- •Курс Твердотельной электроники
- •1. Физические основы твердотельной электроники
- •1.1. Диффузионный и дрейфовый ток в полупроводниках
- •1.2. Зависимость подвижности от концентрации примесей,
- •1.3. Фундаментальная система уравнений
- •1.4. Обеднение, обогащение и инверсия
- •1.5. Потенциальный барьер
- •1.6. Область пространственного заряда p-n перехода
- •1.7. Зависимость концентраций неосновных неравновесных носителей зарядов на границах от напряжения на переходе
- •1.8. Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •1.9. Условия на контактах и поверхностная рекомбинация
- •1.10. Распределение неосновных носителей заряда вблизи p-n-перехода
- •2. Элементы и процессы твердотельной электроники
- •2.1. Распределение носителей и коэффициент передачи тока в транзисторной структуре
- •2.2. Физическая структура биполярного транзистора
- •2.3. Биполярные транзисторы интегральных схем
- •2.4. Кремниевые транзисторы свч диапазона
- •2.5. Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
- •2.6. Токи в контакте металл-полупроводник
- •2.7. Гетеропереходы
- •2.8. Туннелирование в p-n-переходе
- •2.9. Лавинное умножение
- •2.10. Структура металл-диэлектрик-полупроводник
- •2.11. Пороговое напряжение мдп транзистора
- •2.12. Вольт-амперная характеристика мдп транзистора
- •2.13. Конструктивные разновидности мдп транзисторов
- •2.13.1. Мощные моп транзисторы
- •2.13.2. Элементы сбис
- •2.14. Элементы зу на мдп транзисторах
- •2.14.1. Мноп транзистор
- •2.14.2. Транзисторы с плавающим затвором
- •2.15. Приборы с зарядовой связью
- •2.15.1. Передача заряда между затворами
- •2.15.2. Накопление заряда в моп структурах
- •2.15.3. Связь между зарядом и поверхностным потенциалом
- •2.15.4. Перенос заряда под затвором
- •3. Основные технологические процессы микроэлектроники
- •3.1. Диффузия
- •3.2. Окисление
- •3.3. Ионное легирование
- •3.3.1. Распределение Гаусса
- •3.3.2. Другие распределения
- •3.3.3. Боковое уширение распределения ионов
- •3.4. Эпитаксия
- •4. Курсовое проектирование
- •4.2. Резкий p-n-переход
- •4.3. Диффузионные переходы
- •4.4. Токи диффузионных переходов
- •4.5. Биполярный транзистор интегральных схем
- •4.6. Малосигнальные параметры биполярных транзисторов
- •4.7. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •4.8. Полевой транзистор с изолированным затвором
3.2. Окисление
Окисление предшествует выращиванию диффузионных и ионно-легированных слоев, поскольку примеси внедряются сквозь окна в защитном окисле. Отжиг внедренной примеси или разгонка также идут чаще всего в окислительной среде, так что примесь не только диффундирует сквозь кремний, но и перераспределяется между окислом и кремнием.
Сам процесс окисления проводится при повышенных температурах от 700 до 1200С и состоит из диффузии кислорода сквозь уже выросший слой окисла к поверхности кремния, а затем уже на границепроисходит химическая реакция:
Аналогично идет и окисление в парах воды:
Последняя реакция идет гораздо быстрее и применяется для наращивания окислов большой толщины, например, в процессах локального окисления и выращивания мелких изолирующих канавок. Для формирования окисла толщиной поглощается слой кремния толщиной. В хорошо описанной в литературе модели Дила-Гроува [9] толщина окисласвязана с временем окисленияtквадратным уравнением:
; где -время выращивания начальной толщины окисла. При достаточно длительном окислении без начального окисла, так что толщина окисла пропорциональна корню из времени. Скорость роста окисла при этом ограничивается скоростью диффузии кислорода сквозь,-коэффициент параболической скорости окисления.
В противоположном случае начального роста и скорость окисления определяется скоростью химической реакции,- коэффициент линейной скорости окисления. Величиныиэкспоненциально зависят от температуры. Энергии активации и предэкспоненциальные множители приводятся в справочной части программ и подробно обсуждаются в литературе [9,10]. Эти коэффициенты в разумных пределах могут быть использованы в качестве подгоночных параметров для согласования модели с реальным технологическим процессом. С практической точки зрения рост тонких окисных пленок должен происходить достаточно медленно для достижения однородности их свойств и воспроизводимости параметров. Для этих целей используются разнообразные методы получения окисных пленок, которые включают окисление в сухом кислороде с добавлением и без добавления, комплексное окисление при различных температурах и составе окислительной атмосферы, окисление во влажном кислороде, окисление при пониженном давлении, а также окисление при повышенном давлении и низкой температуре. С понижением температуры и давления в окислительной атмосфере будет, конечно, понижаться и скорость окисления. Сверхтонкие окисные пленки (< 5 нм) формируют с помощью горячей азотной кислоты, путем кипячения в воде или за счет выдерживания на воздухе при комнатной температуре. Необходимые свойства должны быть достигнуты независимо от выбора метода окисления. При обсуждении методов, используемых для формирования тонких окисных пленок, и получаемых при окислении свойств этих пленок необходимо подчеркнуть, что на рост тонких окисных пленок оказывают влияние применяемые методы очистки поверхности и степень чистоты используемых газов. На рис. 38 приведен пример зависимости толщины тонких окисных пленок от времени окисления в сухом кислороде.
Рис.
38.
Зависимость толщины окисла от времени
окисления в сухом кислороде при различных
температурах