1. Элементы конструкции имс.
В полупроводниковых интегральных микросхемах преимущественно используются транзисторные элементы. В зависимости от типа интегральных элементов различают биполярные, униполярные (МДП) и интегральные микросхемы на основе барьера Шоттки. В первом случае основными элементами являются преимущественно биполярные транзисторы. Резисторы получают путем спадания высокоомных слоев внутри монокристаллического кремния, в качестве конденсаторов используют емкость р-n переходов. Основными элементами униполярных интегральных микросхем являются МДП-транзисторы, которые наряду с активными функциями выполняют роль резисторов и конденсаторов. Термин МДП происходит от структуры таких элементов металл — диэлектрик — полупроводник. Для интегральных микросхем третьего типа характерно применение элементов с барьером Шоттки (диодов Шоттки, транзисторов с барьером Шоттки, полевых транзисторов с барьером Шоттки).
2. Конструктивно-технологические типы имс.
3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают телоотвод и электрическую изоляцию элементов.
Подложка — заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) меж-компонентных соединений, а также контактных площадок.
Материал, геометрические размеры и состояние поверхности подложек во многом определяют качество формируемых элементов и надежность функционирования ИМС и микросборок.
Материал подложки должен обладать:
- высоким удельным электрическим сопротивлением изоляции, низкой диэлектрической проницаемостью и малым тангенсом угла диэлектрических потерь, высокой электрической прочностью ;
- высокой механической прочностью при малой толщине;
- высоким коэффициентом теплопроводности;
-высокой химической инертностью к осаждаемым материалам;
-высокой физической и химической стойкостью к воздействию высокой температуры в процессе нанесения тонких пленок, термообработки паст при формировании толстых пленок и сборки ИМС;
Структура материала подложки и состояние ее поверхности оказывают существенное влияние на структуру наносимых пленок и параметры пленочных элементов
Для изготовления подложек используют в основном стекло, керамику, ситалл и фотоситалл.
3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
Геометрические размеры подложек стандартизированы. Подложки из
стекла имеют размеры 50.50, 48.60, 60.96, 100.100 и 96.120 мм, из ситалла
48.60, 60.96 и 96.120 мм. Толщина подложек составляет 0,6 и 1,6 мм, непараллельность плоскостей не превышает 0,05 мм.
Обычно на стандартной подложке групповыми методами изготовляют не-
сколько пленочных ИМС. Безотходное деление подложек с ИМС на части,
кратные двум и трем, дает нормализованный ряд типоразмеров плат.
Плата — часть подложки гибридной (пленочной) ИМС, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения, а также контактные площадки.