Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Стабильность свойств ферритов. (Анализ физических свойств при внешних воздействиях, прогнозирование. Элементы проектирования)

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
11.65 Mб
Скачать

выбранных монокристаллов в различных кристаллогра­ фических направлениях:

Ba2Zn2Feiä022: 1— < ||с > , 2— ± < ± с > ,

3— < 1 с>;

Мgo,3 iMno.geFеі,бэ04: 4—<100>, 5—<[ 110

Y3Fe50 12; 7—<100>, <5—< 211>,

9— < Ш > ,

7(9— < 110> ;

Сг20 3: 11— < -L O , 12—<30°< -Lc>, 13— < ||с > ; № 0: 14— <100>, 15— < 1 10>; А120 3; 16— < || О .

197

Для кривых 13, 7— 16 отсчет осуществляется по ле­ вой шкале, а для кривых 46 —-по правой шкале гра­

фика.

Экспериментальные значения являются усредненными при обработке повторных замеров на трех образцах по двум экспериментальным установкам (с использованием абсолютного стационарного и квазистационарного мето­ дов). Полученные значения теплопроводности и вид тем­ пературных зависимостей для AI2 O3 Y3 Fe5 0 i2 и 'N10 со­ гласуется с данными работ [30, 131, 188] для поликристаллических аналогов, при нулевой пористости. Для всех монокристаллов имеет место увеличение теплового сопротивления с ростом температуры, при этом в рай­ онах ферромагнитных превращений наблюдаются харак­ терные апомалн или изломы, после чего изменяется вид температурных зависимостей.

Прежде чем переходить к анализу теплопроводности кристаллических решеток, проведем оценку основных компонент теплопроводности в соответствии с работой

[127]. Для оценки электронной составляющей теплопро­

водности монокристаллов

Я,э

воспользуемся

формулой

Видемана — Франца:

 

 

 

Хэ = 2 ,2 2 - 1 0

~6 аГ,

(Вт/м-К),

(4.45)

где а — удельная электропроводность; Т — температура

вК.

Сучетом электрического сопротивления рассматри­

ваемых кристаллов (табл. 2 2 ) значения электронной со­ ставляющей теплопроводности будут значительно мень­ ше 1 0 ~ 7 (Вт/м-К), и поэтому ее влиянием можно пре­ небречь.

Для расчета фотонной составляющей теплопроводно­ сти, связанной с внутренним тепловым излучением в кри­ сталле, воспользуемся следующей формулой [8 6 ]:

Хфот = і6/звопЧфо?Т*,

(4.46)

где По— постоянная Стефана — Больцмана; п — коэффи­ циент преломления материала; /ф0Т — длина свободного пробега фотона, которая для случая монокристаллов равна 1 /к, где к — коэффициент поглощения вещества.

На основании имеющихся данных, а также проведен­ ных измерений было установлено, что коэффициенты по­ глощения выбранных кристаллов, кроме ИЖГ (иттрийжелезного граната), лежат в пределах 50 . .. 500 см-1,

198

1

Состав образца

а і 2о 3

NiO

Cr20 3

Y3Fe5Ol2

■^So,34^n0(9gFeI(6g04r

Ba2Zn2Fel20 22

Тип структуры

V °с

0с, N-

Намагниченность насыщения, Гс

”С

 

Тригональ-

8 0 0

ная

 

 

 

Кубическая

-4.300

2 4 7

типа NaCI

 

 

 

Тригональ-

< 0 0

53

— .

ная типа

 

(47)

 

А 1 А

 

 

 

Кубическая

2 8 2

28 7

1 7 0 0

типа грана­

 

 

 

та

 

 

 

Кубическая

< 0

315

3 2 0 0

типа шпине­

 

 

 

ли

 

 

 

Гексагональ-

 

115

2 7 0 0

ная типа

 

 

 

*уи

Магнитная

 

 

 

к

восприим­

р.

о

 

о.

 

с_

чивость

ом • см

£

%

к

CGSM /r

 

 

 

•+

л

о

 

 

S £

 

ІО12

 

Ы 0 - 5

10"-г-

0 , 2 5

3,6

 

ч-1012

 

 

 

З-Ю -3

10п ч- 0 , 1 8

6 , 7

 

-И 0 12

 

 

 

 

ІО12

0 , 2

 

6 , 5

4 ІО4

0 , 3

1 2 , 5

 

-4.1О4

0 , 2 8

1 3 , 2

О

ОО«

— S

. а

2 0 0

84

167

96

92

81

Т А Б Л И Ц А 22

Направления оси

и

 

1_С

 

 

 

<м^

 

 

я 4

 

 

а S

 

 

р

н“

 

 

(<со

<

п с >

5 5 , 0

< 1 1 0 >

2 4 . 0

<

ю о >

2 2 . 0

<

п с >

1 5

, 2

< ± С >

11,6

L _ 3 0 ° < j _ c >

1 2 , 6

< 1 1 о >

8,8

<

П 1 >

7

, 8

< 2 1 1 >

7,2

<

ю о >

6

, 7

< 1 П >

3,9

<

п о >

3

, 5 7

<

ю о >

3

, 4 4

< 1 1С >

2

, 7 7

< ± С >

3 , 2 5

± < ± С >

3 , 0 7

П р и м е ч а н и е . Исследуемые вещества расположены в порядке возрастания значения их теплового сопротивления.

а коэффициенты преломления—в пределах 2,2 ... 2,6. По­ этому проведенная оценка фотонной составляющей теп­ лопроводности даже при температурах до 400 °С показы­ вает, что ее вклад не может превышать 3%, т. е- ее влия­ нием также можно пренебречь. Что касается иттрий-же- лезного граната, то этот состав прозрачен в инфракрас­ ной области. Его коэффициент поглощения с учетом от­ ражения для длин волн 2 ... 9 мк составляет 1... 8 см-1. Следовательно, для ИЖГ согласно (4.46) при комнат­ ных температурах фотонная составляющая теплопровод­ ности может составить 5% и достигает 34% при темпера­ туре 400 °С, и с ее вкладом следует считаться. Относи­ тельно магнитной компоненты теплопроводности у раз­ личных авторов не существует в настоящее время едино­ го мнения. Объяснение скачка теплопроводности в рай­ оне точки Кюри [20, 127] как следствие скачка удельной теплоемкости [10] является не совсем убедительным для авторов работы [30]. Увеличение теплопроводности за счет спиновых волн может наблюдаться лишь при очень низ­ ких температурах, что подтверждается как эксперимен­ тальными, так и теоретическими работами отечествен­ ных и зарубежных авторов [20, 30, 74], поэтому при ком­ натной температуре и выше этот механизм для объясне­ ния магнитной компоненты теплопроводности является также необоснованным.

Анализ магнитной составляющей теплопроводности был проведен с точки зрения вклада энергии косвенного обменного взаимодействия в общую энергию связи ре­ шетки, так как теплопроводность главным образом зави­ сит от величины энергии связи решетки. Величина маг­ нитной энергии косвенного обменного взаимодействия оценивается по формуле:

EM= n k m c,

(4.47)

где п — число магнетонов Бора в молекуле

соединения;

N — число Авогадро; k — постоянная Больцмана; Ѳс — температура точки Кюри в К-

Результаты расчета магнитной энергии для выбран­ ных составов приведены в табл. 22, откуда видно, что вклад магнитной энергии в общую энергию решетки не превышает 1%, что также не соответствует эксперимен­ тально полученным функциям. Результаты эксперимента показали, что магнитная компонента теплопроводности существенно выше, это наглядно подтверждается ано-

200

Мальными эффектами в районах точек Кюри и Неелй, изменением угла наклона кривых зависимости теплового сопротивления от температуры до и после точки Кюри и характером анизотропии. По всей вероятности, измене­ ние энергии косвенного обменного взаимодействия су­ щественно сказывается на энгармонизме колебаний кри­ сталлической решетки. После исчезновения обменного взаимодействия при Г>ѲсѲіѵ имеет место изменение кон­ фигурации решетки, а в некоторых случаях изменение

симметрии решетки, что

наиболее резко проявляется

у антиферромагнетиков

[10]. Причина деформации и

структурных изменений при ферромагнитных превраще­ ниях состоит в том, что магнитная структура ферромаг­ нетиков тесно связана с их атомной структурой. Данные эффекты в большой степени влияют на энгармонизм ко­ лебаний, а значит, на наклон кривых зависимости тепло­ вых сопротивлений от температур (рис. 4.10). У монокри­ сталлов Y3 Fe5 0 i2 и Mgo,3 4 Mno,9 6 Fei,0 9O4 наблюдается изме­ нение характера анизотропии (кривые 4—10 на рис. 4.10), состоящее в том, что кривые зависимости теплового со­

противления от температуры по оси «трудного»

( < 1 0 0 > )

и «легкого» намагничивания ( < 1 1 1 > ) после

точки Ѳе

пересекают аналогичные кривые, снятые по другим кри­ сталлографическим направлениям. По-видимому, иска­ жение кристаллической решетки по осям < 1 0 0 > и

<1 1 1 > проявляется в большей мере по сравнению с ис­

кажениями по другим осям после исчезновения обмен­ ного взаимодействия и энергии магнитной анизотропии. С целью изучения вкладов различных компонентов в об­ щую теплопроводность с изменением температуры были построены температурные зависимости фактора анизо­

тропии L-k =(Xmax ДЛЯ ИССЛвДуеМЫХ К р И -

сталлов (рис. 4.11). Приведенные на рис. 4.11 кривые от­ носятся соответственно к следующим составам: Y3 Fe50 i2 (кривая 1); Сг20 3 (кривая 2); Mgo^Mno^Fei^Oi (кри­ вая 3); Ba2Zn2FeiгОгг (кривая 4), NiO (кривая 5). Для всех кристаллов имеет место изменение характера зави­ симости Lx от температуры до и после точек Кюри или

Нееля. У различных кристаллов характер изменения Lx

различен. Это связано с тем, что для различных структур и типов магнитных взаимодействий обменная энергия и энергия магнитной анизотропии по-разному распреде­ ляется по кристаллографическим направлениям. Кроме

201

О*

-wo

о

loö

ж

ж

т t°c

Рис. 4.11.

того, для Y3Fe50i2, помимо фононной и магнитной, значи­ телен вклад фотонной составляющей. Следовательно,

при наличии одной (фононной) компоненты теплопро­ водности фигуры анизотропии с изменением температуры сохраняют свое подобие, поэтому кривые 2 и 4 на неко­ торых участках идут параллельно оси. При взаимодей­ ствии нескольких компонент теплопроводность по осям перераспределяется и подобие фигур анизотропии нару­ шается, что выражается в изменении параметра Lx

с изменением температуры.

Согласно современным теориям, являющимся разви­ тием теории Дебая, теплопроводность диэлектрических кристаллов объясняется главным образом колебаниями кристаллической решетки. Затухание (рассеяние) коле­ баний, возникающее вследствие их ангармонизма, обу­ словливает изменение К пропорционально 1 при темпе­ ратурах, больших температуры Дебая 6Д, что было экс­

периментально подтверждено Эйкеным [14]. В этой об­ ласти температур кривая зависимости теплопроводности от температуры описывается формулой [77]:

я = 1 / £ = (1/Д)Ѳ3д/Г.

(4.48)

Здесь К — уг!АМа, где А — коэффициент, зависящий от структуры кристалла, числа атомов в молекуле, соотно-

202

шения масс тяжелого и легкого

атомов;

а — объем

грамм-молекулы; М — молекулярный

вес;

у — коэффи­

циент Грюнайзена, зависящий от сжимаемости вещества. Для большинства веществ соблюдается закон Эйкена (4.48), из которого следует, что тепловое сопротивление

(теплопроводность)

определяется значениями 6Д

и К,

где Ѳд — зависит от

упругих

констант

кристаллической

решетки, а следовательно, от

энергии

сил связи

в ней

(Ер), коэффициент К учитывает степень ангармонизма колебаний кристаллической решетки и определяется структурой, наличием пустот в решетке, соотношением масс атомов и т. д.

В работе [77] дается оценка коэффициента А в (4.48) для кубической, гексагональной и ромбоэдрической структур. На основании этих даных был произведен рас­ чет коэффициента К для исследуемых структур, при этом учитывалось наличие пустот в решетке, соотноше­ ние масс атомов в молекуле (табл. 22).

При температурах, значительно меньших Ѳд, темпера­

турная зависимость теплового сопротивления феррита выражается формулой [77]

R В Т е_ Ѳд/аГ>

(4.49)

где В и а — коэффициенты,

зависящие от

структуры

кристаллов.

 

 

Тепловое сопротивление

согласно данной

формуле

растет с увеличением температуры по экспоненциальной зависимости. Исходя из указанных теоретических пред­ посылок, можно дать интерпретацию экспериментальной

части работы. Для NiO,

Cr20 3, Y3Fe50 i2; Ba2Zn2Fei20 22

наблюдается соответствие

закону Эйкена (4.48), так как

в известном приближении эта формула описывает изме­ нение к в области дебаевских температур. При измене­

нии температуры тепловое сопротивление А120 3

(кривая

1 6 на

рис. 4.10) меняется по

экспоненте.

Это

связано

с тем,

что Ѳд = 800 °С (табл.

22) [77] для

А120 3 значи­

тельно выше рассматриваемых температур, поэтому за­ висимость R — f(T) описывается формулой (4.49). Для

Mg-Mn феррита Mgo^Mno.geFei.egC^ с кубической струк­ турой типа шпинели (кривые 46 на рис. 4.10) также наблюдается отклонение от закона Эйкена: слабый рост R = f(T) и нелинейность этой зависимости. По-видимому, такое положение обусловливается тем, что для данного типа структуры характерно наличие вакансий и примес­

203

ных центров (20, 127]. Ионы Fe2+, имея большие ионные радиусы, чем Fe3+, искажают решетку, что меняет ангар-

монизм колебаний решетки

и зависимость R — f(T).

Вычисленные по

формуле

(4.48) значения X для

УзРеьОіг составляют при

25 °С и

200 °С соответственно

примерно 9 Вт/м-К

и 5

Вт/м-К,

что хорошо совпадает

с экспериментальными данными *).

Поэтому формула (4.48) и расчетные значения К и Ер, приведенные в табл. 22, позволяют ориентировочно оце­ нить величину фононной компоненты теплопроводности исследуемых материалов. Измерения, проведенные в раз­ личных кристаллографических направлениях, показали наличие анизотропии теплопроводности, что подтверж­ дается проведенной оценкой анизотропии сил связи по кристаллографическим направлениям и энергий магнит­ ной анизотропии (рис. 4.11—4.14).

Отличительной чертой температурных зависимостей тепловых сопротивлений (теплопроводности) ферромаг­ нетиков являются аномалии в районах фазовых пере­ ходов второго рода (Ѳлг, Ѳс), что связано с аномалиями упругих и термодинамических характеристик веществ [10]. Всем рассматриваемым ферромагнитным и антиферромагнитным структурам свойственны аномальные эффекты в районе точек Нееля и Кюри, которые у фер­ ритов УзРе50 12, NiO, Mgoj36Mno,96Fei,6904 и в меньшей

степени у ферритов Ba2Zn2Fei2 0 2 2 выражаются в наличии максимума и последующего за ним минимума, а для мо­ нокристаллов Сг20з имеет место излом кривой без замет­

ных аномалий (рис. 4.10). Для объяснения

аномальных

эффектов следует воспользоваться формулой [77]:

Х = 11зр'Су1ф0п№,

(4.50)

где р' — удельная плотность вещества; Сѵ — удельная теплоемкость при постоянном объеме; W — средняя ско­ рость распространения звуковых волн или скорость зву­ ка, /фон— средняя длина свободного пробега фонона.

В области фазового перехода второго рода удельная теплоемкость Су будет испытывать скачок

дсѵ= K.N (авда,

*> Экспериментальные

значения

теплопроводности для

оси

< 110> при температурах

25 °С и

200 °С соответственно

равны

8,6 Вт/м • К и 4,5 Вт/м • К.

 

 

 

204

где величины аь , b можно определить по кривым намаг­

ниченности подрешеток вблизи точки Кюри или Нееля. Причем положение Л С у симметрично относительно 0 С или 0W [10]. Благодаря интенсивному развитию флуктуа­ ций дальнего магнитного порядка вблизи точек фазо­ вых переходов второго рода, имеют место релаксацион­ ные процессы и сопутствующие им аномальное поглоще­ ние фононов, в частности наблюдается аномальное по­ глощение звука [10]. Это, вероятно, приводит к уменьше­ нию средней длины свободного пробега фононов /фонВсе эти релаксационные процессы происходят в обла­ сти Г < |0с, jv» так как природа этих процессов обуслов­ лена существованием самопроизвольной намагниченно­ сти.

Кроме того, происходит скачкообразное изменение упругих характеристик в указанной области, а следова­ тельно, и скорости звука W. Наблюдаемые аномалии на температурных кривых тепловых сопротивлений вызы­ ваются суммарным эффектом скачков Су, /ф0Н, W в рай­ оне магнитных превращений (рис. 4.10). Так как резкое уменьшение длины свободного пробега фонона имеет место при Г<ѲС, N, то на кривых для монокристаллов со­ гласно (4.50) происходит увеличение теплового сопро­ тивления (максимум на кривых). При более высокой температуре начинают превалировать скачкообразное изменение теплоемкости С у и упругих характеристик, что снижает тепловое сопротивление, увеличивая тепло­ проводность (минимум на кривых). Величина и форма максимумов и минимумов зависит от количественных со­ отношений скачков С у , /ф0н, W, о которых в литературе нет исчерпывающей информации.

Исключением из исследуемых кристаллов является Сг20 3, для которого, по-видимому, суммарный эффект аномалии С у , l$0nW незначителен и в районе QN наблю­ дается резкий излом без аномалийВозможно, увеличе­ ние крутизны кривых 11, 12, 13 на рис. 4.10 при подходе к Ѳіѵ связано с резким уменьшением /ф0Н, а уменьшение ее за счет скачков С у и W мало. С целью проверки вли­ яния магнитной природы на специфический излом тем­ пературной кривой теплового сопротивления Сг20з была

исследована окись

алюминия

А120 3 вдоль оси < с> ,

структура

которой

аналогична

структуре Сг20 3 (кривая

16 на рис.

4.10), На основании сравнения кривых 16 для

А120 з и 11,

12, 13 для Сг20з можно утверждать, что ука-

205

Вид по А-А

Рис. 4.12.

Рис. 4.13.

Л, (Вт/ і а °С)

9,0 -.,.

. - к ' IV, і

<W0> <т > <!W><2l1y<W0>(i1U<!W> <211> у>,°

Рис. 4.14.

20G

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ