55. Методика расчета годового экономического эффекта метрологических работ (мр)

Основная трудность определения эконом. эффекта МР – процесс измерений не сопровождается непосредственным создание материальных ценностей. Для выявления экономич. эффекта необх-м анализ явлений, сопровождающих работы по МО. Обязательным условием расчета экономического эффекта метрологических работ является обеспечение сопоставимости базового и исследуемого вариантов по объему выполняемой работы (продукции), показателям качества оцениваемой измерительной техники, фактору времени и нормативам. Фактор времени учитывают путем приведения к одному моменту (началу расчетного года) единовременных затрат на реализацию метрологических мероприятий и результатов их внедрения. Определение годового экономического эффекта должно проводиться с расчетом долевого участия каждого подразделения предприятия. Основные составляющие годового эк. эффекта МР: 1) эк.эффективность от сокращения кол-ва неправ. забракованных деталей: Э=N₁∙P₁(n₁/n₂)0,01; N-кол-во контролируемых объектов за рассматриваемый период; P-стоимость одного объекта контроля; n₁,n₂-кол-во неправильно забрак-х объектов контроля грубых и точных измерений соотве-но в %. 2) эк.эффективность от сокращения кол-ва неправ. принятых деталей: Э=N₁∙P₁(m₁/m₂)0,01; N-кол-во выпускаемых узлов за рассм-ый период; P-стоимость одного узла и стоимость сборки/разборки поустранению браков. детали, m₁,m₂-кол-во неправильно принятых объектов контроля грубых и точных измерений соотве-но в %. 3) экономич. эффекта от повышения достоверности измерений Э= П₁(В_И2/В_И1)-П₂; П₁,₂- суммарные годовые потери на одном СИ в базовом и нов вар-тах; В_И1, _И2-год. объем измерений, осуществляемых одним СИ в каждом вар-те. П=П_ИЗ+П_ПР+П_ЭК-потери изготовителя+потери в сфере применения изделия+в сфере эксплуатации.

55. Методы построения матрицы плана эксперимента.

При увеличении числа факторов количество возможных сочетаний уровней быстро возрастает, поэтому возникает необходимость в некоторых приемах построения матриц. Рассмотрим два наиболее простых приема. Первый прием основан на правиле чередования знаков. В первом столбце (x₁) знаки чередуются поочередно, во втором они чередуются через 2, в третьем - через 4, в четвертом - через 8, в пятом - через 16 и т. д. по степеням двойки.

Второй прием основан на последовательном достраивании матрицы. Для этого при добавлении нового фактора необходимо повторить комбинации уровней исходного плана сначала при значении нового фактора на верхнем уровне, а затем на нижнем.

55. Методы измерения физических величин, использующие закономерности рентгеновского излучения и его взаимодействия с веществом. Рентгеновские лучи исп в дефектоскопии, она основана на измерении поглощения рентгеновских лучей в изделии. Регистрируется изменение интенсивности излучения, прошедшего через объект. Для исследования напряженного состояния структур объектов из поликристаллических материалов применяется метод рентгеновской тензометрии. Он основан на измерении межплоскостных расстояний с использованием дифракции рентгеновских лучей на плоскостях решеток поликристаллических материаловю. Закономерности характеристического рентгеновского излучения лежат в основе рентгено-флуоресцентного метода измерений, например, измерения толщины покрытия. Первичный процесс состоит в вырывании электронов из внешних (оптических) оболочек атомов или молекул фотонам рентгеновского излучения; под действием освободившихся первичных электронов происходит отрыв вторичных электронов. При этом возбуждается флуоресцентное свечение, по интенсивности которого можно судить о числе возбуждениях атомов. Часть фотонов рентгеовского излучения взаимодействует с электронами внутренних оболочек и вызывает характеристическое рентгеновское излучение. Т.о., по выходу флуоресценции можно оценить интенсивность характеристического рентгеновского излучения, которая при известной интенсивности возбуждающего излучения зависит от количества атомов вещества. Следовательно, возбуждая характеристическое излучение и проводя количественную оценку его интенсивности, можно судить о массе слоя вещества покрытия, т.е. об его толщине.