- •Курс Твердотельной электроники
- •1. Физические основы твердотельной электроники
- •1.1. Диффузионный и дрейфовый ток в полупроводниках
- •1.2. Зависимость подвижности от концентрации примесей,
- •1.3. Фундаментальная система уравнений
- •1.4. Обеднение, обогащение и инверсия
- •1.5. Потенциальный барьер
- •1.6. Область пространственного заряда p-n перехода
- •1.7. Зависимость концентраций неосновных неравновесных носителей зарядов на границах от напряжения на переходе
- •1.8. Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •1.9. Условия на контактах и поверхностная рекомбинация
- •1.10. Распределение неосновных носителей заряда вблизи p-n-перехода
- •2. Элементы и процессы твердотельной электроники
- •2.1. Распределение носителей и коэффициент передачи тока в транзисторной структуре
- •2.2. Физическая структура биполярного транзистора
- •2.3. Биполярные транзисторы интегральных схем
- •2.4. Кремниевые транзисторы свч диапазона
- •2.5. Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
- •2.6. Токи в контакте металл-полупроводник
- •2.7. Гетеропереходы
- •2.8. Туннелирование в p-n-переходе
- •2.9. Лавинное умножение
- •2.10. Структура металл-диэлектрик-полупроводник
- •2.11. Пороговое напряжение мдп транзистора
- •2.12. Вольт-амперная характеристика мдп транзистора
- •2.13. Конструктивные разновидности мдп транзисторов
- •2.13.1. Мощные моп транзисторы
- •2.13.2. Элементы сбис
- •2.14. Элементы зу на мдп транзисторах
- •2.14.1. Мноп транзистор
- •2.14.2. Транзисторы с плавающим затвором
- •2.15. Приборы с зарядовой связью
- •2.15.1. Передача заряда между затворами
- •2.15.2. Накопление заряда в моп структурах
- •2.15.3. Связь между зарядом и поверхностным потенциалом
- •2.15.4. Перенос заряда под затвором
- •3. Основные технологические процессы микроэлектроники
- •3.1. Диффузия
- •3.2. Окисление
- •3.3. Ионное легирование
- •3.3.1. Распределение Гаусса
- •3.3.2. Другие распределения
- •3.3.3. Боковое уширение распределения ионов
- •3.4. Эпитаксия
- •4. Курсовое проектирование
- •4.2. Резкий p-n-переход
- •4.3. Диффузионные переходы
- •4.4. Токи диффузионных переходов
- •4.5. Биполярный транзистор интегральных схем
- •4.6. Малосигнальные параметры биполярных транзисторов
- •4.7. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •4.8. Полевой транзистор с изолированным затвором
1.3. Фундаментальная система уравнений
Фундаментальная система уравнений (ФСУ) включает в себя уравнения непрерывности для электронного и дырочного потоков и уравнение Пуассона для электростатического потенциала. ФСУ лежит в основе всех программ математического моделирования полупроводниковых приборов. В рассматриваемых нами одномерных случаях
, ,,
где – скорость генерации,– скорость рекомбинации,– объемная плотность заряда,– относительная диэлектрическая проницаемость,Ф/см.
Знак минус для дырочного потока обусловлен тем, что при совпадении направлений тока и потока срабатывает хорошо известное из гидродинамики и диффузии условие непрерывности потока
,
где – концентрация частиц, а– плотность потока.
В трехмерном случае непрерывность потока электронов обеспечивается соотношением
Без учета генерационно-рекомбинационных процессов в стационарных условиях, например, для двумерного случая току разрешено только поворачивать, т. е. означает. В одномерном случае,и уравнения непрерывности упрощаются до диффузионно-дрейфовых уравнений, описывающих связь между пространственными распределениями потенциалов и концентраций при постоянной плотности тока. Например, для электронов
.
Даже в таком простом варианте постоянного тока имеем нелинейное дифференциальное уравнение первого порядка для зависимостей иот координаты. В равновесиии
. (1.2)
Используя соотношение Эйнштейна, возвращаемся к стандартному больцмановскому распределению электронов в поле с потенциалом
, где при. В отсутствие тока изменение потенциала намВ вызывает почти трехкратное изменение концентрации электронов. Это прямое следствие нелинейности диффузионно-дрейфового уравнения, а именно, дрейфового сомножителя.
Уравнение Пуассона представляет собой уравнение непрерывности потока вектора электрической индукции
, где – объемная плотность заряда,,и– концентрации неподвижных носителей заряда, доноров и акцепторов соответственно. Если результирующая плотность объемного заряда равна нулю, то в одномерном случае напряженность поля сохраняется постоянной, а в двумерном – вектор напряженности поля может только разворачиваться. Постоянная положительная плотность объемного заряда вызывает линейный рост напряженности поля. Последнее соответствует хорошо известному из элементарной физики правилу, что вектор напряженности электрического поля начинается на положительном и оканчивается на отрицательном заряде. Рис. 3 иллюстрирует это положение.
а б Рис.
3. Изменение
потока вектора электрической индукции
при прохождении слоев положительных
(а) и отрицательных зарядов (б).
Аналогия между потоками векторов электрической индукции и электронного потока имеет и важные практические последствия. Например, в условиях электронейтральности и из уравнения Пуассона. И точно также сохранение электрического токав условиях чисто дрейфового токаи постоянной проводимостидает то же самое уравнение Лапласа, решение которого целиком зависит от граничных условий.