Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
230_CONSP_EM_2010.doc
Скачиваний:
69
Добавлен:
07.02.2016
Размер:
1.33 Mб
Скачать

IV.2.3.Г.1. Конденсаторна сегнетокераміка.

  • Матеріали зі слабко висловленою температурною залежністю діелектричної проникності, матеріал "Т=900".

  • Матеріали зі заглаженою залежністю діелектричної проникності від температури, матеріал "СМ-1";

  • Матеріали з максимальним значенням діелектричної проникності в певному інтервалі температур, матеріал "Т=8000".

Характеристики матеріалів:

  • Т=900- представляє собою твердий розчин титанатів: & стронцію –SrTiO3; & вісмуту -Bi4Ti3O12. Діелектрична проникністьmax. => f (tКЮРІ=-1400C). Робочий діапазон температур значно вище>>tКЮРІ.

  • СМ-1 виробляють на основі титанату барію з додатком окислів цирконію і вісмуту - застосуємо для виробництва малогабаритних конденсаторів на малі напруги.

  • Т=8000- представляє собою твердий розчин титанату і цирконата барію –BaTiO3і –BaZrO3. Діелектрична проникністьmax. => f (tКЮРІ=200C) - в області кімнатній температури. Застосуємо для виробництва малогабаритних конденсаторів, працюючих при кімнатній температурі, на різні напруги.

IV.2.3.Г.2. Матеріали для варикондів

Застосовують для виготовлення нелінійних конденсаторів, що управляють параметрами електричних ланцюгів за рахунок модифікації їхньої ємності, при впливі одного або декількох напружень, відмінних по амплітуді і частоті. Основна характеристика їх - К - коефіцієнт нелинійности. Він визначається:

К=max./нач; при: f (Emax.),

(38)

Основною кришталевої фази в таких матеріалах є тверді розчини систем:

& Ba(Ti, Sn)O3; & Pb(Ti, Zr, Sn)O3.

Нелінійні елементи виробляються в тонко плівковому виконанні для приладів:

  • параметричних підсилювачів;

  • низькочастотних підсилювачів потужності;

  • фазообертачів;

  • помножувателів частоти;

  • модуляторів;

  • стабілізаторів напруги;

  • фільтрів, що управляються, і т. ін..

IV.2.3.Г.3. Сегнетоелектрики з ппг.

СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКИ З ППГ(прямокутною петлею гистерезису) - застосовуються в запом'ятовуючих приладах ЕОМ.

В відсутності зовнішнього поля, сегнетоелектрик з ППГ, має два тривких стани:

-& зберігання одиниці; - & зберігання нуля. Подаючи зовнішню напругу різноманітного напрямку, сегнетоелектрик можна перекладати з одного стану в інше: проводити стирання; запис; читання інформації. Читання інформації можна робити без її руйнування оптичним засобом або вимірюванням Опору тонкої напівпровідникової плівки, нанесеної на поверховість сегнетоелектрику. Час звернення до одиниці інформації пропорційно розмірам кристалу, що містить інформацію, tдост.=(3-5) *10-6мкс.

IV.2.3.Г.4. Електрооптичні кристали.

КРИСТАЛИсегнето і анти сегнетоелектриків володіютьЕЛЕКТРООПТИЧНИМефектом - модифікацією показника переломлення середовища, під чинністю зовнішнього електростатичного поля. Даний ефект може бути:

  • ЛІНІЙНИМ(пропорційний 1-й міри напруженості поля) або ефектом Поккельса;

  • НЕЛІНІЙНИМ(квадратична залежність від напруженості поля) або ефектом Керра.

Дані властивості використовуються для модуляції лазерного вилучення (частіше всього електричним полем, який додано до кришталів, що знаходяться між схрещуваними поляроїдами.

Електрооптичні модулятори світла створені на базі кришталів:

  • ніобату літію – LiNbO3;

  • дигидрофосфату калію - KH2PO4;

  • дидейтерофосфату калію - KD2PO4;

  • прозора сигнетокераміка системи ЦТСЛ- тверді розчини цирконату-титаната свинцю з окисом лантану.

Для даних матеріалів, ЕЛЕКТРООПТИЧНИЙефект, посилюється при наближенні до t0Кюрі., тому дані ефекти досягається застосуванням низьких напруженостей при t0Кюрі..