- •1 Електричне поле
- •1.1 Короткі відомості про будову|споруду| матерії
- •Елементарні частинки|частки| і їх електромагнітне поле – особливий вид матерії
- •Хімічні зв'язки в молекулах і кристалах
- •Зонна діаграма твердого тіла
- •1.2 Закон кулона. Напруженість електричного поля
- •1.3 Робота при переміщенні заряджених частинок в електричному полі
- •1.4 Провідники в електричному полі
- •1.5 Електричний струм|тік| в провідниках
- •1.6 Розрахунок електричних ланцюгів|цепів| постійного струму|току| Схеми эаміщення електричних ланцюгів
- •1.7 Закони кірхгофа
- •Перший закон Кірхгофа
- •Другий закон Кірхгофа
- •1.8 Метод контурних струмів |токів|
- •2 Магнітне поле та магнітні ланцюги|цепи|
- •2.1 Робота при переміщенні проводу із|із| струмом|током| у|проводу| магнітному полі. Магнітний потік і потокозчеплення
- •2.2 Індуктивність і взаїмоіндуктивність
- •2.3 Обчислення індуктивності
- •Індуктивність котушки|катушки|
- •2.4 Магнітні властивості речовини. Закон повного|цілковитого| струму|току|
- •3 Електричні ланцюги постійного току
- •3.1 Структура електричних ланцюгів
- •3.2 Одноконтурні лінійні електричні ланцюги
- •3.3 Багатоконтурні лінійні електричні ланцюги
- •Контрольні запитання
- •4 Електричні ланцюги змінного струму
- •4.1 Генерування синусоїдальних електричних величин
- •4.2 Прості лінійні електричні ланцюги синусоїдального струму
- •Контрольні запитання
- •5 Асинхронні машини
- •5.1 Призначення і будова асинхронних машин
- •5.2 Робота трифазної асинхронної машини у режимі двигуна
- •5.3 Асинхронні виконавчі двигуни і тахогенератори
- •6 Синхронні машини
- •6.1 Призначення і будова синхронних машин
- •6.2 Робота трифазної синхронної машини у режимі генератора
- •6.3 Призначення і будова машин постійного струму
- •Контрольні запитання
- •7 Основи електроніки
- •7.1 Електричний струм у напівпровідниках.
- •7.1.1 Класифікація речовин за провідністю
- •Отже, швидкість рекомбінацій
- •7.1.2 Струми власних напівпровідників
- •Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Дифузія носивїв заряду у напівпровідниках
- •7.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •7.4.1 Електронно-дірковий перехід без зовнішнього електричного поля
- •7.4.2 Електронно-дірковий перехід із зовнішнім джерелом напруги
- •7.5 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого р-п-переходу
- •7.6 Ємнісні властивості p-n-переходу
- •7.7 Пробій р-п-переходу
- •7.8 Перехід метал – напівпровідник
- •8 Генератори синусоїдальних коливань
- •8.1. Підсилювачі безперервних сигналів
- •8.1.1 Принцип роботи підсилювача безперервних сигналів на лампі
- •8.2 Типова принципова схема підсилювача безперервних сигналів на тріоді
- •8.3 Вибір робочої точки і способи створення напруги автоматичного зсуву
- •8.4 Фізичні процеси в підсилювачі при підсиленні імпульсних сигналів
- •8.5 Типова схема підсилювача імпульсних сигналів на пентоді
- •8.6 Підсилювачі зі зворотним зв'язком
- •8.6.2 Вплив зворотного зв'язку на характеристики підсилювача
- •9 Транзистори
- •9.1 Визначення транзистора
- •9.2 Напівпровідникові підсилювачі
- •10 Cпрямляючі пристрої
- •11 Мікроелектроніка та цифрова техніка
- •11.1 Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •11.2. Особливості інтегральних схем як нового типу напівпровідникових приладів
- •11.3 Класифікація інтегральних мікросхем
- •11.4 Система умовних позначень інтегральних мікросхем
- •11.5 Загальна характеристика цифрових інтегральних мікросхем
- •11.5.1 Елементарні логічні операції
- •11.5.2 Характеристики і параметри цифрових інтегральних схем
- •11.5.3 Класифікація цифрових інтегральних схем
- •11.6 Тригери
- •Основи електроніки, автоматики та
- •Основи електроніки, автоматики та цифрової техніки
- •65016, Одеса, вул.Львівська, 15
11.5.3 Класифікація цифрових інтегральних схем
Цифрові інтегральні мікросхеми характеризуються широким діапазоном виконуваних функцій та багатьма варіантами конструкторсько-технологічного виконання.
Цифрові інтегральні мікросхеми, як і АІС, випускаються серіями. Мікросхеми однієї серії мають однакові напруги живлення, електричні та експлуатаційні характеристики і у разі сумісного використання не потребують додаткових елементів.
Належність ІМС до тієї чи іншої серії показують в її умовному позначенні. Серед великої кількості серій ЩС виділяються такі групи: серії функціонально повного складу; серії, які спеціалізуються за функціональним призначенням; мікропроцесорні комплекти великих ІМС. До. серії функціонально повного складу належать ІМС різного функціонального призначення: логічні, тригери, регістри, лічильники, дешифратори, кодоперетво-рювачі і т. ін. Чим ширший функціональний склад серії, тим краще вона забезпечує виконання вимог до мікроелектронної апаратури, таких, як надійність, компактність, економічність, технологічність, зручність експлуатації та ремонту. Деякі серії складаються з 100 і більше типів ІМС. Прикладами серій ІМС з розвинутим функціональним складом можуть бути серії К500, К155, К555, К561, К564 і т. ін. Такі серії можна називати універсальними, оскільки вони мають широку область використання.
Серії ІМС, які об'єднуються за функціональним призначенням, характеризуються вужчою спеціалізацією. До них належать: серії ІМС пам'яті (К537, К565, К556, К573, К1601 та ін.); серії ІМС узгодження з лініями передачі і керування різними пристроями - інтерфейсні ІМС (К169, К170, К1102); серії ІМС аналого-цифрового і цифро-аналогового перетворень (К572, К1107, К1113 та ін.); серії ІМС вторинних джерел живлення тощо.
До мікропроцесорних комплектів ВІС належать ІМС, які необхідні для побудови мікропроцесорних обчислювальних систем та пристроїв керування. Сюди відносять мікропроцесори, ВІС введення-виведення, таймери, генератори, різні допоміжні ІМС. Прикладами мікропроцесорних комплектів є ІМС К580, К1810, К588, К1801, К1862, К1804 та ін.
Докладно сучасні великі ІМС, складні функціональні вузли, їх структура, принципи будови, номенклатура та призначення розглядаються у відповідних підручниках радіоелектронного профілю, а також у навчальній дисципліні «Цифрова та мікропроцесорна техніка».
Розглянемо лише елементну базу таких пристроїв, основу якої складають інтегральні логічні елементи (ІЛЕ). Такі елементи, з одного боку, пов'язані з технологією і типом активного приладу, а з іншого боку, їх параметри чинять безпосередній вплив на параметри вузлів та систем. Вибір типу ІЛЕ значною мірою визначає якісні показники апаратури.
Логічні ІМС належать до мікросхем комбінаційного типу. Вони не мають елементів пам'яті (тригерів), а їх стан одночасно визначається комбінацією вхідних сигналів і не залежить від попереднього стану.
У цифрових пристроях і системах як базові елементи найширше застосовують такі ІЛЕ: НІ, І, АБО, І - НІ, АБО - НІ і т. ін.
Промисловість випускає різноманітні ІЛЕ. Залежно від типу базових ключів виділяють такі типи інтегральних логічних схем:
- діодно-транзисторна логіка (ДТЛ);
- резисторно-транзисторна логіка (РТЛ);
- резисторно-ємнісна транзисторна лоґіка (РЄТЛ);
- транзисторно-транзисторна логіка (ТІЛ);
- емітерно-зв'язана транзисторна логіка (ЕЗТЛ);
- транзисторно-транзисторна логіка з бар'єром Шотткі (ТТЛШ);
- логіка на МОН-структурах (МОНЛ);
- логіка на комплементарних МОН-структурах (КМОН);
- інжекційно-інтегральна логіка (І2Л).
На перших етапах розвитку інтегральної схемотехніки ІЛЕ виконувалися за схемами, створеними на основі дискретних приладів. До таких ІЛЕ належать ДТЛ, РТЛ, РЕТЛ та деякі інші. Серії таких типів продовжує випускати промисловість, але їх використовують лише для комплектації серійної PEA і не застосовують в нових розробках. Принципові схеми цих ІЛЕ показано на рис. 11.4. Усі вони виконують, логічну операцію 2 АБО - НІ, якщо за рівень логічної одиниці взято високий рівень сигналу («позитивна логіка»). Дійсно, якщо на обох входах Х1 та X2. інформаційного сигналу немає (рівень логічного нуля), транзистори закриті, на виході формується високий рівень (майже ЕC), тобто логічна одиниця. З подачею сигналу (логічна одиниця) хоча б на один вхід, або на обидва входи одночасно транзистор відкривається і на виході формується рівень логічного нуля. Умовне графічне позначення логічної операції 2 АБО -НІ показано на рис. 11.4, г.
Розглянемо випадок використання «негативної логіки», коли логічному нулю відповідає високий рівень потенціалу. Тоді під час дії на входах X1 та Х2 сигналів рівня логічного нуля транзистори будуть відкриті, а на виході сформується низький рівень - логічна одиниця. У такому випадку логічна операція відбудеться лише за умови, якщо транзистори перемкнуться в режим відсікання. Для цього необхідно, щоб одночасно на обидва входи поступили сигнали логічної одиниці. Тобто у разі використання негативної логіки схеми (рис. 11.4) реалізується логічна функція 2I - НІ. Як правило, паспортне позначення ІЛЕ відповідає функції, яка реалізується в режимі «позитивної логіки».
За видом виконуваної логічної функції базові логічні елементи поділяють на найпростіші одноступеневі (І, АБО, НІ, І - НІ, АБО - НІ) та двоступеневі (І - АБО, І - АБО - НІ та ін.) логіки.
У процесі розвитку і вдосконалення інтегральної технології та схемотехніки були створені нові типи ІЛЕ, які знайшли широке застосування як закінчені функціональні вузли та як базові компоненти для побудови складних функціональних цифрових блоків. Зупинимося на деяких з таких ІЛЕ.
Рис. 11.4 - Логічні елементи:
а - схема ДТЛ; б - схеми РТЛ;в – схеми РЕТЛ;
г - умовне позначення схем 2 АБО - НІ