18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.

При непрерывном способе, когда все слои микросхемы осаждают за один вакуумный цикл, исключается воздействие атмосферного загрязнения при осаждении каждого последующего слоя; значительно уменьшается время изготовления микросхемы за счет уменьшения количества циклов откачки вакуумной камеры, нагрева и охлаждения подложки, легче обеспечивается автоматизация процесса.

Формирование резистивного и проводящего слоев выполняют в вакуумных установках, рабочие камеры которых оборудованы' одним или несколькими испарителями и устройствами карусельного типа для смены нескольких подложек, совмещаемых

со съемной маской одной конфигурации, а также устройствами подвода их на позиции испарения. Процесс формирования резистивного слоя осуществляют следующим образом. Перед началом технологического цикла производят подготовку ваку-

умной установки путем очистки рабочей камеры и загрузки испарителя навесками резистивного материала. На соответствующую карусель устанавливают подложки, закрепленные на специальных держателях вместе с маской и контрольные образцы для измерения удельного сопротивления резистивной пленки в процессе ее осаждения. После загрузки рабочую камеру откачивают до

установления разрежения (100—300)•10-5 Па, нагревают подложки до температуры 200—250°С, подводят На позицию испарения резистивного материала подложку, разогревают его и, открывая заслонку, производят напыление. При получении резистивного слоя заданной толщины, закрыв заслонку, прекращают напыление и на позицию напыления подводят следующую подложку. Затем выключают нагрев испарителя и

18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.

подложек. Подложки сначала остывают в вакууме до температуры 50—60°С, а затём на воздухе.

Формирование тонкопленочных конденсаторов в непрерывном вакуумном цикле осуществляется в многопозиционной вакуумной установке, рабочая камера которой оборудована несколькими позициями испарения, на каждую из этих позиций устанавливают испаритель какого-либо материала, а над ним — маску соответствующего слоя.

Последовательное напыление четырех слоев Производят таким образом: сначала наносят слой нижней обкладки на все подложки, поочередно совмещая их с маской нижней обкладки, для чего напыление осуществляют на первой позиции; затем одну из подложек переводят на вторую позицию, совмещают с маской диэлектрика конденсатора и после получения необходимой толщины диэлектрика на эту позицию переводят остальные подложки. Аналогично формируют верхнюю обкладку и защитный слой. Так как при этом применяют различные материалы, технологические режимы для нанесения каждого слоя оказываются различными.

Электронно-лучевая технология. Данный типовой технологический

процесс наиболее целесообразен для изготовления ИМС, содержащих только

пленочные резисторы и соединения. Технологический процесс формирования пассивной части гибридной ИМСс использованием электронно-лучевой гравировки для получения пленочных конфигураций проводят в такой последовательности. Вначале на керамическую подложку в виде сплошных покрытий