Тема 3. Транзистори

Задачі 3.1 і 3.2.

Умови задач беруться з розділу 8 „Біполярні транзистори” задачника - Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. Учебн. пособие для вузов / В.А. Терехов - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 278 с.

Таблиця 6.7. Варіанти задачі 3.1 та 3.2

Номер вар.	Номери задач	Номер вар.	Номери задач	Номер вар.	Номери задач
1.	78; 154	11.	90; 159	21.	79; 116
2.	79; 155	12.	92; 112	22.	80; 118
3.	80; 159	13.	93; 116	23.	82; 128
4.	82; 112	14.	96; 118	24.	83; 130
5.	83; 116	15.	97; 128	25.	84; 154
6.	84; 118	16.	98; 130	26.	85; 155
7.	85; 128	17.	104; 154	27.	87; 159
8.	87; 130	18.	105; 155	28.	88; 112
9.	88; 154	19.	106; 159	29.	89; 116
10.	89; 155	20.	78; 112	30.	90; 118

Задача 3.3.

Потужний транзистор, що має тепловий опір між переходом і корпусом R_пк, К/Вт, повинний розсіювати потужність Р_ке, Вт, при температурі навколишнього середовища Т_с, ⁰С. Для підвищення надійності температуру переходу вирішено обмежити Т_n, ⁰С. Між тепловідводом і корпусом транзистора міститься шайба та ізолююче силіконове змащення. Тепловий опір шайби R_тш , К/Вт, а силіконове змащення зменшує його приблизно на 40%. Визначити, яка повинна бути площа тепловідвода, якщо він необхідний? Вважати, что 1 см² металевої поверхні тепловідводу має тепловий опір 800 К/Вт.

Таблиця 6.8. Варіанти задачі 3.3

№	Rпк, К/Вт	Pкэ, Вт	Тс, 0С	Тn, 0С	Rтш, К/Вт	№	Rпк, К/Вт	Pкэ, Вт	Тс, 0С	Тn, 0С	Rтш , К/Вт
1.	0,5	7	20	55	1,5	16.	0,8	7	20	55	2
2.	0,5	8	25	60	1,5	17.	0,8	8	25	60	2
3.	0,5	9	30	65	1,5	18.	0,8	9	30	65	2,3
4.	0,5	10	35	70	1,5	19.	0,8	10	35	70	2,3
5.	0,5	11	40	75	1,5	20.	0,8	11	40	75	2,3
6.	0,6	7	20	55	1,8	21.	0,9	7	20	55	2,5
7.	0,6	8	25	60	1,8	22.	0,9	8	25	60	2,5
8.	0,6	9	30	65	1,8	23.	0,9	9	30	65	2,5
9.	0,6	10	35	70	1,8	24.	0,9	10	35	70	2,5
10.	0,6	11	40	75	1,8	25.	0,9	11	40	75	2,5
11.	0,7	7	20	55	2	26.	1	7	20	55	1,5
12.	0,7	8	25	60	2	27.	1	8	25	60	1,5
13.	0,7	9	30	65	2	28.	1	9	30	65	1,5
14.	0,7	10	35	70	2	29.	1	10	35	70	1,5
15.	0,7	11	40	75	2	30.	1	11	40	75	1,5

Задача 3.4.

При недостатньому відведенні тепла від колекторного переходу при роботі біполярного транзистора зростають струми емітера, колектора, бази. Поясніть причини збільшення струмів і природу теплового пробою транзистора.

Задача 3.5.

Напруга пробою колекторного переходу біполярного транзистора в схемі зі спільним емітером U_{КЕ проб} залежить від опору R_б в колі бази. Поясніть призначення цього опору і природу його впливу на U_{КЕ проб.}

Задача 3.6.

Польовий транзистор з керувальним p-n переходом, який має I_{c max} мА, S_max, мА/В включений у підсилювальний каскад за схемою зі спільним витоком. Опір резистора навантаження R_н, кОм. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою заслін-витік, якщо а) U_зв = -1 В; б) U_зв = -0,5 В; в) U_зв = 0. Привести схему підсилювача.