
- •146 Цифровая схемотехника Конспект цифровая схемотехника
- •2. Формирователи прямоугольных импульсов
- •10. Программируемые логические матрицы, программируемая матричная логика, базовые матричные кристаллы.
- •1.2 Прохождение импульсов через rc-цепи.
- •1.2.1 Напряжение и ток в rc-цепях под воздействием единичного скачка.
- •1.2.2 Дифференцирующая (укорачивающая) и разделительная rc-цепи.
- •1.2.3 Реальные rc-цепи при импульсном воздействии.
- •1.3 Фиксаторы уровня в дифференцирующих rc-цепях.
- •1.4 Интегрирующие rc-цепи.
- •Погрешности интегрирующей цепи:
- •2. Формирователи прямоугольных импульсов
- •2.1 Диодные ограничители последовательного и параллельного типа.
- •2.2 Линейные модели транзистора в режиме большого сигнала.
- •2.3 Расчет транзисторных ключей.
- •2.4 Транзисторный усилитель ограничитель.
- •2.5 Динамические характеристики транзисторных ключей.
- •3. Мультивибраторы
- •3.2 Транзисторный мультивибратор. Принцип действия, осциллограм-мы работы мультивибратора
- •3.3 Расчет периода колебаний мультивибратора
- •3.4 Регулировка частоты, термостабилизация и улучшение формы выходного напряжения мультивибратора.
- •3.5 Транзисторный одновибратор. Принцип действия, осциллограммы.
- •4. Потенциальные логичекие элементы
- •4.2 Диодная логика. Логика «и»
- •Логика «или»
- •Недостатки диодной логики: схемы критичны к внутреннему сопротивлению источников эдс (), обладают нестабильными уровнями логического «0» и «1».
- •4.3 Диодно-транзисторная логика (дтл)
- •4.4 Транзистор-транзисторная логика (ттл)
- •4.5 Логические элементы на моп и кмоп-структурах.
- •5.1 Мультивибраторы на потенциальных логических элементах.
- •5.2 Одновибраторы на потенциальных логических элементах.
- •5.2 Одновибраторы на потенциальных логических элементах.
- •Расчет длительности импульса одновибратора.
- •6.1 Кодирование временных интервалов.
- •6.2 Кодирование напряжение.
- •6.3 Аналогово-цифровые преобразователи (ацп). Основные характеристики и параметры.
- •6.3.1 Ацп на параллельных компараторах;
- •6.3.2 Ацп поразрядного кодирования.
- •6.4 Цифро-аналоговые преобразователи (цап). Структура, основные характеристики и параметры.
- •6.4.1 Взвешенная схема, управляющая напряжением.
- •6.5 Устройство выборки хранения.
- •7.1 Общая характеристика и принципы построения глин.
- •7.2 Автоколебательные глин на транзисторах.
- •7.3 Ждущие глин на транзисторах.
- •7.4 Глин на оупт.
- •8.2 Автоколебательный блокинг-генератор.
- •8.3 Ждущий блокинг-генератор.
- •8.4 Синхронизация блокинг-генератора.
- •9.1 Оперативные запоминающие устройства (озу) с произвольным доступом.
- •9.2 Статические и динамические зу.
- •9.3 Построение плат памяти.
- •9.4 Программируемые запоминающие устройства (пзу).
- •10. Программируемые логические матрицы, программируемая матричная логика, базовые матричные кристаллы.
- •10.2 Программируемые логические матрицы (плм).
- •10.2.1 Схемотехника плм
- •10.2.2 Подготовка задачи к решению с помощью плм
- •10.2.3 Программирование плм
- •10.2.4 Упрощенное изображение схем плм
- •10.2.5 Воспроизведение скобочных форм переключательных функций
- •10.2.6 Наращивание (расширение) плм
2.3 Расчет транзисторных ключей.
Рассмотрим методику
расчёта ключа в режиме насыщения.
Принципиальная схема ключа приведена
на рис.2.23. Для насыщения ключа необходимо
отрицательные входные импульсы
определённой амплитуды. В результате
расчётов нужно получить: тип транзистора,
,
,
.
Для положительных входных импульсов применяют транзисторы типа n-p-n, схема ключа аналогична.
Рис. 2.23 Транзисторный ключ в режиме насыщения
Расчёт схемы по постоянному току традиционен, однако учитывается входная характеристика транзистора в режиме насыщения (2).
; (1)
; (2)
Нагрузочная линия (1) строится по двум точкам (Х.Х и К.З.).
Х.Х.:
,
.
К.З.:
,
.
Пересечение нагрузочной прямой (1) с
линией насыщения (2) – точка «А»,
определяющая
,
и
.
В данном случае
(см. рис.2.24). При проектировании ключей
ток коллектора в режиме насыщения обычно
задан, что определяет выбор типа
транзистора по допустимому току и
положение точки «А» (значит и тока
).
По значению этого тока рассчитывают
резистор
(
).
;
Рис. 2.24 Расчёт ключа по постоянному току
Для расчёта резистора
воспользуемся входной характеристикой
транзистора в режиме насыщения (
).
Ток базы, определяемый
и резистором
должен быть:
.
Рис. 2.25
Установим положение точки «А» на входной
характеристики по значению тока базы
в точке «А» на выходных характеристиках
(см. рис.2.25). Если
задано, то нагрузочная линия ко входным
характеристикам должна прейти из точки
Х.Х. (
)
через точку «А» и определить значение
тока К.З. (
).
Поскольку ток
,
то отсюда можно определить значение
резистора
(
).
Если
велико (более 35В),
то построение нагрузочной линии неудачно.
В этом случае запишем систему уравнений
для точки «А» из которой без построения
нагрузочной линии можно определить
значение резистора
:
;
; (1)
; (2)
Для ускорения процесса насыщения иногда ключа вводят понятие коэффициент насыщения.
Коэффициент насыщения
,
.
Рекомендованное значение коэффициента
,
т.к. с увеличениемSуменьшается время включения ключа,
однако при этом увеличивается время
выключения.
Простейший расчёт ключа.
– (координата точки «А», и
заданна
потребителем.
;
.
Примем, что
;
.
Примем
,
тогда
;
Рассчитаем
при
,
получим
;
.
Ориентировочные требования к транзистору:
;
;
.
Полная модель ключа для области насыщения имеет вид (см. рис.2.26):
Рис.
2.26 Полная модель ключа при
При этом
,
что обеспечивает
.
Упрощённая модель ключа имеет вид (рис.2.27).
Рис.
2.27 Упрощённая модель ключа при
В упрощённом варианте можно считать, что зажимы транзистора К,Э и Б – однопотенциальные.
Расчёт ключа в режиме отсечки.
Схема ключа и фрагменты расчёта по постоянному току приведены на рис.2.28.
Рис. 2.28 Модель схемы ключа в режиме отсечки и элементы расчётов по постоянному току
На вход схемы
поступают положительные импульсы,
запирающие транзистор. Рабочая точка
А1 для полного запирания транзистора
должна располагаться на самой нижнеё
характеристике ().
При этом
.
Расчёт режима по постоянному току
аналогичен. Модель ключа в режиме отсечки
приведена на рис.2.27.
Рис. 2.27 Модель ключа в режиме отсечки
Рассчитаем амплитуду импульсов ()
поступающих на вход ключа, обеспечивающих
запирание транзистора (точку А1).
Известно описание входной характеристики транзистора
,
где
- значение тока базы при обратном
включении входного перехода транзистора;
- тепловой потенциал (25мВ при нормальных
условиях, Т=293К);
в режиме отсечки.
Тогда
.
Если
,
то
,
что обеспечивает работу транзисторного
ключа в точке А1. Для обеспечения
необходимо чтобы
.
;
Найдём амплитуду импульсов
.
Значение напряжения
- порядка десятков милливольт, поэтому
.
Упрощённая модель ключа представляет собой разомкнутые коллектор и эмиттер, при напряжении на базе (0,30,5)В.
ВЫВОДЫ:
Транзисторный ключ в основном находится в двух состояниях (отсечка и насыщение):
Ключ в режиме насыщения. Его упрощённая модель К и Э замкнуты. При этом
. Если
задано, то рассчитывают
.
Ключ в режиме отсечки К и Э разомкнуты, для этого на базу необходимо подавать запирающие напряжение
.
Преимущество транзисторных ключей:
управление большими токами
с помощью малых токов базы. Следовательно,
ключ КЭ является безискровым выключателем.