
книги из ГПНТБ / Физические основы рентгеноспектрального локального анализа
..pdfсоотношений ( 1 ) и ( 2 ) , а именно,
[ід и Z рассчитывались по формулам
ИА = р М + р 1 ( 1 - А ; 1 ) ,
Z = Z A A ; A + Z B ( 1 - ^ A ) ,
поскольку значения к% были не известны. Относительная ошибка определялась как
(истинная концентрация |
— рассчитанная концентрация) |
jQQo/ |
истинная |
концентрация |
' |
Для того чтобы сравнить результаты всех пяти методов, Пул и Томас использовали простую методику; они опре деляли процент исправленных результатов, полученных с относительными ошибками в пределах + 2 , 5 и + 5 % . Полученные ими результаты вместе с результатами упро щенного метода приведены в табл. 6 .
|
|
Т а б л и ц а |
6 |
|
Метод введения |
Процент ре |
Процент |
ре |
|
зультатов в |
зультатов в |
|||
поправки |
пределах от |
пределах |
от |
|
носительной |
носительной |
|||
|
|
ошибки +2,5% |
ошибки + 5 % |
|
Экспериментальные |
1 4 |
26 |
|
|
данные |
|
|
|
|
Бирке |
[7] |
1 3 |
2 3 |
|
Арчард |
н Мулви [ 3 ] |
2 2 |
36 |
|
Тайзен |
[ 8 ] |
27 |
5 4 |
|
Зиболд |
н О ГИЛВИ [ 9 ] |
4 4 |
65 |
|
Томас [ 5 ] |
53 |
70 |
|
|
Упрощенный метод |
47 |
69 |
|
|
Белка |
[10J |
|
|
|
Гистограммы относительных ошибок упрощенного ме тода и метода Томас приведены на рис. 2 и 3 соответст венно. Коэффициенты поглощения некоторых сплавов, приведенных в табл. 5, слишком велики, чтобы при исполь зовании упрощенного метода точность аппроксимации бы ла в пределах + 2 % (см. рис. 1 ) . Таких сплавов (в табл. 5 помечены звездочкой) оказалось 2 2 и соответствующие им относительные ошибки на рис. 2 не приводятся.
9 Под редакцией И. Б. Боровского |
257 |
Результаты для этих сплавов (относительные ошибки) в виде заштрихованных областей приведены на рис. 3. Если сравнить результаты по общим для обоих методов 128 сплавам, то в самом деле гистограммы очень сходны.
Рис. 2. Гистограмма относительных |
Рис. 3. Гистограмма |
относительных |
ошибок. Упрощенный метод. |
ошибок. Метод |
Томас. |
Если исключить из расчетов указанные выше 22 сплава, то сравнение приводит к следующему:
В преде |
В преде |
лах +2,5% |
лах + 5 % |
Томас |
60 |
79 |
Белк |
53 |
77 |
Обсуждение. Из приведенных выше результатов оче видно, что предложенный упрощенный метод позволяет вводить поправки в данные микроанализа, по точности сравнимые с любым из принятых методов, а иногда и более точные. Его применение ограничено в случае систем с большими коэффициентами поглощения. Однако следует отметить, что результаты, полученные для таких систем с помощью других методов, также весьма неудовлетво рительны.
Наиболее важной сферой применения упрощенного метода является быстрый расчет поправок для сплавов, состоящих из трех и более компонентов. Обработка этих данных при помощи других методов введения поправки требует трудоемких арифметических выкладок или ис пользования счетных машин, в то время как расчет поп-
равки с помощью упрощенного метода в случае четырехкомпонентного сплава требует лишь немного больше времени, чем в случае бинарного сплава.
Очевидно, что метод не содержит ограничений для анализа легких элементов в тяжелой матрице. Наоборот, весьма обнадеживает то обстоятельство, что исправленные результаты для окислов и карбидов близки к истинным кон-, центрациям.
Выбор метода введения поправки в данные микроана лиза для сложных сплавов существенно зависит от требуе мой точности, быстроты и стоимости анализа. Упрощенные, методы незаменимы, когда не требуется высокая точность. Использование же счетной машины для быстрого получе ния результатов в пределах обычной точности часто бывает неэкономичным.
ЛИТЕРАТУРА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
1. |
Р о о 1 е |
D. М., |
T h o m a s |
Р. М., |
A E R E , Report 4796 (1964). |
||||||||||
2. |
В і r k s |
L. S., |
J . Appl. Phys. 31, |
1297 (1960). |
|
|
No. |
||||||||
3. |
C a s t a i n g |
R., |
Thesis |
Univ. |
of |
Paris, publ. ONERA, |
|||||||||
4. |
54 (1951), Adv. i n Electronics and Electron Physics 13, 317 (1960). |
||||||||||||||
P o o l e |
D . M . , |
T h o r n as |
P . M . , J . |
Inst. |
Metals, 90, |
228 |
|||||||||
5. |
(1961) . |
|
G., |
M u l v e y |
Т., |
|
Proc. |
3rd |
I n t . Symp. |
on |
|||||
A r c h a r d |
|
||||||||||||||
|
X-ray Optics and X-ray Microanalysis, |
Stanford, New |
York, |
||||||||||||
6. |
Academic Press |
(1962). |
|
|
|
|
|
Optics and |
X-ray |
||||||
G r e e n |
M . , Proc. 3rd I n t . Symp. on X-ray |
||||||||||||||
7. |
Microanalysis, |
Stanford, New York, |
Academic |
Press |
(1962). |
||||||||||
P h i l i b e r t |
J . , Proc. 3rd |
I n t . Symp. on X-ray |
Optics |
and |
|||||||||||
|
X-ray Microanalysis, Stanford, New Uork, Academic |
Press |
|||||||||||||
8. |
(1962) . |
|
P. M . , Brit . J . Appl. |
Phys. 14, 397 (1963). |
|
|
|||||||||
T h o m a s |
|
|
|||||||||||||
9. |
T h o m a s |
P. M . , A E R E , |
Report 4593 |
(1963). |
|
|
|
||||||||
10. |
B e l k |
J . A., |
Birm . C.A.T. Tech. Note |
Met/21/1964 (1964). |
|||||||||||
11. |
Z e і b о 1 d |
Т. |
C. Ogilvie |
R. E., |
Anal. |
Chem. 35, 621 (1963). |
|||||||||
12. |
C a l a i s |
D., |
M о r e a u |
G., |
C.E.N., |
Fonlenay-aux |
Roses, |
||||||||
13. |
Reports |
323 and |
345. |
|
|
|
F., |
C a l a i s D., |
A d d a |
||||||
K i r i a n e n k o A . , M a u r i c e |
|||||||||||||||
|
Y., Proc. 3rd. I n t . Sump, on X-ray |
Optics and X-ray |
Microana |
||||||||||||
|
lysis, |
Stanford, New York, |
Academic Press (1962). |
|
|
|
14.R e e d S.J.В., Thesis, Univ. of Cambridge (1964),
15.H a w о r t h C., Private communication.
19 |
МЕТОД АНАЛИЗА |
ТОНКИХ ПЛЕНОК |
|
Д. Маршалл, Т. Холл |
При локальном рентгеноспектральном анализе тонких пленок очень часто приходится иметь дело с пленками неизвестной или переменной толщины. В предыдущих ра ботах [1—3] было отмечено, что интенсивность характе ристического рентгеновского излучения элемента тонкой пленки пропорциональна массе этого элемента, приходя щейся на единицу площади. Для любой заданной точки пленки можно определить массу, приходящуюся на еди ницу площади для всех присутствующих элементов, изме ряя интенсивности их характеристических линий и срав нивая их с измерениями, выполненными на пленках из чистых металлов с известной массой на единицу площади. Зная количество каждого элемента в пленке, можно опре делить полную массовую толщину пленки и, наконец, мас совую концентрацию интересующего элемента или эле ментов. Эта методика очень трудоемка, а в случае пленок, содержащих легкие элементы, т. е. в случае биологических объектов, зачастую непригодна.
Лучшим методом является непосредственное опреде ление массовой толщины пленки путем измерения непре рывного рентгеновского излучения, которое испускает образец, бомбардируемый электронами. В микроанализа торах эти измерения можно проводить одновременно с измерениями интенсивностей линий характеристического спектра, что и лежит в основе метода весьма быстрого определения массовой концентрации единичного элемента в пленке.
Теория. Для характеристической линии элемента А интенсивность dIA, измеренная в фотонах на электрон, испускаемая на пути электрона длиной dx, равна
dIA = NAty(E)uKdx, |
(1) |
где NA — число атомов в 1 см3 элемента А, пасок |
— выход |
флуоресценции на ионизованный атом А. Дифференциаль ное эффективное сечение ионизации "ф (Е) согласно [4, 5] равно
, |
2яе'Ъ |
( Е \ |
/„. |
|
Vі) — ~W7F |
In IF-Ь |
(2) |
где Е — энергия электрона, Ек — потенциал возбужде ния /("-серии рентгеновского спектра элемента А, Ъ — кон станта. Подстановка этого выражения в (1) дает выраже ние для полного выхода характеристического излучения. Если электрон, проходя через пленку, теряет энергию
АЕ, то
Е„-ДЕ
Энергия непрерывного спектра, испускаемого тонкой плен кой (см. [6—8]), равна
W = kEZ АЕ |
(4) |
и, как известно, однородно распределяется относительно величины энергии вплоть до максимального значения, равного энергии падающих электронов, так что для рент геновского излучения с энергией є
dW~^r. |
(5) |
Число возбужденных фотонов обратно пропорционально их энергии:
|
d / w = j * ! L . |
|
(б) |
||
Комбинируя соотношения |
(4) — (6), |
получаем, что число |
|||
фотонов с энергиями в интервале є 0 |
— є 0 + Де, |
возбуж |
|||
денных при столкновении электронов с атомами |
элемен |
||||
та В, равно |
|
|
|
|
|
Ij |
= kZBAEB |
|
In (*±±) |
• |
(7) |
Для потери энергии АЕВ, |
обусловленной атомам |
и эле |
|||
мента В, воспользуемся |
выражением |
[4, 10, 11] |
|
||
% |
. - + К |
* |
в ъ ( » - |
) . |
(8, |
так что полная интенсивность непрерывного спектра, соз даваемого пленкой, равна
Е„-ДЕ
1 " = 2 Я = ск In ( * ± * L ) S N b Z % |
\ 4 - In ( і * )cte. |
|
(9) |
Прежде всего пренебрежем зависимостью In (1/У) *) от атомного номера и воспользуемся соотношениями
^nbzI |
= |
z |
^ |
n b , |
(10) |
^ |
= |
- |
V |
p . |
( и ) |
где сд — массовая концентрация элемента Л, 7V0 — число Авогадро, р — плотность пленки. Комбинируя выраже ния (3), (9), (10) и ( И ) , получаем соотношение между интенсивностями характеристического и непрерывного спектров, излучаемых тонкой пленкой:
I А |
Г, А |
|
|
|
w |
v (• і |
/ 2Е\ |
' |
I і " » |
Где К — константа, равная
|
= |
2яе*Ьа>г, |
л |
х • |
(13) |
|
К |
/ |
і |
||||
|
скЕк |
1ц ( е " + |
|
А е |
Х |
|
Если теперь предположить, что пленка настолько тонка, что АЕ мало по сравнению с Е0, то при интегрировании Е можно рассматривать как постоянную, так что
с А |
(2Е\ |
|
w - K ± |
~ ^ - |
(14> |
Это отношение вкладов непрерывного и характеристиче ского излучений не зависит от толщины пленки. Поэтому при измерениях пленочных объектов следовало бы ожи-
*) См. статьи Данкамба.
дать, что отношение скоростей счета интенсивности непре рывного и характеристического излучений также не будет зависеть от толщины пленки при условии, что пленка до статочно тонкая, чтобы пренебречь поглощением и флуо ресценцией. Далее это наблюдаемое отношение не должно зависеть от тока падающих электронов и доли обратно рас сеянных электронов, а должно лишь слегка зависеть от энергии электронов. Для пленки из чистого элемента
/ (W) |
Z* |
In |
І |
2Е |
|
|
|
|
Т |
где К — та же константа, |
что |
и |
в |
соотношениях (12) и |
(13). Деля (14) на (15), получаем метод абсолютной ка либровки:
IA-I(W) |
_ |
.4Z3 |
(16) |
IW-I(A) |
= |
<Ч - ^= - . |
|
|
AZ* |
' |
Аппаратура. Используется подходящий микроанали затор с полуфокусирующим спектрометром для выделения характеристической линии и торцевым счетчиком для из мерения непрерывного спектра. Для того чтобы предот вратить перегрузку торцового счетчика интенсивным рент геновским излучением с малыми энергиями, необходимо использовать фильтры для поглощения мягкого рентге новского излучения. Необходима также методика, позво ляющая предотвратить попадание в счетчик обратно рас сеянных электронов. Найдено, что хорошими фильтрами в данном случае являются окно из перспекса (perspex) толщиной в 2 мм и алюминиевая фольга толщиной в 25 мкм. На рис. 1 представлена схема эксперимента.
В работе [12] указывалось, что в качестве монитора для регистрации непрерывного спектра предпочтительно ис пользовать отпаянный счетчик. Однако в настоящее вре мя это невозможно и приходится пользоваться проточными аргоновыми счетчиками, хотя это связано с определенными трудностями, обусловленными смещением плато счетчика в зависимости от температуры и давления в помещении.
Результаты. Теоретически зависимость отношения ин тенсивностей характеристического и непрерывного излу чений от энергии падающих электронов можно получить, подставив соответствующие значения Ек и / в соотношение
Рис. 1. Схема расположения рентгеновских счетчиков: А— полюсные наконеч ники, В — держатель образца, С — пропорциональный счетчик, D— 2-мил лиметровый фильтр из перспекса (perspex), Е— алюминиевая фольга, F — кристалл спектрометра.
HA)/1(W)
Рис. |
2. Теоретическая и эксперименталь- |
Рис. 3. Зависимость между ин- |
||||||||
ная |
зависимость |
1 (A)/I |
(W) от |
энергии |
тенсивностями характеристичес- |
|||||
электронов (в кэв) |
для |
медной |
пленки. |
кого и непрерывного излучений |
||||||
Для |
измерения |
I |
(W) |
использовалось |
при постоянном токе падающих |
|||||
рентгеновское излучение |
с энергиями от |
электронов |
для |
алюминиевых |
||||||
|
25 |
до |
40 кэв. |
|
пленок. Максимальная толщина |
|||||
|
|
|
|
|
|
пленки |
0,1 |
мг/смг. |
Для изме |
|
|
|
|
|
|
|
рения |
I (W) |
использовалось |
||
|
|
|
|
|
|
рентгеновское излучение с энер |
||||
|
|
|
|
|
|
гиями |
от 5 до |
10 кэв. |
Ш)
Рис. 4. Зависимость между ин- |
Рис. |
5. Теоретическая и |
экспе |
||||||
тенсивностями характеристичес |
|||||||||
риментальная |
|
|
зависимость |
||||||
кого и непрерывного излучений |
|
|
|||||||
1А1 |
(W).IWJ |
(А) |
о т с д для ряда |
||||||
при постоянном токе падающих |
|||||||||
медных пленок |
на |
пластмассо |
|||||||
электронов |
для медных пленок. |
||||||||
Максимальная |
толщина пленки |
вой подложке |
(см. текст). |
Для |
|||||
0,6мг/см2. |
Для измерения I (W) |
измерения I(W) |
использовалось |
||||||
использовалось |
рентгеновское |
рентгеновское излучение с э нер- |
|||||||
излучение |
с энергиями от 12 до |
|
гиями |
2,5 — |
4 кэв. |
|
|||
|
16 |
кэв. |
|
|
|
|
|
|
(15). Такая в зависимость для медной пленки при об лучении электронами с энергиями до 40 кэв представлена на рис. 2. На этом же рисунке приведены и эксперимен тальные данные, полученные для медной пленки толщиной 0,1 мг/см?. Хотя вид кривых несколько различен, однако очевидно, что отношение I (A)/I (W) мало чувствительно к значению энергии пучка падающих электронов при напряжениях больше 20 кв. Для проверки зависимости / (A)/I (W) от толщины пленки были использованы метал лические клинообразные пленочные образцы. Эти образ цы приготовлялись путем напыления с использованием экрана, перемещающегося между источником и подлож кой, на которую напылялась пленка. Интенсивности (ко личество импульсов в единицу времени) при постоянном токе зонда измерялись для различных участков пленкиклина. На рис. 3 представлена зависимость І (А) от I (И7 ) для алюминиевого клина толщиной до 0,1 мг/см? при энер гии падающих электронов 20 кэв. На рис. 4 приведены ана логичные результаты для медного клина толщиной до 0.6 мг/см2 при энергии пучка 25 кэв. После вычитания фона счетчика оказалось, что / (А) пропорциональна / (И7) во всем измеренном интервале толщин.
Для проверки соотношения (16) были приготовлены специальные образцы путем напыления меди на пластмас
совые пленки |
состава ( С 1 6 Н 1 4 0 3 ) п . На рис. |
5 приведены |
теоретическая |
зависимость I А I (И7 )// (A)IW |
от сА (сплош |
ная линия) и ряд экспериментально полученных точек. Полагают, что существующая разница между теоретиче скими и экспериментальными значениями в основном обу словлена плохим разрешением монитора непрерывного излучения, что не позволяет полностью предотвратить попадание АГ-линий в счетчик, хотя определенное влияние на точность результатов оказывают также поглощение, флуоресценция и изменение / . Пока эти вопросы не будут изучены, трудно получить абсолютно точные результаты, но можно проводить очень полезную полуколичественную работу. Особенно для этой цели подходят биологические объекты, так как в них интересующие нас элементы обычно присутствуют в очень малых концентрациях, а при значе ниях сА, приближающихся к нулю, асимптотика соотноше ния (16) дает прямую линию. В качестве образца для про верки был использован 6-микронный срез щитовидной железы, который был ранее тщательно исследован с по мощью интерференционного микроскопа [13]. Это давало
