Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Преснухин, Л. Н. Цифровые вычислительные машины учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
20.78 Mб
Скачать

Пусть имеется неинвертирующий электронный элемент, на входе и выходе которого сигналы имеют в общем виде форму, показанную на рис. 2.2. Тогда, среднее время задержки распространения сигналов

 

^.сР = ('т+ + 'Г)/2,

(2.5)

где т * и Г — соответственно задержки

передачи

переднего и заднего

фронтов сигнала.

максимально допустимое напря­

5.

Помехоустойчивость Un, т. е.

жение помехи на входе электронного

элемента

(и'п, и'п' — помехо-'

устойчивость для двух логических состояний).

 

§ 2.4. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИОННЫХ СИГНАЛОВ

ВЦЕПОЧКЕ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Влогических схемах ЦВМ информационные сигналы, представ­ ляющие значения двоичной информации «1» и «О», многократно пре­ образуясь и разветвляясь, проходят по длинным цепочкам однотипных

иразнотипных логических элементов. Для нормального функциони­

рования таких сложных устройств необходимо, чтобы сигналы, про-

Рис. 2.3. Амплитудная передаточ-

Рис. 2.4. Изменение амплитуд си­

ная характеристика неинвертирую-

гнадов в цепочке логических эле-

щего логического элемента

ментов

ходя через логические элементы, не изменяли своих основных пара­ метров: амплитуду, длительность сигнала, времена нарастания и спада и т. д.; иначе говоря, необходимо, чтобы логические элементы обладали формирующими свойствами. Рассмотрим амплитудные фор­ мирующие свойства электронного логического элемента, определяемые его амплитудной передаточной характеристикой.

Передаточной характеристикой электронного элемента называют зависимость амплитуды выходного сигнала от амплитуды входного сигнала при прочих постоянных параметрах передаваемых сигналов. На рис. 2.3 приведена амплитудная передаточная характеристика

60

неинвертирующего логического элемента, нулевое значение уровня сигналов которого совмещено с началом координат (точки 0 и Л соот­ ветствуют стандартным уровням выходных сигналов; величина сигнала в точке’Л — выходному сигналу логической «1», а величина выходного сигнала в точке 0 — логическому «О»). Проведем прямую UBb,x — UBX, соответствующую передаточной характеристике линейного элемента, и отметим точку В пересечения этой прямой с рассматриваемой переда­ точной характеристикой. Сигналы, амплитуды которых меньше, чем величина (/в в цепочке элементов с передаточной характеристикой рассматриваемого типа, будут стремиться к стандартному выходному уровню. Соответственно импульсные сигналы с амплитудой, большей величины Uв, постепенно нарастают и могут достичь уровня стандарт­ ного единичного сигнала. Изменение амплитуд сигналов в цепочке логических элементов показано на рис. 2.4.

Каждый логический элемент должен обладать помехоустойчивостью, т. е. нечувствительностью к действию сигналов помех определенного уровня при сохранении единичного или нулевого состояния. Это требование является абсолютным потому, что при работе любой элек­ тронной схемы наряду с полезными сигналами всегда из-за внешних и внутренних воздействий возникают паразитные сигналы (помехи).

Зная амплитудную передаточную характеристику логического элемента, можно оценить запас помехоустойчивости.

Если помеха не достигает порогового уровня UB (см. рис. 2.3), то на выходе логического элемента она имеет меньшую амплитуду, чем на входе. Таким образом, в цепочке элементов происходит затуха­ ние амплитуды помехи. Поэтому пороговое напряжение UB определяет запас помехоустойчивости логических элементов комбинационных схем, т. е. схем, в которых отсутствует обратная связь и не происходит запоминание информации.

Если же рассматривать схемы с обратной связью, то необходимо уровень сигналов помех на входе ограничить до уровня, при котором

дифференциальный коэффициент передачи

по напряжению Кц не

превышает единицы:

 

K u = dUauJd U Bt.

(2.6)

Точки передаточной характеристики, где касательная проходит под углом 45°, соответствуют пороговым значениям сигналов «1» и «О», неискажающихся при передаче (рис. 2.5). Передаточная харак­ теристика снимается при одинаковых масштабах для входных и вы­ ходных напряжений.

Стедовательно, для логических элементов с обратной связью по напряжению запас помехоустойчивости определяется разностью между уровнем логического «О» или «1» и величиной сигналов, при которых Ки = Е Поэтому для надежного функционирования элек­ тронных систем, включающих в себя различные электронные эле­ менты, необходимо наложить ограничение на уровень помех по ампли­ туде A W для состояния логического «О» и h U B — логической «1». В общем виде сигнал логического «О» может отличаться от нулевого напряжения.

61

Рис. 2.6. Передаточная характери­ стика группы логических элемен­ тов с учетом разбросов компонентов

На характеристиках, показанных на рис. 2.5, а, б, отмечена поро­ говая точка В; входные сигналы, расположенные на оси входных напряжений с противоположных сторон относительно этой точки,

Рис. 2.5. Определение помехоустойчивости для схем с обратной связью: а — без инвентирования сигналов; б — с инвертированием сигналов

по мере распространения в цепочке логических элементов будут при­ обретать значения, близкие к уровням логического «О» и логической «1».

Рассмотренное явление стандартиза­ ции сигналов в цепочке элементов с формирующими характеристиками называют двоичным квантованием сиг­ налов.

Практически используемые элек­ тронные элементы не имеют идентич­ ных переходных характеристик, есть лишь определенный допуск на пара­ метры. С учетом этого допуска пере­ ходная характеристика группы ло­ гических элементов имеет вид, пока­ занный на рис. 2.6, где UB — поро­ говая зона, попадание амплитуд входных сигналов внутрь которой приводит к возможной неопределен­ ности выходных сигналов. Допуск на параметры схем исключает свойства

двоичного квантования сигналов в пределах пороговой зоны. Разброс сигналов логического «О» и логической «1» в этом случае занимает зоны ДU0 и ДUа- Зоны запаса помехоустойчивости состояний логи­ ческого «О» и логической «1» равны соответственно ДС/'п' и Д1ф“.

§ 2.5. ДИОДНО-РЕЗИСТИВНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Логические элементы И и ИЛИ.

Предположим, ‘что диоды в схеме, приведенной на рис. 2.7, имеют идеальную вольт-амперную характеристику, т. е. сопротивление их

62

Рис. 2.7. Диодно-резистивные логические элементы И для отрицательных сигналов и ИЛИ для положительных сигналов

в прямом включении равно нулю, в обратном включении бесконечно велико.

Пусть в схеме входные сигналы А ъ А 2, .... А т соответствуют вход­ ным переменным и закодированы так, что «1» соответствует уровень —

и ъ

а «О» — уровень — t/0, причем выполняется соотношение

| £ | >

\UX | > | U0 |.

Входные диоды будут смещены в прямом направлении, если все

входные сигналы соответствуют «О». Выходное напряжение в точке а равно —Uо, поскольку падение напряжения на диоде также равно нулю.

Таким образом, если все входные сигналы имеют значение «О», то и выходной сигнал равен «О».

Если при наличии — 1) сигналов, соответствующих логиче­ скому «О», на вход Ат подать сигнал логической «1», то диод Д т вклю­

чится

в

обратном направлении, поскольку

[ £/х | >

| t/0 I- В общем случае, если хо­

тя бы

один сигнал на входе схемы соот­

ветствует значению логического «О», то и на ее выходе будет сигнал, соответствую­ щий логическому «О», поскольку все диоды, на которые подается сигнал логической «1», закрыты.

Следовательно, в рассматриваемой схе­ ме выходной сигнал соответствует логиче­ скому значению «О» во всех случаях, если хотя бы один входной сигнал соответст­ вует «О»; выходной сигнал соответствует «1» тогда и только тогда, когда все входные сигналы соответствуют «1».

Схему, показанную на рис. 2.7, исполь­ зуют для выполнения логической операции конъюнкции и называют логическим эле­

ментом

И.

Ее выходная функция F от входных переменных

А ъ А %,

...,

А т имеет вид:

 

 

F — Ах ■А 2 ■... ■А т.

Изменим полярность входных сигналов на обратную, сохранив соотношение (Д > U0. В этом случае в схеме, показанной на рис. 2.7, при подаче всех входных сигналов, соответствующих значениям «О», выходной сигнал будет равен (У0, т. е. соответствует значению «О». Если же хотя бы на один вход подают сигнал Ult то соответствующий входной диод будет открыт и потенциал в точке а поднимается до зна­ чения и г. Все диоды, на вход которых подают сигналы, равные U0, будут смещены в обратном направлении. Следовательно, в данном случае выходной сигнал соответствует значению логического «О» лишь тогда, когда все входные сигналы равны «О», а выходная функция имеет вид:

F = А х+ А 2+ . . . -+- Ат-

63

Рис. 2.9. Эквивалентная схема диодно­ резистивного элемента И для положи­ тельных сигналов

Таким образом, логическая схема И для отрицательных сигналов является схемой ИЛИ для положительных сигналов и служит для выполнения операции дизъюнкции.

Если в схеме, показанной на рис. 2.7, изменить полярность источ­ ника питания и полярность включения входных диодов, то получится

 

схема, приведенная на рис. 2.8. В этой схеме

 

операция конъюнкции выполняется для по­

 

ложительных входных сигналов F' = А{ A% X

 

X ...-Ат,

а

операция дизъюнкции — для

 

отрицательных входных сигналов (F' = A \ - (-

 

+ А'а 4- ... +

А'т).

 

 

Р а с ч е т д й о д н ы х л о г и ч е с к и х

 

э л е м е н т о в И.

 

 

Рассмотрим полную диодно-резистивную

 

схему

И для

положительных сигналов (рис.

Рис. 2.8. Диодно-рези­

2.9),

где

Сн — эквивалентная

емкость на­

грузки;

R BX — внутренние •

сопротивления

стивные логические, эле­

источников входных сигналов. Предположим,

менты И для положитель­

ных сигналов и ИЛИ для

что входные сигналы подаются с выходов

отрицательных сигналов

транзисторных схем и имеют уровни логиче­

 

ских

нуля

Uо и единицы Ui ^ 0 .

В рассматриваемой схеме выходной сигнал соответствует высокому уровню потенциала, равную нулю, только в случае равенства нулю всех входных сигналов. Будем считать схему открытой, если все сигналы на входах имеют уровень

U! и закрытой—если хотя бы один

входной сигнал имеет уровень — U0 (схема может быть закрыта по одному или по всем входам).

Для частного случая, когда чис­ ло входов т — 3, при всех входных отрицательных сигналах через со­

противление Двых

протекает ток

/вых = (£ +

£/о)/ЯвыХ. (2.7)

Этот ток поровну делится между тремя входными источниками сиг­ налов. Когда источники на двух входах выдают сигнал — f/0, а на третьем входе сигнал Ui = 0 , то

диод Д 3 закрыт. При этом по каждой входной цепи протекают токи

■■(E + U0)/2RB

и половина обратного тока запертого диода (при Ro6p Ф 0). Следова­ тельно, в этом случае общий ток каждой входной цепи равен:

/ общ = [ ( £ + С 0) / / ? вых - f 10б р ]/2.

( 2.8)

64

Если хотя бы на одном входе уровень сигнала —U0, обеспечивающий закрытое состояние схемы, то через источник сигнала проходит ток:

n x = (E + U0)/Rвых+ 2/0бр.

(2-9).

При N входах, минимальный и максимальный токи через источник сигнала закрытой схемы соответственно

 

1зт1п = (E + U 0)/(mRBbn),

(2 .1 0 )

 

Rmax — ( Е Uoy RBblx~\-(т — I) I rtf, ^

( Е U0)/RBblK.

(2.11)"

Чем меньше N и / 0бр запертого диода по сравнению с величиной

-f

Uo)IRвых. определяемой параметрами

схемы, тем

равенства

(2 .1 0 )

и (2 .1 1 ) более справедливы.

 

 

Поскольку ток во входной цепи закрытой схемы создает падение напряжения на входном сопротивлении RBK, то необходимо параметры схемы выбирать так, чтобы колебания уровня входных сигналов при изменении величины входных токов находились в заданных пределах.

- В открытой схеме напряжение на выходе близко к нулю, все входные диоды открыты и каждый источник входного сигнала выдает

ток:

 

/«.о = + Ui)/{mRBых) «=* E/(mRsbtx).

(2.12)

Ток на выходе открытой схемы, протекающий через сопротивле­ ние, RBblx,

I вых. о= £/#вых.

Образование положительного выходного сигнала при единичных значениях всех входных переменных, кроме одной, и переключении последнего входного сигнала в «1 » состояние происходит следующим образом. До начала переключения потенциал емкости нагрузки С„ равен —Uо- При подаче последнего единичного входного сигнала выходное напряжение не может измениться скачком, поэтому все входные диоды будут заперты. В этих условиях начнет заряжаться емкость С„ от источника Е через сопротивление R Bbix. Величина началь­ ного тока заряда емкости

Iвых ^ (Д ~Ъ IM/Явы* ^ Д/Явых.

(2.13)

Напряжение на емкости Сн стремится к величине Е, но как только оно достигнет значения 1/вык = 0 , входные диоды откроются и выход­ ное напряжение будет зафиксировано на уровне Ux 0 .

Постоянная времени образования переднего фронта сигнала

Тф = Я в ы х 'С „ .

(2 .1 4 )

Переключение сигнала от уровня — Ux к уровню —U0 на одном 'входе (или на нескольких) приводит к образованию заднего фронта выходного сигнала. В этом случае имеет'место заряд емкости С„ от нулевого уровня до уровня —U0 через прямое сопротивление откры­ того диода и сопротивление источника сигнала:

= (Двх + гл) Си.

(2.15)

3 Л . Н. Преснухнн

65

При одновременном поступлении k входных сигналов, уровень которых —U„, постоянная т~ имеет значение %~ik.

Таким образом, в диодно-резистивных логических схемах выходные

сигналы имеют несимметричные фронты.

 

 

Сравнение выражении (2.11) и (2.13)

/ зтах и

/ вых показывает,

что источник входного сигнала закрытой

схемы

должен выдавать

ток, величина которого превосходит выходной ток открытой схемы. Отношение / 3 тах//Вых в общем случае определяет меру потерь и назы­ вается коэффициентом эффективности схемы И:

 

+

и вЩ ъ

 

 

 

 

(2 . 16)

 

Ы =

EjRshix

= 1 +

- £ = . 1+

E/U0

На рис.

2.10 приведена зависимость коэффициента Ни от величины

отношения EWJ0 (если

учитывать конечную величину

/ обр диодов,

то характер зависимости Ни =

f (E!U0) практически

не изменится, но

 

 

 

кривая на графике будет

поднята тем выше,

 

 

 

чем больше / обгр и число входов т).

 

 

 

Зависимость

указывает

на

возможность

 

 

 

получения максимальной эффективности схе­

 

 

 

мы И,

равной единице, при достаточно боль­

 

 

 

ших значениях отношения E/U 0. Однако при

 

 

 

этом вследствие увеличения напряжения \Е\

Рис. 2.10.

Зависимость

 

возрастает мощность и соответственно стои­

 

мость источника питания. Снижение коэф­

коэффициента эффектив­

 

ности схемы Ни от вели­

 

фициента Ни позволяет использовать менее

чины Е/и0

 

мощные управляющие схемы

на

входах схем

 

 

 

И, что

при значительном

числе входов т

может быть более выгодным, чем использование мощных схем. Анализ работы логических элементов И дает возможность получить

рекомендации по выбору параметров схемы.

Пусть известен перепад входного напряжения U0, величина емкости нагрузки Сл, длительность переднего фронта сигнала тС

Ток заряда конденсатора С„

I3a p ^(C HU0)/T+.

Сопротивление

/?вых ~ Е// зар.

Напряжение источника питания Е при заданном UQ определяют из принятого в расчете коэффициента эффективности

5и = 1 /(1 + !/«/£).

Определение всех параметров схемы дает возможность реализовать поставленные требования, а задание коэффициента Ни и величины пере­

пада входного

сигнала U'0 — предъявить требования к параметрам

управляющих

схем.

Р а с ч е т

д и о д н ы х л о г и ч е с к и х э л е м е н т о в ИЛИ.

Эквивалентная схема диодного элемента ИЛИ приведена на рис. 2.11. Чтобы данная схема находилась в открытом состоянии, обеспечиваю-

66

щем выходное напряжение, равное нулю, в случае высокого потен­ циала только на одном входе, источник сигнала должен выдавать ток:

7omax — Е / R Bbix Ч- (И

1) ^обр ' ! E/'RB

(2.17)

При большем количестве высоких входных сигналов от источников сигналов требуется меньший ток.

Когда все входные сигналы имеют уровень —U0, ток на выходе закры­ той схемы

 

/ з . В Ы Х

=

( £ -

£ Л > ) / # в

 

(2.18)

 

 

Сравнение

 

токов

10тах

и

/ зтах

 

 

показывает, что источник входного

 

 

сигнала открытой схемы должен вы­

 

 

давать ток, больший, чем выходной

 

 

ток закрытой

 

схемы. Отношение этих

 

 

токов определяет меру потерь схемы

 

 

ИЛИ и носит название коэффициен­

 

 

та эффективности схемы ИЛИ

 

 

били =

 

pip вых

__

 

 

 

 

(£' ' ^о)/^вых

 

 

 

 

 

 

 

Е

 

e i u r

 

 

Рис. 2.11. Эквивалентная схема

 

 

1: -

U„

EfU0 — 1 '

( 2 ' 1^

 

 

диодно-резистивного элемента ИЛИ

Отношение

E/U 0 нецелесообразно

как уменьшение коэффициен­

выбирать более пяти (рис.

2 .1 2 ), так

та 1 или

влечет за собой увеличение

мощности управляющих

схем.

 

 

 

 

 

В схеме ИЛИ передний фронт выходного

 

 

 

 

 

сигнала образуется при изменении только одного

 

 

 

 

 

входного сигнала из нулевого в единичное

 

 

 

 

 

состояние. При этом имеет место изменение ве­

 

 

 

 

 

личины напряжения от значения — U0 до

нуле­

 

 

 

 

 

вого уровня с постоянной времени (RBX +

гд) Сп.

 

 

 

 

 

Если на входе схемы ИЛИ все сигналы,

 

 

 

 

 

кроме одного, имеют значение «О», то на выходе

 

 

 

 

 

схемы потенциал также равен нулю. При изме­

Рис. 2.12. Зависимость

нении

последнего входного сигнала из единич­

ного в нулевое состояние выходной сигнал на­

коэффициента

эффек­

тивности схемы

ИЛИ

чинает изменяться от нулевого потенциала до

=или

от

величины

потенциала — U0 с постоянной времени R Bi,1KCH.

 

ЕШо

 

 

Выбор параметров элементов ИЛИ должен

 

 

 

 

 

производиться следующим образом.

 

Пусть требуется

получить постоянную т переднего фронта выход-

,кого сигнала, если заданы величина перепада выходного напряже­ ния и паразитная емкость С„.

Ток заряда емкости

■^зар ^ C oU q/ T ,

Величину напряжения источника питания Е можно определить, задав коэффициент эффективности §или-

3 *

67

Т огда сопротивление

R bbix (Е Uо)//зар-

Рассмотрим схему формирования выходного сигнала в двухвходо­ вой схеме (рис. 2.13). При подаче положительного сигнала, например на вход UBXl диод Д х будет закрыт. Если подать одновременно два положительных сигнала на входы

Uзх1 и {Увх2, то выходной сигнал

■—

Н вы.\ = R bux ( 1 1 “Г Д ) .

(2 .2 0 )

 

 

 

 

 

Значения токов /, и h можно

1 R f o t

[ 1%

/ *

Г

 

определить соответственно из выра­

 

 

 

 

 

жений

UBXl =

и вых +

Д (Rasl +

гд1);

 

 

 

d

 

и п

 

и»

'|

/2 { R вх2

“i

Д 2) ’

 

 

5 % /

 

 

 

Д — (H Bxi ~

H Bb,x)/(/?Bx i +

Сп);

\ ( 2 2 1 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ а= ( п ихз- п вых)/(рсхз+ /-д2).

Г

; ;

 

 

 

 

 

Считая все одноименные параметры

Рис. 2.13. Схема формирования вы­

схемы

идентичными,

 

запишем,

что

ходного

сигнала

в двухвходовой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схеме ИЛИ

 

 

 

R b x I ~

Д вх2 ~ •••~

R n xm

Д вх,

 

 

 

 

 

 

 

HbxI — Нвх2

... — Uвхт'

■L’

 

Находим выходное напряжение Нвых, приняв гд

 

0 :

 

 

 

С'зь.'Х -- Rji

I и.

 

 

и** -

Ь\,

 

2

(Пвх

0

БЬ1Х).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R b x

~f - Г

 

 

Rb

 

 

 

 

 

 

Преобразуем полученное выражение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пвых (1 + 2 R ^ ix/ R bx) — (2Рвых/Явх) Пвх;

 

 

 

 

 

 

где сс=Двых/Двх.

ПВЫх =

2 Пвха /( 1 + 2 а),

 

 

 

 

 

(2 .2 2 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

т входах

(Увых

представляет собой сумму

падений

напря­

жений

на сопротивлении

Двых от т токов:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и ВВП= Rbux Е

h,

 

 

 

 

 

(2.23)

 

 

 

 

 

 

i —1

 

 

 

 

 

 

 

 

где Д — входной ток на i-м входе.

Для каждого тока Д по аналогии с выведенным ранее справедливо

соотношение:

 

Д = (Пвхг— ПВых)/(Двхг + fд/)-

(2.24)

Принимая во внимание предположение об идентичности одноимен­ ных параметров схемы и считая, что прямое сопротивление гд ди­ одов Д 1— Д т равно нулю, получим следующее выражение

Нвых ( R bbJ R b x ) Ml

ВХ Пвых)»

преобразовав которое имеем:

и ™ = и " 7 Т Ш > а > L

(2-25)

68

Таким образом, зависимость выходного сигнала Umx схемы ИЛИ от числа ее входов определяется функцией:

/ И

= т т ^ г -

 

 

 

(2-26)

 

i.

т а

-

lim

1/ т +

1 .

 

/я-со

1+ " га

При т-

 

,„lo=

а

 

 

 

 

 

 

т - 14- а

■^вых/^вх

 

^ВЫХ

1 4 “ ^вых/^вх

 

R b l i x

+ R b X

т. е. выходное напряжение равно части входного, как это имеет место

вобычном резистивном делителе напряжения. При т = 2 функция f (т). принимает вид

/(2) =2

а/(1 + 2 а ) =

2/гвых/(Д „ + 2Явьи).'

(2.27)

Очевидно, что при

заданных значениях RBX и RBbSX

 

 

/ (1 ) <

/ (2 ).

 

При реальных же значениях R BX и R Bhlx отношение а имеет доста­ точно большую величину, так что при этом значения / (т) очень близки к единице при конечных значениях т.

Если диоды имеют конечные значения обратных сопротивлений R a, то шунтирующее действие последних влияет на работу всей схемы ИЛИ: Очевидно, в худшем случае т — 1 обратное сопротивление запертых диодов плюс входные сопротивления источников сигналов

включены параллельно цепи, в

которой действует сигнал UBX. При

этом эквивалентная

выходная

нагрузка

для

цепи сигнала

^вых С^д Т Ъ Ж т

— 0 _

^кых (Rв

-Лд)

(2.28)

R b u x

 

 

^ВЫХ (til— 1) +

 

Лвых + (/?яН -«вх)/(я»— U

/?Д-Ь^ВХ

Выходное напряжение

 

 

 

 

 

 

U'B

и в Л и х

и в

 

1

 

и в

 

 

 

 

 

ВЫХ ^ x + ^u x + r /

 

1

ВЫХ

1+ р '

где

 

 

 

 

 

 

 

Rbx

 

 

Rax

 

 

 

 

^ВЫХ

[^ВЫХ (*в*+ Яд)]/[*.ых («— В+ ^д + ^вх]

 

 

—1)4~^вх~Ь^д1

1

j I

Rbux {pi 1)

(2.29)

 

Rbux вх+ ^д)

 

 

^вх~IЬ'^Хдл

 

 

 

J

Таким образом, с увеличением т и соответственно (5 величина UBыХуменьшается.

Задав минимальное отношение UBaJ U BX = К тт и сделав соответствующие преобразования, определим, при каких значениях т

69

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ