Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах

.pdf
Скачиваний:
86
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.42 Mб
Скачать

врывается и ■напряжете на коллекторе Т\ падает примерно до нуля.

В результате Гі выключается и «а нагрузке формируется задний «рез прямоугольного выходного импульса. Таким способом можно

Рис. 5.30. Схема формирователя прямоугольных импульсов с последователь­ ным запуском лавинных транзисторов.

получить импульсы с временем нарастания н спада менее 1 нс (при

использовании лавшшых транзисторов NS11M и NS1M 0), длитель­ ностью от 2—3 до 100—200 нс и амплитудой до 40—60 В на нагрузке 50—ііОО Ом. Разновидности этой схемы описаны в [16, .62, 5=1, 80, 8 6 ].

5.5. Генераторы пилообразных импульсов и схемы, вре­ менной задержки

В качестве простейшего генератора пилообразного •напряжения можно нспользовать автоколебательный релаксационный генератор, схема которого приведена на рис. 4.3,6 [9-1]. При использовании в схеме лаівшгных транзисторов ГТ338В можно получить амплитуду пи­

лообразных импульсов примерно 30 В при

нелинейности

порядка

10%. Частота повторения импульсов может

 

быть

(при

 

уменьше­

нии С)

доведена до

10— 20

МГц, Генератор

имеет

малое

время об­

ратного

хода

составляющее менее

0 ,0 2

от

длительности

рабочего

 

 

 

- Е „ 60В

хода

(заряд

С).

Если частотным

диапа­

 

 

 

зон

ограничить частотами до

1—5 МГц,

 

 

 

 

то в схеме можно использовать высоко­

 

 

 

 

частотные

 

обычные

транзисторы:

 

 

 

 

П416Б,

П422,

П423,

ГТ308,

 

ГТ310,

 

 

 

 

ГТ311, ГТ313, ГТ320 и др. Плавную ре­

 

 

 

 

гулировку

частоты

повторения

импуль­

 

 

 

 

сов

удобно

осуществлять

изменением

 

 

 

 

части зарядного сопротивления Я к. Крат­

 

 

 

 

ность регулировки

обычно

составляет

 

 

 

 

не более

102 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Недостатками простейшей схемы яв­

 

 

 

 

ляются

необходимость

высокого

напря­

 

 

 

 

жения питания, малая линейность и низ­

 

 

 

 

кий

коэффициент

использования

питаю­

 

 

 

 

щего напряжения. В значительной степе­

Рис. 5.31. Схема генератора

ни от них

можно

избавиться,

 

применив

вместо зарядных

сопротивлений

простей­

пилообразных

импульсов с

ший стабилизатор

тока

[46. 47, 94].

токостабилнзирующим

тран­

 

зистором.

 

 

Схема

генератора,

имеющего

нели­

1 7 0

нейность пилообразного напряжения порядка 12 %, приведена на рис. 5.31. Стабилизатор тока выполнен на транзисторе Т і, включен­ ном по схеме с общей базой. Изменяя сопротивление резистора R3, можно в 10— 2 0 раз менять величину зарядного тока и частоту пов­

торения пилообразных импульсов.

В ждущих генераторах пилообразного напряжения часто тре­ буется, чтобы после запуска сразу начинался прямой ход (заряд хромирующего конденсатора). Это 'исключает возможность исполь­ зования обычного ждущего генератора с нормально закрытым лавин­ ным транзистором.

Рассмотрим простейшую схему ждущего генератора и времен­ ные диаграммы его работы (рис. 5.32 [46]). В этой схеме лаівішный

Рис. 5.32. Схема простейшего

ждущего генератора пилообразных импульсов

 

 

(а) н временные диаграммы его работы (о ).

 

 

транзистор

в исходном состоянии открыт. Элементы Д і

и Ra, как и

в

триггере,

обеспечиваю г

устойчивость

рабочей точки

тра нзистора

во

включенном состоянии.

При этом

на

транзисторе падает

напря­

жение Uс, близкое к (J ß До этого же

напряжения заряжен

конден­

сатор С. При подаче положительного запускающего импульса лавин­ ный транзистор закрывается и конденсатор С начинает заряжаться.

Спустя время

Г3 = ЯС1п[(Ек — £/„)/(Ек — £/р)],

(5.8)

где R = Ri + Re,

(5.9)

•напряжение на лавинном транзисторе достигает значения Ug, он

включается и конденсатор С разряжается. На эмиттере лавинного

транзистора формируется короткий экспоненциальный импульс с ма­

лым временем

нарастания, задержанный

на

время Т3 относительно

з апускагащего имп ульса.

в

описанной схеме равна

Амплитуда

пилообразных импульсов

примерно (L/'ßUо) и доходит до 25 В при использован,ші транзис­

торов іП416Б. Кратность регулировки не превышает пяти раз, так ■как при большом значении R .і уменьшается ток, протекающий через

включенный лавинный транзистор, .и нарушается устойчивость вклю­ ченного состояния.

На рис. 5.33 показана схема, лишенная указанных недостатков.

Вней для управления лавинным транзистором используется триггер

171

t 1 - WB

m s

Выход

сто

ТДі

ЗИ3 0 1 Г

Рнс. 5.33. Схема ждущего генера­ тора пилообразных импульсов на лавинном транзисторе с управле­

нием от триггера на туннельном диоде.

на туннельном диоде Д і . В исход­

ном состоянии рабочая точка тун­ нельного диода находится на диф­ фузионной ветви его ВАХ и напря­ жение на нем достаточно, чтобы лавинный транзистор был открыт. Конденсатор С разряжен практи­

чески до пуля. При подаче запус­ кающего импульса триггер пере­ брасывается в другое состояние и лавинный транзистор закрывается. Конденсатор С начинает заря­

жаться, и, когда напряжение на нем достигнет величины U^ , ла­

винный транзистор включается. Конденсатор С разряжается, и импульс, снимаемый с резистора Ro, .возвращает триггер в «сход­

ное состояние. Амплитуда импуль­ сов благодаря полному разряду С

равна U g и доходит до 50 В. Кратность регулировки длительности

равна примерно 15

и

может быть доведена до

30. При

изменении

емкости конденсатора

С длительность

импульсов

можно

менять

от

0,25 мкс до тысяч

миллисекунд. Время

задержки

при запуске, г.

е.

время от момента подачи запускающего импульса до начала форми­ рования пилообразного импульса, не превышает 50—70 нс. Нелиней­

ность

пилообразного напряжения

доходит до

12%.

Заметно улуч­

шить

параметры схемы можно, если заменить

зарядные

резисторы

Ri и

Яь

токостабилизирующим

транзистором,

как

это

сделано в

схеме

на

рис. 5.31.

 

 

 

 

Генераторы с токостабплнзпрующим транзистором имеют 'низ­ кую нагрузочную способность. Лучшей нагрузочной способностью отличаются генераторы с емкостной отрицательной обратной связью (см. § 4.5). В них (рис. 6.34) конденсатор С включен .в цепь обрат-

Запуск

Рнс. 5.34. Схема ждущего генератора пилообразных импульсов с емкостной отрицательной обратной связью.

ной овязи однокаскадного УПТ, выполненного на транзисторе Т2. Длительность импульсов приближенно раина

Г 3 « CRßU'a/Uy

( 5 . 1 0 )

 

172

Меняя напряжение Uy от 0 д о » 15 В, .можно

в 20—30 раз ме­

нять Та. Следует, однако, учитывать, что при

Uy-*Q линеаризирую­

щие свойства транзистора Та исчезают л его

роль

сводится только

к увеличению эффективной емкости хронирующего

конденсатора С.

На базе мультивибратора (рис. 4.7,а) можно построить очень

простой генератор треугольных колебаний с

линейно нарастающим

и спадающим напряжением. Схема такого генератора (рис. 5.35)

отличается

от

схемы

мультивибратора

 

 

включением конденсатора С в цепь об­

 

 

ратной

связи

УПТ. УПТ

выполнен на

 

 

транзисторе Та. Благодаря обратной свя­

 

 

зи конденсатор С заряжается по линей­

 

 

ному закону. При включении лавинного

 

 

транзистора Тt меняется полярность

 

 

входного тока Г2 п направление инте­

 

 

грирования. Конденсатор начинает раз-

 

 

ряжатаься

по

линейному

закону.

 

 

 

Меняя Uу, можно менять времена

 

 

заряда

и разряда. При

Uy = 16 В полу­

 

 

чаются

симметричные

треугольные

им­

 

 

пульсы. Амплитуда импульсов при этом

 

 

равна

15 В,

а

длительность

30

мкс.

 

 

С коллектора

лавинного

транзистора

Рис. 5.35. Схема генератора

можно

снять

прямоугольные

импульсы

треугольных колебаний

с ли­

с амплитудой 3,5

В.

 

 

 

 

нейным нарастанием и

спа­

Часто необходима управляемая на­ дом выходного напряжения.

пряжением

временная

задержка.

При

 

 

этом желательно, чтобы с ростом управляющего напряжения линей­ но росло время задержки. Описанные схемы не обеспечивают такого характера регулировочной характеристики. Например, в схеме рис. 5.34 при увеличении Uy время Г3 не растет, а уменьшается.

Для получения линейной зависимости Та(Оу) используется прин­

цип сравнения пилообразного напряжения с управляющим напряже­ нием Uу. Схема ‘временной задержки, реализующая этот принцип,

приведена на рис. '5.36 [54]. В ее основу положена схема рис. 5.32,а.

Рис. 5.36. Схема временной задержки, управляемой напряжением.

дополненная элементами ,импульсной обратной связи. [Пр.н запуске

Т\

запирается и нарастающее (напряжение с -конденсатора

С подает­

ся

через конденсатор

Ct іна диод сравнения ДС. На этот

же диод

подано положительное

[напряжение ІІѴ. іВ момент, когда

прираще-

173

«не шілообразіного напряжения становится равным Uy, диод ДС

открывается, лавинный транзистор включается ,и конденсатор С раз­ ряжается. Разрядный импульс появляется на выходе спустя время

Г3

= RC ln [1 — (t/y А U)!(EK — Up ) ] ,_ 1

(5.11)

где A L /« lß —

погрешность сравнения, обусловленная

падением на­

пряжения па диодах Д і .н ДС.

 

Отклонение зависимости T3(U у) от линейного характера обуслов­

лено экспоненциальным характером хронирующего manряжения. Не­ линейность управляющей характеристики определяется коэффициен­ том нелинейности

 

Р

~

<■

) ■

(5.12)

Для приведенной

схемы при

Uy mo,

«20-4-25 В ps£10% . Значение р

можно уменьшить

до

1 % и

менее,

если заменить

сопротивление R

Выход

Запуск

Рис. 5.37. Схема временной задержки, управляемой напряжением с высокой линейностью регулировочной характеристики.

токоста&ллнэирующим транзистором, как это сделано

в схеме

на

рис, 5.37, для которой

 

 

 

 

 

Т3 =

С (Uy + А

С ' ) / / 3 ,

( 5

. 1 3 )

где

Is&CcTi'Ri,

 

(5.14)

и (JUT — напряжение стабилизации стабилитрона Дг-

 

 

Максимальное

значение

Uy в этих

схемах определяется мини­

мальной разницей

(U g— U ß)

лавинного

транзистора с

учетом

раз­

броса параметров лавинных транзисторов. При правильном выборе работа схем рис. 5.36 л 5.37 практически не зависит от парамет­

ров транзисторов

и Т3 меняется незначительно при .их смене.

В генераторах пилообразного напряжения н устройствах вре­

менной задержки

можно использовать ,и схему, .показанную на

рис. 5.23. Ее достоинством является наличие отдельного выхода прямоугольных импульсов с большой амплитудой.

174

5.6. Генераторы ступенчатого напряжения

Две простейшие схемы генераторов ступенчатого напряжения приведены на рис. 5.38. В схеме рис. 5.38,а величину ступеньки мож­ но грубо менять, изменяя отношение Сп к Сд. В схеме рис. 5.38,6 амплитуда ступенек плавна изменяется до пяти раз с помощью пе-

Рнс. 5.38. Схемы простейших генераторов ступенчатого напряжения.

ременного резистора Яы. При этом меняется эффективность дейст­ вия тока «утечки», протекающего через резистор Я у, ;и соответст­

венно меняются напряжение U^u разность (Uß — Иск), в пределах

которой разряжается дозирующий конденсатор.

В зависимости от выбора Сд и Сн можно получить любое число и любую амплитуду ступенек. Длительность ступенек может изме­ няться также в широких .пределах (от долей микросекунды до де­ сятков миллисекунд и выше). Равномерность амплитуд ступенек

.можно получить порядка долей процента при отсутствии нагрузки. При подключении к С„ нагрузки Я П~ \ МОм равномерность ампли­

туд ступенек ухудшается в -.несколько раз. Поэтому при использо­ вании подобных схем нужно принимать меры к устранению шунти­ рующего влияния нагрузки, применяя, например, развязывающие усилители с большим входным сопротивлением (повторители на би­ полярных и полевых транзисторах и др.).

Температурный дрейф амплитуды ступенек в схеме рис. 5.38,а составляет примерно 0,05—0,1% «а 1"С. Поэтому ® широком диапа­

зоне температур амплитуда ступенек меняется на 5—іЮ%. Темпе­ ратурный дрейф можно уменьшить -почти ма порядок, применяя до­ зирующий конденсатор с обратным знаком температурного -коэффи­ циента изменения емкости [Т К Е ж — (0,05—0,1)% на 1°С]. Однако настройка подобных схем достаточно сложна. Относительно боль­ шой температурный дрейф амплитуды ступенек обусловлен дрейфом

напряжения включения Uß, который в свою очередь обусловлен дрей­

фом напряжения UM .

Особенно малым температурным коэффициентом напряженияпробоя обладают инверсно включенные планарно-эпитакоиальные

кремниевые

транзисторы интегральных схем.

Для них характерен

дрейф -напряжения

порядка 0 , 10 ,2 %

в температурном диапазоне

ж 100ЧС при

UM ^ 8

В. Схема генератора ступенчатого напряжения

на инверсно

включенных транзисторах

КТ317

(рис. 5.39) отличается

175-

исключительной простотой и высокой температурной стабильностью. При указанных данных амплитуда ступенек составляет » 0 ,4 В, дли­ тельность 4 мкс, а 'Число ступенек «=ІІ0.

Описанные схемы работают в автоколебательном режиме и не­ удобны для использования в генераторах опорного напряжения аиа- лого-цифровых преобразователей. На рис.

R10K 5.40 показана схема управляемого генера­

тора линейио-ступенчатого напряжения, ко­ +20Второе генерируется только при подаче по­ ложительного запускающего импульса, за ­ пирающего ключевой транзистор Ті. Благо­

даря применению лавинного транзистора

ЛГТ338 генератор имеет высокое быстродей­ ствие — длительность ступеньки около

 

 

сн 0 ,0 1

I мкс. При длительности запускающего им­

 

 

 

 

пульса

10

мкс

генерируется

10 ступенек.

Рнс.

5.39. Схема

генера­

При изменения

Сі и

С2 параметрами сту­

пенчатого

напряжения

можно

варьировать

тора

ступенчатого

напря­

жения

на инверсно вклю­

в широких

пределах.

 

 

ченных

интегральных

При

использовании генераторов в ана­

 

 

транзисторах.

лого-цифровых преобразователях некоторый

 

 

 

 

интерес

представляет

управление моментом

начала генерации ступенчатого напряжения, начиная с любого на­ чального уровня [50]. Управляемый генератор, обеспечивающий та­ кую возможность (рис. 5.41), при закрытом транзисторе Т3 генери-

Рнс. 5.40. Схема управляемого генератора ступенчатого напряжения.

рует пилообразное напряжение. Если на некоторое время открыть транзистор Тз, то схема перейдет в режим генерирования ступенча­

того напряжения. При этом момент появления и окончания ступенек жестко привязан к фронтам управляющего прямоугольного импульса.

Недостатком рассмотренных схем является критичность к смене лавинных транзисторов, обусловленная большим разбросом разности

[Ир —иск). От этого недостатка свободны схемы с автоматической

стабилизацией разности (Uß— иСк) і(рис. 5.42). Как и в ранее рас­

смотренных схемах с автоматической стабилизацией, здесь стабили­ зируется перепад напряжения иа дозирующем конденсаторе Сд. При этом он практически равен напряжению пробоя кремниевого ста­ билитрона Дг.

176

Температурная зависимость суммарного -напряжений іна Днодё Д 1 и ѳмиттерном .переходе лавинного транзистора по знаку обратна температурной зависимости напряжения пробоя стабилитрона Дг.

Поэтому в подобных генераторах удастся'реализовать TIKjH .ам-ллм-

Рис. 5.4t. Схема управляемого ге­

Рис. 5.42.

Схема генератора сту­

нератора линейно-ступенчатого на­

пенчатого

напряжения

со стабили­

пряжения.

зацией

амплитуды

ступенек.

туды ступенек порядка 0,003—0,01% на ГС. іВозможностш приме­ нения этого принципа стабилизации в управляемых генераторах огра­ ничены большим .временем установления стационарного режима ста­ билизации.

5.7. Преобразователи напряжения в частоту

Широкое распространение частотно-имлульсных измерительных приборов в известной степени сдерживается трудностью создания простых преобразователей напряжения в частоту. Эта задача при умеренной точности і(порядка .десятых долей процента) легко ре­ шается применением разрядных схем на лавинных транзисторах,. Высокая стабильность достигается при использовании или схем ав­ томатической стабилизации разности пороговых напряжений, или низковольтных лавинных транзисторов.

іВ схеме преобразователя с

токостабилизирующим Т і и разряд­

ным лавинным Т2 транзисторами

(рис. 5.43) частота повторения им-

Рис. 5.43. Схема преобразователя напряжения в частоту с токостабилизирую­ щим транзистором.

7 — .183

177

ІіульсіІЬ па ныкоде преобразователя равна

f = (C1u cr/i c + h ) - 1,

(S. 15)

где /с — ток заряда конденсатора ,Си Uor — напряжение стабилиза­ ции стабилитрона Д і, определяющего разность пороговых напряже­

ний ( U ß —Ucи) лавинного транзистора, 7Р — время разряда конден­

сатора Сі через лавинный транзистор.

'Благодаря применению лавинного транзистора время /р можно

сделать весьма малым, поэтому

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ /c /C j t /c T .

 

 

 

 

 

 

 

(5.16)

Ток /с задается токостабилнаирующим транзистором Tt

я ли­

нейно связан с входным напряжением

Uy. С помощью резистора :R■,

 

можно

устанавливать

 

начальное

 

значение

тока І с,

определяющее

 

значение частоты if=

/ 0

при 1/у= 0 .

 

Зависимость f ( U y)

дана

при раз­

 

личных температурах окружающей

 

среды

на рис. 5.44. Частота повто­

 

рения

импульсов

меняется

от 4,5

 

до 32 кГц при изменении

Uy от

 

0,5 до 30 В. Нелинейность этой за­

 

висимости

менее

0,7%.

 

Темпера­

 

турный дрейф в диапазоне темпе­

 

ратур от 20 до 60°С не превышает

 

0,9%

(при

Uу= 30 В).

токостаби-

 

Преобразователи

с

 

лнзирующим транзистором не поз­

 

воляют

получить

большого

пере­

Рис. 5.44. Зависимость частоты от

крытия

по

частоте. Это

обуслов­

управляющего напряжения для схе>

лено

гем, что

минимальное

значе­

мы рис. 5.43.

ние

зарядного

тока

/ с

 

не

может

 

превышать

значения

тока в

точке

перегиба ВАХ лавинного транзистора. Типичные пределы изменения Іс составляют от 0,1—0,2 до 2—3 мА, а перекрытие по частоте не

превышает 20— 30.

В ряде же случаев необходимы преобразователи

с очень большим

перекрытием по частоте, доходящим до 1 0 0 0

5000 раз. Такие преобразователи можно построить с помощью струк­ турной схемы, показанной на рис. 4.12,а. Полагая, что выполняется

условие

гві<сДу <.Гвых, пренебрегая

временем разряда конденса­

тора С,

из выражений (4.90) — (4.93) и

(4.96) находим зависимость

частоты повторения импульсов от управляющего тока Іу для преоб­

разователей с емкостной обратной

связью

 

 

 

1// = Т3 = RsCs ln [1 +

(

-

иСк)/ ( £ , - ^ ) ] ,

(5.17)

где

C»—C.{l+NKi), Ea=E+<NKiRly. При любом !у (Е,Uß ) »

> ( —«си). Тогда,.разлагая логарифм

в ряд, получаем

 

 

f = (£»

Uß)/R3Cs (

«Ск) = kl у + /о»

(5.18)

где к =

NKt

 

 

1

(5.19)

--------------------------------------

 

 

 

 

С ( І + N K

i ) ( U ß - u C K )

 

 

иСк)

 

178

Л> = ( £ -

Un)lRC (1 + NKi) ( Up - uf t ) ,

(5 .20).

Из (6.18) следует,

что зависимость / от / у линейна

и сдвинута

иа частоту /о. С ростом NKi начальная частота /о, соответствующая

/у = 0 ,

уменьшается.

Для включения лавинного

транзистора

необхо­

димо,

чтобы ток / у

не превышал

значения / у тах —( Е U'^)/R,

 

при

котором выходное напряжение УіПТ становится

равным U'ß.

Значе­

ние f=fmax, соответствующее І у =Іу max, равно

'(H'+JV/(,-)/O.

Следо­

вательно, перекрытие

по частоте

fmax/fo=,(l+NKi). Выбрав

УПТ

с соответствующим коэффициентом

усиления по току

К

і

, м о ж н о

по­

лучить требуемое перекрытие.

 

 

 

 

Для простейшей схемы преобразователя с емкостной обратной

связью (рис. 5.45)

ток

/ у= іу/і/? 1

задается управляющим напряже­

нием

Uy. Однокаскадный УіПТ имеет малый /( ,= ß «

10—20, так как

Рис. 5.45. Схема преобразователя напряжения в частоту с емкостной обрат­ ной связью.

выполнен на высоковольтном кремниевом сплавном транзисторе Ті типа МП114. Разряд конденсатора Сі осуществляется релаксацион­

ным генератором со стабилизацией разности пороговых -напряже­

ний (Uß—иск), выполненным на лавинном транзисторе Гг.

 

При

изменении Uy от 0 до 20 В / меняется от/ « 5 мГц до

/шах =60

мГц

(рис. 6.46), следовательно, перекрытие по частоте

равно « 1 0 . Погрешность от .нелинейности зависимости (f— /0)

от Uy

не превышает

0 ,6 %, временной дрейф частоты не более 0 , 1 %

(при

= 20 іВ) за

первые 20 мин работы и 0,5% за последующие 7 ч не­

прерывной работы. Амплитуда выходных импульсов равна примерно б В на -нагрузке Г?з=-7.5 Ом при времени -нарастания не более 50 нс. Импульсы можно использовать непосредственно для запуска счет­

чика. При включении резистора і/?к, задающего компенсирующий входной ток IyK= E K/R^ , можно сдвигать зависимость / от Uy па­

раллельно самой себе. На рис. 5.46 приведена зависимость / от Ur при Я = 1 МОм, иллюстрирующая возможность компенсации на­ чальной частоты (/пропорциональна Uy).

Значительного улучшения параметров преобразователей с ем­ костной обратной овязью можно достигнуть, используя в качестве разрядных устройств низковольтные лавинно-рекомбинационные диоды (Л РД ). іВ качестве Л Р Д можно использовать инверсно вклю­ ченные -интегральные кремниевые планарные транзисторы, напри­ мер типа 2Т317. При этом значительно снижаются рабочие напря­ жения схем, улучшается температурная стабильность и появляется

7 *

179

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ