Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Мосягин В.М. Специальные агрегаты автомобилей ЗАЗ

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

25.10.2023

Размер:

12.79 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 23 / 203 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 > Следующая >>>

					Т а б л и ц а 1
	Параметры полупроводниковых		диодов,	применяемых
		в автомобилях	ЗАЗ
	Максимальное	Максимальная си	Падение	напряжения
Тип диода	Максимальное	Максимальная си	в прямом направле		Материал
Тип диода	напряжение, а	ла тока, а	в прямом направле		Материал
	напряжение, а	ла тока, а	нии, в
			нии, в
Д7А	50	0,3	0,5		Германии -
Д7Б	100	0,3	0,5		»
Д7Ж	400	0,3	0,3		»
КД202А	50	3	1,0		Кремнии
КД202В	100	3	1,0		»
КД202Г	100	1	1,0		»
Д242	100	5	1,25
Д242А	100	10	1		»
Д242Б	100	2	1,5
пробой между слоями полупроводникового прибора					с его выходом
из строя.

Взависимости от причин, непосредственно вызывающих пробой,

иособенностей протекающих при этом процессов различают четыре вида пробоя: зенеровскнй (электростатический), лавинный, тепло вой и поверхностный.

Из числа полупроводниковых выпрямителей (диодов) в насто

ящее время наибольшее распространение получили германиевые и кремниевые диоды. Для германиевых выпрямителей характерна

небольшая

величина

падения

напряжения при

прохождении

че

рез них тока в проводящем направлении

(0,25—0,3 в).

Это явля

ется их преимуществом по сравнению

кремниевыми

выпрямите

лями,

у которых

падение напряжения

доходит

до

1 —1,5

в.

Од

нако

кремниевые

выпрямители

могут

надежно

работать

при

их

нагреве до

150°С,

в то время как для

германиевых

выпрямителей

предельная температура не превышает 75—85°С.

С учетом этих

особенностей и производится выбор того или иного

типа

выпрямителя

для

применения в соответствующих

установках.

Втабл. 1 приведены основные параметры диодов, применя емых в устройствах автоматики управления специальными агре гатами автомобилей «Запорожец».

Вэлектрических схемах полупроводниковые диоды обознача ются, как это показано на рис. 9, в (поз. 5). Треугольником изображается эмиттер диода, а черточкой — его база, соответ ственно чему ток через диод может протекать только в направле нии от треугольника к черточке.

Вотличие от обычных выпрямительных диодов существует другая группа диодов, (называемая стабилитронами, обладающая способностью длительно работать в области электрического про боя при приложении обратного напряжения. При этом обратный

ток, проходящий через стабилитрон, ограничивается в допустимых

-пределах с помощью балластного резистора (сопротивления). Кремниевые стабилитроны в принципе не отличаются от рассмот ренных выпрямительных диодов.

Рис.		11.	Транзисторы:	Рис.	12.	Устройство
а — структуры			р— п — р; б — стру-	транзистора		р—п—р:
ктуры	п— р—п;		3 — эмиттер; Б—	Э—	эмиттер;	Б—база;
	база;	К — коллектор			К — коллектор
Однако		при включении стабилитрона		в непроводящем		направ
лении	повышение напряжения на приборе до определенной вели
чины	вызывает пробой его перехода р—п. После пробоя					перехода

напряжение на нем сохраняется примерно постоянным независимо от величины тока, проходящего через стабилитрон (при изменении ее в определенном диапазоне, указанном для данного типа стаби литрона). Это напряжение называется «опорным напряжением» или «напряжением стабилизации» и является основным парамет ром стабилитрона.

Стабилитроны конструируют таким образом, чтобы при ука занной для них максимальной силе тока они не нагревались выше допустимого предела (120—135°С). Эти свойства стабилитронов используются для поддержания постоянства напряжения в опре деленных участках электрической цепи. На этих участках цепи стабилитроны включаются в непроводящем направлении, благо

даря чему после пробоя перехода р—п	на	стабилитроне	уста
навливается постоянное напряжение независимо от силы			тока,
проходящего через прибор. Ток через	стабилитрон при		такой
схеме его включения проходит от катода к аноду.
Помимо величины опорного напряжения		(напряжения стабили

зации), для каждого типа стабилитронов указывается еще макси мальная сила тока, при которой возможна работа прибора без опасности его нагрева выше допустимой температуры, номиналь ный ток стабилизации, допустимая мощность рассеивания, динами ческое сопротивление и температурный коэффициент напряжения стабилизации.

Допустимую мощность рассеивания устанавливают исходя из длительного режима работы для каждого типа стабилитрона. Зна чение этой мощности зависит от площади р—п перехода, конструк ции теплоотвода и интенсивности охлаждения.

Транзисторы

Транзистором называется полупроводниковый прибор, кото рый при определенных условиях может выполнять функции уси лителя электрического сигнала, в том числе усилителя мощно-

В	любом электрическом усилителе имеется входная и выход
ная	цепи, причем во входную цепь поступает электрический сиг-,
нал	небольшой мощности, который используется для управле

ния мощной выходной цепью.

Отношение мощностей в выходной и входной цепях усилителя называют коэффициентом усиления по мощности. В усилителях еще различают коэффициенты усиления по току и напряжению, которые соответственно равны отношению приращения тока кол лектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при посто янном напряжении цепи коллектора и отношению приращения на пряжения на нагрузке к приращению напряжения в выходной цепи.

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с

двумя встречно включенными переходами, причем

зависимости

от

взаимного

расположения

слоев

р и п различают транзисторы

со

структурой

р—п—р

(рис. 11,

а)

и п—р—п

(рис. 11,

б).

У транзисторов

р—п—р

средний

слой,

называемый базой,

об

ладает проводимостью типа

п,

два

крайних

слоя

проводи

мостью типа р.

п—р—п,

Средний

слой

(база)

транзисторов

наоборот,

имеет

проводимость типа р, а крайние

слои

—

проводимость

типа

п.

Один из крайних слоев в транзисторах

обоих

типов

имеет

большую площадь, чем второй крайний слой.

Слой

с меньшей

площадью

носит

название эмиттер,

а слой

большей

площадью называется

коллектором.

Между

этими

слоями

расположен

очень

тонкий

участок

базы.

Сокращенно эмиттер обозначается буквой Э (рис. 12), коллек

тор — буквой К, а база — буквой Б. Транзисторы типа р—п-—р

электрических

схемах

обозначаются,

как это показано на рис. 11, а,

транзисторы

типа п—р—п,

—

как

показано

на

рис. 11,

б.

Принцип

действия

транзистора

рассмотрим на

примере

тран

зистора со структурой

р—п—р.

Эмиттер и коллектор транзистора данного типа

имеют

прово

димость

типа

р, поэтому

них

находятся

избыточные

«дырки».

В базе

транзистора,

имеющей

проводимость

типа

п,

наобо

рот, находится большое количество свободных электронов.

Энергетическая

диаграмма для

обоих

переходов

транзистора

представлена на р,ис. 13, а. Пока к транзистору не подводится на

пряжение от источника	питания,	«дырки» из коллектора			и эмитте
ра не могут опуститься	в базу, а свободные		электроны		из базы
не в состоянии подняться в эмиттер и коллектор.
Если подсоединить	к базе транзистора		плюс,	а к его коллек
тору минус источника	питания,	как это показано		на	рис. 13, б,
го в этом случае энергетическая		диаграмма	для	левого перехода

останется без изменений, так как эмиттер не подсоединен к источ нику питания. Энергетическая же диаграмма для правого пере хода существенно изменится, так как к этому переходу будет под

ведено напряжение UK. При выбранной	полярности		подсоедине
ния источника питания, которая для правого		перехода аналогич
на способу подсоединения, показанному	на	рис. 10,	в, высота

а)			В)		р
р	п	р	р	п	р
	i-	л			о
					о

	Рнс.	13.		Энергетические			диа
	граммы		транзистора			р—п—р:
	а — электроды				отключены			от
	источника			питания;		б — под
	ключена		цепь		база-коллектор;
	в — подключены				цепи		эмит
	тер — база			и	база — коллек
				тор
потенциального барьера в правом переходе					резко		увеличится и
одновременно	произойдет увеличение		толщины самого					перехода.
В результате энергетическая диаграмма примет						вид,		показанный
на рис. 13, б.	Такое подсоединение	источника питания не приве

дет к появлению электрического тока, так как в этом случае ни дырки, ни электроны не смогут перейти из одного слоя транзис тора в другой.

Иное положение будет иметь место, если в дополнение к ука занному подключению правого перехода транзистора подсоеди нить положительный полюс второго источника питания к эмиттеру,

а его минус к базе транзистора, как	это изображено на
рис. 13, в.

Полярность подсоединения левого перехода к источнику пита ния аналогична показанному на рис. 10, б. Поэтому высота по тенциального барьера в левой части перехода, как это показано на энергетической диаграмме, резко снизится, и свободные «дыр

ки» из	эмиттера	смогут	перейти	в базу транзистора.	Но	как
только	«дырка»	попадет	в базу	транзистора, на нее	сразу	же

станет действовать большая выталкивающая сила в правом пере

ходе,	под воздействием которой «дырка»	поднимется к коллек
тору	(см. пунктирную линию на рис. 13, в).	Из	коллектора	«дыр
ка»	пройдет в отрицательный полюс источника		питания,	т. е. в

транзисторе появится электрический ток, проходящий через эмит тер, базу и коллектор.

«Дырки», прошедшие из эмиттера в базу, направляются не только в коллектор, но частично уходят и к отрицательному по люсу левого источника питания. Однако ввиду малой толщины

Переход Переход

В—	В- Ч - Ш г ~ f a —
	- Ш - - J - S		-ш
В— I	.-ш-	-	ш- И±н-
	•в
	—в	в	^ в
	— в		—и
	—в		—в
	—в


Рис.		14.	Распределе
ние тока			между		элек
тродами			транзистора:
/э	—	ток		эмиттера;
/ о — т о к			базы;		1« —
ток коллектора; RK —
резистор				нагрузки;
UB — напряжение ме
жду		эмиттером			и	ба
зой;				UK—напряже
ние	между			базой		и

коллектором

базы в сравнении с площадью ее контакта со слоем р коллек тора большая часть «дырок» проходит в коллектор, и только не значительная ее часть направляется к отрицательному полюсу ле вого источника питания.

Этот	процесс	иллюстрирует	рис. 14,	где	показано,	что из
четырех	«дырок»,	поступающих	в эмиттер,	три	проходят	в кол

лектор, а одна «дырка» из базы уходит к источнику питания, не попадая в коллектор1 .

Рассмотрение рис. 14 показывает, что при указанном включе нии транзистора ток эмиттера 1а, образованный четырьмя «дыр

ками», равен сумме токов

базы / б и коллектора

/к ,

создаваемых

со

ответственно одной и тремя «дырками».

В реальных транзисторах ток базы, как

правило,

составляет

не более

2—10% от

тока

эмиттера, поэтому

значения

/ э

и / к

ма

ло отличаются друг от друга.

Переход

между

базой

коллектором

представляет

для

«дырок»

небольшое

сопротивление, поэтому

для

ограничения

си

лы тока,

проходящего

через

транзистор,

цепь

коллектора

включается

сопротивление

RI(J

как это

показано

на

рис. 14

и 15, а.

При подключении перехода эмиттер — база к источнику пита ния в так называемом прямом направлении, которое показано на

рис. 14 и 10, б, сопротивление этого перехода оказывается			очень
небольшим. Поэтому для создания	необходимого	тока в эмитте
ре источник питания может иметь	небольшое	напряжение	£/Эб,
которое составляет величину 0,3—1	е. Напряжение же UK		для

транзисторов может быть равно десяткам вольт, так как его ве личина ограничивается лишь электрической прочностью перехода

база — коллектор.
Источник	питания входной цепи			(эмиттер—база)		нагружен
током 1Э, который по величине близок				к току 1К, проходящему в
выходной цепи. Вследствие этого			при	данной	схеме	включения
транзистора,	называемой	схемой	с общей базой, усиления тока
1 Ток базы в транзисторе создается			электронами, но . для наглядности этот
ток изображен в виде потока «дырок»,			движущихся		в направлении, противо
положном движению электронов		в цепи базы.

Рис. 15. Схемы включения транзисторов типов р—п—р (первая и третья схемы)

ип—р—п (вторая и четвертая схемы):

а— с общей базой; б —- с общим эмиттером: Uod = U„х — напряжение во входной цепи; Uк = Uвых — напряжение в выходной цепи;

/б, /о, /к — токи базы, эмиттера, коллектора; ^ к — резистор нагрузки

не происходит, а все усиление					мощности достигается				только		за
счет усиления по напряжению.
Если		включить транзистор				по	схеме,	изображенной			на
рис.	15,	б,	то общая точка входной и				выходной цепи		будет		под
соединена к эмиттеру транзистора. Соответственно этому										данная
схема получила наименование с общим эмиттером.
В схеме с общим эмиттером через источник тока во										входной
цепи протекает ток I5, который во много раз меньше									тока		1Ю а
напряжение UK практически полностью прикладывается к сопро
тивлению в			цепи коллектора,		и	это	напряжение		значительно
больше		входного напряжения			UBX=U36-			общим	эмиттером
В	результате			оказывается,	что	в схеме с
достигается			как	усиление по	току,	равное отношению					так
и усиление			по	напряжению,	равное					UK
							отношению величин				-jj-^,

т. е. данная схема,.обеспечивает очень высокий коэффициент уси ления по мощности

KN	=	±L.V*-.		(9)
По этой причине схема	с	общим эмиттером	получила	очень
широкое распространение	в самых различных системах автомати
ки, в том числе и схемах	управления электромагнитным			сцепле
нием.
В ряде случаев усиление, обеспечиваемое одним транзистором,
оказывается недостаточным,		и для получения	необходимой • мощ

ности в выходной цепи при имеющейся мощности во входной це


пи приходится создавать усилительные		схемы		с применением
двух и более транзисторов. Если, например,			усилитель		содержит
два транзистора, то входом усилителя		является		входная цепь
первого транзистора, а'выходом	усилителя		является		выходная
цепь второго транзистора. Оба	транзистора		при	этом соединяют-

	Рис. 16. Схемы составного транзистора:
а — с параллельным		соединением коллекторов;			б — с раздельным			включением
	^эа — токи эмиттеров;		коллекторов;
^oi,	^эа — токи эмиттеров;		/щ, / « 2 —токи	коллекторов;		/бь	/ б 2 — токи баз:
/ и	— ток нагрузки;	^ К 2 —	резистор насыщения		транзистора	Т2;	R„	—	резистор
нагрузки; t / B i — входное			напряжение; UK	—	напряжение	в выходной			цепи

ся между собой таким образом, что выход первого			транзистора
соединяется с входом второго транзистора.		По	аналогичному
принципу построены схемы усилителей с тремя и более				транзи
сторами. Усилитель с двумя транзисторами		называется		двухкас-
кадным усилителем, с тремя	транзисторами — трехкаскадным и
т. д.
Коэффициент усиления	многокаскадного	усилителя		равен

произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, вхо дящих в этот усилитель.

Типичным примером двухкаскадного усилителя является уси

литель, собранный по схеме с общим эмиттером на так						называе
мом составном		транзисторе (рис. 16, а).	Эта	схема имеет много
общего с описанной выше обычной схемой с				общим	эмиттером
(см. рис. 15,	б)	и легко может быть	преобразована		в	данную
схему, если	в схеме, согласно рис. 16, а,		транзисторы		Т\	и Т2 за

менить одним транзистором с коэффициентом усиления, равным

произведению коэффициентов усиления транзисторов Т\ и				Т2.	вы
Примерно такие же характеристики, - как рассмотренный					вы
ше двухкаскадный усилитель, имеет	усилитель	на	двух	транзи
сторах, схема которого приведена	на рис. 16,	б.	Оба	эти	типа

усилителя применяются в описываемой ниже системе автомати

ческого управления электромагнитным	сцеплением автомобиля
ЗАЗ-966ВР.
При включении транзистора могут	иметь место следующие его
режимы работы:

1. Режим отсечки, при котором через выходную цепь тран зистора ток не проходит.

Рис.		17:	Схемы,		уменьшающие
сквозной			ток	транзистора:		а	—	О)
неработоспособная					схема;	б —
схема с шунтировкой эмиттера и
базы резистором Ro:- в — схема с
запирающим				напряжением,		соз-		vj^
даваемым			падением		напряжения
в	диоде		Д ; /„с—сквозной			ток;		i
Uu	—	напряжение			в выходной			^кс1
				цепи
	2.	Режим насыщения,					при котором дальнейшее увеличение

тока во входной цепи транзистора не дает повышения тока в вы ходной цепи, так как последний уже достиг своего максимально возможного значения (для данной величины сопротивления в вы ходной цепи). Для режима насыщения характерны небольшая величина падения напряжения в переходе эмиттер-коллектор транзистора и, как следствие, малый его нагрев даже при. значи тельных токах нагрузки.

3. Режим	усиления (или	так называемый	активный	режим),
при котором	регулирование силы тока во входной цепи			вызывает
примерно пропорциональное		изменение силы	тока в	выходной

цепи. При работе транзистора в режиме усиления имеет место значительное падение напряжения в цепи эмиттер—коллектор, что приводит к потерям энергии в транзисторе и его нагреву.

В	устройствах	автоматики	управления специальными				агрега
тами	автомобилей	«Запорожец»		схемы	включения	транзисторов
обеспечивают его		работу либо	в	режиме	отсечки	(когда	выклю

чается ток), либо в режиме насыщения (при включенном токе на

грузки). В частности, для получения	режима насыщения			транзис
тора Т2 в схеме, согласно рис. 16, а,	в цепь	его	коллектора вклю
чен небольшой резистор ЯК 2-	меры	для	создания	четкого
Применяются также специальные
режима отсечки при отсутствии тока	во входной цепи			транзис
тора.

Если в схеме «с общим эмиттером» подключить источник пи тания только к выходной цепи (рис. 17, а), то через транзистор будет проходить ток /ь -с, называемый сквозным током коллектора. Величина этого тока будет тем больше, чем выше температура

транзистора.
Сквозной	ток	ухудшает работу	транзисторных	схем,	так как
из-за его наличия		невозможно полностью разорвать выходную
цепь питания	нагрузки, поэтому в		.транзисторных	схемах	обяза

тельно применяют различные дополнительные включения, умень шающие величину этого тока.

Наиболее простым способом уменьшения сквозного тока яв

ляется соединение	базы и эмиттера	транзистора	через	резистор
Яз, как это показано на рис. 17, б.
Такое решение	дает приемлемые	результаты	лишь в	случаях,
когда транзистор	работает в условиях небольших температур, что
не выдерживается	при эксплуатации	автомобилей.

								Т а б л и ц а 2
Параметры		транзисторов,		применяемых			в автомобилях ЗА З
Tim тран	Коэффициент уси		Максимальная		Максимальное		Паление напряжения		Материал
Tim тран	Коэффициент уси		Максимальная		Максимальное		в открытом	транзи
зистора	ления по	току'	сила тока,	а	напряжение,	о	в открытом	транзи
зистора	ления по	току'	сила тока,	а	напряжение,	о	сторе,	о
							сторе,	о
МП25	13-1-25		0,4		60		0,25		Германий
МП25Б	30—80		0,4		60		0,25		»
П213Б	40 (при	а)	5		30		2,5
	/ к = 0 , 2	а)	5		30		2,5
П216В	30 (при		7,5		35		0,5 (при
	/ к = 2 а)		7,5		35		0,5 (при
					60		/ к = 2	а)	»
П217	15 (при		7,5"		60		0,75 (при		»
	/ к = 4 а)						/ к = 4 а)		»
П217В	15—40	= 2 а )	7,5		60		0,5 (при
	(при / , ;	= 2 а )					/ к = 2 й )		»

1 В схеме с общим эмиттером.

Эффективным методом ликвидации сквозного тока является создание на базе транзистора положительного напряжения по от ношению к эмиттеру. Такой способ применяется в устройствах автоматики управления специальными агрегатами за счет вклю

чения	последовательно с	эмиттером	кремниевого диода	Д
(рис.	17, в). Даже при очень	небольшой	величине сквозного	тока

транзистора, который проходит через данный диод, в диоде соз

дается падение	напряжения порядка 0,4—0,5 в. В результате это
го напряжение	на эмиттере оказывается	ниже напряжения на ба
зе транзистора,	которая через резистор	Яз соединена с положи

тельным полюсом источника питания, и тем самым сквозной ток ограничивается до очень малых величин.

Втабл. 2 приведены основные параметры транзисторов, при меняемых в устройствах управления специальными агрегатами автомобилей «Запорожец».

II.ОБЩИЕ ДАННЫЕ АВТОМОБИЛЕЙ ЗАЗ

Вцелях облегчения управления трансмиссией автомобиля За порожский автомобильный завод «Коммунар» выпускает нес колько модификаций автомобиля «Запорожец», оборудованных специальными агрегатами, управление которыми осуществляется дистанционно с помощью специальных органов управления.

Взависимости от назначения завод изготовляет следующие модификации: автомобиль ЗАЗ-965АР, предусматривающий уп равление рукой и ногой (начиная с 1972 г. его сменил автомобиль ЗАЗ-966ВР); автомобиль ЗАЗ-966ВБ для управления только рука ми; автомобиль ЗАЗ-966ВБ2 для управления руками и ногой


В	автомобилях		ЗАЗ-	965АР и ЗАЗ-966ВР на рулевом			колесе
установлена		специальная		рукоятка управления		рулевым	меха
низмом, в		которой	смонтированы		включатель	звукового	сигнала
п	переключатели		световой		сигнализации.	В автомобиле
ЗАЗ-966ВР		в дополнение к этому			на рукоятке	установлен	микро

переключатель, управляющий механизмом переключения передач. Применение указанной рукоятки позволяет водителю пользо ваться необходимой сигнализацией, не снимая руки с рулевого

колеса, что необходимо по условиям безопасности движения.

С помощью ноги водитель управляет дросселем и тормозами, а также осуществляет переключение передач, воздействуя на спе циальный механизм переключения.

В автомобилях ЗАЗ-965АР и ЗАЗ-966ВР применено автомати чески действующее электромагнитное порошковое сцепление, бла годаря чему водитель избавлен от необходимости управления сцеплением.

Для обеспечения необходимой безопасности эксплуатации ав томобилей указанных модификаций их максимальная скорость ограничена до 50 км/ч (автомобиль ЗАЗ-965АР) и 60 км/ч (ав томобиль ЗАЗ-966ВР). Требуемое ограничение скорости осущест вляется за счет применения коробки передач без высшей (четвер той) передачи и установки специального ограничителя числа обо ротов коленчатого вала двигателя, который вступает в действие только при движении автомобиля на высшей передаче1 .

Для облегчения эксплуатации автомобилей в ненастную пого ду привод их стеклоомывателя выполнен от специальной ножной педали и, кроме того, в них предусмотрено автоматическое вклю чение стеклоочистителя сразу же после нажатия на педаль стек лоомывателя. Это достигается с помощью специального объеди ненного реле управления стеклоомывателем и стеклоочисти телем.

В автомобиле ЗАЗ-966ВБ переключение передач, привод дрос селя и тормозов осуществляются с помощью руки водителя. Для этой цели автомобиль снабжен рычажным приводом дросселя, смонтированным на рулевой колонке, и специальным рычагом управления тормозами. В автомобиле также применено автома тически действующее электромагнитное порошковое сцепление.

В партии автомобилей ЗАЗ-966ВБ, выпущенной в	1969 г.,	вме
сто ручного привода дросселя и тормозов сохранен	обычный	нож
ной привод этих механизмов.
В автомобиле ЗАЗ-966ВБ2 применено обычное	фрикционное

сцепление с механическим приводом от ножной педали. Две упор ные площадки на педали сцепления позволяют управлять им как

правой, так и левой ногой.
Дроссель имеет ручной привод от двух	рычагов,		установлен
ных на рулевой колонке. Привод тормозов	также	осуществляется"
1 В автомобиле ЗАЗ-965АР применена коробка	передач	от	двигателя мощ
ностью 30 а. С; а в ЗАЗ-966ВР — от двигателя мощностью 40		л .	с.

<<< < Предыдущая 1 23 / 203 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ