7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
данной конструкции нечувствительна к смещению обкладок из-за неточности их совмещения.
Для реализации высокочастотных конденсаторов применяют гребенчатую конструкцию (рис. 2.2.6, в), в которой обкладки имеют форму гребенчатых проводников, а диэлектрик является составным типа «подложка — воздух» или «подложка — диэлектрическое покрытие».
Значение емкости пленочного конденсатора определяют по формуле
Для конденсаторов многослойной структуры, состоящей из последовательно нанесенных диэлектрических и проводящих слоев:
Электрическая прочность конденсатора определяется выражением:
М
инимальную
толщину диэлектрика определяют
Добротность Q пленочного конденсатора обусловлена потерями энергии в конденсаторе:
Тангенс угла в обкладках и выводах конденсатора:
Температурный коэффициент емкости
7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
Коэффициент старения определяет изменение емкости конденсатора,
которое происходит вследствие деградационных явлений в пленке диэлектрика за время Δt:
8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
Для разводки питания и заземления, а также для соединения элементов и компонентов в гибридных ИМС согласно электрической схеме используют пленочные - проводники, которые в местах соединений с пленочными элементами образуют контактные площадки. Контактные площадки в гибридных ИМС формируют для присоединения выводов компонентов и внешних выводов корпуса.
Р
асчет
проводников по допускаемому падению
напряжения Uдоп
сводится к проверке условия:
При этом сопротивление проводника Rпр не должно превышать допустимого значения Rпр.доп
Собственная паразитная емкость пленочного проводника:
В
заимную
индуктивность между параллельными
проводниками
равной длины рассчитывают по формуле:
Для уменьшения магнитной связи проводники проектируют с увеличенным расстоянием или располагают их перпендикулярно друг другу. Повышение плотности размещения элементов и компонентов на плате сопровождается уменьшением ширины пленочных проводников, что приводит к повышению их сопротивления и индуктивности и соответственно к увеличению уровня помех в проводниках.
где n — количество одновременно переключающихся элементов
9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
Для нанесения тонких пленок с помощью физических методов, основанных на образовании потока атомных частиц (отдельных атомов, молекул или ионов) из напыляемых материалов, и последующей их конденсации на поверхность подложки необходимы специальные вакуумные камеры, т. е. камеры, изолированные от атмосферы, с малой концентрацией остаточных газов. Поэтому физические методы нанесения тонких пленок называют вакуумными.
В технологии получения тонких пленок вакуумными методами различают три этапа:
1) испарение вещества с целью получения параатомарного потока;
2) перенос пара в вакуумном пространстве;
3) конденсация пара на подложке и образование пленочной структуры.
В тонкопленочной технологии для нанесения тонких пленок наибольшее применение нашли следующие методы: термическое вакуумное напыление, катодное распыление, ионно-плазменное напыление и магнетронное распыление. Общими требованиями, предъявляемыми к каждому из этих методов, являются воспроизводимость свойств и параметров получаемых пленок и обеспечение надежного сцепления (адгезии) пленок с подложками и другими пленками.
Термическое вакуумное напыление. Сущность данного метода заключается в нагреве вещества в вакууме до температуры, при которой возрастающая с нагревом кинетическая энергия атомов и молекул вещества становится достаточной для их отрыва от поверхности и распространения в окружающем пространстве. Это происходит при такой температуре, при которой давление собственных паров вещества превышает на несколько порядков давление остаточных газов. При этом атомарный поток распространяется прямолинейно и при столкновении с