![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Преснухин, Л. Н. Цифровые вычислительные машины учебное пособие
.pdfнальные БИС на основе запоминающих устройств являются наиболее простыми, но не единственными типами универсальных БИС.
Поскольку в настоящее время почти невозможно разделить функ циональные схемы ЦВМ на отдельные универсальные БИС, и к тому же из-за сложности технологии нельзя реализовать некоторые узлы и блоки высокопроизводительной машины водном кристалле, то значи тельную роль при разработке ЦВМ на БИС играет метод изготовления специальных заказных БИС. Развитие базовой технологии создания многокристальных БИС в одном корпусе со связями на многослойных печатных платах, позволяет за счет использования библиотек кристал лов' с определенным функциональным назначением и изготовления специальных многослойных плат получать различные унифицирован ные БИС. Машинные методы проектирования унифицированных БИС и автоматизация технологического процесса посадки кристаллов дают возможность получать заказные БИС с приемлемой стоимостью.
Развивающееся направление проектирования и конструирования ЦВМ и ВС на БИС коренным образом изменит требования к разработке средств вычислительной техники. Большие количества электронных элементов со сложной системой связей для получения параллелизма и разветвленности процесса преобразования информации стали реаль ностью настоящих этапов развития вычислительной техники. Для оптимизации таких параметров, как стоимость и производительность ЦВМ и ВС, необходима координация разработчиков системы в целом с разработчиками логики отдельных устройств, межблочных связей, контроля и диагностики и т. д., а также с технологами, воплощающими разработанные идеи в реальные БИС. БИС вызывают необходимость перемещения стандартизации с элементного уровня на уровень узлов, блоков и даже устройств.
Г л а в а 4
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ЦВМ И ВС
§ 4.1. ИЕРАРХИЯ ЗУ
Запоминающим устройством (ЗУ) ЦВМ называют комплекс техни ческих средств, предназначенных для записи, хранения и выдачи информации, представленной в виде цифровых кодов. Развитие вычис лительной техники по пути расширения ее логических возможностей и повышения производительности предъявляет все более возрастаю щие требования к основным характеристикам ЗУ: информационной емкости, быстродействию. Информационная емкость ЗУ определяется количеством единиц двоичной информации (бит), равным произве дению количества хранимых чисел на их разрядность. Быстродей ствие ЗУ определяется временем обращения, т. е. временем считы вания и записи информации в ЗУ.
Информационная емкость и быстродействие — противоречивые тех нические характеристики ЗУ. Сохранить высокое быстродействие при значительном увеличении информационной емкости практически не возможно даже в случае использования безынерционных запоминаю щих элементов. Вследствие этого высокие требования к информацион ной емкости и быстродействию ЗУ современных средств вычислительной техники возможно удовлетворить только за счет использования спе циальной организации (иерархии) системы ЗУ.
При иерархическом принципе построения структуры ЗУ логи ческая организация потоков информации должна быть такой, чтобы все информационное поле ЦВМ или ВС выступало в виде единого внутреннего ЗУ. Иногда это абстрактное внутреннее ЗУ называют виртуальным, а адресацию его ячеек осуществляют посредством абстрактных математических адресов.
В иерархии ЗУ используют ряд типов ЗУ с различными харак теристиками, начиная со сверхскоростных, сверхоперативных или буферных устройств со сравнительно малой информационной емкостью и кончая сравнительно медленными внешними запоминающими уст ройствами с очень большой информационной емкостью.
Сверхоперативными ЗУ (СОЗУ) называют такие запоминающие устройства, которые имеют быстродействие, соизмеримое с быстродей ствием работы процессора и служат для хранения ряда чисел, необ ходимых для выполнения некоторой текущей последовательности команд программы. ,,
Оперативное ЗУ. (ОЗУ) имеет информационную емкость, доста точную для выполнения программ или их частей, и работает с циклом,
б Л . Н. Преснухин |
161 |
который в несколько раз меньше цикла работы процессора. Разде ление основного ОЗУ на ряд модулей (блоков или секций) позволяет увеличить его быстродействие за счет совмещения временных циклов при параллельном обращении к различным блокам.
Буферным ЗУ (БЗУ) называют устройство, предназначенное для промежуточного хранения информации при ее обмене между устрой ствами, работающими с разной скоростью.
Внешним ЗУ (ВЗУ) называют устройство, предназначенное для хранения больших массивов информации, и работающее со сравни тельно малой скоростью.
Обмен информации между СОЗУ, БЗУ и ОЗУ, как правило, проис ходит по отдельным числам; обмен информации между другими сту
|
|
|
|
|
пенями иерархии ЗУ и ВЗУ — по большим |
|||
I ПЗУ, |
К |
|
|
|
массивам информации. |
|
||
I ПЗУ. |
I--- “I |
Процессор |
|
Достаточно большое количество инфор |
||||
Г - - --- -1 |
мации, требуемое для работы ЦВМ и ВС, |
|||||||
•— |
1 |
у |
ГсозуI СОЗУ |
I |
||||
|
|
|
|
|
не изменяется в процессе вычислений, на |
|||
|
|
|
|
|
пример различные константы, таблицы |
|||
|
|
|
Б З У |
|
функций и т. д. Технически целесообразно |
|||
|
|
|
|
|
построить ЗУ, в которое информация запи |
|||
|
|
|
|
|
сывается при изготовлении устройства, а |
|||
|
|
|
|
|
при работе только считывается. Такие ус |
|||
|
|
|
- |
|
тройства называют постоянными |
(односто |
||
|
Уст ройст во обмена |
ронними) ЗУ (ПЗУ); они, как правило, |
||||||
|
|
|
|
■ |
имеют большее быстродействие и меньшую |
|||
|
|
|
|
сложность, чем ОЗУ.^ |
|
|||
\ ВЗУ, |
|— | B3yL |
I— Г ВЗУК, I |
|
|||||
На рис. 4.1 приведена обобщенная |
||||||||
|
|
|
|
|
||||
Рис. 4.1. Иерархия запоми |
структурная схема иерархии запоминаю |
|||||||
нающих устройств ЦВМ |
щих устройств ЦВМ. В конкретных усло |
|||||||
|
|
|
|
|
виях набор ступеней иерархии, а также |
|||
количество блоков ОЗУ — k, ВЗУ — klt |
ПЗУ — /г2 может быть раз |
|||||||
личным. |
|
|
|
|
|
|||
При двуступенчатой организации ЗУ, |
содержащего ОЗУ и СОЗУ, |
|||||||
среднее время обращения определяется по формуле |
|
|||||||
|
|
|
|
т = |
(1 + аг)Т ] г = Т / Г , |
(4.1) |
||
где |
V — время обращения к БЗУ; а — коэффициент, учитывающий |
|||||||
долю обращений к ОЗУ; |
Т — время обращения к ОЗУ. |
|
Из (4.1) следует, что при правильном выборе параметров ОЗУ и СОЗУ и соответствующем выборе потоков информации общие харак теристики данного ЗУ практически будут такими, как если бы ОЗУ
имело цикл |
работы СОЗУ, а информационную емкость ОЗУ. |
В табл. |
4.1 приведены требования к усредненным параметрам |
ЗУ различных ступеней иерархии высокопроизводительных ЦВМ и ВС. Эти данные можно использовать для оценки областей применения наиболее распространенных и разрабатываемых носителей информа ции. При выполнении конкретных требований к ЦВМ или ВС выбор количества ступеней иерархии ЗУ и их параметров решается кон кретно для каждого случая.
162
|
|
|
|
Т а б л и ц а 4.1 |
Тип ЗУ |
Информацион |
Быстродейст |
Стоимость |
Носитель информации |
ная емкость, |
вие ЗУ, нс |
ЗУ, коп./бит |
||
|
слов |
|
|
|
Электронные
регистры
СОЗУ
ОЗУ
Массовое ОЗУ с произвольной выборкой Массовые ЗУ
споследова тельной
выборкой
256 |
10 |
20 4- 50 |
БИС |
1024 |
|
м00< |
О |
До 100 • 106
О О |
о |
100 |
10 ч- 20 |
БИС |
|
|
250 |
2 ч- 5 |
Магнитные |
сердечники, |
|
|
|
цилиндрические |
маг |
|
|
|
нитные |
пленки, |
БИС |
1000 |
1 4 -2 |
Магнитные |
сердечники, |
|
|
|
цилиндрические |
маг |
|
|
|
нитные пленки |
|
|
100 |
0,01 4-0,001 |
Электромеханические |
||
до первого |
|
внешние ЗУ на маг |
||
адреса |
|
нитных носителях |
|
§ 4.2. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И КЛАССИФИКАЦИЯ ЗУ
Основные параметры ЗУ. Для сравнения ЗУ различных типов рассматривают их следующие основные параметры: информационную емкость, быстродействие, надежность.
Информационную емкость ЗУ определяют тем количеством дво ичных единиц информации (бит), которое может храниться в нем. Если ЗУ рассчитано на хранение N чисел, каждое из которых имеет р разрядов, то информационная емкость равна Np бит. При обработке алфавитно-цифровой информации, а также принимая во внимание модульный принцип построения ЦВМ и ВС, часто информационную емкость выражают в байтах.
Чтобы сравнить различные ЗУ, рассматривают также удельные характеристики ОЗУ.
Если количество Np бит хранится в ЗУ, физический объем кото рого V, то в одном кубическом сантиметре устройства находится Np/V бит/см3. По этому параметру можно сравнивать ЗУ с различ ными информационными емкостями и физическими объемами.
Аналогично сравнивают ЗУ по потребляемой мощности (по коли честву милливат энергии, приходящейся на один бит).
Быстродействие ЗУ оценивают временем обращения информации (временем цикла), т. е. промежутком времени, требуемым для считы вания и записи информации в данном ЗУ. Следовательно, время обра щения характеризует максимальную частоту обращения к данному ЗУ при выполнении операции «считывание—запись». В зависимости от типов ЗУ, рассматриваемых ниже, вводят и другие параметры,
характеризующие быстродействие. Временем выборки |
(временем счи- |
” тывания) информации называют интервал времени, |
отсчитываемый |
от момента подачи сигнала обращения к данному устройству до мо мента получения выходных информационных сигналов. Временем записи информации называют интервал времени, отсчитываемый от момента подачи сигнала обращения к устройству и информационных
6* |
163 |
сигналов до момента завершения всех переходных процессов в элек тронных схемах ЗУ.
Надежность ЗУ определяют численными значениями параметров конструктивной и информационной надежности. Понятие конструк тивной надежности ЗУ совпадает с общепринятым определением надеж ности радиоэлектронных устройств, т. е. представляет собой вероят ность безотказной работы всех элементов и компонентов ЗУ в заданном интервале времени при определенных условиях эксплуатации. Инфор мационная надежность ЗУ определяет способность устройства сохра нять, принимать и выдавать требуемую информацию без ее искажения при воздействии различного рода помех и допустимых неблагоприятных отклонениях параметров компонент от номиналов при изменении условий эксплуатации. Численно информационная надежность может быть оценена соотношением амплитуд сигналов помех и амплитуд информационных сигналов в моменты записи и считывания информации
влинейных цепях устройства. Большое отношение амплитуд сигналов
ипомех гарантирует высокую информационную надежность устрой ства.
Для разработки специальных средств вычислительной техники большое значение имеют такие параметры ЗУ, как габариты, вес, потребляемая мощность. Кроме того, к специальным ЗУ предъявляют особые требования по параметрам механических и климатических воздействий.
Классификация ЗУ. ЗУ можно классифицировать в зависимости от особенностей их построения и функционирования по назначению; адресации кодов; характеру хранения информации; кратности счи тывания; физико-химическим принципам работы запоминающих эле ментов; технологии изготовления запоминающих элементов.
По назначению ЗУ делят на сверхоперативные СОЗУ, буферные (БЗУ), оперативные (ОЗУ), постоянные (ПЗУ) и внешние (ВЗУ). Такое деление связано с особенностями использования и специфич ностью характеристик отдельных типов иерархии ЗУ.
По адресации ЗУ делят на ЗУ с произвольной, последовательной или циклической выборкой, а также с ассоциативной выборкой. В ЗУ с произвольной выборкой время обращения не зависит от адреса числа в устройстве. В ЗУ с последовательной выборкой для выборки числа по определенному. адресу необходимо пройти мимо ячеек с другими адресами. Очевидно, что в этих устройствах время обращения зависит от адреса. В устройствах с циклической выборкой обращение возможно только в последовательные определенные моменты времени. В зависимости от адреса числа в устройстве время обращения изме няется от какого-то минимального до определенного максимального значения. Ассоциативными' называют такие ЗУ, в которых поиск информации определяется признаками содержания информации в ячейке, а не ее адресом. В ассоциативных ЗУ в результате обращения определяется адрес ячейки, в которой находится информация с опре деленными заранее заданными признаками.
По характеру хранения информации ЗУ делят на статические и динамические. В статических ЗУ кодируемое информацию физиче
164
ское состояние остается неподвижным относительно носителя инфор мации, тогда как в динамических ЗУ кодируемое информацию физи ческое состояние перемещается периодически по отношению к среде носителя информации.
По кратности считывания ОЗУ делят на устройства со считыва нием без разрушения информации и устройства со считыванием с раз рушением информации. В последнем случае для сохранения информа ции необходимо регенерировать считанную информацию, чтобы иметь возможность ее последующего использования.
По физико-химическим принципам работы запоминающих элемен тов ЗУ делят на магнитные, полупроводниковые, сверхпроводящие, фотохромные и т. д. В современных ЦВМ и ВС наиболее широко ис пользуют двоичную систему счисления. Поэтому различные физико химические процессы,' определяющие два различных состояния ве щества, могут использоваться для кодирования и хранения инфор мации: различные состояния намагниченности магнитных материалов; наличие или отсутствие заряда в данной области полупроводника или диэлектрика; конечное электрическое сопротивление участка цепи и нулевое сопротивление этого же участка, возникающее вслед ствие эффекта сверхпроводимости некоторых веществ и т. д.
По технологии изготовления запоминающие элементы ЗУ делят на дискретные и интегральные. Примером дискретных .носителей информации является отдельный кольцевой магнитный сердечник. Для использования в ЗУ отдельные магнитные сердечники проши ваются несколькими проводниками. Интегральными носителями ин формации называют такие носители, которые изготовляют групповым способом методами интегральной электроники. Системы управления либо так же получают в процессе изготовления запоминающих эле ментов (например, полупроводниковые ЗУ), либо изготовляются отдельно групповым способом (например, полосковые системы управ ляющих шин магнитнопленочных запоминающих устройств).
§ 4.3. КОЛЬЦЕВОЙ МАГНИТНЫЙ СЕРДЕЧНИК
КАК НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ОЗУ
В ЦВМ второго и третьего поколений в качестве элементов ОЗУ для хранения двоичной информации доминирующее положение заняли кольцевые магнитные сердечники из ферритового материала с пря моугольной петлей гистерезиса. Поскольку феррит имеет высокое (108 -т- 109 Ом/см) удельное сопротивление, то возможно изготовле ние сплошных ферритовых сердечников методом штамповки или прессования. Использование металлических ферромагнитных сердеч ников возможна только в виде тонких изолированных лент для пре дотвращения сильных вихревых токов при изменении магнитного
СОСТОЯНИЯ:
Магнитный кольцевой сердечник может быть намагничен по часовой или против часовой стрелки, и эти два различные маг нитные состояния используют для представления двоичной инфор мации.
165
Кольцевая форма ферритового сердечника обеспечивает замкну тость и однородность магнитопровода. Вследствие этого магнитное состояние сердечника термодинамически устойчиво и может сохра няться бесконечно долго в отсутствие сильных внешних воздействий.
Рассмотрим основные характеристики запоминающего элемента на кольцевом , ферритовом сердечнике с величиной наружного диа метра D, внутреннего диаметра d и высотой h.
Амплитуда выходного сигнала в одновитковой считывающей об мотке может быть рассчитана по формуле
е = |
do |
D — d u dB _ |
D — d ukB |
(4.2) |
dt |
2 n d t ^ |
2 П x ’ |
где т — время изменения магнитного состояния (время переключения); ДВ — изменение индукции магнитного сердечника во время переклю
чения. |
подаче амплитуды перемагничивающего поля |
величиной |
При |
||
Н > Нс |
на кольцевой сердечник, магнитный материал |
которого |
имеет коэрцитивную силу Нс, состояние сердечника изменяется по
петле гистерезиса от состояния — Вг до |
состояния |
+ Вг. Поэтому |
||
для выходного сигнала |
можно |
записать: |
|
|
e ^ - ° ^ |
- h ^ = |
- ( D - d |
) h B r |
(4.3) |
Амплитуда выходного сигнала тем больше, чем больше индукция магнитного материала и чем больше высота h и отношение диаметров Djd. Уменьшая также время перемагничивания, можно увеличить амплитуду выходного сигнала.
Величина остаточной индукции Вг большинства ферритовых мате риалов для магнитных сердечников составляет около 0,20 -ь 0,25 тс. Такое малое значение остаточной индукции ферритов по сравнению с металлическими ферромагнетиками определяется тем, что ферриты являются ферромагнетиками, т. е. материалами, магнитные свойства которых обусловлены явлением нескомпенсированного антиферромаг нетизма. Это же свойство определяет сравнительно низкую температуру Кюри ферритов (200 -г- 250 °С) для наиболее распространенных маг- ний-марганцевых ферритов; литиевые (термостабильные) ферриты имеют температуру Кюри 400 -ь 450 °С.
Время перемагничивания кольцевых магнитных ферритовых сер дечников может быть определено следующим образом. На основе многочисленных экспериментальных результатов найдено, что перемагничивание сердечника начинается в магнитных полях, превы шающих поле старта Н0. Поле старта Н0 'обычно меньше величины коэрцитивной силы Нс магнитного материала. Время перемагничива
ния т |
и напряженность перемагничивающего поля Н т связцны между |
|
собой |
соотношением • |
|
|
ъ {Нт — Н о) = S w, |
(4.4) |
где S w — постоянная, определяемая характером физических процессов переключения магнитного материала.
166
Таким образом, время перемагничивания т тем меньше, чем меньше S w и чем Н т >
x = S J ( H m— H0).
Если магнитное поле создается током / т , проходящим по одиноч ному проводнику в центре сердечника, то на расстоянии / от провод ника возникнет магнитное поле
Н т — I m/2nl. |
(4.5) |
Поскольку в реальном сердечнике отношение диаметров D/d Ф 1, то при подаче идеального прямоугольного импульса тока различные слои сердечника будут переключаться за разное время. Действительно, время переключения бесконечно тонких внутренних и наружного слоев магнитного сердечника соответственно равны:
твн = S j [ I m/(nd) - Н0]-, тн = S j [ I J ( n D ) - Н0].
При нарастании магнитного поля с конечной скоростью различные. слои будут начинать перемагничиваться последовательно во времени и переключаться с различной скоростью. Для уменьшения общего времени переключения желательно использовать магнитные сердеч ники с отношением диаметров D/d как можно ближе к единице.
Из (4.5) следует, что уменьшение диаметра D ведет к уменьшению амплитуды перемагничивающих токов 1т при сохранении величины времени перемагничивания. Поэтому для уменьшения величины токов управления ЗУ необходимо уменьшить диаметр D ферритовых сер дечников.
Энергия Wc, затрачиваемая на переключение магнитного сердеч ника, может быть определена по общей физической формуле затрат энергии W на перемагничивание единицы объема магнитного мате риала:
1 |
~ |
В |
в |
|
|
W = |
\H d B \ r |
c= 5 VHdB, |
(4.6) |
|
|
в, |
в, |
|
где V — объем |
перемагничиваемого |
материала ферритового |
сердеч |
|
ника |
|
V = (я/4) h (D2 — d2). |
|
|
|
|
|
Для магнитного сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса изменение магнитного состояния во время переключения имеет место от величины —Вг до величины Ф ВГ, т. е. всего на величину 2Вг.
Подставив найденные значения в выражение для Wc, получим:
В г |
|
W c = (я/4) h (D2 - d2) ^ HdB = (я/г/2) (D2 - d2) BrH m. |
(4.7) |
Bi |
|
Физически полная энергия переключения И7С магнитного сердеч ника обусловлена потерями на гистерезис, вихревые токи и магнит ной вязкостью материала. Для ее снижения необходимо использовать магнитный материал с малой остаточной индукцией и уменьшать размеры сердечника.
167
Энергия, затрачиваемая на перемагничивание, выделяется в массе материала магнитного сердечника и может привести к его нагреванию при большой частоте переключения. Вследствие малой величины значения температуры Кюри ферритов нагрев вызывает ухудшение магнитных параметров и может привести к нарушению работоспособ ности ЗУ. Поскольку теплоотвод осуществляется через поверхност ные слои материала, то уменьшение размеров сердечника улучшает возможность теплоотвода. С уменьшением размеров сердечника уве личивается отношение поверхностного слоя материала к его полному
объемУ: S aoj V = 2/h + 4 /(D - d ) . (4.8)
Из проведенного анализа следует-что уменьшение размеров магнит ных сердечников позволяет повысить быстродействие ЗУ, снизить потребляемую ими мощность и уменьшить токи управления. Сниже ние величины выходного сигнала при этом, как правило, не вызывает сложных проблем вследствие использования высокочувствительных интегральных усилителей. Уменьшение размеров сердечников поз воляет получить более плотную их упаковку в накопителе информации. При этом снижается длина управляющих проводников и их индук тивность. Увеличение отношения площади сердечника к его объему дает лучшие условия рассеяния тепла. Вследствие этого уменьшение геометрических размеров сердечника ведет к снижению требований к электронным схемам управления и позволяет повысить быстродей ствие ЗУ.
Первые магнитные сердечники, используемые в качестве элементов хранения информации ОЗУ, имели наружный диаметр 2 мм. Затем диаметр сердечников был уменьшен до величины 0,5 н- 0,6 мм, в настоящее же время разрабатываются сердечники с наружным диа метром 0,3 мм и менее.
По мере уменьшения размеров магнитных сердечников сущест венно усложняется технология их изготовления, а также техника испытаний и изготовления матриц ЗУ. Однако автоматизация тех нологии изготовления магнитных ЗУ и характеристики, удовлетворяю щие предъявляемым требованиям, обеспечили доминирующее приме нение магнитных сердечников в запоминающих устройствах ЦВМ
иВС второго и третьего поколений.
ВОЗУ на магнитных сердечниках при считывании, как правило, происходит изменение магнитного состсщния и, следовательно, потеря информационного состояния. Если необходимо сохранить информа цию в данном адресе ОЗУ для последующего использования, то приме няют метод регенерации, т. е. перезапись информации после чтения. Для регенерации информации схему управления ОЗУ усложняют. Поэтому возникают дополнительные затраты мощности и значительно увеличивается цикл работы ОЗУ.
Анализ работы ОЗУ при решении разнообразных задач дает сред
нестатистическую информацию о том, что при обращениях к ОЗУ опе рации считывания составляют около 10—20%, хотя для частных задач эта цифра может быть и меньше. Кроме того, для построения специальных, ассоциативных ОЗУ, принципиально необходимо исполь
168
зование элементов 'со считыванием без разрушения информации. Следовательно, построение ОЗУ со считыванием информации без ее разрушения представляет собой актуальную техническую задачу.' Для получения считывания информации без ее разрушения в ЗУ на магнитных сердечниках наиболее широкое распространение
получили следующие физические явления, вызывающие изменение информационного магнитного потока и, следовательно, индуцирование выходных информационных сигналов:
1)взаимодействие взаимно перпендикулярных магнитных потоков
•информационного и считывающего магнитных полей;
2)перераспределение магнитных потоков в одной плоскости, ос нованное на сохранении непрерывности магнитного потока и замы кании потока в магнитном материале по кратчайшему магнитному
пути;
3)магнитная вязкость магнитного материала, препятствующая необратимому изменению магнитного состояния при действии корот ких считывающих полей;
4)изменение магнитной проницаемости для некоторых участков информационного магнитного потока.
Практическая реализация считывания информации без ее разру шения возможна и в обычных кольцевых сердечниках, однако, для расширения области работоспособности и улучшения параметров наиболее широко используют магнитные сердечники сложной кон фигурации.
Сложная геометрия магнитных сердечников со считыванием инфор мации без ее разрушения не позволяет развить интегральную техно логию их изготовления- и автоматизированные системы испытаний.
Схемы прошивки этих сердечников достаточно сложны, требования к токам считывания более жесткие, чем в обычных ОЗУ на ферритовых сердечниках. Поэтому ЗУ на магнитных сердечниках со считыванием без разрушения информации не получили широкого распростра нения.
§ 4.4. ПЕТЛЯ ГИСТЕРЕЗИСА И ОСНОВНЫЕ СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАГНИТНЫХ СЕРДЕЧНИКОВ
Для изготовления магнитных сердечников желательно исполь зовать ферритовый материал с идеально прямоугольной петлей гисте резиса. Петля гистерезиса магнитного материала (рис. 4.2) определяет зависимость величины магнитной индукции материала от амплитуды приложенного поля Я. Основными параметрами идеальной петли гистерезиса магнитного материала являются индукция насыщения Вг и коэрцитивная сила Нс. Физически прямоугольность петли гисте резиса может трактоваться как отражение параллельной ориентации векторов намагниченности всех доменов по направлению приложен ного магнитного поля. При изменении направления магнитного поля на противоположное происходит одновременный переброс всех век торов намагниченности в противоположное направление одним скач ком Баркгаузена, величина коэрцитивной силы в этом идеальном
169