- •1. Элементы конструкции имс.
- •2. Конструктивно-технологические типы имс.
- •3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •4. Толстоплёночные имс.
- •5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
- •9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •9.2 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •10. Термическое вакуумное напыление.
- •11.1 Катодное распыление.
- •11.2 Катодное распыление.
- •12.1 Ионно-плазменное напыление.
- •12.2 Ионно-плазменное напыление.
- •13.1 Магнетронное распыление.
- •13.2 Магнетронное распыление.
- •14.1 Электролитическое осаждение.
- •14.2 Электролитическое осаждение.
- •15. Химическое осаждение.
- •16. 1Анодное окисление.
- •16. 2Анодное окисление.
- •17. 1Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 2Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 3Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •18.1 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18. 4Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •20.1 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.2 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.3 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •21.1 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.2 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.3 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.4 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •22.1 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •22.2 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •23.1 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.2 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.3 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.4 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •24.1 Металлизация п/п структур.
- •24.2 Металлизация п/п структур.
- •24.3 Металлизация п/п структур.
- •25.1 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.2 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.3 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.4 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.5 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •26.1 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией.
- •27.1 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией.
- •28. Изготовление мдп-имс.
- •30.1 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.2 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.3 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •31. Основные этапы расчёта и проектирования бис.
- •32. Методы и автоматизация проектирования бис.
- •33.1 Корпуса для имс.
- •33.2 Корпуса для имс.
- •34. Основные направления функциональной микроэлектроники.
- •35.1 Оптоэлектроника.
- •35.2 Оптоэлектроника.
- •36.1 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •37.1 Магнетоэлектроника.
- •37.2 Магнетоэлектроника.
- •38.1 Проборы на эффекте Ганна.
- •38.2 Проборы на эффекте Ганна.
- •39.1 Диэлектрическая электроника.
- •39.2 Диэлектрическая электроника.
- •40.1 Криогенная электроника.
- •41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
- •4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
4. Толстоплёночные имс.
Толстопленочной ИС называется ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Элементы, толстопленочных микросхем наносятся преимущественно методом шелкографии (сеткографии) с последующим вжиганием.
Для толстопленочных микросхем используют керамические подложки с относительно шероховатой поверхностью (высота неровностей порядка 1 мкм). Подложка должна обладать повышенной теплопроводностью, так как толстопленочная технология характерна для мощных гибридных микросхем. Поэтому применяют высокоглиноземистые (96 % А12О3) и бериллиевые (99,5 % ВеО) керамики.
5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
Технология изготовления толстопленочных ИМС основана на использовании трафаретной печати. Сущность технологии заключается в нанесении на керамическую подложку через сетчатый трафарет паст - специально приготовленных композиций из функционального, связующего и органического материалов с последующим их вживанием в подложку для придания заданных физических свойств.
Пасты в зависимости от назначения называют проводящими, резистивными, диэлектрическими.
В качестве функциональных материалов для проводящих паст используют металлы и сплавы (серебро, золото, палладий, платину, радий и их соединения), для резистивных - благородные металлы и комбинации металлов с окислами (окись таллия, окись палладия, окись рения и др.), для диэлектрических керамические материалы с высокой диэлектрической проницаемостью. Функциональные материалы вводят в пасту в виде мелких частиц с максимальным размером не более 5 мкм.
Нанесение паст на подложку осуществляют с помощью специальных установок, состоящих из следующих основных узлов: держателя трафарета, держателя подложки, ракеля, держателя ракеля и привода для перемещения ракеля.
Необходимую конфигурацию наносимых на подложку паст получают путем продавливания паст через трафарет при перемещении ракеля. В толстопленочной технологии применяют два вида трафаретов: цельнометаллические и сетчатые.
Цельнометаллические трафареты представляют собой металлическую фольгу толщиной, равной толщине наносимой пасты; необходимый рисунок создается путем травления фольги.
Схема процесса нанесения паст приведена на рисунке:
5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
Схема процесса нанесения паст через сетчатые трафаре-
ты: 1-трафарет; 2-ракель; 3-паста; 4-подложка
Ракель перемещает пасту, и она попадает в отверстия в трафарете. По мере приближения ракеля к отверстию трафарет прогибается и нижняя его поверхность, приходит в соприкосновение с подложкой. Гибкое лезвие ракеля продавливает пасту в отверстия в трафарете. После этого трафарет под действием сил натяжения проволоки сетки возвращается в первоначальное положение над подложкой.
После нанесения пасты подвергают вжиганию. Процесс вжигания подразделяют на три этапа: сушку, удаление органического связующего и высокотемпературный обжиг.
Основное преимущество технологии нанесения толстых пленок -простота применяемого оборудования и низкая стоимость производства.
Недостатки- толстые пленки имеют большие размеры, а элементы на их основе -меньшую точность воспроизведения номинальных значений по сравнению с тонкими пленками. Для устранения этого разрабатываются новые трафареты и пасты, позволяющие осуществлять фотолитографическую обработку.