![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Стабильность свойств ферритов. (Анализ физических свойств при внешних воздействиях, прогнозирование. Элементы проектирования)
.pdfвыбранных монокристаллов в различных кристаллогра фических направлениях:
Ba2Zn2Feiä022: 1— < ||с > , 2— ± < ± с > , |
3— < 1 с>; |
Мgo,3 iMno.geFеі,бэ04: 4—<100>, 5—<[ 110 |
|
Y3Fe50 12; 7—<100>, <5—< 211>, |
9— < Ш > , |
7(9— < 110> ;
Сг20 3: 11— < -L O , 12—<30°< -Lc>, 13— < ||с > ; № 0: 14— <100>, 15— < 1 10>; А120 3; 16— < || О .
197
Для кривых 1—3, 7— 16 отсчет осуществляется по ле вой шкале, а для кривых 4—6 —-по правой шкале гра
фика.
Экспериментальные значения являются усредненными при обработке повторных замеров на трех образцах по двум экспериментальным установкам (с использованием абсолютного стационарного и квазистационарного мето дов). Полученные значения теплопроводности и вид тем пературных зависимостей для AI2 O3 Y3 Fe5 0 i2 и 'N10 со гласуется с данными работ [30, 131, 188] для поликристаллических аналогов, при нулевой пористости. Для всех монокристаллов имеет место увеличение теплового сопротивления с ростом температуры, при этом в рай онах ферромагнитных превращений наблюдаются харак терные апомалн или изломы, после чего изменяется вид температурных зависимостей.
Прежде чем переходить к анализу теплопроводности кристаллических решеток, проведем оценку основных компонент теплопроводности в соответствии с работой
[127]. Для оценки электронной составляющей теплопро
водности монокристаллов |
Я,э |
воспользуемся |
формулой |
Видемана — Франца: |
|
|
|
Хэ = 2 ,2 2 - 1 0 |
~6 аГ, |
(Вт/м-К), |
(4.45) |
где а — удельная электропроводность; Т — температура
вК.
Сучетом электрического сопротивления рассматри
ваемых кристаллов (табл. 2 2 ) значения электронной со ставляющей теплопроводности будут значительно мень ше 1 0 ~ 7 (Вт/м-К), и поэтому ее влиянием можно пре небречь.
Для расчета фотонной составляющей теплопроводно сти, связанной с внутренним тепловым излучением в кри сталле, воспользуемся следующей формулой [8 6 ]:
Хфот = і6/звопЧфо?Т*, |
(4.46) |
где По— постоянная Стефана — Больцмана; п — коэффи циент преломления материала; /ф0Т — длина свободного пробега фотона, которая для случая монокристаллов равна 1 /к, где к — коэффициент поглощения вещества.
На основании имеющихся данных, а также проведен ных измерений было установлено, что коэффициенты по глощения выбранных кристаллов, кроме ИЖГ (иттрийжелезного граната), лежат в пределах 50 . .. 500 см-1,
198
1
Состав образца
а і 2о 3
NiO
Cr20 3
Y3Fe5Ol2
■^So,34^n0(9gFeI(6g04r
Ba2Zn2Fel20 22
Тип структуры |
V °с |
0с, N- |
Намагниченность насыщения, Гс |
”С |
|
||
Тригональ- |
8 0 0 |
— |
— |
ная |
|
|
|
Кубическая |
-4.300 |
2 4 7 |
— |
типа NaCI |
|
|
|
Тригональ- |
< 0 0 |
53 |
— . |
ная типа |
|
(47) |
|
А 1 А |
|
|
|
Кубическая |
2 8 2 |
28 7 |
1 7 0 0 |
типа грана |
|
|
|
та |
|
|
|
Кубическая |
< 0 |
315 |
3 2 0 0 |
типа шпине |
|
|
|
ли |
|
|
|
Гексагональ- |
|
115 |
2 7 0 0 |
ная типа |
|
|
|
*уи
Магнитная |
|
|
|
к |
восприим |
р. |
о |
|
о. |
|
с_ |
|||
чивость |
ом • см |
£ |
% |
к |
CGSM /r |
|
|||
|
|
•+ |
л |
о |
|
|
S £ |
|
|
— |
ІО12 |
— |
|
— |
Ы 0 - 5 |
10"-г- |
0 , 2 5 |
3,6 |
|
|
ч-1012 |
|
|
|
З-Ю -3 |
10п ч- 0 , 1 8 |
6 , 7 |
||
|
-И 0 12 |
|
|
|
|
ІО12 |
0 , 2 |
|
6 , 5 |
■ |
4 ■ІО4 |
0 , 3 |
1 2 , 5 |
|
|
-4.1О4 |
0 , 2 8 |
1 3 , 2 |
О
ОО«
— S
. а
2 0 0
84
167
96
92
81
Т А Б Л И Ц А 22
Направления оси |
и |
|
|
1_С |
|
||
|
|
<м^ |
|
|
|
я 4 |
|
|
|
а S |
|
|
|
р |
н“ |
|
|
(<со |
|
< |
п с > |
5 5 , 0 |
|
< 1 1 0 > |
2 4 . 0 |
||
< |
ю о > |
2 2 . 0 |
|
< |
п с > |
1 5 |
, 2 |
< ± С > |
11,6 |
||
L _ 3 0 ° < j _ c > |
1 2 , 6 |
||
< 1 1 о > |
8,8 |
||
< |
П 1 > |
7 |
, 8 |
< 2 1 1 > |
7,2 |
||
< |
ю о > |
6 |
, 7 |
< 1 П > |
3,9 |
||
< |
п о > |
3 |
, 5 7 |
< |
ю о > |
3 |
, 4 4 |
< 1 1С > |
2 |
, 7 7 |
|
< ± С > |
3 , 2 5 |
||
± < ± С > |
3 , 0 7 |
П р и м е ч а н и е . Исследуемые вещества расположены в порядке возрастания значения их теплового сопротивления.
а коэффициенты преломления—в пределах 2,2 ... 2,6. По этому проведенная оценка фотонной составляющей теп лопроводности даже при температурах до 400 °С показы вает, что ее вклад не может превышать 3%, т. е- ее влия нием также можно пренебречь. Что касается иттрий-же- лезного граната, то этот состав прозрачен в инфракрас ной области. Его коэффициент поглощения с учетом от ражения для длин волн 2 ... 9 мк составляет 1... 8 см-1. Следовательно, для ИЖГ согласно (4.46) при комнат ных температурах фотонная составляющая теплопровод ности может составить 5% и достигает 34% при темпера туре 400 °С, и с ее вкладом следует считаться. Относи тельно магнитной компоненты теплопроводности у раз личных авторов не существует в настоящее время едино го мнения. Объяснение скачка теплопроводности в рай оне точки Кюри [20, 127] как следствие скачка удельной теплоемкости [10] является не совсем убедительным для авторов работы [30]. Увеличение теплопроводности за счет спиновых волн может наблюдаться лишь при очень низ ких температурах, что подтверждается как эксперимен тальными, так и теоретическими работами отечествен ных и зарубежных авторов [20, 30, 74], поэтому при ком натной температуре и выше этот механизм для объясне ния магнитной компоненты теплопроводности является также необоснованным.
Анализ магнитной составляющей теплопроводности был проведен с точки зрения вклада энергии косвенного обменного взаимодействия в общую энергию связи ре шетки, так как теплопроводность главным образом зави сит от величины энергии связи решетки. Величина маг нитной энергии косвенного обменного взаимодействия оценивается по формуле:
EM= n k m c, |
(4.47) |
где п — число магнетонов Бора в молекуле |
соединения; |
N — число Авогадро; k — постоянная Больцмана; Ѳс — температура точки Кюри в К-
Результаты расчета магнитной энергии для выбран ных составов приведены в табл. 22, откуда видно, что вклад магнитной энергии в общую энергию решетки не превышает 1%, что также не соответствует эксперимен тально полученным функциям. Результаты эксперимента показали, что магнитная компонента теплопроводности существенно выше, это наглядно подтверждается ано-
200
Мальными эффектами в районах точек Кюри и Неелй, изменением угла наклона кривых зависимости теплового сопротивления от температуры до и после точки Кюри и характером анизотропии. По всей вероятности, измене ние энергии косвенного обменного взаимодействия су щественно сказывается на энгармонизме колебаний кри сталлической решетки. После исчезновения обменного взаимодействия при Г>ѲсѲіѵ имеет место изменение кон фигурации решетки, а в некоторых случаях изменение
симметрии решетки, что |
наиболее резко проявляется |
у антиферромагнетиков |
[10]. Причина деформации и |
структурных изменений при ферромагнитных превраще ниях состоит в том, что магнитная структура ферромаг нетиков тесно связана с их атомной структурой. Данные эффекты в большой степени влияют на энгармонизм ко лебаний, а значит, на наклон кривых зависимости тепло вых сопротивлений от температур (рис. 4.10). У монокри сталлов Y3 Fe5 0 i2 и Mgo,3 4 Mno,9 6 Fei,0 9O4 наблюдается изме нение характера анизотропии (кривые 4—10 на рис. 4.10), состоящее в том, что кривые зависимости теплового со
противления от температуры по оси «трудного» |
( < 1 0 0 > ) |
и «легкого» намагничивания ( < 1 1 1 > ) после |
точки Ѳе |
пересекают аналогичные кривые, снятые по другим кри сталлографическим направлениям. По-видимому, иска жение кристаллической решетки по осям < 1 0 0 > и
<1 1 1 > проявляется в большей мере по сравнению с ис
кажениями по другим осям после исчезновения обмен ного взаимодействия и энергии магнитной анизотропии. С целью изучения вкладов различных компонентов в об щую теплопроводность с изменением температуры были построены температурные зависимости фактора анизо
тропии L-k =(Xmax — ДЛЯ ИССЛвДуеМЫХ К р И -
сталлов (рис. 4.11). Приведенные на рис. 4.11 кривые от носятся соответственно к следующим составам: Y3 Fe50 i2 (кривая 1); Сг20 3 (кривая 2); Mgo^Mno^Fei^Oi (кри вая 3); Ba2Zn2FeiгОгг (кривая 4), NiO (кривая 5). Для всех кристаллов имеет место изменение характера зави симости Lx от температуры до и после точек Кюри или
Нееля. У различных кристаллов характер изменения Lx
различен. Это связано с тем, что для различных структур и типов магнитных взаимодействий обменная энергия и энергия магнитной анизотропии по-разному распреде ляется по кристаллографическим направлениям. Кроме
201
О*
-wo |
о |
loö |
ж |
ж |
т t°c |
Рис. 4.11.
того, для Y3Fe50i2, помимо фононной и магнитной, значи телен вклад фотонной составляющей. Следовательно,
при наличии одной (фононной) компоненты теплопро водности фигуры анизотропии с изменением температуры сохраняют свое подобие, поэтому кривые 2 и 4 на неко торых участках идут параллельно оси. При взаимодей ствии нескольких компонент теплопроводность по осям перераспределяется и подобие фигур анизотропии нару шается, что выражается в изменении параметра Lx
с изменением температуры.
Согласно современным теориям, являющимся разви тием теории Дебая, теплопроводность диэлектрических кристаллов объясняется главным образом колебаниями кристаллической решетки. Затухание (рассеяние) коле баний, возникающее вследствие их ангармонизма, обу словливает изменение К пропорционально 1 /Т при темпе ратурах, больших температуры Дебая 6Д, что было экс
периментально подтверждено Эйкеным [14]. В этой об ласти температур кривая зависимости теплопроводности от температуры описывается формулой [77]:
я = 1 / £ = (1/Д)Ѳ3д/Г. |
(4.48) |
Здесь К — уг!АМа, где А — коэффициент, зависящий от структуры кристалла, числа атомов в молекуле, соотно-
202
шения масс тяжелого и легкого |
атомов; |
а — объем |
грамм-молекулы; М — молекулярный |
вес; |
у — коэффи |
циент Грюнайзена, зависящий от сжимаемости вещества. Для большинства веществ соблюдается закон Эйкена (4.48), из которого следует, что тепловое сопротивление
(теплопроводность) |
определяется значениями 6Д |
и К, |
||
где Ѳд — зависит от |
упругих |
констант |
кристаллической |
|
решетки, а следовательно, от |
энергии |
сил связи |
в ней |
(Ер), коэффициент К учитывает степень ангармонизма колебаний кристаллической решетки и определяется структурой, наличием пустот в решетке, соотношением масс атомов и т. д.
В работе [77] дается оценка коэффициента А в (4.48) для кубической, гексагональной и ромбоэдрической структур. На основании этих даных был произведен рас чет коэффициента К для исследуемых структур, при этом учитывалось наличие пустот в решетке, соотноше ние масс атомов в молекуле (табл. 22).
При температурах, значительно меньших Ѳд, темпера
турная зависимость теплового сопротивления феррита выражается формулой [77]
R — В Т е_ Ѳд/аГ> |
(4.49) |
|
где В и а — коэффициенты, |
зависящие от |
структуры |
кристаллов. |
|
|
Тепловое сопротивление |
согласно данной |
формуле |
растет с увеличением температуры по экспоненциальной зависимости. Исходя из указанных теоретических пред посылок, можно дать интерпретацию экспериментальной
части работы. Для NiO, |
Cr20 3, Y3Fe50 i2; Ba2Zn2Fei20 22 |
наблюдается соответствие |
закону Эйкена (4.48), так как |
в известном приближении эта формула описывает изме нение к в области дебаевских температур. При измене
нии температуры тепловое сопротивление А120 3 |
(кривая |
|||
1 6 на |
рис. 4.10) меняется по |
экспоненте. |
Это |
связано |
с тем, |
что Ѳд = 800 °С (табл. |
22) [77] для |
А120 3 значи |
тельно выше рассматриваемых температур, поэтому за висимость R — f(T) описывается формулой (4.49). Для
Mg-Mn феррита Mgo^Mno.geFei.egC^ с кубической струк турой типа шпинели (кривые 4—6 на рис. 4.10) также наблюдается отклонение от закона Эйкена: слабый рост R = f(T) и нелинейность этой зависимости. По-видимому, такое положение обусловливается тем, что для данного типа структуры характерно наличие вакансий и примес
203
ных центров (20, 127]. Ионы Fe2+, имея большие ионные радиусы, чем Fe3+, искажают решетку, что меняет ангар-
монизм колебаний решетки |
и зависимость R — f(T). |
|||
Вычисленные по |
формуле |
(4.48) значения X для |
||
УзРеьОіг составляют при |
25 °С и |
200 °С соответственно |
||
примерно 9 Вт/м-К |
и 5 |
Вт/м-К, |
что хорошо совпадает |
с экспериментальными данными *).
Поэтому формула (4.48) и расчетные значения К и Ер, приведенные в табл. 22, позволяют ориентировочно оце нить величину фононной компоненты теплопроводности исследуемых материалов. Измерения, проведенные в раз личных кристаллографических направлениях, показали наличие анизотропии теплопроводности, что подтверж дается проведенной оценкой анизотропии сил связи по кристаллографическим направлениям и энергий магнит ной анизотропии (рис. 4.11—4.14).
Отличительной чертой температурных зависимостей тепловых сопротивлений (теплопроводности) ферромаг нетиков являются аномалии в районах фазовых пере ходов второго рода (Ѳлг, Ѳс), что связано с аномалиями упругих и термодинамических характеристик веществ [10]. Всем рассматриваемым ферромагнитным и антиферромагнитным структурам свойственны аномальные эффекты в районе точек Нееля и Кюри, которые у фер ритов УзРе50 12, NiO, Mgoj36Mno,96Fei,6904 и в меньшей
степени у ферритов Ba2Zn2Fei2 0 2 2 выражаются в наличии максимума и последующего за ним минимума, а для мо нокристаллов Сг20з имеет место излом кривой без замет
ных аномалий (рис. 4.10). Для объяснения |
аномальных |
эффектов следует воспользоваться формулой [77]: |
|
Х = 11зр'Су1ф0п№, |
(4.50) |
где р' — удельная плотность вещества; Сѵ — удельная теплоемкость при постоянном объеме; W — средняя ско рость распространения звуковых волн или скорость зву ка, /фон— средняя длина свободного пробега фонона.
В области фазового перехода второго рода удельная теплоемкость Су будет испытывать скачок
дсѵ= K.N (авда,
*> Экспериментальные |
значения |
теплопроводности для |
оси |
< 110> при температурах |
25 °С и |
200 °С соответственно |
равны |
8,6 Вт/м • К и 4,5 Вт/м • К. |
|
|
|
204
где величины аь , b можно определить по кривым намаг
ниченности подрешеток вблизи точки Кюри или Нееля. Причем положение Л С у симметрично относительно 0 С или 0W [10]. Благодаря интенсивному развитию флуктуа ций дальнего магнитного порядка вблизи точек фазо вых переходов второго рода, имеют место релаксацион ные процессы и сопутствующие им аномальное поглоще ние фононов, в частности наблюдается аномальное по глощение звука [10]. Это, вероятно, приводит к уменьше нию средней длины свободного пробега фононов /фонВсе эти релаксационные процессы происходят в обла сти Г < |0с, jv» так как природа этих процессов обуслов лена существованием самопроизвольной намагниченно сти.
Кроме того, происходит скачкообразное изменение упругих характеристик в указанной области, а следова тельно, и скорости звука W. Наблюдаемые аномалии на температурных кривых тепловых сопротивлений вызы ваются суммарным эффектом скачков Су, /ф0Н, W в рай оне магнитных превращений (рис. 4.10). Так как резкое уменьшение длины свободного пробега фонона имеет место при Г<ѲС, N, то на кривых для монокристаллов со гласно (4.50) происходит увеличение теплового сопро тивления (максимум на кривых). При более высокой температуре начинают превалировать скачкообразное изменение теплоемкости С у и упругих характеристик, что снижает тепловое сопротивление, увеличивая тепло проводность (минимум на кривых). Величина и форма максимумов и минимумов зависит от количественных со отношений скачков С у , /ф0н, W, о которых в литературе нет исчерпывающей информации.
Исключением из исследуемых кристаллов является Сг20 3, для которого, по-видимому, суммарный эффект аномалии С у , l$0nW незначителен и в районе QN наблю дается резкий излом без аномалийВозможно, увеличе ние крутизны кривых 11, 12, 13 на рис. 4.10 при подходе к Ѳіѵ связано с резким уменьшением /ф0Н, а уменьшение ее за счет скачков С у и W мало. С целью проверки вли яния магнитной природы на специфический излом тем пературной кривой теплового сопротивления Сг20з была
исследована окись |
алюминия |
А120 3 вдоль оси < с> , |
|
структура |
которой |
аналогична |
структуре Сг20 3 (кривая |
16 на рис. |
4.10), На основании сравнения кривых 16 для |
||
А120 з и 11, |
12, 13 для Сг20з можно утверждать, что ука- |
205
Вид по А-А
Рис. 4.12.
Рис. 4.13.
Л, (Вт/ і а °С)
9,0 -.,.
. - к ' IV, і
<W0> <т > <!W><2l1y<W0>(i1U<!W> <211> у>,°
Рис. 4.14.
20G