- •1. Элементы конструкции имс.
- •2. Конструктивно-технологические типы имс.
- •3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •4. Толстоплёночные имс.
- •5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
- •9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •9.2 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •10. Термическое вакуумное напыление.
- •11.1 Катодное распыление.
- •11.2 Катодное распыление.
- •12.1 Ионно-плазменное напыление.
- •12.2 Ионно-плазменное напыление.
- •13.1 Магнетронное распыление.
- •13.2 Магнетронное распыление.
- •14.1 Электролитическое осаждение.
- •14.2 Электролитическое осаждение.
- •15. Химическое осаждение.
- •16. 1Анодное окисление.
- •16. 2Анодное окисление.
- •17. 1Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 2Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 3Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •18.1 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18. 4Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •20.1 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.2 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.3 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •21.1 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.2 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.3 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.4 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •22.1 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •22.2 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •23.1 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.2 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.3 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.4 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •24.1 Металлизация п/п структур.
- •24.2 Металлизация п/п структур.
- •24.3 Металлизация п/п структур.
- •25.1 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.2 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.3 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.4 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.5 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •26.1 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией.
- •27.1 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией.
- •28. Изготовление мдп-имс.
- •30.1 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.2 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.3 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •31. Основные этапы расчёта и проектирования бис.
- •32. Методы и автоматизация проектирования бис.
- •33.1 Корпуса для имс.
- •33.2 Корпуса для имс.
- •34. Основные направления функциональной микроэлектроники.
- •35.1 Оптоэлектроника.
- •35.2 Оптоэлектроника.
- •36.1 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •37.1 Магнетоэлектроника.
- •37.2 Магнетоэлектроника.
- •38.1 Проборы на эффекте Ганна.
- •38.2 Проборы на эффекте Ганна.
- •39.1 Диэлектрическая электроника.
- •39.2 Диэлектрическая электроника.
- •40.1 Криогенная электроника.
- •41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
- •4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
Молекулярная электроника – область электроники, в которой функциональные электронные элементы и устройства организованы на уровне отдельных молекул и их комплексов.
В биологических системах процессы преобразования информации протекают в основном на молекулярном уровне. Поэтому это направление близко к бионике.
Биоэлектроника – одно из направлений бионики, решающее задачи электроники на основе анализа структуры и жизнедеятельности живых организмов.
Биоэлектроника охватывает проблемы изучения нервной системы человека и животных и моделирование нервных клеток (нейронов и нейронных сетей) для дальнейшего совершенствования электронной вычислительной техники, техники связи, разработки новых элементов и устройств автоматики и телемеханики.
Нервная система состоит из клеток, получивших название нейронов. Нейроны, где бы они ни находились, имеют одинаковую структуру и примерно одинаковые логические характеристики. Они являются наиболее универсальным логическим элементом. На основе нейронов строятся простые и упорядоченные нейронные сети, указывающие ка тот, пока еще не достижимый в технике факт, что с помощью единственного элемента можно построить систему, способную выполнять сложнейшие задачи, которые обычно решает
человек.
На рис. показано схематическое изображение нейрона. Луковицеобразная часть является телом ячейки – сомой. Ее диаметр лежит в пределах от 10 мкм для связующих нейронов до 70 мкм для моторных нейронов.
4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
Рис. Схематическое изображение нейрона:
1 – дендриты; 2 – тело нейрона (сома); 3 – аксон
Отростки, отходящие от тела нейрона, называются дендритами и представляют собой входные связи нейрона. Длинный отросток, отходящий от одной из сторон сомы, называется аксоном и служит для передачи выходного
сигнала к другим нейронам; длина аксона от долей миллиметра до 1,8 м и более. Аксон постепенно сужается, и на расстоянии 50–100 мкм от тела нейрона начинается изолирующий слой. Сам нейрон изолирован от окружающей его жидкости тонкой мембраной и благодаря метаболическому процессу внутри него существует избыточная концентрация отрицательных ионов калия, хотя
окружающая нейрон жидкость содержит избыток ионов натрия.