Атомдық жазықтықтардың дұрыс кезектесуінің бұзылуын сипаттайтын кристалдық тордың сызықтық ақауы.

— бұрандалы дислокация / screw dislocation — атомдық жазықтығы бұрандалы басқыш сипатына ие дислокация.

— шеткі дислокация / edge dislocation — атомдық жазықтықтың кристалл ішінен үзілуі түріндегі дислокация.

Дисперстік

Dispersibility, dispersion

Дисперстік жүйелердегі бөлшектер өлшемдерінің сипаттамасы. Дисперстік бөлшектің орташа диаметріне кері пропорционал және меншікті бетпен, яғни дисперстік фаза бөлшектерінің жалпы бетінің, оның бірлік көлеміне немесе массасына қатынасымен анықталады.

Диэле́ктрик

Dielectric, electric insulator, non-conductor (грек. dia – ден және ағыл.. electric)

Электр тогын нашар өткізетін зат (өткізгіштермен салыстырғанда).

До́нор

Donor

Жартылай өткізгіштер физикасында – кристалл торындағы өткізгіштік аймаққа электрондар беруге қабілетті қоспалы атом түріндегі ақау.

Кемтік

Electron hole, hole

Квазибөлшек (фермион). Өткізгішті электронмен қатар жартылай өткізгіштер, жартылай металдар және металдарды сипаттау үшін қолданылады. «Кемтік» термині бір-біріне жақын, бірақ негізінен әртүрлі мағынада қолданылады:

1. Көп электронды жүйенің қозған кванттық күйі; ол жалғыз электронды күйлердің біреуінің бостығымен сипатталанылады.

2. T=0К кездегі рұқсат етілген энергетикалық зонадағы теріс эффективті массасы бар еркін күй.

Кемтіктер жартылай өткізгіштердің элементар зарядына тең оң зарядқа ие. Энергиясы бойынша валенттік зонада орналасады. Аккемтіктер ацепторлық қоспаларды қосындылау нәтижесінде немесе сыртқы әсер арқылы пайда болуы мүмкін. Тиімді массасы және спинмен айрықшаланатын ауыр және жеңіл кемтіктер алқабы болады. Өткізгіштік алқапта электронмен кулондық әсерлесу кезінде экситон деп аталатын байланысқан күй түзіледі.

Изотроптық

Isotropy

Ортаның қандай да бір қасиетінің бағытқа тәуелсіздігі.

Булану

Evaporation, exhalation, vaporization

Заттың конденсирленген (қатты немесе сұйық) фазадан газ тәрізді (бу) күйге өтуі; бірінші текті фазалық ауысу. Қатты дененің булануы сублимация деп аталады, ал сұйық көлеміндегі булану процесі қайнау деп аталады. Әдетте булану деп температурасы қайнау температурасынан төмен сұйықтардың молекулаларының жылулық қозғалысының нәтижесінде оның еркін бетінде булардың пайда болу процесін атайды.

Кла́стер

Cluster (ағыл. cluster - шоқ, топ, үйір)

Бір-бірімен байланысқан және өзара жақын орналасқан көптеген атомдардан, молекулалардан, иондардан тұратын жүйе. Кластерлер ван-дер-ваальс молекулалары мен ультрадисперстік бөлшектер арасындағы орынды алады. «Кластер» түсінігі әлі нақты анықтамаға ие емес.

— бос орындық (вакансиялық) кластер / vacancy cluster — бос орындардың кездейсоқ соқтығысы нәтижесінде пайда болады және жаңа бос орындардың қосылуынан вакансиялық кеуектерге дейін өсе алады.

— магиялық кластер / magic islands — атомдардың мөлшері кейбір «магиялық» сандарға сәйкес келетін кластер. Ол реттелген периодтық құрылымды түзеді және тұрақтылығы жоғары болып келеді.

— түйінаралық кластер / interstitial cluster — кездейсоқ соқтығыстар нәтижесінде әдетте каскадтың ығысуының перифериялық учаскісінде краудиялық механизмі бойынша пайда болады.

— қоспалық элементтердің кластері / impurity element cluster, residual element cluster — қатты ерітіндінің ескіруі кезіндегі аса қанығуының ыдырауының бастапқы кезеңдерінде түзіледі.

— нанокластер / nanocluster — 1 – 10 нм өлшемдегі кластерлік түзілістер.

Тербеліс

Vibrations

Уақыт бойынша қайталанатын қозғалыстар немесе күйлер.

— ионды-дыбыстық тербеліс / ion-sound vibrations, ion acoustic oscillation — плазмада жиілікке тәуелсіз жылдамдықпен таралатын төмен жиілікті акустикалық қума толқындар.

— кристалдық тордың тербелісі / lattice oscillations — қатты дененің ішкі қозғалысының негізгі түрлерінің бірі. Қатты денені құрайтын бөлшектердің (атомдар немесе иондар) тепе-теңдік күйінің, кристалдық тор түйіндерінің, маңайындағы тербелісі.

Коэффициент

Coefficient, factor

Бір физикалық шаманың басқа физикалық шамаға тәуелділігін белгілеуге қолданылатын пропорционалдық критерий, белгі.

— деформация коэффициенті / strain coefficient — деформациялау кезінде өңделуші материалда пайда болатын негізгі геометриялық өлшемдерінің (ұзындығы, ені, биіктігі) салыстырмалы өзгерісін көрсететін шама.

— жұту коэффициенті / absorptance , absorption ratio, coefficient of absorption — берілген дененің жұтқан сәуле ағынының осы денеге түскен сәуле ағынына қатынасы; егер де түсетін жарық жиілігінің диапозоны енсіз болса, онда жұтудың монохроматты коэффициенті немесе дененің жұту қабілеті жайында айтылады.

— Пуассон коэффициенті / Poisson`s ratio — материалдың пропорционалдық шегінен төмен осьтік кернеудің біркелкі таралуы шартындағы көлденең деформацияның оған сәйкес келетін бойлық деформацияға қатынасының абсолют шамасы.

— температураөткізгіштік коэффициенті / thermal diffusivity — жылуөткізгіштік коэффициентінің зат тығыздығының оның меншікті изобаралық жылусыйымдылығына көбейтіндісінің қатынасына тең, тұрақтысыз жылулық процесс кезіндегі заттардағы температура өзгерісі жылдамдығының сипаттамасы.

— жылуөткізгіштік коэффициенті / coefficient of heat conductivity , coefficient of thermal conductivity — жылулық ағын тығыздығы мен оны тудырған заттағы температура градиенті аралығындағы пропорционалдық коэффициент.

Кристалл (кристалдар)

Crystal (гр. krystallos, бастапқы мағынасы — мұз)

Үш өлшемді периодтық атомдық құрылысымен, атомдардың орналасуындағы қашық реттілігімен, және де тепе-теңдік шарттарда түзілгенде дұрыс симметриялық көпжақтардың табиғи формасына ие болуымен ерекшеленетін қатты денелер.

— квазикристалл / quasicrystal — кристалдық торды құрамайтын атомдардан тұратын, бірақ түсуші сәулені когерентті шашырату қабілетінен байқалатын алыс координациялық реттілікке ие қатты дене.

— идеал кристалл / perfect crystal — құрамында қоспасы және құрылымдық ақаулары (вакансия, түйінаралық атомдар, дислокация және т.б.) болмайтын шексіз монокристалдан тұратын физикалық модель.

— иондық кристалдар / ionic crystal — атомаралық байланысы иондық (электростатикалық) сипаттағы кристалдар; олар бір атомды, немесе көп атомды иондардан тұруы мүмкін.

— молекулалық кристалдар / molecular crystal — бір-бірімен әлсіз ван-дер-ваальс күштерімен немесе сутектік байланыстармен байланысқан молекулалардан тұратын кристалдар.

— жіп тәрізді кристалдар / whisker, filamentary crystal — бір бағыттағы өлшемдері басқа бағыттарға қарағанда әлдеқайда үлкен болытан монокристалдар.

— паракристалл / paracrystal — араласа орналасқан кристалдық және аморфтық облыстары бар молекулалық кристалл.

— — поликристалл / polycrystal — кейде дұрыс емес формасы үшін кристалиттер немесе кристалдық дәндер деп аталатын, қандай да бір заттың ұсақ кристалдарының агрегаты. Көптеген табиғи және жасанды материалдар (минералдар, металдар, қорытпалар, керамикалар және т.б.) поликристалдар болып келеді.

Микроско́п

Microscope

Объектінің үлкейтілген бейнесін алуға арналған құрал.

— атомды-күштік микроскоп / atomic-force microscope – кантилевер инелерінің (зондының) зерттелетін үлгі бетімен әркеттесуіне негізделген, ажырату қабілеті жоғары, сканерлеуші зондылы микроскоп. Көбінесе бұл әрекеттесуді Ван-дер-Ваальс күшінің есебінен кантилевердің беттен тебілуі немесе оған тартылуы деп түсінеміз. Бірақ туннельді және арнайы кантилеверлермен беттің электрлік және магниттік қасиеттерін зерттеуге болады. Сканерлеуші туннельді микроскоптан ерекшелігі мұнымен өткізгіш беттерді де және өткізбейтін беттерді де, тіпті сұйық қабаты арқылы да зерттеуге болады. Бұл органикалық молекулалармен жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Атомдық-күштік микроскоптың кеңістіктегі ажыратқыштығы кантилевердің өлшеміне және оның ұшының қисықтығына байланысты. Ажыратқыштық горизонталь бағытта атомдық өлшемге және вертикаль бағытта одан жоғары болады.

— иондық микроскоп / ion microscope – бейне алу үшін термоионды немесе газды разрядты иондық көзбен жасалынатын иондық шоқ қолданылатын электронды оптикалық құрал.

— ионды өрістік микроскоп / field-ion microscope – қатты дене бетінің бірнеше миллион есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз ионды-оптикалық құрал.

— электронды өрістік микроскоп / field-electron microscope  – қатты дене бетінің 10 – 10 есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз электронды оптикалық құрал.

— электронмен жарықтандырылатын микроскоп / transmission electron microscope – зерттелетін объектіні жарықтандыру үшін үдетілген электрондар шоғыры қолданылатын микроскоп.

— растрлы микроскоп(сканерлеуші) / scanning microscope – орналасу қалыбы (сканерлеу) электромагнитті өрістің көмегімен басқарылатын, қызметі алдын ала қалыптастырылған жұқа электрондық сәулені қолдануға негізделген, электронды микроскоп. Электрон шоқтарының әсерінен берілген материалға және оның құрылысына тән бірнеше процестер жүзеге асады. Оларға бірінші ретті электрондардың шашырауы, екінші ретті электрондардың шығарылуы (эмиссиясы), объект арқылы өтіп кеткен электрондардың пайда болуы, рентген сәулелерінің пайда болуы жатады. Бірқатар арнайы жағдайларда (люминесценцияланушы материалдарда, жарылай өткізгіштерде) жарықтың сәулеленуі болады. Объектіден шығатын электрондарды, сонымен қатар сәулеленудің басқа түрлерін (рентгендік, жарықтық) тіркеу зерттелетін объекті микроучаскілерінің әр түрлі қасиеттері туралы мәлімет береді. Электронды зондтың ашылуымен синхронды түрде үлкен кинескоптың сәулесі ашылады.

— растрлы микроскоп (туннельді) / scanning tunnel microscope — z арақашықтығы шамамен 0,1 нм болатын өткізгіш беті мен металл ұшының арасындағы(олардың арасындағы потенциалдар айырымы шамамен 1 В) туннельді токтың туындауына негізделген электронды микроскоп. Токты тұрақты етіп ұстап тұрып және ұшты бет бойымен қозғалтқан кезде (сканерлегенде) z-тің өзгеруі есебінен атом және молекула өшемдеріне дейінгі дәлдіктегі өткізгіш бетінің рельефін алуға болады, яғни беттің атомдық құрылысын, жеке молекулалардың құрылысын, адсорбцияны, беттік химиялық процестерді және басқа да қасиеттерді зерттеуге болады.

Монокристалл

Monocrystal

Бүкіл көлемі бойынша бір ғана кристалдық торға ие болатын кристалдық дене Нанотехнологиялар

Nanotechnologies

Ең болмағанда бір бағытта өлшемі 1 мкм-ден кем болатын қатты денелі түзілістерді алу , зерттеу және қолдану технологиясы. Қатты дене бетіне субмикронды қаптамаларды жағудың плазмалық, вакуумдық және т.с.с әдістері де негізінен нанотехнологияға жатады.

Кристаллографиялық бағыт.

Crystallographic direction

Кристалдық тор түйіндері арқылы жүргізілген түзудің бағыты.

Кристаллографиялық бағдарлану

Crystallographic orientation

Кристалл торының немесе дәнінің кристаллографиялық осьтерінің сыртқы координаталық осьтерге не басқа кристалдардың немесе дәндердің остеріне қатысты орналасуы. Френкель жұбы (Френкель ақауы)

Frenkel defect

Түйінаралық атом мен вакансиядан тұратын кристалдық тор құрылымының ақауы. Кристалды қыздырғанда немесе тордағы атомның ығысуына жеткілікті энергия бере алатын бөлшектермен сәулелендіргенде пайда болады.

Электронды-кемтіктік жұп

Electron-hole pair

Жартылай өткізгіштерде өткізгіштік электроны мен кемтіктің байланысқан күйі (Ванье—От экситоны).

Бет

Surface

Фазалардың бөліну шекарасы. Ол сыртқы және ішкі болуы мүмкін. Қатты денелердің қасиеттері беттің күйіне тәуелді болады. Сәуленің түсуінің, плазманың, қоспаның және т.б. әсерінен едәуір өзгерістерге ұшырауы мүмкін. Сондықтан радиациялық және плазмалық технологияларда бұған үлкен мән беріледі.

— Ферми беткейі / Fermi surface — металлдың квазиимпульстар кеңістігіндегі Т=0 кезінде электрондары жоқ электронды күй облысы мен толық толған облысын бөліп тұратын изоэнергетикалық бет. Ферми энергиясына ие электрондар Ферми бетінде орналасқан.

Заряд тасығыштардың қозғалғыштығы

Carrier mobility, charge carrier mobility

Электр өрісінен туған зарядтар тасығыштардың бағытталған қозғалысы орташа жылдамдығының осы өрісінің кернеулігіне қатынасы.

Жартылай өткізгіштер

Semiconductors

Электронды өткізгіштікке ие заттар. Меншікті электрөткізгіштігі бойынша жақсы өткізгіштер (металдар) мен диэлектриктердің арасында орналасқан. Еркін заряд тасымалдағыштардың концентрациясы атомдар концентрациясына қарағанда едәуір төмен. Жартылай өткізгіштердің негізгі ерекшелігі – температураның артуымен меншікті электр өткізгіштігінің күрт артуы. Кристалды, аморфты, сонымен қатар сұйық заттар да жартылай өткізгіштер болуы мүмкін. Олар сыртқы жағдайларға өте сезімтал (қыздыру, сәулелендіру және т.б.).

Серпімділік шегі

Elastic limit

Материалға түсіргенде пластикалық деформация туындамайтын максимал кернеу. Материалға пластикалық немесе қайтымсыз деформация тудыруға жеткілікті кернеу түсіргенде сол материал серпімділік шегінен асып түседі.

Өткізгіш

Conductor, current conductors

Электр өткізгіштігі өте жоғары зат.

— екінші текті өткізгіш / electrolytic conductor, ionic conductor, second class conductor — электр тогының өтуі химиялық процестермен қабаттаса жүретін және ондағы электр тогы оң және теріс иондардың қозғалысымен сипатталатын өткізгіш.

— екі өлшемді өткізгіш / two-dimensional conductor — жасанды түрде жасалған, екі нашар өткізетін орталардың, мысалы, вакуум – диэлектрик, жартылай өткізгіш – диэлектрик, жанасу шекарасындағы электр өткізгіш жүйе.

— бірінші текті өткізгіш / electronic conductorfirst class conductor — электр тогының өтуі химиялық процестермен қабаттаса жүрмейтін және ондағы электр тогы электрондардың қозғалысымен сипатталатын өткізгіш.

— супер ионды өткізгіш / ionic conductor — супер ионды өткізгіштікке ие өткізгіш.

— асқын өткізгіш / superconductor — асқын өткізгіштік құбылысы байқалатын зат. Рентгенография.

Radiographic imaging, X-ray imaging, X-ray investigation, X-ray photography, photoradiography

Рентген сәулесінің дифракциясын зерттеуге негізделген, кристалл және аморф заттардың құрылымын зерттеу әдістерінің жиынтығы. Рентгенографияды негізінен сипаттаушы рентгендік сәуле қолданылады(қараңыз Рентгендік спектроскопия); дифракциялық бейнесі не фотоәдістің, яғни рентгендік пленканың(рентгенограмманың), не дифрактометрлік әдіспен – иондаушы сәуле тіркегіштердің(дифрактограмманың) көмегімен тіркеледі.

Кристаллдық тор

Сrystal lattice

Үш өлшемде де периодтық қайталанғыштығымен сипатталатын, кристалдарға тән бөлшектердің(атомдардың, олардың ядроларының, иондардың, молекулалардың, электрондардың) қалыпты орналасуы.

Жоғары құрылым

Superlattice structure, superstructure

1.Аралық фазалардың кристаллдық құрылымы. Оған компоненттерінің атомдары бір-біріне енгізіліп торастыларда орналасу тән. «Жоғары құрылым» термині қатты ерітінділердің реттелген құрылымын сипаттау үшін енгізілген. Сонымен қатар, кез келген температурада реттеліп орналасатын және ретсіз құрылымы жоқ фазалардың кристаллдық құрылымын сипаттау үшін қолданылады.

2. Орын басу қатты ерітінділеріндегі әр текті атомдардың орналасуына алыс реттілік сәйкес келетін түзіліс. Қорытпалардың реттелу процесі нәтижесінде түзіледі.

Иондаушы сәулелердің әсер етуі кейде жоғары құрылымдардың түзілуін елеулі түрде қуаттайды.

Атомаралық байланыс (молекулааралық)

Bond Атомдардың (молекулалардың, радикалдардың) өзара тартылу немесе тебілу құбылысы.

— сутегілік байланыс / hidrogen bond — атомаралық байланыстың ковалентті химиялық байланыс пен валентсіз атомаралық өзара байланыс арасындағы аралық түрі. Молекулалар немесе молекулалар атомдарының арасында орналасқан сутегі атомының қатысуымен іске асатын байланыс түрі.

— донорлы- акцепторлы байланыс / donor-acceptor bond — бір атомның электроны (донор) мен басқа атомның бос энергия деңгейі (акцептор) жұбының есебінен жүзеге асатын химиялық байланыс.

— ионды байланыс (электровалентті, гетеровалентті) / ionic bond — қарама-қарсы зарядталған иондар арасындағы электростатикалық өзара әсерлесуге негізделген химиялық байланыстың бір түрі. Оған валентті электрондардың бір атомнан екіншісіне ауысу(оң және теріс иондардың түзілуі) және олардың арасындағы электростатикалық(кулондық) әсерлесу тән. Металлдардың бейметаллдар арасындағы байланысқа, мысалы, NaCl молекуласына және ас тұзы кристаллына тән.

— ковалентті байланыс (гомеополярлы)/ covalent bond — өзара әсерлесуші атомдардың сыртқы электрондарының ұжымдануымен ерекшеленетін химиялық байланыс. Қарапайым газдарға(мысалы, H₂), қосылыстарға(H₂O), органикалық молекулаларға тән.

• Координациялық байланыс/ coordination bonding — қараңыз: донорлы- акцепторлы байланыс.

— металлдық байланыс / metallic bonding — металлдардағы электронды газ бен кристалл торының оң зарядталған иондарының өзара әсерлесуіне негізделген химиялық байланыс. Металлдық байланыстың идеал моделі өткізгіштік аймақ деп аталатын металл электрондарымен түгелімен толтырылмаған энергиялық деңгейлер аймақтарының түзілуіне(қараңыз қатты дене) сәйкес келеді. Металлдық байланысты тек кванттық механика негізінде ғана сандық түрде бағалауға болады, ал оның түзілуін сапалық түрде коваленттік байланыс туралы көзқарас негізінде ғана түсінуге болады.

— химиялық байланыс / chemical bond (binding) — молекулалар мен кристаллдардың түзілуіне әкелетін атомдардың өзара тартылысы.

Шынытәрізді күй

Glassy state, vitrescence

Қатты салқындатылған ерітіндінің қатуы кезінде түзілетін заттың(қатты дененің) аморфты күйі. Мысалы, қатты дене бетінің қуатты импульсті ионды шоқтың әсерінен кейінгі өте жылдам салқындауы кезінде орын алады.

Құрылым

Structure

Кристаллдарда - қарапайым ұяшықтардың формасы мен өлшемі, қарапайым ұяшық көлеміндегі барлық атомдардың орналасу реті. Микроқұрылымдарда - фазалардың өлшемі, формасы және орналасуы.

— кристаллдық құрылым / crystalline structure — кристаллдағы атомдардың, иондардың, молекулалардың өзара орналасуы..

— субдәндік құрылым (субшекаралық) / sub-boundary structure (subgrain structure) — негізінен микроқұрылымдардың негізгі дәндер арасындағы бағдарсыз азбұрышты шекаралар торы. Орташа дән өлшемінен тым аз өлшемге ие.

Қатты дене

Solid

Формасының тұрақтылығымен және тепе-теңдік күйінің айналасында кішкене тербеліс жасайтын атомдарының жылулық қозғалысымен сипатталатын заттың агрегаттық күйі.

Жылусыйымдылық

Heat capacity

Денені 1 градусқа қыздыруға қажетті жылу мөлшері; дәлірек айтсақ — дене температурасын шексіз аз шамаға өзгерткенде осы дене жұтқан жылу мөлшерінің температураның осы өзгерісіне қатынасы. Бірлік массалы заттың жылусыйымдылығы меншікті жылусыйымдылық, ал 1 моль заттікі — молярлы жылусыйымдылық деп аталады. Жылу сыйымдылығының өлшем бірлігі ретінде Дж/ (кг∙К), Дж/ (моль∙К), Дж/ (м ∙К) қолданылады, ал жүйелік емес бірлігі кал/ (моль∙К).

— Ұзару

Elongation, extension, enlargement

Бірості созу жағдайында үзілуден кейінгі материалдың пластикалық деформациясының шамасы.

— салыстырмалы ұзару / tensile strain, percent elongation, elongation — дененің созу кезіндегі сызықтық өзгерісінің оның бастапқы мәніне қатынасы.Материалдың беріктелуі

Hardening

Материалдың сыртқы жүктеме әсерінен туындайтын пластикалық деформация мен қирау процесіне қарсы тұру қабілетінің артуы.

— лазерлік беріктендіру / laser hardening — бетті жылдам қыздыру мақссатында лазер қолданылатын бетті беріктеу процесі.

• Плазмалық беріктендіру / plasma hardening бетті жылдам қыздыру мақссатында плазма қолданылатын бетті беріктеу процесі.

Серпімділік

Elasticity; pressure, tension

Дененің жүктеме әсерінен формасы мен өлшемдерін өзгерту және сыртқы әсерлер тоқтаған кезде өзінің бастапқы пішінін өздігінен қалпына келтіру қасиеті.

Формфа́ктор

Shape factor

Атом ядросының ішіндегі немесе элементар бөлшектегі электр заряды немесе магнит моментінің кеңістіктік таралуын сипаттайтын функция.

— атомдық формфактор / atomic shape factor — элементар ұяшықтағы атомның ыдырату қасиетін сипаттайды.

Фуллере́ндер

Нанометрлік диаметрлердегі сфералық көміртекті молекулалар.

— интеркольденген фуллерендер / endohedral — ішінде атомдар орналастырылған фуллерендер.

Эксито́н

Exciton (гр. Excito — қоздыру)

Кристалл бойымен қозғалатын, бірақ электр заряды және масса тасымалдаумен байланысты емес электрондық қозу түріндегі жартылай өткізгіштегі немесе диэлектриктегі квазибөлшек. Экситон түсінігін 1931 жылы Я.И.Френкель енгізген. Ол диэлектриктердегі жарықты жұту кезіндегі фотоөткізгіштіктің жоқтығын жұтылған энергияның ток тасымалдаушыларды туындатуға емес, экситонның туындауына кететіндігімен түсіндірді. Экситон молекулалық кристалдарда жеке молекуланың электрондық жүйесінің молекула аралық әсерлесу нәтижесінде кристалда толқын түрінде таралатын элементарлы қозуын бейнелейді (Френкель экситоны). Жартылай өткізгіштерде экситон өткізгіштік электроны мен кемтіктің сутегі тәрізді байланыс күйін түрінде болады (Ванье-Мотт экситоны).