книги из ГПНТБ / Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах
.pdfпри времени нарастания порядка 50 нс. Скважность им пульсов в подобных схемах может доходить до 10° и более.
Недостатком схем без источника тока /у является низкая стабильность частоты, обусловленная в основном значительным изменением Кі с температурой. Этот не достаток отсутствует в схеме рис. 4.13,6, в которой ве личина
/у « EylRy |
(4.97) |
не должна превышать минимальный зарядный ток, про текающий через резистор R,
‘■min= (Ец— UQ)IR. |
(4.98) |
В схеме рис. 4.13,6 при увеличении Ек вдвое длитель |
|
ность пилообразных импульсов изменяется |
на 37%■ |
В обычном генераторе (при отсутствии УПТ на тран
зисторе Т2) |
она увеличивается в 3,7 раза. Это говорит |
о заметном |
возрастании стабильности периода коле |
баний.
Интересной возможностью схемы рис. 4.13,6 й ей по добных является возможность изменения частоты повто рения релаксатора путем изменения либо тока /у, либо напряжения Еу. При применении УПТ с большим коэф фициентом усиления по току (2000 и более) можно по лучить перекрытие по частоте около 1000 при нелиней ности порядка десятых и даже сотых долей процента. Такие генераторы очень перспективны для использова ния в качестве линейных преобразователей напряжения в частоту в интегрирующих цифровых вольтметрах.
4.6. Схемы с дискретным зарядом емкости
Работа многих импульсных устройств, например ге нераторов ступенчатого напряжения, аналого-цифровых преобразователей, делителей частоты, квантователей сиг нала по уровню и других [48—52], основана на дискрет ном заряде или разряде накопительного конденсатора дозированными порциями заряда. Большинство извест ных схем такого рода либо принципиально не обеспечи вают равенства доз заряда, либо значительно услож няют устройства.
Схемы дозированного заряда конденсатора можно упростить, используя принцип разряда дозирующего кон
140
денсатОра на накопительный через устройство с 5-образ- ной ВАХ. Лавинный транзистор является одним из наи более удобных для этого приборов. В настоящем разде ле рассматриваются принципиальные особенности по строения различных импульсных схем с дискретным за рядом (или разрядом) конденсатора.
Простейшая схема генератора ступенчатого напря жения, иллюстрирующая указанный принцип (рис. 4.14,а), содержит накопительный конденсатор С,„ под-
а 5 t
Рис. «1.Н. Схема простейшего генератора ступенчатого напряжения (а) и вре' менные диаграммы ее работы (о).
ключенный к дозирующему конденсатору Сд через лавин ный транзистор Т1 . Для упрощения разрядное устрой
ство накопительного конденсатора показано в виде ключа К. Рассмотрим работу устройства, предполагая, что в момент включения (/ = 0) ключ К разомкнут и схема обесточена.
Конденсатор Сд заряжается через резистор tRK, в ре зультате чего в нем накапливается заряд, а напряжение возрастает по экспоненциальному закону. Как только напряжение на лавинном транзисторе, также растущее по мере заряда конденсатора Сд, достигнет напряжения t/p, лавинный транзистор включается и конденсатор Сд
быстро разряжается через него на конденсатор Сн до тех пор, пока напряжение на лавинном транзисторе не упадет до конечного значения иСк, при котором послед ний выключается. В результате на накопительном кон денсаторе формируется ступенька напряжения АѴ, по сле чего процесс повторяется.
141
Заряд, который |
теряет |
конденсатор Сд при |
разряде |
Ч а |
— Сд (C/g |
и С к Л С/) , |
(4.99) |
где иен — конечное |
напряжение на Сд, а заряд, |
который |
|
восприннмает наконительныи конденсатор, |
|
||
|
qn =[CnAÜ. |
(4.100) |
|
Приравнивая qiXи с]п, получаем |
|
||
& U — СА(£Ур |
и Ск)/(Сд -1 • Сн). |
(4.101) |
Таким образом, благодаря разряду дозирующего кон денсатора в неизменной разности потенциалов, опреде ляемой лавинным транзистором, амплитуды всех сту пеней AU одинаковы. В этом заключается существенное достоинство генератора.
Определим длительность произвольной, УѴ-й, ступень ки tb’. Пусть ей отвечает напряжение иск на конденса торе Сп. Считая, что моменту формирования ступеньки соответствует / = 0, можно записать следующее выраже ние для напряжения на конденсаторе
“Сд(0 = £.< — (£к — UCN — иСк) ехр (— //У?,.СД). (4.102)
В момент времени t = tK, Uc&=U'ß, откуда
*N= R*CH1п [(^-«СЛ- — ис М Ех— UCN — Uß)] - (4-І03)
Если ключ К охарактеризовать остаточным напряже нием Uо, в частности равным 0, а под амплитудой сту пеньки обозначить перепад напряжения AU, то
uCN = Uo + N A U = U0 + NCA(U'p — нСк)/(Сд-| Сн). (4.104)
Подставляя (4.104) в (4.103), получаем
tN = RKCr ln 1(£к— ис ~ U o - N А U)/(EK- U ß - U Ü~ N А U)\,
|
|
|
|
|
|
|
(4.105) |
или |
|
|
|
|
|
|
|
* » = Я кС д ІП |
— иСк — |
и о — |
/ Ѵ С д ( |
Uß — |
ц с к ) Д С д |
+ |
С „ ) .(4.106) |
£ к |
Uß |
U д |
МСД ( |
Uß |
м С к ) / ( С д 4 |
- |
С „ ) |
Из приведенных выражений видно, что длительности ступенек непостоянны и растут с увеличением порядко вого номера, начиная с УѴ= 0. Полное число ступенек п определяется остаточным напряжением U0 и напряже-
142
пнем включения (УШ!Л ключа К
п |
(4.107) |
Благодаря высокому быстродействию лавинных тран зисторов время нарастания ступенек ta обычно намного меньше их длительности. Это время определяется вре менем разряда конденсатора Сд. При СЫ3>СД его можно определить из формулы
'н « (С д Я т ! 4 Фф)1п(Др/«Ск) . |
(4.108) |
Различные модификации описанной схемы (48—50] могут генерировать ступенчатое напряжение с амплиту дой ступенек, изменяемой в очень широких пределах изменением отношения емкостей конденсаторов Сд и Си. Можно получить амплитуды ступенек AU от десятков вольт до практически любой меньшей величины. Дли тельность ступенек (к может выбираться от десятков наносекунд до десятых долей секунды.
В проведенном анализе не учтен ряд эффектов, кото рые могут нарушить равномерность амплитуды ступе нек и создать спад плоской части ступенек. Один из та ких эффектов заключается в дополнительном подзаряде конденсатора С„ током Ік, протекающим через сопротив ление RK при открытом лавинном транзисторе. Дополни тельное к величине ДU напряжение определяется из вы ражения
|
|
(4.109) |
о |
|
|
При достаточно большом Ек ток нодзаряда IK(t) |
можно |
|
считать постоянным: |
|
|
Л — { Е к — UCN — |
«С к)/Я к- |
(4 - 1 1 ° ) |
Тогда для А/-Й ступеньки имеем |
|
|
А Ддоплг— (tjCHRK)[EK NCj^Uр |
г/Ск)/(Сд-ТСп) Uо |
ыСк]. |
|
|
(4.111) |
Для генераторов на лавинных транзисторах неравно мерность амплитуды ступенек, обусловленная 'дополни тельным подзарядом, достаточно мала (не превышает десятых долей процента). Гораздо большее влияние на форму ступенчатого напряжения может оказать разряд
143
конденсатора Cu через сопротивление нагрузка R», обыч но подключаемое параллельно этому конденсатору.
Спад напряжения бN ЛЧі ступеньки из-за разрядки С„ через Ru определяется из выражения
бдг = (C/o -\-N А U) [1 — ехр(— |
(4.112) |
Так как для нормальной работы генератора необходимо
выполнять условие RuCu^tx, |
то, раскладывая экспонен |
|
циальную зависимость (4.112) |
в ряд, получаем |
|
б,ѵ ~ {U« -і N AU)tNlRttCtt. |
(4.113) |
Расчет показывает, что при Rn~ (0,5-ЬІ) МОм спад плоской части ступенек может достигнуть нескольких процентов. Поэтому там, где высокая равномерность ступенек особо необходима, следует увеличивать сопро тивление нагрузки Ru или применять развязывающие схемы с большим входным сопротивлением. Большое Ru является недостатком описанной схемы, -присущим, одна ко, всем схемам с емкостными накопителями.
Если в качестве ключа К. использовать еще один ла винный транзистор, то генератор будет работать в авто колебательном режиме. В ряде случаев желательно, что бы начало ступенчатого напряжения было привязано к определенному моменту времени. В схеме рис. 4.14,а осу ществить это коммутацией ключа К трудно, так как про цесс заряда и разряда Сд не сфазирован с работой клю ча. Это создает неопределенность в моменте появления первой ступеньки.
На рис. 4.15,ö показана схема генератора, в котором
начало ступенчатого напряжения жестко |
сфазировапо |
с фронтом прямоугольного запускающего |
импульса за |
а |
5 |
счет одновременной коммутации конденсаторов Сд и С,, с помощью ключевого транзистора Т При открытом Ті конденсаторы Сд и С„ разряжены. При запирании Ті запускающим импульсом на выходе генератора появ ляется ступенчатое напряжение. Так как в исходном со стоянии Сд полностью разряжен, то нулевая ступенька имеет длительность
= In (4.114)
Управляемый генератор і[50], схема которого пока зана на рис. 4.15,6, вырабатывает линейно-ступенчатое напряжение. Перевод генератора из режима генериро вания линейно изменяющегося напряжения в режим ге нерирования ступенчато изменяющегося напряжения обеспечивается воздействием управляющего импульса на ключевой транзистор Tz.
При закрытом транзисторе Tz дозирующий конден сатор отключен от коллектора лавинного транзистора Tv. Его рабочая точка становится устойчивой на участке дифференциального отрицательного сопротивления и про цесс дискретного заряда С„ отсутствует. Напряжение на последнем при разомкнутом ключе К растет по экспо ненциальному закону.
При подаче отпирающего импульса на базу транзи стора последний открывается и конденсатор Сд оказы вается подключенным к коллектору Ті. Генератор начи нает генерировать ступенчатое напряжение, сфазирован-
ное с фронтом |
управляющего |
импульса. Диод Д і соз |
дает низкоомную цепь разряда |
конденсатора Сд. |
|
Используя |
несколько дозирующих конденсаторов, |
коммутируемых отдельными ключами, можно создать генератор ступенчатого напряжения, обеспечивающий быстрое изменение амплитуды ступенек во время рабо чего хода. Такие генераторы представляют определен ный интерес для информационно-измерительной техники.
4.7. Принципы построения управляемых импульсных схем повышенной стабильности
Стабильность основных параметров рассмотренных схем зависит от стабильности пассивных элементов, ста бильности параметров лавинного транзистора и стабиль ности питающих напряжений.
145
Применяя стабилизацию питающих напряжений и вы сокостабильные пассивные элементы, можно сделать до минирующей нестабильность параметров лавинного тран зистора. При изменении температуры окружающей сре ды от —60 до +60°С разность напряжений (U —иСк)
меняется не менее чем на 6—8%. Еще сильнее эта раз ность меняется при смене транзисторов. \В результате стабильность рассмотренных элементарных импульсных схем мала.
В ряде случаев требуется стабильность (например, частоты повторения импульсов в релаксационных схе мах) порядка десятых долей процента. Обеспечить та кую стабильность обычно применяемыми мерами тер мокомпенсации бывает довольно трудно. Рассмотрим не которые новые принципы построения высокостабильных схем, отличающиеся высокой эффективностью {53, 54, 98, 103, 106].
Из проделанного ранее анализа следует, что основ ными параметрами лавинного транзистора в релакса ционных схемах являются напряжение включения Uр и
конечное напряжение «ск разряда накопительного кон денсатора. В принципе, стабилизацию их можно осу ществить, стабилизируя отдельно U^ и иСк. Для стаби
лизации напряжения Оф вводят импульсную обратную связь, так как ВАХ лавинного транзистора управляема. Однако напряжение иСк, зависящее от многих факторов, практически изменять нельзя.
В большинстве случаев стабильность параметров ре лаксационных схем зависит не от абсолютных величии Др и «ск, а от их разности (U^ —иСк) . Например, в ре
лаксационных генераторах и генераторах пилообразного напряжения именно эта величина определяет стабиль ность амплитуды выходных импульсов. Период колеба ний, генерируемых релаксационным генератором (на пример, в схеме рис. 2.6,а), находится из выражения (2.92), которое для автоколебательных релаксаторов не трудно представить в виде
Т = RKC ln [1 — (f/p — иСк)І (Ек — «Ск)]-‘. (4.115)
Так как для нормальной работы генератора должно вы полняться условие Ets> Up и, кроме того, > u cк, то очевидно, что Ек^>иск. Отсюда видно, что стабильность?
№
Т при стабильных напряжении питания Ек и параметрах RC цепи определяется также разностью (Ug—иСк).
При стабилизации напряжения Up, которая может быть достигнута только его уменьшением, нестабиль ность разности (Up—иск) резко возрастает при Up-^иск.
Нестабильность напряжения «ск при этом становится доминирующей. В схемах на лавинных транзисторах, в отличие от обычных схем, конечное напряжение иск мо жет быть довольно значительным. При достаточно боль ших величинах С оно близко к напряжению Up. Все это
резко ограничивает возможности принципа стабилиза ции напряжения включения U р.
Эффективным методом стабилизации является стаби лизация разности (Up—иск) (53]. Такая стабилизация
осуществляется выделением разности |
( U fj‘—иск), срав |
нением ее с некоторым управляющим |
напряжением Uy |
и поддержанием равенства |
|
( и , ~ “Ск) = и у, |
(4.116) |
автоматическим изменением ^напряжения Up .
В схеме иа рис. 4.16,а (54] ждущий релаксатор, выпол няющий функции устройства временной задержки, об-
Рис. 4.16. Функциональная схема автоматического управления разностью по роговых напряжений ^ £/ß— “ Q .) (а ) и временные диаграммы ее работы (*£).
разовая зарядной цепью ЗЦ, хронирующим конденсато ром С и устройством с 5-образной ВАХ (лавинный тран зистор с элементами, формирующими требуемую форму ВАХ). Схема выделения разности (U —ucк), определяю щей амплитуду пилообразного импульса на конденсато-
1147
ре С, представляет собой пиковой детектор С(, и Диод ДС выполняет функции сравнивающего элемента.
При запуске схемы перепад напряжения с конденса тора С через конденсатор Сі большой емкости передает ся в точку а, где складывается с управляющим напряже нием IIу (рис. 4.16,6). Диод ДС закрыт, пока знак ал гебраической суммы этих напряжений положителен. В момент, когда
(4.117)
где Uд — падение напряжения па диоде в момент срав нения, устройство с 5-образиой ДАХ включается и кон денсатор разряжается.
Из (4.115) и (4.117)
Т = ДкС1п[1— (£7у + Е7д)/(£к — иСк)}~' , (4.118)
Поскольку Uд достаточно мало (около 0,2 В для герма ниевых и 0,5 В для кремниевых диодов), то величина (Ну+Нд) при стабильном Uy гораздо более стабильна, чем величина (U^—иск).
Если зарядная цепь выполнена в виде стабилизатора тока то
T = C{Uy + и л)/І3. |
(4.119) |
Меняя Uy, можно в широких пределах менять Т, причем зависимость Т от Uy при стабилизации зарядного тока оказывается линейчіой.
Описанный принцип стабилизации разности (U^—иск)
можно с успехом использовать для построения высоко стабильных релаксационных генераторов, управляемых схем временной задержки и генераторов пилообразного напряжения, стабилизации амплитуды ступенек в гене раторах ступенчатого напряжения и в других импульс ных устройствах. Однако из (4.118) и (4.119) можно сделать вывод, что Т зависит от среднего тока, заряжа ющего конденсатор, следовательно, п от напряжения источника питания.
Если амплитуда импульсов может изменяться, но требуется стабилизировать их длительность или частоту повторения, то можно использовать иной принцип по строения стабилизированных схем (103]. Этот принцип заключается в автоматическом поддержании разности (£7р ■—иск) пропорциональной среднему значению' заряд ного тока. Последний для простейшего релаксационного
148
Генератора можно найти, приравняв (4.118) выражению
Т — C(Z7p — «Ск)//ср, |
(4.120) |
|
откуда имеем |
|
|
exp [ (t/ß мскУ^к4р] = |
1 (^ß ыскУ (ß иск)- |
(4.121) |
Раскладывая экспоненту в ряд, при. условии |
Дк7Ср ^ |
|
—иск), получаем |
|
|
7ср ~ |
{Е — «скУ-^к- |
(4.122) |
Для схемы со стабилизацией зарядного тока очевидно, что / ср = /3. Если выполняется условие
( V , - « а д = Ы". |
(4,123) |
то Т = АС |
(4.124) |
совершенно не зависит от величины среднего зарядного тока. Это условие не нарушается приближением, приня тым при расчете / ср для релакса
ционной схемы, что означает ав |
|
|
|
||||||||
томатическую самонастройку |
ре |
|
|
|
|||||||
лаксационного |
генератора |
при |
|
|
|
||||||
любом изменении / ср, чем бы оно |
|
|
|
||||||||
не вызывалось. |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Практическая реализация это |
+ |
|
|
|||||||
го принципа |
(рис. 4.17) отличает- д |
|
|
||||||||
ся от ранее рассмотренного тем, |
|
|
и,Ш |
||||||||
что |
управляющее |
напряжение |
|
|
К |
||||||
выделяется |
на |
эталонном рези |
Рис. |
4.17. |
Функциональная |
||||||
сторе |
До, включенном последова |
||||||||||
схема |
автоматической ста |
||||||||||
тельно |
с устройством |
с |
5-образ |
билизации |
периода колеба |
||||||
ной ВАХ. Усреднение Uy осуще |
ний |
релаксационного гене |
|||||||||
|
|
ратора. |
|||||||||
ствляется шунтированием До кон |
причем ЯоСш^>Т. Из- |
||||||||||
денсатором |
большой емкости |
С, |
|||||||||
за |
падения |
напряжения |
на |
сравнивающем диоде ДС |
удается выполнить не идеальное условие <(4.123), а усло вие (4.117), причем
и у = ІсоДо, |
(4.125) |
Т3 = СДо + а /д //ср. |
(4.126) |
Если в качестве зарядной цепи используется сопротивле ние Дк, то
/ср = (£к- и Ск)/(Дк + Д0). |
(4.127) |
149