- •1 Електричне поле
- •1.1 Короткі відомості про будову|споруду| матерії
- •Елементарні частинки|частки| і їх електромагнітне поле – особливий вид матерії
- •Хімічні зв'язки в молекулах і кристалах
- •Зонна діаграма твердого тіла
- •1.2 Закон кулона. Напруженість електричного поля
- •1.3 Робота при переміщенні заряджених частинок в електричному полі
- •1.4 Провідники в електричному полі
- •1.5 Електричний струм|тік| в провідниках
- •1.6 Розрахунок електричних ланцюгів|цепів| постійного струму|току| Схеми эаміщення електричних ланцюгів
- •1.7 Закони кірхгофа
- •Перший закон Кірхгофа
- •Другий закон Кірхгофа
- •1.8 Метод контурних струмів |токів|
- •2 Магнітне поле та магнітні ланцюги|цепи|
- •2.1 Робота при переміщенні проводу із|із| струмом|током| у|проводу| магнітному полі. Магнітний потік і потокозчеплення
- •2.2 Індуктивність і взаїмоіндуктивність
- •2.3 Обчислення індуктивності
- •Індуктивність котушки|катушки|
- •2.4 Магнітні властивості речовини. Закон повного|цілковитого| струму|току|
- •3 Електричні ланцюги постійного току
- •3.1 Структура електричних ланцюгів
- •3.2 Одноконтурні лінійні електричні ланцюги
- •3.3 Багатоконтурні лінійні електричні ланцюги
- •Контрольні запитання
- •4 Електричні ланцюги змінного струму
- •4.1 Генерування синусоїдальних електричних величин
- •4.2 Прості лінійні електричні ланцюги синусоїдального струму
- •Контрольні запитання
- •5 Асинхронні машини
- •5.1 Призначення і будова асинхронних машин
- •5.2 Робота трифазної асинхронної машини у режимі двигуна
- •5.3 Асинхронні виконавчі двигуни і тахогенератори
- •6 Синхронні машини
- •6.1 Призначення і будова синхронних машин
- •6.2 Робота трифазної синхронної машини у режимі генератора
- •6.3 Призначення і будова машин постійного струму
- •Контрольні запитання
- •7 Основи електроніки
- •7.1 Електричний струм у напівпровідниках.
- •7.1.1 Класифікація речовин за провідністю
- •Отже, швидкість рекомбінацій
- •7.1.2 Струми власних напівпровідників
- •Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Дифузія носивїв заряду у напівпровідниках
- •7.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •7.4.1 Електронно-дірковий перехід без зовнішнього електричного поля
- •7.4.2 Електронно-дірковий перехід із зовнішнім джерелом напруги
- •7.5 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого р-п-переходу
- •7.6 Ємнісні властивості p-n-переходу
- •7.7 Пробій р-п-переходу
- •7.8 Перехід метал – напівпровідник
- •8 Генератори синусоїдальних коливань
- •8.1. Підсилювачі безперервних сигналів
- •8.1.1 Принцип роботи підсилювача безперервних сигналів на лампі
- •8.2 Типова принципова схема підсилювача безперервних сигналів на тріоді
- •8.3 Вибір робочої точки і способи створення напруги автоматичного зсуву
- •8.4 Фізичні процеси в підсилювачі при підсиленні імпульсних сигналів
- •8.5 Типова схема підсилювача імпульсних сигналів на пентоді
- •8.6 Підсилювачі зі зворотним зв'язком
- •8.6.2 Вплив зворотного зв'язку на характеристики підсилювача
- •9 Транзистори
- •9.1 Визначення транзистора
- •9.2 Напівпровідникові підсилювачі
- •10 Cпрямляючі пристрої
- •11 Мікроелектроніка та цифрова техніка
- •11.1 Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •11.2. Особливості інтегральних схем як нового типу напівпровідникових приладів
- •11.3 Класифікація інтегральних мікросхем
- •11.4 Система умовних позначень інтегральних мікросхем
- •11.5 Загальна характеристика цифрових інтегральних мікросхем
- •11.5.1 Елементарні логічні операції
- •11.5.2 Характеристики і параметри цифрових інтегральних схем
- •11.5.3 Класифікація цифрових інтегральних схем
- •11.6 Тригери
- •Основи електроніки, автоматики та
- •Основи електроніки, автоматики та цифрової техніки
- •65016, Одеса, вул.Львівська, 15
11.4 Система умовних позначень інтегральних мікросхем
Повне умовне позначення ІМС складається із чотирьох елементів. Перший елемент - цифра, що характеризує групу ІМС за конструктивно-технологічним виконанням: 1, 5, 7- напівпровідникові; 2, 4- гібридні; З - інші (плівкові, вакуумні, керамічні тощо); 8, 9, 0 - резерв.
Другий елемент - цифра, що характеризує підгрупу ІМС за конструктивно-технологічним виконанням.
Третій елемент - одна або дві цифри, що позначають порядковий номер розробки серії ІМС.
Четвертий елемент - дві літери, що визначають групу та вид ГМС за функціональним призначенням. Для ідентифікації цих літер, тобто визначення групи ІМС (генератори, логічні схеми, підсилювачі) та виду (генератор гармонічних сигналів, елемент «НІ»), необхідно скористатися таблицями, які в повному обсязі наводяться в довідниках та державному стандарті ДСТУ 3212-95 [10]. Назви деяких широко вживаних груп і видів ІМС наведено в табл. 11.1.
П'ятий елемент - дві цифри, що позначають порядковий номер розробки ІМС за функціональним призначенням у даній серії.
Три перші елементи позначають серію ІМС. Наприклад, мікросхема 140УД7- інтегральний напівпровідниковий операційний підсилювач (УД) з порядковим номером розробки 40 серії 140 з порядковим номером розробки даної схеми в серії за функціональною ознакою 7.
Для врахування розкиду електричних параметрів ІМС у межах даного типономіналу в кінці умовного позначення може бути добавлена літера. В умовних позначеннях ІМС широкого застосування на початку позначення ставиться літера К. Після цієї літери може бути також наведено умовне позначення корпусу мікросхеми (пластмасовий - П, керамічний -I). Літера Б відповідає безкорпусному варіанту ІМС.
В умовне позначення безкорпусних ІМС вводиться через дефіс цифра, яка характеризує конструктивні особливості мікросхеми: 1 - з гнучкими виводами, 2 - із стрічковими (павучковими) виводами, 3 - із жорсткими виводами, 4 - на спільній пластині (нероздільні), 5 - розділені без втрати орієнтації, 6-з контактними площинками без виводів (кристал), наприклад, КБ710УД4-4.
Таблиця 11.1. Групи і види ІМС за функціональним призначенням
Група і літерне позначення |
Вид і літерне позначення елементів |
Літерне позначення групи та виду |
Логічні елементи «Л»
|
1-Й |
ЛИ |
НІ-Н |
ЛН | |
АБО-Л |
ЛЛ | |
І-НІ-А |
ЛА | |
АБО-НІ-Е |
ЛЕ | |
І-АБО-С |
ЛС | |
І-АБО-НІ-Р |
ЛР | |
Підсилювачі «У»
|
Високої частоти - В |
УВ' |
Низької частоти – Н |
УН | |
Операційні та диференціальні - Д |
УД | |
Генератори «Г»
|
Гармонічних сигналів – С |
ГС |
Прямокутних сигналів – Г |
ГГ |
Для захисту елементів і компонентів ІМС від дії зовнішнього середовища - пилу, вологи, механічних і електромагнітних дій - кристал герметизують за допомогою ізоляційних матеріалів або щільної герметизації, використовуючи вакуум. Це ускладнює конструкцію ІМС, але істотно підвищує її надійність. Виготовляється велика номенклатура корпусів для ІМС. Усі вони стандартизовані і тому наперед визначають правила встановлення та монтажу ІМС на друкованих платах. Отже, крім прямого призначення, корпус, ІМС повинен мати конструктивні характеристики, особливо за габаритними розмірами і розміщенням виводів.
Промисловість випускає корпуси ІМС круглої та прямокутної форми. Корпус круглої форми - це модифікований металоскляний корпус транзисторів із збільшеною кількістю виводів. Спочатку кількість виводів було збільшено до 8, а потім до 12 .
Прямокутні корпуси поділяють на дві основні rpyпи: з пленарними виводами, розміщеними в площі корпусу, та із штирьовими виводами. У поперечному розрізі виводи можуть бути круглої, квадратної або прямокутної форми.
Мікросхеми в круглих і прямокутних корпусах зі штирьовими виводами встановлюють на друкованих платах, запаюючи виводи в отворах плат (рис. 6.4, а, б, в). Плати, на які встановлюють корпуси з планерними виводами, не потребують в них отворів: планарні виводи зверху припаюють до контактних площинок плат. Тому планарні виводи можна легко відпаювати під час ремонтних робіт. Мікросхеми з такими виводами можна розміщувати з двох боків друкованої плати.