Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Оптико-электронные приборы сборник статей

..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
29.10.2023
Размер:
8.02 Mб
Скачать

но равен площади участка сферы, отсекаемого боковыми гранями пирамиды KABCD. Телесный угол со' может быть вычислен по формуле

<о' = 4ср sin В .

(11)

Выразим величины, входящие в (11), через текущие коорди-

- 5

8

Рис. 5. К выводу формулы светового потока.

наты у, z точки К и геометрические параметры зазора b, d, I и •/.. Из треугольников LMK и LRK (рис. 5, а) следует, что

 

Ь

 

 

- 2 ~ У

(12)

э = arctg---- j-----

 

 

и

 

 

d_

+ T - lgx“

z

2

sin 0

 

(13)

173

Поток, проходящий через элементарную площадку ds', имею­ щую яркость В' (с учетом того, что co sa~ l), можно определить по формуле

d Е = х В'ш1d s'.

Суммарный поток, проходящий через всю площадь S' изображения источника,

 

F =

4 J

х В 'оу'

ds'.

 

(14)

 

 

h

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

Учитывая зависимости

(10) —(13), а также представляя

ds' в

виде ds' — dydz, из (14) получаем

 

 

 

 

 

 

ь_

 

 

 

 

 

 

~2

 

 

 

F = 4 x B ^ y j

4arctg X

 

 

 

d

 

ci

l

 

 

 

2

 

 

 

 

С*

 

 

tg х — z

 

 

X — j — dy

\

 

 

-dz.

 

 

о

!

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

Дважды интегрируя,

находим

 

 

 

 

Ь

Ь

 

1

f ( d , l

%

р

F = 16 * В ( f f У ( - у arctgy- +

7" In JjTp) { V [ i r + -т

+ T

 

Y

*+■

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

f = 4 t S ("^) [ 6arcts T

- T ln( 1+ / * ) ] x

 

 

X / ( < / 4 -/tg *)* +

/* - /

VW*~+~'),

 

05)

где т — коэффициент световых потерь в оптической системе. Ори­ ентировочно можно принять, что т~0,25. Подробная методика оп­ ределения т описана в [3].

Если размер зазора I достаточно велик по сравнению с разме­ рами b и d, то для вычисления потока F, проходящего через моду­

174

лятор, можно пользоваться приближенной формулой. В этом слу­ чае четырехгранный телесный угол

,

S R - M N

 

4

Выражая отрезки RS и MN через текущие координаты точки К и геометрические размеры зазора, получаем

 

 

4

 

 

Подставляя это выражение в

(14) и производя замену ds' =

= dydz, переходим к двойному интегралу вида:

 

 

 

d

 

 

 

 

2

 

 

F

J 4 ( т ^ О “У j ( т + { - ' е » - 2 ) *

 

JL

 

4

О

О

 

 

 

 

 

Дважды интегрируя последнее выражение,

имеем

 

f

= TB(t)!( ^

+ 2 " Т "

)

(16)

 

Выражение (16) — приближенный вариант более точной формулы (15). Подставляя в (15) и (16) значение х = 0, соответственно по­ лучаем:

4 хВ barc tg

 

In ( 1 + " £ ) +

(17)

 

F = xB

b2 яГ2

(18)

 

 

&

Выражения (17) и (18) полностью совпадают с результатами, по­ лученными при непосредственном интегрировании выражения для dF в зазоре с плоскими электродами.

Итак, по формуле (17) можно вычислить поток F, проходящий через модулятор с плоским зазором, параметры которого b, d, I Формула (18) является приближенным вариантом выражения (17). Разница в вычислениях потока по обеим формулам при усло­ вии b=d составляет 6% при 1=ЗЬ и 23% при 1 = 2Ь.

Если яркость источника В выражается в стильбах, а линейные размеры b, d и / в сантиметрах, то вычисляемый по формулам

175

(15) — (18) поток F будет выражаться в люменах; если В задает­ ся в единицах энергетической яркости (вт/см2 ■стер), то пооток F выражается в ваттах.

Теперь выведем зависимости, связывающие электрические па­ раметры модулятора света с геометрическими размерами его ра­ бочего зазора. При этом электрическими параметрами модулято­ ра будем считать критическое напряжение UK, электрическую ем­ кость рабочего зазора С и активное сопротивление зазора R (со­ противление постоянному току).

Для критического напряжения модулятора с плоским зазором и электродами было получено выражение (8). Выведем формулу для вычисления UK в модуляторе с симметрично скошенным зазо­ ром.

Сечение зазора, имеющего геометрические размеры b, d, I и к, показано на рис. 6 (размер Ь перпендикулярен плоскости черте-

Рис. 6. К выводу формул электрических пара­ метров модулятора.

жа). Выделим в сечении зазора вертикальную зону с текущей координатой х, имеющую бесконечно малую длину dx. Общая вы­ сота зоны, ограниченная электродами,

2z — d -I- 2х- tg х .

Поскольку dx — величина бесконечно малая, можно рассматри­ вать заштрихованную зону как «элементарный» плоский зазор ши­ риной Ъ, высотой 2z и длиной dx. Если к электродам приложено

постоянное напряжение U, то на участке dx при прохождении че­ рез него света появится разность хода

d Z =

HU*dx

J ~

9 I04(2z)2 :

■пли

 

d о=

BU2dx_ __

 

9 104 (d ■j- 2x ig v.)2

Проинтегрировав последнее выражение, найдем разность хода, которую будут иметь обыкновенный и необыкновенный лучи после

прохождения рабочего зазора:

 

£ __

BU2

I

~

9 104

rf2-i-d /tg x

Так как критическому напряжению соответствует разность хо-

1

да, равная половине длины волны, то приравнивая о к — и решая

уравнение относительно UK, получаем

UK

300

j

'

О9)

При подстановке в (19) величины х = 0,

как

и следовало ожи­

дать, получаем уже известную

формулу (8) для модулятора с

плоскими электродами. Если величины / и d,

входящие в (8) и (19),

выражены в сантиметрах,

то напряжение UK вычисляется в воль­

тах-

можно сделать вывод о том, что модуля­

Сопоставив (8) и (19),

тор с симметрично скошенными электродами,

имеющими геомет-.

рические размеры b, d, I и %, модулирует световой поток точно так же, как и некоторый эквивалентный модулятор с плоскими элек­

тродами, имеющими соответственно размеры b, I и daKB= у d^+dltgy- Емкость плоского конденсатора может быть вычислена по из­

вестной формуле

С = 1,1 — —

• —- 10-12 ,

(20)

Ат.

d

 

где е — диэлектрическая постоянная рабочего вещества. Вычислим емкость конденсатора со скошенными электродами.

Заштрихованную зону (см. рис. 6) будем рассматривать как «эле­ ментарный» плоский конденсатор. Согласно (20) его емкость

dC = 1,1 £ •

bd-x— .Ю -12.

4-к

d -; 2.v tg -/.

12 лист

177

Емкость всего рабочего зазора С вычисляем интегрированием это­ го выражения:

1

 

 

 

2

Ъd х

 

 

 

 

 

*

 

 

Окончательно имеем

 

 

Оj

d -f- 2xtg 1.

 

 

 

 

 

 

 

1,1

Ь

In

d

^ t g х I Q

13

( 21)

tgx

d

 

 

При подстановке в

(21)

значения х = 0 получаем математичес­

кую неопределенность вида

 

раскрытие

которой

по правилу

Лапиталя дает уже известную формулу (20) для емкости плоско­ го конденсатора. Чтобы получить в выражениях (20) и (21) раз­ мерность емкости в фарадах, величины d и I следует выражать в сантиметрах.

Омическое сопротивление R объема жидкости, заполняющей за­ зор с плоскими электродами,

R = р

( 22)

где р г—удельное сопротивление жидкости, ом/см.

Для вычисления сопротивления объема жидкости, заключенно­ го в зазоре с симметрично скошенными электродами, вновь обра-- тимся к рис. 6. Сопротивление «элементарного» конденсатора оп­

ределяем по формуле (22)

 

 

d R ^

d,-2xtg ,

•>

 

bdx

 

 

откуда после интегрирования, находим

 

R = o

tg*

(23)

bin

d + / ig х

 

 

d

 

При подстановке в (23) значения х = 0 после раскрытия неоп­ ределенности получаем формулу (22) для плоского зазора.

Итак, получены расчетные формулы, выражающие основные электрические параметры модулятора через геометрические раз­ меры его рабочего зазора. Из этих формул нетрудно получить вы­

178

ражения для других, вспомогательных электрических величин (ак­ тивной и полной мощностей, тока и пр.), которые могут потребо­ ваться для расчета электросхемы модулятора.

Кратко рассмотрим требования, предъявляемые к веществу с точки зрения пригодности его как рабочей среды в электрооптическом модуляторе света. Помимо уже упоминавшихся постоянной Керра В, диэлектрической постоянной в и удельного сопротивле­ ния р, важной характеристикой является удельное пробивное на­ пряжение £/„. Оно определяет величину максимального напряже­ ния, которое может быть приложено к электродам модулятора-

Обычно при проектировании модуляторов света основное зна­ чение имеет постоянная Керра В. Чем больше В, т. е. чем сильнее проявляется эффект Керра в рабочем веществе, тем меньшее на­ пряжение требуется для управления модулятором при всех про­ чих равных условиях. Наиболее заметен эффект Керра в жидко­ стях. Для некоторых из них значения В приведены ниже:

Сероуглерод ...........................................................................

 

 

3,2 • 10~7

Вода ...........................................................................................

 

 

4,7 - 10-7

Монобромпафталин ...............................................................

 

9,! • 10~7

Хлоробензол ...........................................................................

 

 

10,0-10 -7

Хлороформ ...............................................................................

 

 

34,6-10-7

Нитротолуол ............................................................

...

 

205,0-К )-7

Нитробензол ...........................................................................

 

 

344,0 ■10-7

Значения постоянной Керра для других жидкостей

можно найти

в литературе [4].

 

значением В обла­

Из всех известных жидкостей наибольшим

дает нитробензол.

Поэтому модуляторы света на

нитробензоле

наиболее широко применяются на практике.

Электрические свой­

ства нитробензола

также достаточно высоки:

е= 34,4; р= 5*Ю7-т-

1• 109ом/см ; U„=5- 104-н-15 - 10*в/см .

При работе модуляторов в области высоких (свыше 106 гц) ча­ стот существенно возрастает величина диэлектрических потерь, что ведет к интенсивному нагреву рабочей жидкости в зазоре модуля­ тора. Поскольку с ростом температуры значения В уменьшаются, это неизбежно ухудшит режим модуляции. Так, при изменении температуры нитробензола с 22 до 60° С величина постоянной Кер­ ра соответственно уменьшается с 3,4 • 10-5 до 2,1 • 10~5. Следова­ тельно, при проектировании и конструировании высокочастотных электрооптических модуляторов света влияние диэлектрических потерь нельзя не учитывать. Для нитробензола на частоте 10 мгц диэлектрические потери составляют приблизительно 0,005.

Ориентировочно можно считать, что предельная частота моду­ ляции ячеек Керра на нитробензоле не превосходит нескольких де­ сятков мегагерц. Это ограничение в основном накладывается вы­ сокочастотными потерями в рабочем веществе, а не инерцион­ ностью самого эффекта Керра, которая в большинстве случаев

12*

179

весьма мала. Например, постоянная времени эффекта Керра в нитробензоле не хуже КН° сек

Таким образом, кратко рассмотрены основы теории электрооптического эффекта в аспекте использования его для модуляции света, выведены обобщенные математические зависимости пара­ метров для модуляторов с прямыми и симметрично скошенными электродами и указаны физические константы, по которым можно выбирать рабочее вещество модулятора. Кроме того, используя при проектировании электрооптических модуляторов света обобщен­ ные формулы (15), (16), (19), (21) и (23), можно рассчитать опти­ мальный вариант конструкции в соответствии с поставленными техническими условиями.

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

 

1.

Л а н д с б е р г

Г.

С.

Оптика. М., ГМТГЛ, 1957.

 

2.

К о н д р а ш к о в

А. В.

Электрооптичеекие

дальномеры. М.,

Геодезиздат,

1959.

Т а г е р П. Г. Ячейка

Керра. М., Изд. «Искусство», 1937.

 

3.

 

4.

В а л ь к е н ш т е й н

М.

А. Молекулярная

оптика. М —Л.,

ГИТТЛ. 1957.

УДК 681.4.022

Инж. Б. 3. БЫКОВ

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ НАЛАДКИ И НАСТРОЙКИ ОПТИЧЕСКИХ СТАНКОВ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СРЕДНЕЙ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ СКОРОСТИ

Один из основных кинематических показателей, характеризую­ щих процесс шлифования и полирования сферических оптических поверхностей,—средняя относительная скорость VCpX ■ Выражения для определения Vcvk при обработке сферических поверхностей методом свободного притира на станках типа ШП получены [1, 2]. Из этих выражений видно, что средняя относительная скорость яв­ ляется функцией многих переменных, а потому аналитическое ис­ следование влияния каждого из параметров настройки на ее вели­ чину чрезвычайно громоздко. В то же время изучение распределе­ ния Vcpx по поверхности заготовки в процессе ее обработки необ­ ходимо для правильного выбора параметров настройки станка и режимов обработки оптической поверхности.

В статье приводятся результаты анализа зависимости средней относительной скорости от параметров наладки и настройки стан­ ка (угловых скоростей нижнего <оп и верхнего ыв звеньев, криво­ шипа соКр, угловых эксцентриситетов v, у т, углов полураствора ин­

струмента -Fp в в) .

Анализ зависимости Vcpx =f (л) проведен методом численного определения величины Vcvх для некоторых дискретных значений независимых параметров (соп, юн, coKp, v, 0) . Вычисления произведе­ ны для случаев обработки заготовки сплошным инструментом при остановленном и перемещающемся поводках по точным и прибли­ женным формулам [1, 2] на электронно-вычислительной машине «Урал» и «ручным» способом.

Рассмотрим распределение средних относительных скоростей по поверхности заготовки при изменении параметров наладки и настройки станка и остановленном поводке.

181

Вращение верхнего звена

В большинстве современных станков для шлифования и поли­ рования оптических поверхностей с использованием метода свобод­ ного притира применяется свободное вращение верхнего звена. Как известно, оно происходит благодаря силам трения, возникающим между парными звеньями и передается через слой абразива. Дина­ мические и кинематические исследования свободного вращения верхнего звена показали, что его угловая скорость непостоянна в процессе обработки, кинематически неопределенна и зависит от многих технологических и кинематических факторов: распределе­ ния давления по поверхности обработки коэффициента трения, ме­ ста соприкосновения парных звеньев и т. д.

Эмпирически найдено [4], что при шлифовании и полировании с избыточной подачей суспензии значение угловой скорости лежит в

интервале 0<(oB<wH.

Нами вычислены значения средней относи­

тельной скорости в различных зонах заготовки ). при

изменении

<йв от 1 до 0,1. Результаты

вычислений

представлены

графиками

зависимостей Ус:ря = /

(Л.),

построенных

для сов, выраженных в от­

носительных единицах по отношению к о>н (рис. 1, а).

Область изменения (ов = 0,7-т-0,9 сош включающая в себя значе­ ния угловых скоростей, в основном применяемых при обработке, на рис. 1, а заштрихована. В пределах этой области величину VCP %с небольшим приближением можно принять постоянной.

Так как средняя относительная скорость в центральной зоне за­

готовки (к = 0) радиуса R выражается как

 

V

= ! °>в}/? Sin V,

П)

то, полагая, что при свободном вращении верхнего звена

V

= f М ~ const.

 

приходим к выводу: для

(ов= 0,7 -^0,9 сон значение

УСр?' в любой

зоне заготовки можно определять по формуле (!)■

При принуди­

тельном вращении верхнего звена характер распределения средней относительной скорости в зонах заготовки изменяется (рис. I, б).

Проведенные расчеты показали, что рост абсолютной скорости вращения верхнего звена увеличивает Vcp'*- во всех зонах заго­

товки.

Величина средней относительной скорости в центральной зоне заготовки не зависит от знака со,, [см. (1)]. В других зонах заготов­ ки (при h 7*40) вращение верхнего звена в сторону, противополож­ ную вращению нижнего ( —со„), вызывает большее увеличение КС1)Х* чем при его вращении в ту же сторону.

Если направление вращения верхнего звена совпадает с на­ правлением вращения нижнеРо, то такое движение называют вра­ щением «по ходу», если не совпадает, то «против хода». В зоне за­ готовки ?.= 90° при вращении верхнего звена против хода средняя относительная скорость всегда в два—три раза больше, чем соответ­ ствующая величина Усрх при вращении верхнего звена по ходу.

182

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ