36. Структурная организация полупроводниковых зу.
По способу реализации различают статические и динамические запоминающие элементы.
В статических ЗЭ информация
может храниться неограниченно долго
при наличии напряжения питания.
Статический ЗЭ реализуют в виде триггера
с двумя устойчивыми состояниями. 
Запоминающий элемент обеспечивает хранение одного бита информации. Для построения
запоминающего устройства большей разрядности используют совокупность ЗЭ, адресные и управляющие входы которых (выборка и управление) объединены. Для получения требуемой емкости ЗУ необходимо использовать несколько банков памяти меньшей емкости. ОЗУ чаще всего строят по блочному принципу, т.е. с использованием нескольких банков. При использовании N банков памяти адрес Аслова ОП преобразуют в пару (n, a), где n – номер банка, а – адрес ячейки внутри банка. Существуют три основные схемы распределения адресных разрядов между n и a.
Схема расслоения памяти (циклическая)
Используется чередование адресов между банками памяти. Чередование обеспечивают за счет циклического разбиения адреса. n= Amod N, a= Adiv N
Временные диаграммы работы микросхем памяти DRAM
37. Полупроводниковые зу. Способы повышения емкости.
Полупроводниковые ЗУ в настоящее время представляют собой большой класс запоминающих устройств, различных по своим функциональным и техническим характеристикам, широко используемых в качестве внутренних ЗУ ЭВМ. Но этим их использование не ограничивается. Подавляющее большинство электронной и бытовой техники переходит на цифровые методы представления данных (не только текстовых, но и аудио, графических и видео) и управления (использование микроконтроллеров).Различные сферы применения накладывают свои особенности на реализацию полупроводниковых ЗУ, однако это чаще касается их конструктивных особенностей, а принципы построения одинаковы.Высокое быстродействие полупроводниковых ЗУ обусловливает то, что большинство из них имеет организацию с произвольным доступом. Хотя такие ЗУ, как флэш-память и ЗУ с переносом зарядов (используемые, например, в фото- и видеокамерах), организованы несколько иначе.Это же высокое быстродействие определяет и основные области применения полупроводниковых ЗУ в ЭВМ: кэш-память и оперативная память.
Причем надо отметить, что термин “ЗУ с произвольным доступом” (Random Access Memory – RAM) не соответствует в точности термину “оперативная память”, поскольку первый из них указывает на способ доступа, а второй – на функциональное назначение. И действительно, кэш-память и постоянные ЗУ также являются ЗУ с произвольным доступом. Однако, в соответствии с принятой в русскоязычной литературе терминологией, термин “оперативные ЗУ” ниже иногда используется как синоним ЗУ с произвольным доступом.
Основные виды полупроводниковых ЗУ: статическая и динамическая память с произвольным доступом, постоянная и флэш-память, а также другие виды памяти.
Параметры оценки быстродействия DRAM
tСAS – минимальное время от перепада сигнала СAS (1 ® 0) до момента появления считанных данных на выходе ИС памяти (tСAS » 15 нс);
tPС – минимальное время от начала доступа к одному столбцу микросхемы до момента доступа к следующему столбцу (tPС » 35 нс);
Способы повышения быстродействия ИС памяти
EDO (Extended Data Output – растянутый выход данных). В микросхеме EDO-памяти на выходе установлен буфер-защелка, фиксирующий данные после их извлечения из матрицы памяти при подъеме сигнала CAS и удерживающий их на выходе до
следующего его спада. Это позволило сократить длительность сигнала CAS и соответственно цикл памяти.
Способы повышения быстродействия ИС памяти DDR SDRAM, обеспечивающая двойную скорость передачи данных (DDR – Double или Dual Data Rate), в которой за один такт осуществляются две передачи данных – по
переднему и заднему фронтам каждого синхроимпульса.