Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Пивинский, Ю. Е. Кварцевая керамика

.pdf
Скачиваний:
36
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
10.79 Mб
Скачать

при исследовании термостойкости кварцевой керамики, полученной на основе 'Синтетического кремнезема, мето­ дом термоциклирования на воздухе [19].

В работе [67] также отмечается, что кварцевая ке­ рамика с пористостью 15% выдерживает 50 теплосмен с охлаждением в воде, а с пористостью 3 % — 30 тепло­ смен.

Термостойкость кварцевой пенокерамики изучали на кубиках ео стороной 40 мм методом охлаждения в воде от температуры 850°С [164]. У кварцевой керамики раз­ рушения не наблюдалось после 20 термоциклов. Пенокерамика на основе двуокиси циркония разрушалась после двух термоциклов, описи алюминия после трехчетырех, окиси бериллия после шести-восьми, карбида кремния после десяти термоциклов.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Электропроводность, диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь определяются прежде всего структурными характеристиками материа­ лов на молекулярном и атомарном уровнях. Поэтому эти свойства кварцевой керамики должны соответство­ вать по основным закономерностям 'Свойствам кварцево­ го стекла. Влияние пористости и технологических фак­ торов получения керамики сказывается только на абсо­ лютном значении свойств.

Электрическое сопротивление

Кварцевое стекло является хорошим изоляционным материалом, и поэтому естественно ожидать аналогич­ ные свойства у кварцевой керамики.

На рис. 119 показана

температурная

зависимость

электросопротивления

кварцевого

стекла

(кривая

/),

по данным [178,

198],

кварцевой

керамики,

пропитан­

ной силиконовой

смолой

(кривая

2), и исходной квар­

цевой керамики [16]. У исходной

кварцевой керамики

электросопротивление

при комнатной температуре

на

восемь порядков

ниже, чем у кварцевого стекла.

При

температурах выше 300°С эта разница резко уменьша­ ется. Такое расхождение объясняется большей влажно­ стью образцов исходной керамики в начальный момент измерений. По мере нагрева до 200°С влага удаляется,

221

и электросопротивление возрастает почти до величины сопротивления стекла. Роль влаги косвенно подтверж­ дается отмеченным авторами работы [16] повышением сопротивления при комнатной температуре сразу после высокотемпературного напрева керамики. Следует иметь в виду, что снижение сопротивления обусловлива­ ется не только обычной влажностью керамического ма­ териала, но и структурно связанной с керамикой водой.

 

 

 

 

 

 

Более высокое элект­

76

 

 

 

 

росопротивление

 

пропи­

 

 

 

 

танной

кварцевой

кера­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мики до 400°С объясняет­

? 72

 

 

 

 

ся

отсутствием

влияния

 

 

 

 

 

влаги,

так как

заполне­

 

 

 

 

 

ние пор силиконовой смо­

 

 

 

 

 

лой защищает

керамику

 

 

 

 

 

от

атмосферной

влаги. С

4

 

 

 

 

повышением температуры

 

 

 

 

до 500°С смола

разлага­

 

 

 

 

 

О

400

800

1200

W0U

ется.

Образующийся

при

 

 

t,°C

 

 

этом

углерод резко

сни­

Рис.

119. Электрическое

сопротив­

жает

 

электросопротивле­

ление

кварцевого

стекла

(/), квар­

ние пропитанной керами­

цевой

керамики,

пропитанной

си­

ки.

Последующее

окис­

ликоновой смолой (2), и без про­

питки

(3)

 

 

 

ление

 

углерода

в

интер­

 

 

 

 

 

вале

700—900°С

обуслов­

ливает рост электросопротивления, абсолютное значение которого будет зависеть от времени нагрева и выдержки при конечной температуре.

На рис. 120 представлены результаты исследования электросопротивления кварцевой керамики с пористо­ стью 1 и 10% на воздухе и в вакууме, по данным [69].

Электросопротивление

плотных образцов в вакууме

и на воздухе практически

такое же, как и образцов с

пористостью 10%. С ростом температуры расхождение значений сопротивления в вакууме и на воздухе умень­ шается и для обоих материалов приближается к величи­

не электросопротивления кварцевого стекла

[178, 201],

В работе [198] отмечается, что объемное

электро­

сопротивление кварцевой ленокерамики с пористостью 82—83 и 86% соответственно равно при комнатной температуре (2,4—4,7)-ІО12 и 5 -1012 Ом-см.

Данных по электрической прочности кварцевой кера­ мики не опубликовано, ее значения для кварцевого

222

стекла 'при частоте 50 Гц в зависимости от толщины приведены ниже [206]:

Толщина, мм . .

7

4

2,0

1,2

Пробивное напря­

70000

46000

35000

30000

жение, В . . . . .

 

 

t,°C

 

 

1100

800

500

400

300

Рис. 120. Зависи­ мость электро­ сопротивления от температуры в вакууме (I) и па воздухе (2)

Диэлектрическая проницаемость

•Кварцевая .керамика имеет благоприятное сочетание диэлектрических характеристик и является одним из лучших радиопрозрачных йатериалов. Ее диэлектриче­ ская проницаемость в первую очередь определяется ве­ личиной диэлектрической проницаемости кварцевого стекла, из которого она состоит, а также пористостью. Диэлектрическая проницаемость кварцевой керамики с теоретической плотностью соответствует таковой для кварцевого стекла и равна 3,78. Зависимость диэлектри­ ческой проницаемости керамики, в частности кварце­ вой, от пористости описывается уравнением (36):

е = 8 ' - р :

(78)

Для кварцевой .керамики графически такая зависи­ мость выражается пологой кривой, приближающейся к прямой линии.

223

В работе [30] получено линейное уменьшение ди­ электрической проницаемости по мере увеличения по­ ристости от 0 до 86%.

В более узком интервале пористостей линейное сни­ жение диэлектрической проницаемости установлено также в работах [49] и [64].

Влияние влатопоглощения на диэлектрическую про­ ницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь кварцевой керамики разной пористости исследовано с

участием автора книги1 на образцах

из чистой

кварце­

вой керамики

(99,9% Si02) и с легирующими

добавка­

ми двуокиси

хрома

(до 1,5%) при комнатной

темпера­

туре на установке

«Зурна» по ГОСТ

12723—67, а при

повышенных—на установке «Кварц». Рабочая

частота

в обоих случаях составляла 1010 Гц. Минимальная

по­

ристость образцов составляла 8%, максимальная

13%,

толщина 9±0,1 мм.

 

 

 

 

Рис. 121.

Поглощение

 

влаги

кварцевой керамикой:

с

пори­

1, 4 — чистая

керамика

стостью

13.0

и 8%; 2,

3 —леги­

рованная

керамика

с

пори­

стостью 12,7 и 9.6%.

Увлажнение образцов про­ изводилось в атмосфере возду­ ха с относительной влажно­ стью 95% при температуре 23°С. Содержание влаги в об­ разцах регулировалось путем изменения времени выдержки в этих условиях.

Полученная зависимость влагопоглощения от времени выдержки и пористости об­ разцов дана на рис. 121. Для всех значений пористости чет­ ко 'обнаруживается прямо про­ порциональное увеличение со­ держания влаги с ростом вре­ мени выдержки. Видно также, что скорость набора влаги для образцов с пористостью 13% почти вдвое больше, чем для образцов с пористостью 8%.

Полученные данные по вли­ янию влаги на е и tg б приведе­ ны на рис. 122. Для Есех об-

1 Совместно с А. В. Лнтовченко

224

разцов характерно увеличение е и tg б с ростом влагосодержания. Такой характер зависимости г и tg б кварцевой керамики был 'проверен и подтвержден многократными измерениями на разных образцах, поскольку в работе [54] приводились данные о более резком и нелинейном возрастании tg б, хотя и была установлена линейная за­ висимость е от влагосодержания в диапазоне от 0 до 0,35% по массе. Линейное увеличение tg б кварцевой ке­ рамики по мере накопления влаги хорошо согласуется

Рис. 122. Влияние влагосодержания на диэлектрическую проницаемость (/) и тангенс угла потерь (И) кварцевой керамики:

1,4 — чистая керамика с пористостью 13,0 и 8%; 2, 3 — легн-рооан.чля кера­ мика с пористостью 12,7 и 9,6

223

с теорией

поглощения электромагнитной энергии в

смесях для

случая

малого

содержания

сильно

погло­

щающего вещества

(воды)

в объеме матрицы

керами­

ки) [232]. В данном случае содержание влаги

не пре­

вышало 0,01 % от

общего

объема и

поэтому

потери,

обусловленные каждым материалом, должны суммиро­ ваться, а общие потери линейно возрастать с увеличе­ нием влагосодержания.

Было исследовано также изменение влагосодержа­ ния от температуры и времени сушки. Зависимость влагосодержания керамики от времени выдержки в су­

шильном шкафу

при температурах 200 и 280° С дана

на рис. 123. Исследование было проведено

на

тех же

образцах, но предварительно

выдержанных

в

течение

10 суток в дистиллированной воде.

основном

Практически

образец

толщиной 9 мм в

восстанавливает

свои диэлектрические характеристики в

первые минуты

сушки

при

температуре 280иС и за

10 минут — при 200°С. Однако для получения исходных значений диэлектрических свойств образцов с пори­ стостью выше 13% требуется сушка в течение несколь­ ких часов.

В тех случаях, когда необходимо исключить или уменьшить влияние влаги на диэлектрические свойства кварцевой керамики, может быть использована более плотная керамика или керамика с закрытой пори­ стостью, что достигается за счет высокой степени спе­ кания материала.

Если же это невозможно, то влагозащита кварце­ вой керамики обеспечивается путем оплавления ее по­ верхности или нанесением влагозащитных покрытий (тефлон, влагозащитные эмали т. д.).

Температурная зависимость диэлектрической прони­ цаемости кварцевой керамики изучена многими иссле­

дователями [39, 54, 56, 207]. В работе [66]

установле­

но, что на частоте 9547 мгц максимальное

увеличение

е с ростом температуры от 20

до 900° С составило 0,1.

По данным [39], отмечается

увеличение

е кварцевой

керамики с 3,37 при 20° С до 3,39 при 750°С. Более пол­ ные сравнительные данные1по температурной зависимо­ сти е кварцевой керамики с пористостью 14—17% при­ ведены в работе [208], Измерения проведены на образ­ цах в форме дисков диаметром 40 см и толщиной 1,9 см на установке с открытой мостовой схемой СВЧ-системы

226

Рис. ]J23. Изменение влагосодержання керамики при тем­

пературе сушки 200°С (/) н 230°С (//): 1, 2, 3 и 4 — номера образцов

Рве. 124. Сравнительные результаты измерения

диэл ектірпиеской піроницаема-

сти

кварцевой керамики:

 

 

{

1Э^ ? .еТ Я „в

откРыт°й

системе ( X диапазон),

плотность

керамик:

1.91 г/см, 2*—измерения методом закороченной схемы

_лиэпячті'і

ность

керамики

1,94

г/см»; 3 -

измерения резонатодным

методом

ГГ ^ ' п Г ^

зон),

керамика 7941

с плотностью іГэб2 r /см“

4 -^ зм ^ е^ н Т м ет п п о „

Ш ХтЫ (Я —диапазон), керамика* без

 

о с Х

Г ^ с Г и Г ^ л о Ж

227

с фокусировкой мощности. Результаты по температур­ ной зависимости и абсолютным значениям е, получен­ ным по разным методикам измерения, представлены на рис. 124. Видно, что диэлектрическая проницаемость кварцевой керамики монотонно возрастает до 1500°С. В диапазоне 1500—1700°С е резко увеличивается на

18%, что обусловлено плавлением пористой

керамики

и превращением ее в кварцевое стекло со

100% -ной

£

 

3,6

 

ЗА

3,2

Рис.

125. Температурная

за­

висимость

диэлектрической

дроннцаемоста

(/)

н

тан­

генса

угла

 

потерь

(//)

кварцевой керамики:

Г—

I — чистая

керамика;

легированная

Сг30 3;

3 —

содержащая

5%

кристоба-

лнта

О200 т 600 800 W00 1200

t,°c

плотностью. Осмотр образцов показал, что по толщине образца вещество в период плавления находится в трех

состояниях: со стороны

пламени — стекло,

переходный

слой и кварцевая керамика.

диэлектричес­

После расплавления

стекло остается

ким, причем диэлектрическая постоянная почти линей­ но возрастает до 4,3 с ростом температуры до 2500° С. Это уникальное свойство кварцевой керамики значи­ тельно расширяет ее возможности как радиопрозрачного материала.

Как отмечается в этой же работе, сравнительные из­ мерения е по разным методикам показывают хорошее соответствие как абсолютных значений, так и их темпе­ ратурной зависимости.

Нами была изучена зависимость диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь от температурына тех же образцах, на которых иссле­ довалось влияние на эти характеристики влагопоглощения. Измерения проведены на установке «Кварц». Ре*

228

зулматы представлены на рис. 125. Диэлектрическая проницаемость всех образцов почти линейно возрастает в диапазоне 20—1200° С примерно на 0,1, что состав­ ляет около 3% от ее значения при 20°С. Температурный коэффициент е в интервале 20—1200°С равен 8,3-ІО-5 град-1. Как показывают приведенные на рис. 126 дан­ ные, содержание кристобалита до 5% не оказывает заметного влияния на диэлектрическую проницаемость кварцевой керамики.

Для подтверждения общей зависимости диэлектри­ ческой проницаемости кварцевой керамики от темпера-

Рнс. 126. Температурная зависимость диэлектрической проницае­ мости на частоте 9,4• ІО9 Гц различных мерок оптического кварце­ вого стекла:

/ — КВ; 2 — КИУ и КОП-1; 3 — КУ

туры на рис. 126 представлены результаты измерения е кварцевых стекол КВ, КИ, КОП и КУ [209]. Суммар­ ное содержание примесей в этих стеклах не превышало 0,06%.

Диэлектрическая проницаемость рассмотренных кварцевых стекол увеличивается всего на 4% в интер­ вале температур от 20 до 1450°С. Температурный коэф­ фициент е в интервале 20—1450°С равен 9 -ІО-5 град-1.

Если принять, что по условиям работы изделия из­ менения диэлектрической проницаемости его материала с ростом температуры не должно превышать 5%, то кварцевая керамика пригодна для работы до 1400°С,

229

тогда как окись алюминия до температуры 5О0°С и сигалл до 7О0°С.

По зависимости е кварцевой керамики от частоты пода нет публикаций. Однако судить об этом можно по

зависимости

от частоты

диэлектрической

проницаемо­

сти

кварцевого

стекла,

приведенной в

работе

 

[202]. В

этой

работе

не отмечено

зависимости

е

от

частоты.

Там же дана зависимость

от . частоты

тангенса

угла

диэлектрических потерь при 25°С:

 

 

 

 

 

 

 

 

Частота,

Гц

ІО2

 

ІО3

10«

10s

10е

107

10s

10s

101»

2,5-101®

Тангенс угла

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

диэлектри­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ческих по­

8,5

7 ,5 6 ,0 8

4,0

2,0

1,0

1,0

0,6

1,0

0,25

терь,

-10« .

Изменение

tg б

в

диапазоне

частот

ІО2—0,5-ІО10

ощутимо.

 

 

[16], отмечается снижение диэлектриче­

По данным

 

 

 

 

 

 

 

ской

проницаемости

кварцевого

 

 

 

 

 

 

 

стекла с 3,66 до 3,57 по мере уве­

 

 

 

 

 

 

 

личения частоты с ІО5 до ІО7.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В связи с тем что в кварцевую

 

 

 

 

 

 

 

керамику

часто

вводятся

леги­

 

 

 

 

 

 

 

рующие добавки,

например

Ті02

 

 

 

 

 

 

 

и Сг20 3

на рис. Г27 'представлены

 

 

 

 

 

 

 

данные

по зависимости

 

диэлек­

 

 

 

 

 

 

 

трической проницаемости кварце­

 

 

 

 

 

 

 

вой керамики

от объемного

со­

 

 

 

 

 

 

 

держания Ті02, имеющей диэлек­

 

 

 

 

 

 

 

трическую

проницаемость

100

Содержание Шг,%(одъемн.)

[36].

Кривая является

частным

 

 

 

 

 

 

 

случаем

общей зависимости

ди­

Рис. 127.

Изменение

ди­

электрической

проницаемости

е

электрической

проницаемо­

материала,

состоящего

из

двух

сти кйаірцевой

керамики

от

добавки ТІО»

 

 

 

 

компонентов,

имеющих

проница­

 

 

 

 

 

 

 

емость еі и е2.

 

 

 

 

 

 

 

In е =

(1 — Р)

In е! +

Р In 8г.

 

 

 

 

 

 

 

(79)

Логарифмический характер зависимости обусловли­ вает слабое увеличение диэлектрической проницаемо­ сти кварцевой керамики по мере увеличения содержа­ ния легирующей добавки до 10%, хотя ее диэлектриче­ ская проницаемость в десятки раз больше таковой ос­ новного .материала.

230

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ