Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Метод_вказ_до_РГР(корект).doc
Скачиваний:
9
Добавлен:
16.11.2018
Размер:
7.31 Mб
Скачать

Тема 3. Транзистори

Задачі 3.1 і 3.2.

Умови задач беруться з розділу 8 „Біполярні транзистори” задачника - Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. Учебн. пособие для вузов / В.А. Терехов - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 278 с.

Таблиця 6.7. Варіанти задачі 3.1 та 3.2

Номер

вар.

Номери

задач

Номер

вар.

Номери

задач

Номер

вар.

Номери

задач

1.

78; 154

11.

90; 159

21.

79; 116

2.

79; 155

12.

92; 112

22.

80; 118

3.

80; 159

13.

93; 116

23.

82; 128

4.

82; 112

14.

96; 118

24.

83; 130

5.

83; 116

15.

97; 128

25.

84; 154

6.

84; 118

16.

98; 130

26.

85; 155

7.

85; 128

17.

104; 154

27.

87; 159

8.

87; 130

18.

105; 155

28.

88; 112

9.

88; 154

19.

106; 159

29.

89; 116

10.

89; 155

20.

78; 112

30.

90; 118

Задача 3.3.

Потужний транзистор, що має тепловий опір між переходом і корпусом Rпк, К/Вт, повинний розсіювати потужність Рке, Вт, при температурі навколишнього середовища Тс, 0С. Для підвищення надійності температуру переходу вирішено обмежити Тn, 0С. Між тепловідводом і корпусом транзистора міститься шайба та ізолююче силіконове змащення. Тепловий опір шайби Rтш , К/Вт, а силіконове змащення зменшує його приблизно на 40%. Визначити, яка повинна бути площа тепловідвода, якщо він необхідний? Вважати, что 1 см2 металевої поверхні тепловідводу має тепловий опір 800 К/Вт.

Таблиця 6.8. Варіанти задачі 3.3

Rпк, К/Вт

Pкэ, Вт

Тс, 0С

Тn, 0С

Rтш, К/Вт

Rпк, К/Вт

Pкэ, Вт

Тс, 0С

Тn, 0С

Rтш , К/Вт

1.

0,5

7

20

55

1,5

16.

0,8

7

20

55

2

2.

0,5

8

25

60

1,5

17.

0,8

8

25

60

2

3.

0,5

9

30

65

1,5

18.

0,8

9

30

65

2,3

4.

0,5

10

35

70

1,5

19.

0,8

10

35

70

2,3

5.

0,5

11

40

75

1,5

20.

0,8

11

40

75

2,3

6.

0,6

7

20

55

1,8

21.

0,9

7

20

55

2,5

7.

0,6

8

25

60

1,8

22.

0,9

8

25

60

2,5

8.

0,6

9

30

65

1,8

23.

0,9

9

30

65

2,5

9.

0,6

10

35

70

1,8

24.

0,9

10

35

70

2,5

10.

0,6

11

40

75

1,8

25.

0,9

11

40

75

2,5

11.

0,7

7

20

55

2

26.

1

7

20

55

1,5

12.

0,7

8

25

60

2

27.

1

8

25

60

1,5

13.

0,7

9

30

65

2

28.

1

9

30

65

1,5

14.

0,7

10

35

70

2

29.

1

10

35

70

1,5

15.

0,7

11

40

75

2

30.

1

11

40

75

1,5

Задача 3.4.

При недостатньому відведенні тепла від колекторного переходу при роботі біполярного транзистора зростають струми емітера, колектора, бази. Поясніть причини збільшення струмів і природу теплового пробою транзистора.

Задача 3.5.

Напруга пробою колекторного переходу біполярного транзистора в схемі зі спільним емітером UКЕ проб залежить від опору Rб в колі бази. Поясніть призначення цього опору і природу його впливу на UКЕ проб.

Задача 3.6.

Польовий транзистор з керувальним p-n переходом, який має Ic max мА, Smax, мА/В включений у підсилювальний каскад за схемою зі спільним витоком. Опір резистора навантаження Rн, кОм. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою заслін-витік, якщо а) Uзв = -1 В; б) Uзв = -0,5 В; в) Uзв = 0. Привести схему підсилювача.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.