. Ори ентировочно можно принять, что т~0,25. Подробная методика оп ределения т описана в [3].
Если размер зазора I достаточно велик по сравнению с разме рами b и d, то для вычисления потока F, проходящего через моду
174
лятор, можно пользоваться приближенной формулой. В этом слу чае четырехгранный телесный угол
, |
S R - M N |
|
4 |
Выражая отрезки RS и MN через текущие координаты точки К и геометрические размеры зазора, получаем
|
|
4 |
|
|
Подставляя это выражение в |
(14) и производя замену ds' = |
|||
= dydz, переходим к двойному интегралу вида: |
|
|||
|
|
d |
|
|
|
|
2 |
|
|
F |
J 4 ( т ^ О “У j ( т + { - ' е » - 2 ) * |
|
||
JL |
|
|||
4 |
О |
О |
|
|
|
|
|
||
Дважды интегрируя последнее выражение, |
имеем |
|
||
f |
= TB(t)!( ^ |
+ 2 " Т " |
) |
(16) |
|
Выражение (16) — приближенный вариант более точной формулы (15). Подставляя в (15) и (16) значение х = 0, соответственно по лучаем:
4 хВ barc tg |
|
In ( 1 + " £ ) + |
(17) |
|
F = xB |
b2 яГ2 |
(18) |
|
|
&
Выражения (17) и (18) полностью совпадают с результатами, по лученными при непосредственном интегрировании выражения для dF в зазоре с плоскими электродами.
Итак, по формуле (17) можно вычислить поток F, проходящий через модулятор с плоским зазором, параметры которого b, d, I Формула (18) является приближенным вариантом выражения (17). Разница в вычислениях потока по обеим формулам при усло вии b=d составляет 6% при 1=ЗЬ и 23% при 1 = 2Ь.
Если яркость источника В выражается в стильбах, а линейные размеры b, d и / в сантиметрах, то вычисляемый по формулам
175
(15) — (18) поток F будет выражаться в люменах; если В задает ся в единицах энергетической яркости (вт/см2 ■стер), то пооток F выражается в ваттах.
Теперь выведем зависимости, связывающие электрические па раметры модулятора света с геометрическими размерами его ра бочего зазора. При этом электрическими параметрами модулято ра будем считать критическое напряжение UK, электрическую ем кость рабочего зазора С и активное сопротивление зазора R (со противление постоянному току).
Для критического напряжения модулятора с плоским зазором и электродами было получено выражение (8). Выведем формулу для вычисления UK в модуляторе с симметрично скошенным зазо ром.
Сечение зазора, имеющего геометрические размеры b, d, I и к, показано на рис. 6 (размер Ь перпендикулярен плоскости черте-
Рис. 6. К выводу формул электрических пара метров модулятора.
жа). Выделим в сечении зазора вертикальную зону с текущей координатой х, имеющую бесконечно малую длину dx. Общая вы сота зоны, ограниченная электродами,
2z — d -I- 2х- tg х .
Поскольку dx — величина бесконечно малая, можно рассматри вать заштрихованную зону как «элементарный» плоский зазор ши риной Ъ, высотой 2z и длиной dx. Если к электродам приложено
постоянное напряжение U, то на участке dx при прохождении че рез него света появится разность хода
d Z = |
HU*dx |
J ~ |
9 I04(2z)2 : |
■пли |
|
d о= |
BU2dx_ __ |
|
|
9 104 (d ■j- 2x ig v.)2 |
Проинтегрировав последнее выражение, найдем разность хода, которую будут иметь обыкновенный и необыкновенный лучи после
прохождения рабочего зазора: |
|
|
£ __ |
BU2 |
I |
~ |
9 104 |
rf2-i-d /tg x |
Так как критическому напряжению соответствует разность хо-
1
да, равная половине длины волны, то приравнивая о к — и решая
уравнение относительно UK, получаем
UK |
300 |
j |
' |
О9) |
При подстановке в (19) величины х = 0, |
как |
и следовало ожи |
||
дать, получаем уже известную |
формулу (8) для модулятора с |
|||
плоскими электродами. Если величины / и d, |
входящие в (8) и (19), |
|||
выражены в сантиметрах, |
то напряжение UK вычисляется в воль |
|||
тах- |
можно сделать вывод о том, что модуля |
|||
Сопоставив (8) и (19), |
||||
тор с симметрично скошенными электродами, |
имеющими геомет-. |
рические размеры b, d, I и %, модулирует световой поток точно так же, как и некоторый эквивалентный модулятор с плоскими элек
тродами, имеющими соответственно размеры b, I и daKB= у d^+dltgy- Емкость плоского конденсатора может быть вычислена по из
вестной формуле
С = 1,1 — — |
• —- 10-12 , |
(20) |
Ат. |
d |
|
где е — диэлектрическая постоянная рабочего вещества. Вычислим емкость конденсатора со скошенными электродами.
Заштрихованную зону (см. рис. 6) будем рассматривать как «эле ментарный» плоский конденсатор. Согласно (20) его емкость
dC = 1,1 £ • |
bd-x— .Ю -12. |
4-к |
d -; 2.v tg -/. |
12 лист |
177 |
Емкость всего рабочего зазора С вычисляем интегрированием это го выражения:
1
|
|
|
2 |
Ъd х |
|
|
|
|
|
|
* |
|
|
||
Окончательно имеем |
|
|
Оj |
d -f- 2xtg 1. |
|
||
|
|
|
|
|
|
||
1,1 4к |
Ь |
In |
d |
^ t g х I Q |
13 |
( 21) |
|
tgx |
|||||||
d |
|
|
|||||
При подстановке в |
(21) |
значения х = 0 получаем математичес |
|||||
кую неопределенность вида |
|
раскрытие |
которой |
по правилу |
Лапиталя дает уже известную формулу (20) для емкости плоско го конденсатора. Чтобы получить в выражениях (20) и (21) раз мерность емкости в фарадах, величины d и I следует выражать в сантиметрах.
Омическое сопротивление R объема жидкости, заполняющей за зор с плоскими электродами,
R = р |
( 22) |
где р г—удельное сопротивление жидкости, ом/см.
Для вычисления сопротивления объема жидкости, заключенно го в зазоре с симметрично скошенными электродами, вновь обра-- тимся к рис. 6. Сопротивление «элементарного» конденсатора оп
ределяем по формуле (22) |
|
|
d R ^ |
d,-2xtg , |
•> |
|
bdx |
|
|
|
|
откуда после интегрирования, находим |
|
|
R = o |
tg* |
(23) |
bin |
d + / ig х |
|
|
d |
|
При подстановке в (23) значения х = 0 после раскрытия неоп ределенности получаем формулу (22) для плоского зазора.
Итак, получены расчетные формулы, выражающие основные электрические параметры модулятора через геометрические раз меры его рабочего зазора. Из этих формул нетрудно получить вы
178
ражения для других, вспомогательных электрических величин (ак тивной и полной мощностей, тока и пр.), которые могут потребо ваться для расчета электросхемы модулятора.
Кратко рассмотрим требования, предъявляемые к веществу с точки зрения пригодности его как рабочей среды в электрооптическом модуляторе света. Помимо уже упоминавшихся постоянной Керра В, диэлектрической постоянной в и удельного сопротивле ния р, важной характеристикой является удельное пробивное на пряжение £/„. Оно определяет величину максимального напряже ния, которое может быть приложено к электродам модулятора-
Обычно при проектировании модуляторов света основное зна чение имеет постоянная Керра В. Чем больше В, т. е. чем сильнее проявляется эффект Керра в рабочем веществе, тем меньшее на пряжение требуется для управления модулятором при всех про чих равных условиях. Наиболее заметен эффект Керра в жидко стях. Для некоторых из них значения В приведены ниже:
Сероуглерод ........................................................................... |
|
|
3,2 • 10~7 |
Вода ........................................................................................... |
|
|
4,7 - 10-7 |
Монобромпафталин ............................................................... |
|
9,! • 10~7 |
|
Хлоробензол ........................................................................... |
|
|
10,0-10 -7 |
Хлороформ ............................................................................... |
|
|
34,6-10-7 |
Нитротолуол ............................................................ |
... |
|
205,0-К )-7 |
Нитробензол ........................................................................... |
|
|
344,0 ■10-7 |
Значения постоянной Керра для других жидкостей |
можно найти |
||
в литературе [4]. |
|
значением В обла |
|
Из всех известных жидкостей наибольшим |
|||
дает нитробензол. |
Поэтому модуляторы света на |
нитробензоле |
|
наиболее широко применяются на практике. |
Электрические свой |
||
ства нитробензола |
также достаточно высоки: |
е= 34,4; р= 5*Ю7-т- |
1• 109ом/см ; U„=5- 104-н-15 - 10*в/см .
При работе модуляторов в области высоких (свыше 106 гц) ча стот существенно возрастает величина диэлектрических потерь, что ведет к интенсивному нагреву рабочей жидкости в зазоре модуля тора. Поскольку с ростом температуры значения В уменьшаются, это неизбежно ухудшит режим модуляции. Так, при изменении температуры нитробензола с 22 до 60° С величина постоянной Кер ра соответственно уменьшается с 3,4 • 10-5 до 2,1 • 10~5. Следова тельно, при проектировании и конструировании высокочастотных электрооптических модуляторов света влияние диэлектрических потерь нельзя не учитывать. Для нитробензола на частоте 10 мгц диэлектрические потери составляют приблизительно 0,005.
Ориентировочно можно считать, что предельная частота моду ляции ячеек Керра на нитробензоле не превосходит нескольких де сятков мегагерц. Это ограничение в основном накладывается вы сокочастотными потерями в рабочем веществе, а не инерцион ностью самого эффекта Керра, которая в большинстве случаев
12* |
179 |
весьма мала. Например, постоянная времени эффекта Керра в нитробензоле не хуже КН° сек
Таким образом, кратко рассмотрены основы теории электрооптического эффекта в аспекте использования его для модуляции света, выведены обобщенные математические зависимости пара метров для модуляторов с прямыми и симметрично скошенными электродами и указаны физические константы, по которым можно выбирать рабочее вещество модулятора. Кроме того, используя при проектировании электрооптических модуляторов света обобщен ные формулы (15), (16), (19), (21) и (23), можно рассчитать опти мальный вариант конструкции в соответствии с поставленными техническими условиями.
|
|
|
|
ЛИТЕРАТУРА |
|
|
1. |
Л а н д с б е р г |
Г. |
С. |
Оптика. М., ГМТГЛ, 1957. |
|
|
2. |
К о н д р а ш к о в |
А. В. |
Электрооптичеекие |
дальномеры. М., |
Геодезиздат, |
|
1959. |
Т а г е р П. Г. Ячейка |
Керра. М., Изд. «Искусство», 1937. |
|
|||
3. |
|
|||||
4. |
В а л ь к е н ш т е й н |
М. |
А. Молекулярная |
оптика. М —Л., |
ГИТТЛ. 1957. |
УДК 681.4.022
Инж. Б. 3. БЫКОВ
ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ НАЛАДКИ И НАСТРОЙКИ ОПТИЧЕСКИХ СТАНКОВ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СРЕДНЕЙ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ СКОРОСТИ
Один из основных кинематических показателей, характеризую щих процесс шлифования и полирования сферических оптических поверхностей,—средняя относительная скорость VCpX ■ Выражения для определения Vcvk при обработке сферических поверхностей методом свободного притира на станках типа ШП получены [1, 2]. Из этих выражений видно, что средняя относительная скорость яв ляется функцией многих переменных, а потому аналитическое ис следование влияния каждого из параметров настройки на ее вели чину чрезвычайно громоздко. В то же время изучение распределе ния Vcpx по поверхности заготовки в процессе ее обработки необ ходимо для правильного выбора параметров настройки станка и режимов обработки оптической поверхности.
В статье приводятся результаты анализа зависимости средней относительной скорости от параметров наладки и настройки стан ка (угловых скоростей нижнего <оп и верхнего ыв звеньев, криво шипа соКр, угловых эксцентриситетов v, у т, углов полураствора ин
струмента -Fp в в) .
Анализ зависимости Vcpx =f (л) проведен методом численного определения величины Vcvх для некоторых дискретных значений независимых параметров (соп, юн, coKp, v, 0) . Вычисления произведе ны для случаев обработки заготовки сплошным инструментом при остановленном и перемещающемся поводках по точным и прибли женным формулам [1, 2] на электронно-вычислительной машине «Урал» и «ручным» способом.
Рассмотрим распределение средних относительных скоростей по поверхности заготовки при изменении параметров наладки и настройки станка и остановленном поводке.
181
Вращение верхнего звена
В большинстве современных станков для шлифования и поли рования оптических поверхностей с использованием метода свобод ного притира применяется свободное вращение верхнего звена. Как известно, оно происходит благодаря силам трения, возникающим между парными звеньями и передается через слой абразива. Дина мические и кинематические исследования свободного вращения верхнего звена показали, что его угловая скорость непостоянна в процессе обработки, кинематически неопределенна и зависит от многих технологических и кинематических факторов: распределе ния давления по поверхности обработки коэффициента трения, ме ста соприкосновения парных звеньев и т. д.
Эмпирически найдено [4], что при шлифовании и полировании с избыточной подачей суспензии значение угловой скорости лежит в
интервале 0<(oB<wH. |
Нами вычислены значения средней относи |
|||
тельной скорости в различных зонах заготовки ). при |
изменении |
|||
<йв от 1 до 0,1. Результаты |
вычислений |
представлены |
графиками |
|
зависимостей Ус:ря = / |
(Л.), |
построенных |
для сов, выраженных в от |
носительных единицах по отношению к о>н (рис. 1, а).
Область изменения (ов = 0,7-т-0,9 сош включающая в себя значе ния угловых скоростей, в основном применяемых при обработке, на рис. 1, а заштрихована. В пределах этой области величину VCP %с небольшим приближением можно принять постоянной.
Так как средняя относительная скорость в центральной зоне за
готовки (к = 0) радиуса R выражается как |
|
|
V |
= ! °>в}/? Sin V, |
П) |
то, полагая, что при свободном вращении верхнего звена |
||
V |
= f М ~ const. |
|
приходим к выводу: для |
(ов= 0,7 -^0,9 сон значение |
УСр?' в любой |
зоне заготовки можно определять по формуле (!)■ |
При принуди |
тельном вращении верхнего звена характер распределения средней относительной скорости в зонах заготовки изменяется (рис. I, б).
Проведенные расчеты показали, что рост абсолютной скорости вращения верхнего звена увеличивает Vcp'*- во всех зонах заго
товки.
Величина средней относительной скорости в центральной зоне заготовки не зависит от знака со,, [см. (1)]. В других зонах заготов ки (при h 7*40) вращение верхнего звена в сторону, противополож ную вращению нижнего ( —со„), вызывает большее увеличение КС1)Х* чем при его вращении в ту же сторону.
Если направление вращения верхнего звена совпадает с на правлением вращения нижнеРо, то такое движение называют вра щением «по ходу», если не совпадает, то «против хода». В зоне за готовки ?.= 90° при вращении верхнего звена против хода средняя относительная скорость всегда в два—три раза больше, чем соответ ствующая величина Усрх при вращении верхнего звена по ходу.
182