- •Введение
- •Лекция 1
- •1. Электрические цепи постоянного тока
- •Электрическая цепь постоянного тока. Параметры злементов цепи. Закон Ома
- •1.2. Режимы работы источника электрической энергии
- •1.3. Законы Кирхгофа
- •1.4. Использование законов Кирхгофа для расчета электрических цепей
- •Лекция 2
- •1.5. Эквивалентные преобразования электрических цепей
- •1.5.1. Последовательное соединение элементов.
- •1.5.2. Параллельное соединение элементов.
- •1.5.3. Смешанное соединение резистивных элементов.
- •1.5.4. Эквивалентные преобразования резистивных элементов треугольником и звездой.
- •1.6. Работа и мощность постоянного тока. Закон Джоуля – Ленца
- •2. Электрические цепи переменного тока
- •2.1. Генерация синусоидальной эдс. Основные величины, характеризующие переменный ток
- •2.2. Представление синусоидальных величин аналитически, графически, вращающимися векторами, комплексными числами
- •2.3. Цепь переменного тока с активным сопротивлением
- •2.4. Цепь переменного тока с индуктивностью
- •2.5. Цепь переменного тока с ёмкостью
- •Лекция 4
- •2.6. Неразветвлённая цепь переменного тока с активным сопротивлением, индуктивностью и ёмкостью. Резонанс напряжений
- •2.7. Разветвленная цепь однофазного переменного тока. Резонанс токов
- •2.8. Колебательный lc - контур переменного тока
- •2.9. Мощность однофазного переменного тока. Коэффициент мощности
- •3. Трёхфазные электрические цепи
- •3.1. Преимущество трёхфазного тока. Принцип получения трёхфазной эдс
- •Лекция 6
- •3.2. Соединение источников и потребителей электрической энергии звездой. Соотношения между фазными и линейными напряжениями и токами при симметричной и несимметричной нагрузках
- •3.2.1. Наличие нулевого провода
- •3.2.2. Отсутствие нулевого провода
- •3.3. Обрыв фазы и короткое замыкание фазы без нулевого провода при соединении источников энергии и потребителей звездой
- •3.3.1. Обрыв фазы a
- •3.3.2. Короткое замыкание фазы a
- •3.4. Соединение источников и приёмников электроэнергии треугольником. Соотношения между фазными и линейными напряжениями и токами при симметричной и несимметричной нагрузках
- •3.5. Обрыв фаз и обрыв линейного провода при соединении источников и потребителей треугольником
- •3.5.1. Обрыв фазы ab
- •3.5.2. Обрыв фаз ab и bc
- •3.5.3. Обрыв линейного провода
- •3.6. Мощность трёхфазной цепи
- •Лекция 7
- •3.7. Соотношения активных мощностей при симметричной нагрузке и при соединении звездой и треугольником
- •3.8. Вращающееся магнитное поле трёхфазной системы переменного тока
- •4. Трансформаторы
- •4.1. Однофазные трансформаторы. Устройство и принцип действия
- •4.2. Режимы работы трансформатора. Коэффициент полезного действия трансформатора
- •Лекция 8
- •4.3. Трёхфазные трансформаторы
- •4.4. Измерительные трансформаторы
- •5. Электрические машины постоянного тока
- •5.1. Устройство и принцип действия генератора постоянного тока
- •5.2. Генераторы постоянного тока независимого и параллельного
- •Лекция 9
- •5.3. Генераторы постоянного тока последовательного и смешанного возбуждений и их основные характеристики
- •5.4. Принцип действия электродвигателя постоянного тока
- •5.5. Электродвигатели постоянного тока параллельного возбуждения и их основные характеристики
- •5.6. Электродвигатели постоянного тока последовательного и смешанного возбуждений и их основные характеристики
- •5.7. Пуск, регулирование частоты вращения и реверс электродвигателей постоянного тока
- •Лекция 10
- •6.Трёхфазные асинхронные машины
- •6.1.Устройство и принцип действия асинхронного двигателя
- •6.2. Зависимость частоты вращения ротора, величины эдс и тока
- •6.3. Электромагнитный момент и механическая характеристика
- •Лекция 11
- •6.4. Пуск и реверс асинхронных двигателей
- •6.5. Регулирование частоты вращения трёхфазного асинхронного двигателя
- •Лекция 12
- •7. Полупроводниковые приборы
- •7.1. Электропроводность полупроводников
- •7.2. Полупроводниковые диоды. Устройство, принцип действия
- •7.3. Биполярные транзисторы. Устройство, принцип работы
- •7.4. Схемы включения биполярных транзисторов с p-n-p структурой
- •7.5. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •7.6. Динисторы, тиристоры. Устройство, принцип действия
- •7.7. Симисторы. Устройство, принцип действия
- •Лекция 14
- •7.8. Фоторезисторы и фотодиоды. Устройство, принцип действия
- •7.9. Фототранзисторы, фототиристеры, оптроны.
- •8. Схемы электронных преобразователей
- •8.1. Однополупериодные выпрямители
- •Лекция 15
- •8.2. Двухполупериодные выпрямители
- •8.3. Трёхфазные выпрямители. Электрические сглаживающие фильтры
- •Лекция 16
- •8.4. Электронные усилители на биполярных транзисторах
- •8.5. Импульсные усилители
- •8.6. Операционные усилители
- •9. Цифровые устройства
- •9.1. Логические функции, логически устройства.
- •9.2. Основные логические элементы.
- •4. Логический элемент или, операция логическое сложение ,
- •9.3. Асинхронный rs-триггер. Устройство, принцип действия
- •Лекция 18
- •9.4. Синхронный rs-триггер. Устройство, принцип действия
- •9.5. Синхронные d-триггер. Устройство, принцип действия
- •9.6. Шифратор. Устройство, принцип работы
- •9.7. Дешифратор. Устройство, принцип работы
- •Лекция 19
- •9.8. Регистры. Устройство, принцип работы
- •9.9. Счётчики импульсов. Устройство, принцип работы
- •Библиографический список
- •Cодержание
- •Иванов Евгений Николаевич
- •Электротехника и электроника
- •Конспект лекций
7.9. Фототранзисторы, фототиристеры, оптроны.
Устройство, принцип действия
Фототранзисторами называются полупроводниковые приборы с трёхслойной структурой типа n-p-n или p-n-p с двумя запирающими p-n переходами при отключенной базе, освещаемой через окно в корпусе.
На рис.7.38 изображена схема фототранзистора р-n-р структуры, поясняющая его устройство и принцип действия.
Рис.7.38. Схема фототранзистора р-n-р структуры, поясняющая его устройство и принцип действия
Фототранзистор имеет два рабочих электрода эмиттер Э и коллектор К, через окно база Б управляется световым потоком Ф. В исходном положении (без освещения) для цепи, в которой фототранзистор ФТ питается через нагрузочное сопротивление от источниказапирающий переходП1 открыт, а переход П2 закрыт. При освещении, под действием фотонов света, в базовой области образуются пары электрон-дырка носителей зарядов. Дырки, под действием внешнего источника , проходят через закрытый коллекторныйn-p-переход П2, вызывая образование и увеличение фототока , пропорционально увеличению освещения базы. На рис.7.39 изображены вольтамперные характеристики фототранзистораприФ = Const.
Рис.7.39. Вольтамперные характеристики фототранзистора р-n-р структуры при постоянных значениях световых потоков
Фототранзисторы отличаются от фотодиодов большой чувствительностью.
Фототиристорами называются полупроводниковые приборы p1-n1-p2-n2 структуры с тремя запирающими переходами П1, П2, П3, двумя рабочими электродами анод А, катод К и, отключенным управляющим электродом УЭ. Управление фототиристором производится световым потоком Ф через окно области p2, расположенное в районе управляющего электрода.
На рис.7.40 изображены структура тиристора и схема подключения его к источнику питания через нагрузку.
Рис.7.40. Структура тиристора и схема подключения его к источнику питания через нагрузку
Без светового потока Ф переход П2 закрыт. При освещении через окно в области p2 происходит фотогенерация носителей зарядов электрон-дырка. Из области n1 дырки переходят в область p2 и далее через открытый переход П3 в область n2. При питании через нагрузку проходит фототок , который пропорционален падающему на фототиристор световому потокуФ. Без освещения
фототиристор может быть использован как обычный тиристор.
По сравнению с фототранзисторами фототиристоры обладают высокой нагрузочной способностью при малой мощности светового сигнала, а также памятью и высоким быстродействием.
На рис.7.41 изображены вольтамперные характеристики фототиристора приФ = Const, которые показывают, что при увеличении светового потока Ф уменьшается напряжение переключения .
Рис.7.41. Вольтамперные характеристики фототиристора при постоянных значениях световых потоков
Оптронами называются полупроводниковые приборы, содержащие источник излучения и приемник излучения, управляемый этим излучением.
На рис.7.42 изображён оптрон, в котором в качестве источника излучения используется светодиод, а в качестве приёмника фототранзистор, объединённые в одной конструкции. Приёмником может быть фоторезистор, фотодиод, фототиристор. Оптрон может работать в качестве усилительного или переключающегося элемента. Преимущество оптрона – гальваническая развязка входной и выходной цепей.
На рис.7.43 изображены вольтамперные характеристики оптрона приФ = Const.
Рис.7.42. Схема подключения оптрона к источникам питания
Рис.7.43. Вольтамперные характеристики оптрона при постоянных значениях световых потоков светодиода