
- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
Принцип действия выпрямительных диодов основан на свойстве односторонней электропроводности р-п перехода. Если к диоду подвести переменное напряжение (рис. 1.15), то в течение одного полупериода, когда на аноде положительная полуволна, на р-п переходе действует прямое напряжение. При этом сопротивление диода мало; через него протекает большой прямой ток. В следующий полупериод полярность напряжения на диоде меняется на обратную. Его сопротивление значительно увеличивается; через него проходит очень малый обратный ток. Нагрузку
Рис. 1.15. Применение диода для
выпрямления переменного тока
/?н включают в цепь источника питания последовательно с диодом. Практически ток через нагрузку проходит только в одном направлении, поскольку обратным током по сравнению с прямым можно пренебречь. Таким образом происходит выпрямление, т. е. преобразование переменного тока в постоянный по направлению (пульсирующий).
Схема выпрямления с одним диодом, в которой ток проходит через нагрузку в течение половины периода, является простейшей. На практике применяют более сложные схемы.
Вольт-амперная характеристика диода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения. Ее вид определяется вольт-ампер ной характеристикой р-п перехода (см. рис. 1.11). Реальные характеристики отличаются от идеальных из-за влияния различных факторов. Вольт- амперная характеристика диода, как и р-п перехода, имеет две ветви: прямую и обратную.
Схема для снятия вольт-амперной характеристики диода приведена на рис. 1.16. При снятии прямой ветви в схему включаются миллиамперметр для измерения прямого тока и вольтметр, позволяющий измерить доли вольта. Для получения обратной ветви необходимо изменить полярность подаваемого напряжения, включить микроамперметр, измеряющий обратный ток, и вольтметр со шкалой на десятки и сотни вольт.
На рис. 1.17 представлены реальные вольт-амперные характеристики германиевого и кремниевого диода. В области очень малых прямых напряжений, пока не скомпенсирован потенци
альный барьер, ток настолько еще мал и так медленно растет, что его не показывает миллиамперметр в схеме для снятия характеристик и его невозможно отложить на графике в масштабе, выбираемом для построения прямой ветви. Поэтому реальная характеристика в прямом направлении начинается не из 0, а при некотором напряжении, называемом пороговым. Пороговое напряжение LLp составляет десятые доли вольта; для кремниевого диода оно больше, чем для германиевого; с повышением температуры пороговое напряжение уменьшается. Абсолютная величина сдвига прямой ветви характеристики кремниевых диодов при изменении температуры меньше, чем у германиевых.
(тА)
I
♦
мТ,
V
Ge
«Л
Т
о II •
Ge
^
1
пр •
400
/
b20lL+
20°С
300
-
1
Рв0Ч
П
/L+125°C
200
1
7
100
-
1
//
.В
800 400
1 1 3
V
.J/
'обр
Jo'
Jl /
0.5 1.0 U np,
В
r
-50
Si
S^/^eo'c
-too
•'обр.мкА
Рис. 1.16. Схема для снятия вольт-амперной характеристики диода
Рис. 1.17. Реальные вольт-амперные характеристики германиевого (Ge) и кремниевого (Si) диодов при разной температуре
Обратные ветви характеристик кремниевого и германиевого диодов сильно отличаются от теоретических характеристик р-п перехода и друг от друга. Это объясняется тем, что величина обратного тока в реальных условиях определяется не только тепловым током, но также током утечки по кристаллу и другими факторами. Ток утечки зависит от обратного напряжения и почти не зависит от температуры, а тепловой ток, наоборот, зависит только от температуры. У германиевых диодов обратный ток определяется главным образом тепловым током, поэтому он сильно растет с повышением температуры и мало зависит от UoбР. При данной температуре 1обр только на начальном от 0 участке резко возрастает; как было сказано, это происходит из-за уменьшения тока диффузии основных носителей заряда, протекавшего при прямом напряжении. У кремниевых диодов величина /0бр определяется током утечки, так как тепловой ток значительно меньше. Поэтому с увеличением иобР у них равномерно растет /0бр, начиная с нуля.
С повышением температуры у германиевых диодов пробивное напряжение резко падает, а у кремниевых немного увеличивается.
Основными параметрами выпрямительных диодов являются: прямое напряжение Unp — значение постоянного напряжения на диоде при заданном прямом токе;
обратный ток /0бР — значение постоянного тока, протекающего через диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении;
сопротивление диода в прямом направлении
оно составляет единицы и десятки ом;
сопротивление диода в обратном направлении
Г) U обр .
*\Обр ш t
* обр
оно составляет единицы мегаом;
дифференциальное сопротивление диода гДИф — отношение приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока
— ML
Гдиф — д/ •
Прямое и обратное сопротивления — это сопротивления в данной точке характеристики при постоянном токе соответствующего направления; дифференциальное сопротивление—это сопротивление при переменном токе; оно определяет наклон касательной, проведенной в данной точке вольт-амперной характеристики к оси абсцисс.
При эксплуатации диодов в выпрямителях важное значение имеют предельно допустимые режимы их использования, характеризующиеся соответствующими параметрами. В целях обеспечения длительной и надежной работы диодов нельзя превышать ни при каких условиях:
максимально допустимое обратное напряжение Uo6p.MaKC, которое определяется с запасом как 0,7—0,8 U„pоб;
максимально допустимую мощность, рассеиваемую диодом, —
Р
гмакс у
максимально допустимый постоянный прямой ток /пр.макс; диапазон рабочей температуры.
Германиевые диоды работают в диапазоне температур от —60 до плюс 70—80 °С, кремниевые — до плюс 120—160 °С; допустимая плотность прямого тока для германиевых диодов
20—40 А/см2, для кремниевых 60—80 А/см2; для германиевых диодов допустимы обратные напряжения до 500—600 В, для кремниевых — до 2000—3500 В; падение напряжения на германиевом диоде при прохождении прямого тока составляет 0,3— 0,6 В, а на кремниевом —0,8—1,2 В.
Сравнивая свойства германиевых и кремниевых диодов, можно отметить, что кремниевые диоды имеют на несколько порядков меньший обратный ток, допускают гораздо большие обратные напряжения и плотности прямого тока, могут быть использованы при более высоких температурах. Поэтому выпрямительные диоды изготовляют главным образом из кремния, хотя падение напряжения на кремниевом диоде при прямом токе больше, чем на германиевом.