- •1. Элементы конструкции имс.
- •2. Конструктивно-технологические типы имс.
- •3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •4. Толстоплёночные имс.
- •5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
- •9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •9.2 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •10. Термическое вакуумное напыление.
- •11.1 Катодное распыление.
- •11.2 Катодное распыление.
- •12.1 Ионно-плазменное напыление.
- •12.2 Ионно-плазменное напыление.
- •13.1 Магнетронное распыление.
- •13.2 Магнетронное распыление.
- •14.1 Электролитическое осаждение.
- •14.2 Электролитическое осаждение.
- •15. Химическое осаждение.
- •16. 1Анодное окисление.
- •16. 2Анодное окисление.
- •17. 1Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 2Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 3Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •18.1 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18. 4Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •20.1 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.2 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.3 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •21.1 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.2 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.3 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.4 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •22.1 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •22.2 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •23.1 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.2 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.3 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.4 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •24.1 Металлизация п/п структур.
- •24.2 Металлизация п/п структур.
- •24.3 Металлизация п/п структур.
- •25.1 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.2 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.3 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.4 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.5 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •26.1 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией.
- •27.1 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией.
- •28. Изготовление мдп-имс.
- •30.1 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.2 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.3 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •31. Основные этапы расчёта и проектирования бис.
- •32. Методы и автоматизация проектирования бис.
- •33.1 Корпуса для имс.
- •33.2 Корпуса для имс.
- •34. Основные направления функциональной микроэлектроники.
- •35.1 Оптоэлектроника.
- •35.2 Оптоэлектроника.
- •36.1 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •37.1 Магнетоэлектроника.
- •37.2 Магнетоэлектроника.
- •38.1 Проборы на эффекте Ганна.
- •38.2 Проборы на эффекте Ганна.
- •39.1 Диэлектрическая электроника.
- •39.2 Диэлектрическая электроника.
- •40.1 Криогенная электроника.
- •41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
- •4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
Цель расчета — выбор материалов и определение геометрических размеров и формы пленочных элементов, обеспечивающих получение элементов с воспроизводимыми и стабильными параметрами.
Исходными данными для проектирования топологии пленочных элементов являются:значения геометрических размеров,шаг координатной сетки и масштаб, в котором выполняется чертеж.
Пленочные резисторы в структурном отношении представляют собой узкую полоску резистивной пленки, снабженную пленочными контактными площадками с низким сопротивлением. Они характеризуются такими основными параметрами, как номинальное значение сопротивления R, допуск на сопротивление ±δR, мощность рассеяния Р, температурный коэффициент сопротивления ТКR, коэффициент старения К ст , интервал рабочих температур
ΔТ = Т - Тк, надежность и др.
В зависимости от применяемой схемы требования к параметрам пленочных резисторов могут быть различными. Общим требованием является минимальная площадь, занимаемая резистором.
В гибридных ИМС используют тонкопленочные и толстопленочные резисторы различной конструкции с простой прямоугольной и сложной формой.
Сопротивление пленочного резистора является функцией сопротивления ρ S и геометрических размеров в плане:
Полная относительная погрешность резистора определяется суммой погрешностей его изготовления и конструкции,и обусловленных влиянием условий эксплуатации:
6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
где γ ρs = Δρ S /ρ S - относительная погрешность воспроизведения ρS;
γ кф -погрешность коэффициента формы; γ RK -погрешность переходных сопротивлений областей контактов.
Погрешность γRt - характеризует временную нестабильность резистора и определяется коэффициентом старения.
Температурный коэффициент сопротивления ТКR = α R вследствие хороших адгезивных свойств резистивных пленок с подложкой, определяется температурным коэффициентом удельного поверхностного сопротивления:
Коэффициент старения пленочного резистора определяет временную нестабильность его сопротивления. Он практически равен коэффициенту старения удельного поверхностного сопротивления, обусловленному изменением структуры пленки и ее окислением:
Δ T - промежуток времени, в течение которого поверхностное сопротивление пленки изменилось на величину Δ S ρ
С целью уменьшения площади, занимаемой резистором, следует стремиться к увеличению отношения l/b, за счет уменьшения ширины резистора b.При минимальном значении b и постоянном ρ S необходимое значение сопротивления R достигается за счет значения длины резитора l. При этом для прямоугольных резисторов максимальная длина по технологическим соображениям ограничена величиной K0 = l/b=10. Для реализации резисторов с K0 >10 используют конструкции сложной конфигурации причем площадь платы, отводимая под резистор уменьшается.
7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
Пленочные конденсаторы характеризуются совокупностью следующих параметров: номинальным значением емкости С; допуском на емкость ±δС; рабочим напряжением Uр; добротностью Q или тангенсом угла потерь tgδ; сопротивлением утечки Rут, коэффициентом остаточной поляризации Kп температурным коэффициентом емкости ТКС; коэффициентом старения Kст; диапазоном рабочих частот Δf; интервалом рабочих температур ΔT; надежностью и др.
Конструкция (рис. 2.2.6, а), в которой контур верхней обкладки вписывается в контур нижней обкладки, предназначена для реализации конденсаторов повышенной емкости (сотни-тысячи пикофарад). Ее особенностью является то, что несовмещение контуров обкладок не сказывается на воспроизведении емкости (для устранения погрешности из-за площади вывода верхней обкладки предусмотрены компенсаторы 5), а распространение диэлектрика за контуры обеих обкладок гарантирует надежную изоляцию обкладок при их предельном несовмещении.
Для конденсаторов небольшой емкости (десятки пикофарад) целесообразна конструкция (рис. 2.2.6, б) в виде пересекающихся проводников одинаковой ширины, разделенных слоем диэлектрика. Емкость конденсатора