- •Роль физико-химических процессов в технологии и конструировании электронных средств.
- •Основные термодинамические понятия.
- •Законы термодинамики.
- •Энтропия.
- •Условия равновесия термодинамических систем. Правило фаз.
- •Диаграммы состояния различных систем и их роль при проектировании технологических процессов.
- •Однокомпонентные системы.
- •Объемные диаграммы состояния.
- •Многокомпонентные системы.
- •Основные типы диаграмм равновесия бинарных систем.
- •Статистический характер второго закона термодинамики.
- •Характеристические функции и термодинамические потенциалы системы.
- •Явления и процессы на поверхности раздела двух фаз. Адсорбция физическая и химическая.
- •Термодинамическое равновесие поверхностного слоя с объемными фазами.
- •Растворы и их применение в технологии эс.
- •Виды химической связи между атомами. Равновесное состояние системы атомов. Основные свойства материалов, определяемые особенностями химической связи.
- •Металлическая связь:
- •Молекулярная связь:
- •Пространственное расположение частиц при образовании кристалла.
- •Кристаллические решётки. Типы симметрии и виды решёток. Индексы Миллера.
- •Структура жидкости.
- •Структура полимеров.
- •Жидкие кристаллы.
- •Образование и структура пленок.
- •2. Ионно-плазменное распыление:
- •3. Электрохимическое осаждение:
- •Получение тонких пленок на ориентирующих подложках (эпитаксия).
- •Особенности структуры пленок. Влияние физико-химических факторов на структуру и свойства пленок.
- •Влияние физико-химических факторов на свойства пленок.
- •Закономерности и механизмы диффузии в полупроводниковых и планарных структурах.
- •Диффузия в твердых телах. Механизмы диффузии.
- •Законы диффузии Фика.
- •Использование диффузии для введения примеси в полупроводниковые кристаллы. Диффузия из ограниченного и неограниченного источника.
- •Физические основы ионной имплантации.
Структура жидкости.
В газах расстояние между частицами велики и частицы свободны. Взаимодействие сводится к случайным столкновениям.
В жидкостях расстояния уменьшаются, силы взаимодействия растут. Каждая частица размещается в ячейке образованной другими частицами и совершает беспорядочные колебания около временного положения равновесия.
Пусть - период колебания частицы в жидкости около временного положения равновесия; U – высота потенциального барьера; А – вероятность преодоления потенциального барьера и перехода в новое положение равновесия.
Число подходов к барьеру частицы в единицу времени:
Число возможных переходов частицы из одного равновесного состояния в другое в единицу времени:
Среднее время оседлой жизни молекулы: .
Для простых жидкостей .
В жидкости частицы блуждают по объему этим обусловлено свойство жидкости – текучесть.
П ри постепенном снижении температуры и достижении температуры кристаллизации жидкость переходит в кристаллическое состояние. В процессе кристаллизации выделяется скрытая теплота плавления, и кристаллизация идет при постоянной температуре.
Если жидкость представляет собой молекулы полимеров процесс отвердения идет отлично от первого процесса. Отвердение происходит по второму графику (Т стеклования). Длинные цепочки молекул в жидкой фазе переплетаются между собой и при температуре стеклования этот факт тормозит переход из жидкой фазы в твердую.
Структура полимеров.
Полиэтилен – остов состоит из атомов углерода, обрамление из атомов водорода.
n – число звеньев в цепи (степень полимеризации).
Если n – мало, то полимер называют – олигомер, если n – высоко, то полимер называют высокополимер. n – колеблется от 1 до .
Существует ряд полимеров, у которых обрамление оформляется из H, F, Cl, OH, COOH, . Полимеры в электронике применяются для обеспечения виброударозащиты, герметизации.
С труктуры молекул полимеров: линейные, разветвлённые и сетчатые.
линейная
разветвленная
сетчатая
Введение поперечных сшивок дает возможность создавать полимеры с заданным КТР и тем самым обеспечивать согласование между элементами конструкции и герметизирующим (виброизолирующим) материалом.
Жидкие кристаллы.
В 1888 году Рейнитцер синтезировал новый материал, который назвал – холестерил бензоат. При этот материал перешел из твердой фазы в жидкую, при жидкость просветлела. Фаза, когда получилась мутная жидкость, была названа – мезофазой. В этой фазе жидкость обладает свойством поляризации, скорость распространения света зависит от направления, а это свойство кристалла.
Жидкие кристаллы – это органические вещества, имеющие удлиненную форму молекул. При нагревании они переходят в жидкую фазу не сразу, а через мезофазу.
Молекулы представляют собой стержни
Такие молекулы располагаются упорядоченно, расположение обеспечивается слабыми дальнодействующими силами.
Жидкие кристаллы легко реагируют на воздействие всех внешних факторов:
воздействие температуры;
механические воздействия;
воздействия электромагнитных полей;
воздействие радиации;
содержание вредных веществ.
Реакция на эти воздействия является изменение оптических свойств жидких кристаллов.
Вместе с тем для жидких кристаллов характерны свойства присущие кристаллам:
ориентационный порядок;
анизотропия магнитных, диэлектрических, оптических свойств.
Жидкости, твердые кристаллы и жидкие кристаллы отличаются по степеням свободы молекул: в жидкостях молекулы подвижны в трех измерениях и могут вращаться вокруг трех взаимно-перпендикулярных осей. В твердых кристаллах молекулы фиксированы и вращения невозможны. В жидких кристаллах молекулы подвижны в трех измерениях и могут вращаться вокруг одной оси.
При измерении температуры в жидких кристаллах меняется структура:
при низких температурах центры молекул образуют кристаллическую решетку, а молекулярные оси имеют однородную ориентацию;
при увеличении температуры до температуры плавления наступает плавление, вместо трехмерной кристаллической решетки образуется одномерная, при дальнейшем увеличении температуры сохраняется только локальная однородная ориентация длинных осей молекул;
при температуре просветления происходит ориентационное плавление, получается изотропная жидкость.
Устройства на жидких кристаллах имеют много преимуществ:
низкая стоимость;
малая потребляемая мощность;
непосредственная совместимость с ИС;
возможность создания индикаторных устройств в виде плоских экранов.
Нематики – материалы этого класса, очень сильно реагируют на воздействие электромагнитных полей.
Холистерики – сильно реагируют на воздействие температуры, чутко реагируют на воздействие вредных веществ и на воздействие ионизирующего излучения.