1. Типы нелинейных резистивных радиоэлементов. Условное обозначение(Хоменко)

Э лектронными называют приборы, основанные на использовании явлений электр. тока в высоком вакууме. Движение большинства носителей тока – свободных электронов – между электродами происходит без столкновений с молекулами газа. Это электронные лампы, ЭЛТ, электронные свч приборы – клистроны. На рисунке изображен диод. Катод прямого накала, имеет два вывода, анод – один вывод, подогревный катод три вывода для накала нужен источник низкого напряжения. Ток накала нагревает катод, и электроны вследствие термоэмиссии выходят в вакуум. Чтобы направить электроны к аноду, нужно между А и К электр поле, направленное от А к К. минус к катоду, + к аноду. Триод отличается тем, что между К и А помещена сетка. Посредством малого изменения напряжения между С и К можно вызвать значительное изменение потока е между А и К. расположена ближе к К, и частично экранирует его от поля А.

Б Т. П/п транзистор состоит из трёх слоёв, разделённых двумя переходами. В германиевый тр-ре два крайних слоя имеют р-проводимость, а внутр. слой n-проводимость(р-n-р). Кремниевые тр-ры чаще бывают n-р-n типа. Принцип действия обоих типов одинаковый, различие лишь в выборе полярности источников электроэнергии. Один их крайних слоёв соединяется с источником в проводящем направлении. Этот слой используется при работе в качестве основного источника тока и наз эмиттером. Средний слой наз. базой. Через этот слой носители тока проникают во второй переход и поступают в слой коллектора. Направление тока в р-n-р через эмиттер в базу, а n-р-n из базы в эмиттер. Посредством тока в цепи эмиттера осуществляется управление током в цепи коллектора. В цепи эмиттера батарея смещения Еэ включена в проводящем направлении эмиттерного перехода р-n; в цепи коллектора батарея Ек включается в обратном направлении коллекторного перехода р-n. Пока цепь эмиттера разомкнута, сила тока Iко в цепи колл очень мала, так как велико обратное сопротивление перехода. Для создания тока в цепи эмит достаточно небольшой ЭДС. Появление тока в цепи эмит вызывает изменение сопротивления колл перехода, поэтому в цепи колл возникает ток Iк, примерно равный по силе току Iэ. Изменения силы тока Iэ вызывают пропорциональные изменения силы тока Iк.

ПТ. В полевом тр-ре ток создают основные носители заряда под действием продольного электр поля, а управление величиной тока осущ поперечным электр полем, кот создается напряжением, приложенным к управляющему электроду. Существует 2 группы:

1) полевые тр-ры с р-n переходами (канальные, или униполярные)

2) полевые тр-ры с изолир затвором (МДП- или МОП тр-ры)

Источник Ези создаёт отрицательное напряжение на затворе, что приводит к увеличению толщины р-n перехода и уменьшению токопроводящего сечения канала. С уменьшением сечения снижается ток Iс. Уменьшение напряжения на затворе вызвает уменьшение сопротивления канала и увеличение тока Iс.

М ДП. Основой прибора служит пластинка монокристаллического кремния. Области истока и стока предст собой участки кремния, сильно легированного примесью n-типа. Затвором служит металлическая пластинка, изолированная от канала слоем диэлектрика. В зависимости от полярности напряжения, приложенного к затвору отн истока, канал может обедняться или обогащаться носителями заряда. При отрицательном напряжении на затворе электроны проводимости выталкиваются из области канала в объём полупроводника подложки. При этом канал обедняется носителями заряда, что ведёт к уменьшению тока в канале. Положительное напряжение на затворе способствует втягиванию электронов проводимости из подложки в канал. В этом режиме (режиме обогащения) ток канала растёт. Т.о. транзистор с изолированным затвором может работать с нулевым, отрицат или положит напряжением на затворе.