Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Физические основы рентгеноспектрального локального анализа

..pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
15.53 Mб
Скачать

соотношений ( 1 ) и ( 2 ) , а именно,

[ід и Z рассчитывались по формулам

ИА = р М + р 1 ( 1 - А ; 1 ) ,

Z = Z A A ; A + Z B ( 1 - ^ A ) ,

поскольку значения к% были не известны. Относительная ошибка определялась как

(истинная концентрация

— рассчитанная концентрация)

jQQo/

истинная

концентрация

'

Для того чтобы сравнить результаты всех пяти методов, Пул и Томас использовали простую методику; они опре­ деляли процент исправленных результатов, полученных с относительными ошибками в пределах + 2 , 5 и + 5 % . Полученные ими результаты вместе с результатами упро­ щенного метода приведены в табл. 6 .

 

 

Т а б л и ц а

6

Метод введения

Процент ре­

Процент

ре­

зультатов в

зультатов в

поправки

пределах от­

пределах

от­

носительной

носительной

 

 

ошибки +2,5%

ошибки + 5 %

Экспериментальные

1 4

26

 

данные

 

 

 

 

Бирке

[7]

1 3

2 3

 

Арчард

н Мулви [ 3 ]

2 2

36

 

Тайзен

[ 8 ]

27

5 4

 

Зиболд

н О ГИЛВИ [ 9 ]

4 4

65

 

Томас [ 5 ]

53

70

 

Упрощенный метод

47

69

 

Белка

[10J

 

 

 

Гистограммы относительных ошибок упрощенного ме­ тода и метода Томас приведены на рис. 2 и 3 соответст­ венно. Коэффициенты поглощения некоторых сплавов, приведенных в табл. 5, слишком велики, чтобы при исполь­ зовании упрощенного метода точность аппроксимации бы­ ла в пределах + 2 % (см. рис. 1 ) . Таких сплавов (в табл. 5 помечены звездочкой) оказалось 2 2 и соответствующие им относительные ошибки на рис. 2 не приводятся.

9 Под редакцией И. Б. Боровского

257

Результаты для этих сплавов (относительные ошибки) в виде заштрихованных областей приведены на рис. 3. Если сравнить результаты по общим для обоих методов 128 сплавам, то в самом деле гистограммы очень сходны.

Рис. 2. Гистограмма относительных

Рис. 3. Гистограмма

относительных

ошибок. Упрощенный метод.

ошибок. Метод

Томас.

Если исключить из расчетов указанные выше 22 сплава, то сравнение приводит к следующему:

В преде­

В преде­

лах +2,5%

лах + 5 %

Томас

60

79

Белк

53

77

Обсуждение. Из приведенных выше результатов оче­ видно, что предложенный упрощенный метод позволяет вводить поправки в данные микроанализа, по точности сравнимые с любым из принятых методов, а иногда и более точные. Его применение ограничено в случае систем с большими коэффициентами поглощения. Однако следует отметить, что результаты, полученные для таких систем с помощью других методов, также весьма неудовлетво­ рительны.

Наиболее важной сферой применения упрощенного метода является быстрый расчет поправок для сплавов, состоящих из трех и более компонентов. Обработка этих данных при помощи других методов введения поправки требует трудоемких арифметических выкладок или ис­ пользования счетных машин, в то время как расчет поп-

равки с помощью упрощенного метода в случае четырехкомпонентного сплава требует лишь немного больше времени, чем в случае бинарного сплава.

Очевидно, что метод не содержит ограничений для анализа легких элементов в тяжелой матрице. Наоборот, весьма обнадеживает то обстоятельство, что исправленные результаты для окислов и карбидов близки к истинным кон-, центрациям.

Выбор метода введения поправки в данные микроана­ лиза для сложных сплавов существенно зависит от требуе­ мой точности, быстроты и стоимости анализа. Упрощенные, методы незаменимы, когда не требуется высокая точность. Использование же счетной машины для быстрого получе­ ния результатов в пределах обычной точности часто бывает неэкономичным.

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Р о о 1 е

D. М.,

T h o m a s

Р. М.,

A E R E , Report 4796 (1964).

2.

В і r k s

L. S.,

J . Appl. Phys. 31,

1297 (1960).

 

 

No.

3.

C a s t a i n g

R.,

Thesis

Univ.

of

Paris, publ. ONERA,

4.

54 (1951), Adv. i n Electronics and Electron Physics 13, 317 (1960).

P o o l e

D . M . ,

T h o r n as

P . M . , J .

Inst.

Metals, 90,

228

5.

(1961) .

 

G.,

M u l v e y

Т.,

 

Proc.

3rd

I n t . Symp.

on

A r c h a r d

 

 

X-ray Optics and X-ray Microanalysis,

Stanford, New

York,

6.

Academic Press

(1962).

 

 

 

 

 

Optics and

X-ray

G r e e n

M . , Proc. 3rd I n t . Symp. on X-ray

7.

Microanalysis,

Stanford, New York,

Academic

Press

(1962).

P h i l i b e r t

J . , Proc. 3rd

I n t . Symp. on X-ray

Optics

and

 

X-ray Microanalysis, Stanford, New Uork, Academic

Press

8.

(1962) .

 

P. M . , Brit . J . Appl.

Phys. 14, 397 (1963).

 

 

T h o m a s

 

 

9.

T h o m a s

P. M . , A E R E ,

Report 4593

(1963).

 

 

 

10.

B e l k

J . A.,

Birm . C.A.T. Tech. Note

Met/21/1964 (1964).

11.

Z e і b о 1 d

Т.

C. Ogilvie

R. E.,

Anal.

Chem. 35, 621 (1963).

12.

C a l a i s

D.,

M о r e a u

G.,

C.E.N.,

Fonlenay-aux

Roses,

13.

Reports

323 and

345.

 

 

 

F.,

C a l a i s D.,

A d d a

K i r i a n e n k o A . , M a u r i c e

 

Y., Proc. 3rd. I n t . Sump, on X-ray

Optics and X-ray

Microana­

 

lysis,

Stanford, New York,

Academic Press (1962).

 

 

 

14.R e e d S.J.В., Thesis, Univ. of Cambridge (1964),

15.H a w о r t h C., Private communication.

19

МЕТОД АНАЛИЗА

ТОНКИХ ПЛЕНОК

Д. Маршалл, Т. Холл

При локальном рентгеноспектральном анализе тонких пленок очень часто приходится иметь дело с пленками неизвестной или переменной толщины. В предыдущих ра­ ботах [13] было отмечено, что интенсивность характе­ ристического рентгеновского излучения элемента тонкой пленки пропорциональна массе этого элемента, приходя­ щейся на единицу площади. Для любой заданной точки пленки можно определить массу, приходящуюся на еди­ ницу площади для всех присутствующих элементов, изме­ ряя интенсивности их характеристических линий и срав­ нивая их с измерениями, выполненными на пленках из чистых металлов с известной массой на единицу площади. Зная количество каждого элемента в пленке, можно опре­ делить полную массовую толщину пленки и, наконец, мас­ совую концентрацию интересующего элемента или эле­ ментов. Эта методика очень трудоемка, а в случае пленок, содержащих легкие элементы, т. е. в случае биологических объектов, зачастую непригодна.

Лучшим методом является непосредственное опреде­ ление массовой толщины пленки путем измерения непре­ рывного рентгеновского излучения, которое испускает образец, бомбардируемый электронами. В микроанализа­ торах эти измерения можно проводить одновременно с измерениями интенсивностей линий характеристического спектра, что и лежит в основе метода весьма быстрого определения массовой концентрации единичного элемента в пленке.

Теория. Для характеристической линии элемента А интенсивность dIA, измеренная в фотонах на электрон, испускаемая на пути электрона длиной dx, равна

dIA = NAty(E)uKdx,

(1)

где NA — число атомов в 1 см3 элемента А, пасок

— выход

флуоресценции на ионизованный атом А. Дифференциаль­ ное эффективное сечение ионизации "ф (Е) согласно [4, 5] равно

,

2яе'Ъ

( Е \

/„.

 

Vі) ~W7F

In IF-Ь

(2)

где Е — энергия электрона, Ек — потенциал возбужде­ ния /("-серии рентгеновского спектра элемента А, Ъ — кон­ станта. Подстановка этого выражения в (1) дает выраже­ ние для полного выхода характеристического излучения. Если электрон, проходя через пленку, теряет энергию

АЕ, то

Е„-ДЕ

Энергия непрерывного спектра, испускаемого тонкой плен­ кой (см. [6—8]), равна

W = kEZ АЕ

(4)

и, как известно, однородно распределяется относительно величины энергии вплоть до максимального значения, равного энергии падающих электронов, так что для рент­ геновского излучения с энергией є

dW~^r.

(5)

Число возбужденных фотонов обратно пропорционально их энергии:

 

d / w = j * ! L .

 

(б)

Комбинируя соотношения

(4) — (6),

получаем, что число

фотонов с энергиями в интервале є 0

— є 0 + Де,

возбуж­

денных при столкновении электронов с атомами

элемен­

та В, равно

 

 

 

 

 

Ij

= kZBAEB

 

In (*±±)

(7)

Для потери энергии АЕВ,

обусловленной атомам

и эле­

мента В, воспользуемся

выражением

[4, 10, 11]

 

%

. - + К

*

в ъ ( » -

) .

(8,

так что полная интенсивность непрерывного спектра, соз­ даваемого пленкой, равна

Е„-ДЕ

1 " = 2 Я = ск In ( * ± * L ) S N b Z %

\ 4 - In ( і * )cte.

 

(9)

Прежде всего пренебрежем зависимостью In (1/У) *) от атомного номера и воспользуемся соотношениями

^nbzI

=

z

^

n b ,

(10)

^

=

-

V

p .

( и )

где сд массовая концентрация элемента Л, 7V0 — число Авогадро, р — плотность пленки. Комбинируя выраже­ ния (3), (9), (10) и ( И ) , получаем соотношение между интенсивностями характеристического и непрерывного спектров, излучаемых тонкой пленкой:

I А

Г, А

 

 

 

w

v (• і

/ 2Е\

'

I і " »

Где К — константа, равная

 

=

2яе*Ьа>г,

л

х •

(13)

К

/

і

 

скЕк

1ц ( е " +

 

А е

Х

 

Если теперь предположить, что пленка настолько тонка, что АЕ мало по сравнению с Е0, то при интегрировании Е можно рассматривать как постоянную, так что

с А

(2Е\

 

w - K ±

~ ^ -

(14>

Это отношение вкладов непрерывного и характеристиче­ ского излучений не зависит от толщины пленки. Поэтому при измерениях пленочных объектов следовало бы ожи-

*) См. статьи Данкамба.

дать, что отношение скоростей счета интенсивности непре­ рывного и характеристического излучений также не будет зависеть от толщины пленки при условии, что пленка до­ статочно тонкая, чтобы пренебречь поглощением и флуо­ ресценцией. Далее это наблюдаемое отношение не должно зависеть от тока падающих электронов и доли обратно рас­ сеянных электронов, а должно лишь слегка зависеть от энергии электронов. Для пленки из чистого элемента

/ (W)

Z*

In

І

 

 

 

 

Т

где К — та же константа,

что

и

в

соотношениях (12) и

(13). Деля (14) на (15), получаем метод абсолютной ка­ либровки:

IA-I(W)

_

.4Z3

(16)

IW-I(A)

=

<Ч - ^= - .

 

AZ*

'

Аппаратура. Используется подходящий микроанали­ затор с полуфокусирующим спектрометром для выделения характеристической линии и торцевым счетчиком для из­ мерения непрерывного спектра. Для того чтобы предот­ вратить перегрузку торцового счетчика интенсивным рент­ геновским излучением с малыми энергиями, необходимо использовать фильтры для поглощения мягкого рентге­ новского излучения. Необходима также методика, позво­ ляющая предотвратить попадание в счетчик обратно рас­ сеянных электронов. Найдено, что хорошими фильтрами в данном случае являются окно из перспекса (perspex) толщиной в 2 мм и алюминиевая фольга толщиной в 25 мкм. На рис. 1 представлена схема эксперимента.

В работе [12] указывалось, что в качестве монитора для регистрации непрерывного спектра предпочтительно ис­ пользовать отпаянный счетчик. Однако в настоящее вре­ мя это невозможно и приходится пользоваться проточными аргоновыми счетчиками, хотя это связано с определенными трудностями, обусловленными смещением плато счетчика в зависимости от температуры и давления в помещении.

Результаты. Теоретически зависимость отношения ин­ тенсивностей характеристического и непрерывного излу­ чений от энергии падающих электронов можно получить, подставив соответствующие значения Ек и / в соотношение

Рис. 1. Схема расположения рентгеновских счетчиков: А— полюсные наконеч­ ники, В — держатель образца, С — пропорциональный счетчик, D— 2-мил­ лиметровый фильтр из перспекса (perspex), Е— алюминиевая фольга, F — кристалл спектрометра.

HA)/1(W)

Рис.

2. Теоретическая и эксперименталь-

Рис. 3. Зависимость между ин-

ная

зависимость

1 (A)/I

(W) от

энергии

тенсивностями характеристичес-

электронов (в кэв)

для

медной

пленки.

кого и непрерывного излучений

Для

измерения

I

(W)

использовалось

при постоянном токе падающих

рентгеновское излучение

с энергиями от

электронов

для

алюминиевых

 

25

до

40 кэв.

 

пленок. Максимальная толщина

 

 

 

 

 

 

пленки

0,1

мг/смг.

Для изме­

 

 

 

 

 

 

рения

I (W)

использовалось

 

 

 

 

 

 

рентгеновское излучение с энер­

 

 

 

 

 

 

гиями

от 5 до

10 кэв.

Ш)

Рис. 4. Зависимость между ин-

Рис.

5. Теоретическая и

экспе­

тенсивностями характеристичес­

риментальная

 

 

зависимость

кого и непрерывного излучений

 

 

1А1

(W).IWJ

(А)

о т с д для ряда

при постоянном токе падающих

медных пленок

на

пластмассо­

электронов

для медных пленок.

Максимальная

толщина пленки

вой подложке

(см. текст).

Для

0,6мг/см2.

Для измерения I (W)

измерения I(W)

использовалось

использовалось

рентгеновское

рентгеновское излучение с э нер-

излучение

с энергиями от 12 до

 

гиями

2,5 —

4 кэв.

 

 

16

кэв.

 

 

 

 

 

 

(15). Такая в зависимость для медной пленки при об­ лучении электронами с энергиями до 40 кэв представлена на рис. 2. На этом же рисунке приведены и эксперимен­ тальные данные, полученные для медной пленки толщиной 0,1 мг/см?. Хотя вид кривых несколько различен, однако очевидно, что отношение I (A)/I (W) мало чувствительно к значению энергии пучка падающих электронов при напряжениях больше 20 кв. Для проверки зависимости / (A)/I (W) от толщины пленки были использованы метал­ лические клинообразные пленочные образцы. Эти образ­ цы приготовлялись путем напыления с использованием экрана, перемещающегося между источником и подлож­ кой, на которую напылялась пленка. Интенсивности (ко­ личество импульсов в единицу времени) при постоянном токе зонда измерялись для различных участков пленкиклина. На рис. 3 представлена зависимость І (А) от I 7 ) для алюминиевого клина толщиной до 0,1 мг/см? при энер­ гии падающих электронов 20 кэв. На рис. 4 приведены ана­ логичные результаты для медного клина толщиной до 0.6 мг/см2 при энергии пучка 25 кэв. После вычитания фона счетчика оказалось, что / (А) пропорциональна / (И7) во всем измеренном интервале толщин.

Для проверки соотношения (16) были приготовлены специальные образцы путем напыления меди на пластмас­

совые пленки

состава ( С 1 6 Н 1 4 0 3 ) п . На рис.

5 приведены

теоретическая

зависимость I А I 7 )// (A)IW

от сА (сплош­

ная линия) и ряд экспериментально полученных точек. Полагают, что существующая разница между теоретиче­ скими и экспериментальными значениями в основном обу­ словлена плохим разрешением монитора непрерывного излучения, что не позволяет полностью предотвратить попадание АГ-линий в счетчик, хотя определенное влияние на точность результатов оказывают также поглощение, флуоресценция и изменение / . Пока эти вопросы не будут изучены, трудно получить абсолютно точные результаты, но можно проводить очень полезную полуколичественную работу. Особенно для этой цели подходят биологические объекты, так как в них интересующие нас элементы обычно присутствуют в очень малых концентрациях, а при значе­ ниях сА, приближающихся к нулю, асимптотика соотноше­ ния (16) дает прямую линию. В качестве образца для про­ верки был использован 6-микронный срез щитовидной железы, который был ранее тщательно исследован с по­ мощью интерференционного микроскопа [13]. Это давало

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ