книги из ГПНТБ / Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах

58. В г о w n

H.

E.,

B o n d E., В 1 о о m q u i s t J.

Avalanche

transistors

drive

laser

diodes hard

and fast. — «Electronics», 1965,

V.. 39, № 23,

p. Ii3,7.

'59. H a . n s e n

J.

P.,

S c h m i d t

W. A. A fast Risetime

Avalanche

|60. Ш ан

С. Я-, Л и к у л аік В.

Г. Релаксатор

на

лавинном

триоде. Авт.

свидетельство № 155827. — («БИ», 11063, №

14.

іѲІ. П и к

у л и к

В. .Г., Л и к у . пик Р. Г. Генератор

наносекунд-

іных ним,пульсов

на

транзисторах. —

«Приборы іи техника

экспери­

мента», 49Ѳ6, №

2, с. 88.

62. Н а m і 1t о п D. J., G г i f f i t h

P. J., S h a v e r

F. H. Avalanche

1962, V. 34, № 418, p. 808.

63.

H a m i l t o n

D. J. Current build—u,p in avalanche

transistor

with

resistance load.

— «IRE Trans. Electron.

Comput.», i960, v. 9,

№ 4,

p.

496.

,64.

И г у м н о в

Д. В. Работа планарного

транзистора

,в микро­

ных транзисторах.

—

«Известия

вузов

СССР.

Приборостроение»,

19,69,

т. XII,

№ 8 ,

с.

61.

Авт.:

Г. А. А л и - З а де,

Д.

,Г.

А л и -

З а д е ,

,Р. А.

Б а г и р о в,

Ф. Ш. Д а д а ш е в а ,

В. Л.

Д ь я к е и о в,

Ю. В. Т р о и ц к и й.

66. А л н - З а д е

Т

А., Д ь я к о л о в В . П., Д а д а ш е в а

Ф. Ш.

Преобразователь напряжения в

частоту

с разрядным

лавштньш

СССР. Приборостроение», 197>,1, т. XIV, №

2, с. 19.

67. Д ь як он о.в В. П.,

Ш а р и ф о н

Ч. А. Аналого-цифровой

преобразователь амплитуды

переменного

напряжения. Авт. свиде­

тельство № 303592. — «Б.И»,

197і1, № .16.

боры», 4 969, вып. №

6, с. 3.

69. Е р м а к о в

Ю. В., Т и т о в

В. А.,

Ш в е д о в А. Н. Некото­

рые пути построения микромощных схем

на

лавшгных транзисто­

рах. — В кн.: Полупроводниковые

приборы и

их применение. Под

АН СССР, 1968.

4 71. З и н о в ь е в

Г. С. О лавинном режиме работы транзисто­

ров.— В мн.: Полупроводниковые приборы и

их применение. Под

ред. Федотова Я. А. Вып.

12. М., «Сов. радио»,

1964.

72. Х р н з м а н

С. С.

Применение траязисгоров в режиме элек­

ний.— «Приборы и системы

автоматики»,

1965, № 14, с. 3.

73. Д ь я к о н о в В. П.,

А л и - З а д е

Д . Г. Управляемый релак-

задержки.

— .«Приборы и техника эксперимента». 197і1,

№ 4, с. 114.

Авт.; Ю.

Д. К а р п е к о в, Г. П. М а к а р о в , Ю.

Н.

С іи м о н о .в,

Л. ,К. Т у р

ч а н о в.

П. Н. Цифровой

75. К о і в т у и А. іК., Ш к у р о А. Н., Р е з н и к

измеритель амплитуды импульсов

иаиосекуэгдпой

длительности. —

«Приборы

и техника эксперимента»,

1971, № 4, с. 125.

эксперимента», 1971, № б, с. ІІ24.

77. Д ь я к о н о в

В. Л. Интегральные импульсные схемы на ла­

винных тіраиз'Ністорах. — «Приборы

и

техника

эксперимента»,

,197.1,

№ 6, с. 98.

В. іП. Теория

и

расчет

релаксационных

гене­

78. Д ь я к о н о в

сторов.— «Известия вузов

СССР. Радиофизика». 1971, т. XIV,

№ 9,

с. 1367.

L. Avalanche

transistor Cuircuils. — «Elec­

80. S і 1V е г S i d n e y

tron World», 1967, V. 78, '№ 3, p. 30.

of

nanosekund—pulser

med

81. O r r e v a l l

L. E.

Generaring

lawintransistorer. — «Electron teari och prack», 1966, № 5, p. 65.

82. С у м о х а р о

Д но. Импульсные

генераторы на

лавинных

транзисторах и их расчет.— «Дэнси гидзюцу, Electron.»,

1967,

ѵ . 9,

speed

discriminators.

— «Rept. Inst, badan Jardon PAN», 19,65,

№ 593,

p. 12.

H. Avalanche

circuits are more versatile than

84.

В e 11 В г a i n

you think. — «Electron

Design», T964,

v. 2, p. 56.

87.

Sh ok le y

W.

Surface

controlled

avalanche

transistors.

Патент

США,

кл.

307-88,6,

№ 3339086,

заяівл.

ИК06.1964, олубл.

29.08.1967.

88. S і g m u n d

H.,

H e i k e 1t

M.

New

controlled

p.

avalanche

structure. — «Solid—State Electronics», ІІѲ 76,

v. '13, № 7,

925.

89.

D a V i d s о n

E v a n

E.

Sensitive

light

sensor

biased into

the avalanche

mode by

means

of

plurality

of

curnent

sources.

90.

J a n a k a

M o s a r u ,

S a m a s n i t a А к іа. Pressure sen­

sitive bilateral negative resistance device.

Патент

США, кл.

307—308,

№ 3465176, ваявл. 1.12Л966. Опубл.

2.09.1969.

91.

Биполярный запоминающий элемент малого размера. Обоэре-

JiHè

электронной техники.— «Электроника

США», 1971,

т. 44, A/s â,

с. ill

р(іруоск. перевод).

ROM

сап

be

electrically

92. F г о h m а п - В е п t с h k а \ѵ s 1<у.

programed and reprogramed. — «Electronics», 1971, v.

44, № 10, p. 91.

93. IK у 3.11 e uoiB ІО. А., К а м е н е ц к и й

Ю.

А.,

С и у л ь -

рад. Н и к о л а е в с к о г о

И. Ф. іВып.

9, М.,

«Связь»,

1972. А'вт.:

В. П. Д ь я к о и о в, В. И. Б о с ы й, Ю. А. К у з н е ц о в ,

А. ,С. К о с -

т ,р ю к о ів, В. А. Л, и г а и к о в.

95. Параметры

.и

свойства специальных

лавинных

транзисто­

ров. — «Известия вузов ССОР. Приборостроение», 197і2, т. XV, № .6,

с. б. Авт.: В. Л. Д ь я к о н

о®, В. И. Б о с ы и,

А. С. К о с т р ю к о в,

В. А. іЦіиг.ан ко в.

96. А л и - З а де

Г. А.,

Д ь я к о н о в

В. Л. Применение прибо­

ров с отрицательным сопротивлением s

информационно-измеритель­

ной и импульсной

технике.— «Измеоительная

техника»,

19712, № 3,

с. 43.

В. Г. Импульсная схема для измерения неболь­

97. П и к ул ик

ной цепи па

лавинном транзисторе. — «Радиотехника», 1972,

т. 27,

№ .6, с.

37.

пере­

100.

Д ь я к о н о в В. Л. Управляемые делители и ключи

менного

тока

на лавинных транзисторах.— «Электросвязь»,

1972,

102.

Д ь я ж о м о в

В. Л. -Бесконтактный ключ переметного тока. ■

Авт. свидетельство № 320052. — «БіИ», 1971, № 03.

103.

Д ь я к о н о в

В. П. Генератор релаксационных колебаний.

Авт. свидетельство № 303718.— «БИ», 1971, № 16.

104.

Д ь я к о н о ів

В. Л. Детектор приращений. Авт. свидетель­

ство № 29І6220. — «Б,И», 1971, № 8.

105.

Д ь я к о н о в

В. Л. Формирователь серии импульсов. Авт.

свидетельство № 296237.— «БИ», 1971, № 8.

106.

Д ь я к о н о в

В. Л. Высокостабнльные релаксационные ге­

емного заряда.— «Приборы

и техника эксперимента», 1972,

№ 3,

с. 138.

Ша р и ф о ' в Ч. А. 'Квантующий

пре­

109. Д ь як он о в В. П.,

2 0 2

__________

. .

...... .................

С О

Д

Е Р Ж А

Н И Е

От р е д а к т о р а ................................................

3

Предисловие

4

Г л а в а

,1. Анализ

статистических

характеристик

лавинных

транзисторов

......................................................................................

8

1.1. Электрический ..................................пробой

Р - п п е р е х о д а

8

1.2. Качественное рассмотрение особенностей ВАХ транзисто­

ров

в лавинном ......................................................

р е ж и м е

22

1.3. Анализ и синтез S -образных ВАХ лавинного транзистора

со стороны ........................................................

коллектора

. 1

29

1.4. Анализ зависимости дифференциального сопротивления от

тока

и

пусковой

характеристики лавинного тран­

зистора

................................................................................................

39

1.5. Анализ S -образных ВАХ лавинного транзистора со сто­

роны

э м и т ..................................................................................т е р а

43

1.6. Анализ ІѴ -образных ВАХ лавинного транзистора со сторо­

ны б а з ы ...............................................................................................

47

Г л а в а

2.

Анализ

динамических

характеристик

лавинного

транзистора

в ........................................................

импульсных

схемах

51

включении со

стороны к о л л е к т о р а ..........................................

51

2.2. Устойчивость и режимы работы основной переключающей

56

схемы на лавинном

тр а н зи с то р е .................................................

на

лавинном

2.3. Анализ основной релаксационной схемы

60

транзисторе '

........................................................................................

схем

на

лавинных

транзисторах

с

2.4. Расчет импульсных

75

помощью Э В М ..................................................................................

2.5. Эффекты в области больших токов................................................

80

Г л а в іа 3. Эксплуатационные параметры, конструкции и свой­

88

ства лавинных

тр а н зи с то р о в ..............................................................

3.1. Конструкция и параметры лавинных транзисторов

.

88

3.2. Надежность

лавинных тр ан зи сто р о в ..........................................

93

3.3. Температурная стабильность параметров лавинных тран­

103

зисторов

.

.

.

. - . -

......................................................

кремниевых

3.4. Особенности

работы

в

лавинном режиме

ПО

планарных транзисторов

.

. 1 ...............................................

Г л е в а 4. Принципы построения и расчета основных импульс­

112

ных схем на лавинных транзисторах..............................................

4.1. Двухстабильные схемы на лавинных транзисторах

.

112

4.2. Релаксационные ге н ер а то р ы ........................................................

118