
- •Содержание
- •Предисловие
- •Список обозначений
- •Соотношения между величинами
- •1 Низкотемпературная плазма
- •Лекция 1
- •1.1.Введение
- •1.1.1.Определение низкотемпературной плазмы
- •1.1.2.Некоторые определения и оценки
- •1.1.3.Классификация плазм по степени равновесности
- •1.2.3.Теория элементарных процессов
- •1.2.4.Метод переходного состояния
- •Лекция 2
- •1.2.5.Неравновесные эффекты в реакциях
- •1.2.6.Мономолекулярные реакции
- •1.2.7.Бимолекулярные реакции
- •1.2.8.Вращательная и колебательная релаксация
- •Лекция 3
- •1.3.Основные процессы в низкотемпературной плазме
- •1.3.1.Упругие столкновения и перезарядка
- •1.3.2.Ионизация электронным ударом и ударная рекомбинация
- •1.3.3.Теория Томсона
- •1.3.4.Ионизация тяжелыми частицами и тройная рекомбинация
- •1.3.5.Пеннинговская ионизация
- •1.3.6.Отрицательные ионы
- •1.3.7.Принцип Франка-Кондона
- •1.3.10.Вычисление скорости диссоциативной рекомбинации
- •1.3.11.Состояние продуктов диссоциативной рекомбинации
- •1.3.12.Сравнение скоростей рекомбинации для гелиевой плазмы
- •Лекция 4
- •1.4.Излучательные процессы в низкотемпературной плазме
- •1.4.2.Тормозное излучение и поглощение
- •1.4.4.Доплеровское уширение. Фойгтовский профиль
- •1.4.5.Уширение давлением
- •1.4.6.Возбуждение и тушение электронных состояний
- •1.4.7.Диффузия связанного электрона в энергетичеcком пространстве; ударно-радиационная рекомбинация
- •1.4.8.Модифицированное диффузионное приближение
- •1.4.9.Ударно-диссоциативная рекомбинация и ударно-ассоциативная ионизация
- •Лекция 5
- •1.5.Радиационный перенос
- •1.5.2.Уравнение переноса возбуждения
- •1.5.3.Перенос излучения в плоско-параллельном слое
- •1.5.4.Перенос тормозного излучения
- •1.5.5.Перенос линейчатого излучения
- •1.6.1.Повверхность как источник примесей
- •1.6.2.Взаимодействие заряженных частиц с поверхностями
- •1.6.3.Фотоэлектронная эмиссия
- •1.6.4.Термо-автоэлектронная и взрывная эмиссия
- •Лекция 6
- •1.7.1.Кинетическое уравнение для плазмы
- •1.7.2.Столкновения электронов с газом в электрическом поле
- •1.7.3.Симметричная и асимметричная части ФР
- •1.7.4.Уравнение для энергетического спектра электронов
- •1.7.5.Уравнение для симметричной части функции распределения
- •1.7.6.Влияние неупругих столкновений
- •1.7.7.Стационарные ФРЭ в низкотемпературной плазме
- •Лекция 7
- •1.8.1.ФРЭ при наличии источника быстрых электронов
- •2 Электрический пробой газа
- •Лекция 8
- •2.1.1.Первый коэффициент Таунсенда
- •2.1.3.Токи носителей в плоском разрядном промежутке
- •2.1.4.Ток во внешней цепи
- •Лекция 9
- •2.1.5.Серии лавин
- •2.1.6.Статистика лавинного усиления
- •2.1.7.Статистика серии лавин
- •Лекция 10
- •2.3.1.Механизм пробоя
- •2.3.3.Переход пробоя от одного типа к другому
- •2.3.4.Искра
- •Лекция 11
- •2.4.Электрический пробой в неоднородных полях и длинных промежутках
- •2.4.1.Коронный разяд
- •Лекция 12
- •3.Установившийся ток в газе
- •3.1.Классификация разрядов
- •3.4.Тлеющий разряд
- •3.4.1.Феноменологическое описание тлеющего разряда
- •3.4.2.Формирование катодного слоя
- •Библиографический список
- •Предметный указатель

где R0 = (3/4πN)1/3. Введя ∆¯ω = Cn/R0n, получим |
− |
ω − ω0 |
|
dω . |
(1.4.59) |
||
I(ω)dω = n(ω − ω0)(3+n)/n exp |
|||||||
|
4πNCn3/n |
|
|
∆¯ω |
|
3/n |
|
Выражение (1.4.59) имеет смысл только для достаточно больших значений (ω − ω0), для которых R = [(ω − ω0)/Cn]−1/n R0, и бинарное приближение справедливо.
Таким образом, центральная часть уширенной линии – лоренцовская, тогда как для больших значений
∆ω ΩB она описывается статическим контуром. Статическое крыло может располагаться как с длинноволновой, так и с коротковолновой стороны линии в зависимости от направления сдвига термов. В области частот, противоположных по знаку статическому крылу, лоренцовское распределение сменяется экспоненциальным [34, c. 257].
Если бинарное приближение h = Nρ30 1 становится несправедливым, то при h 1 статическая теория должна учитывать многочастичные взаимодействия. Такая теория была создана Хольцмарком (см. [34]). Распределение Хольцмарка совпадает в асимптотике с выражением (1.4.59). Напомним, однако, что более полно уширение давлением описывает не рассматривавшаяся здесь квановомеханическая теория.
1.4.6.Возбуждение и тушение электронных состояний
При столкновении атома, находящегося в некотором состоянии k, с электроном он может перейти в другое, более высокое возбужденное состояние n.
kkn |
(1.4.60) |
Ak + e An + e . |
knk
Рис. 27: Сечение возбуждения разных уровней He .
Вероятность перехода k → n:
∞
wkn = ne vσkn = ne √
2∆Ekn/m
4πv3σ |
|
(v)f(v)dv = n |
|
∞ |
|
|
2E |
|
σ |
( )√ |
|
f( )d , |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
kn |
e |
∆ kn |
m |
||||||||||
|
|
|
kn E E |
E E |
|||||||||
|
|
|
|
E |
|
|
|
|
|
|
|
(1.4.61) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
68

Рис. 28: Вероятности возбуждения и ионизации вблизи атомов порога.
Обратный процесс безизлучательного перехода при столкновении с электроном называют “тушением” или дезактивацией. Этот процесс – беспороговый. Скорость обратного процесса можно найти из принципа детального равновесия
nk0wkn = nn0 wnk . |
(1.4.62) |
Характерный вид зависимости сечения возбуждения разных состояний в зависимости от энергии налетающих электронов в сравнении с сечениями ионизации и уругого рассеяния приведен на рис. 27. Сечение резко растет после достижения порога реакции, а затем медленно спадает. При больших энергиях
(E >> ∆Ekn) для оптически разрешенных переходов сечение аппроксимируется выражением |
|
||||||||
σ |
|
( |
) |
|
ln E |
, |
(1.4.63) |
||
|
kn |
E |
|
E |
|
|
|||
тогда как для запрещенных переходов зависимость имеет вид [35, 36] |
|
||||||||
|
|
|
|
|
1 |
|
|
(1.4.64) |
|
|
σkn(E) |
|
. |
|
|||||
|
E |
|
В низкотемпературной плазме температура электронов много меньше потенциалов возбуждения, и только хвосты функции распределения электронов участвуют в процессе возбуждения атомов. Понятно, что макроскопическая скорость реакции существенным образом определяется как видом функции распределения, так и видом зависимости сечения возбуждения вблизи порога от энергии. Согласно теории, в борновском приближении на пороге (E ∆Ekn) зависимость от энергии имеет вид
σkn(E) |
E − ∆Ekn |
. |
(1.4.65) |
Согласно экспериментальным данным, однако, эта зависимость скорее является линейно возрастающей
σkn(E) a(E − ∆Ekn) . |
(1.4.66) |
69

Хотя она и не имеет физического смысла, линейной аппроксимацией удобно пользоваться при оценках. Для
атома водорода в состоянии 21S ∆Ekn = 10.2 эВ и a = 2.5 ·10−17 см2/эВ, а для атома гелия в состоянии 21S0 ∆Ekn = 20.6 эВ и a = 4.6 · 10−18 см2/эВ [2, с. 67].
Все сечения возбуждения могут быть унифицированы, если ввести безразмерную энергию электрона, отсчитываемую от порога возбуждения
|
|
u = |
E − ∆Ekn |
. |
(1.4.67) |
|||
|
|
|
|
∆Ekn |
|
|
|
|
В приближении Бете-Борна, применимом для диполь-дипольных переходов, сечение тогда имеет вид |
||||||||
σ |
kn |
= 4πa2 |
Ry2fkn |
ln[c(1 + u)] , |
(1.4.68) |
|||
∆Ekn2 (u + 1) |
||||||||
|
0 |
|
|
|
где fkn – сила осциллятора , а c – некоторый численный множитель [3]. Используя формулу Крамерса для силы осциллятора (1.4.33), получим зависимость сечения возбуждения от квантовых чисел верхнего и нижнего уровней2
σkn = |
128a2 |
1 |
1 |
|
Ry5 ln[c(1 + u)] |
|
(1.4.69) |
|||||||
√ |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|||
|
k |
5 |
|
n |
3 |
5 |
||||||||
|
|
|
|
|||||||||||
|
3 3 |
|
|
|
|
|
|
(Ek − En) (u + 1) |
|
|
||||
Отсюда также следует, что зависимость сечения от разности энергий уровней очень сильная |
|
|||||||||||||
|
|
|
σkn |
1 |
, |
|
(1.4.70) |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
∆Ekn5 |
|
и наиболее вероятны столкновительные переходы между близколежащими уровнями. В предыдущем параграфе мы нашли (см. (1.4.38)), что излучательное время быстро растет с номером уровня ( k5). В совокупности с (1.4.69), это означает, что можно время жизни нижних состояний определяется, главным образом, излучательным распадом, тогда как заселенность верхних состояний определяется, в основном, столкновительными процессами. Именно поэтому при столкновениях атома со свободными электронами говорят о диффузии в энергетическом пространстве связанного электрона, находящегося на ридберговских уровнях.
1.4.7.Диффузия связанного электрона в энергетичеcком пространстве; ударно-радиационная рекомбинация
Поскольку энергии частиц в низкотемпературной плазме много ниже потенциалов возбуждения и ионизации, то ступенчатые процессы ионизации и рекомбинации преобладают над рассмотренными в предыдущих разделах “прямыми” процессами. Иными словами, ионизация имеет место большей частью из возбужденных состояний, а скорость рекомбинации связана со скоростью распада возбужденных состояний. Во всех этих процессах выжную роль играют высоко возбужденные состояния и скорость их релаксации при столкновениях с другими частицами.
2Для аналитических расчетов можно также использовать приведенные в [3] таблицы и полуэмпирические прибли-
жения для σkn .
70

При столкновениях атомов, находящихся в верхних возбужденных состояниях, со свободными электронами наиболее вероятны переходы связанного электрона на близлежащие уровни [3]. Поскольку плотность ридберговских уровней очень высока, то хорошим приближением является модель диффузии связанного электрона в квазинепрерывном энергетическом пространстве связанных состоянии. В соответствии со стан-
дартным определением диффузии в обычном пространстве |
|
|||||
D(x) = |
1 d(∆x2) |
(1.4.71) |
||||
|
|
|
, |
|||
2 |
|
|
||||
|
|
dt |
|
|||
можно ввести коэффициент диффузии в энергетическом пространстве |
|
|||||
D( ) = |
1 |
|
d(∆E2) |
. |
(1.4.72) |
|
2 |
|
|||||
E |
|
dt |
|
|||
При рекомбинации электрон захватывается на один из верхних уровней с энергией связи (Ek |
Te). |
Поскольку, как уже говорилось, время жизни ридберговских состояний очень велико, а сечение столкновительных переходов – большое, то связанный электрон под действием соударений "блуждает"по верхим уровням. В результате блужданий он может либо перейти в континуум (процесс завершился ионизацией), либо полностью потерять энергию, когда атом переходит в основное состояние. В этом случае рекомбинацию можно считать состоящейся.
Для случая столкновений атома со свободными электронами коэффициент диффузии связанного элек-
трона был получен Гуревичем. Он имеет вид ([3]) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
4√ |
|
|
|
|
e4neE |
Λ |
|
|
|
|
|
||
D( ) = |
2π |
|
|
|
. |
(1.4.73) |
|||||||||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
E |
|
|
|
√mTe |
bound |
|
|
||||||||
Если возбужденный атом сталкивается с атомами, то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
32√ |
|
naσtrE3/2√ |
|
|
|
|||||||||
|
2 |
|
|||||||||||||
D( ) = |
mT |
. |
(1.4.74) |
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
E |
|
|
|
|
|
|
3πM |
|
|
|
|
|
Рассмотрим плазму, состоящую из ионов (n+), тяжелых частиц (na), и электронов (ne) со средней энергией E = (3Te/2). В общем случае эта плазма неравновесна. Запишем уравнение изменения концентрации электронов
|
|
|
dne |
|
q |
q |
|
|
(1.4.75) |
|
|
|
|
|
= |
(nkwke − nen+wek) + Fe − neGe , |
|
|
|||
|
|
|
dt |
k,q |
|
|
||||
гий. |
|
|
|
|
|
|
e |
|
e |
|
где |
k,q |
(nkwkeq − nen+wekq ) ≡ je - поток электронов через "границу"ионизации в пространстве энер- |
||||||||
|
Здесь k - дискретные состояния; индекс q - тип элементарного процесса; F |
|
и G |
– "источники"и |
"стоки"электронов за счет процессов, не входящих в сумму (диффузиционные потоки, ионизация примесей, включение внешнего ионизатора). Чтобы решить (1.4.75), населенности nk находят из уравнения баланса
dnk |
|
|
(1.4.76) |
|
= (nmwmeq − nkwemq |
) + Fk − nkGk . |
|
dt |
|||
|
m,q |
|
|
71

В квазистационарном приближении эта система алгебраическая. Решив ее и подставив в (1.4.75), получим
dne (1.4.77) dt
Данное выражение для суммы всех процессов носит совершенно иной смысл, чем выражения, записанные для элементарных процессов. В частности, коэффициенты ионизации α и рекомбинации β в данном случае не связаны соотношением детального равновесия. α определена формально, как константа второго порядка (см3/с), а β – третьего (см6/с). Соотношение между α и β носит не термодинамический, а кинетический характер, и зависит от отношений вероятностей элементарных процессов. Выражение n1neα означает, что только атом в основном состоянии при нашем определении α и β считаются реагентами и продуктами, а остальные состояния рассматриваются как промежуточные.
В квазистационарном приближении, когда Fe = 0 и Ge = 0, имеем
je = n1neα − ne2n+β . |
(1.4.78) |
Если je > 0, имеем режим ионизации; если je < 0, – рекомбинациию При je = 0 имеем квазистационарное состояние, но не обязательно равновесие, так как ионизация и рекомбинация могут осуществляться разными процессами.
Из вышеприведенного рисунка видно, что полное описание процессов в плазме возможно в рамках представления о "диффузии"электронов в энергетическом простанстве. Она описывается уравнением ФоккераПланка
∂n( ) |
|
∂ |
|
∂n( |
) |
|
|
||
E |
= |
|
|
B(E)n(E) + D(E) |
∂ |
E |
|
, |
(1.4.79) |
∂t |
∂ |
E |
E |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
где B(E) = −d ∆E /dt+dD(E)/dE – коэффициент динамического трения, а D(E) = (1/2) d ∆E2 /dt
– коэффициент диффузии. Так как поток
j( ) = B( |
E |
)n( |
) + D( |
) |
dn(E) |
(1.4.80) |
||
E |
E |
|
|
E |
|
d |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E |
|
должен обращаться в нуль при равновесии, можно записать |
|
|
|
|||||
B(E) = −D(E) |
dno |
(1.4.81) |
||||||
|
|
|
. |
|||||
n0dE |
||||||||
Вводя обозначение |
|
|
|
|
|
|
|
|
y(E) = n(E)/no(E) , |
(1.4.82) |
|||||||
из уравнений (1.4.79), (1.4.81) и (1.4.82) найдем |
|
|
|
|
|
|
||
j = |
D(E)no(E) |
dy |
|
|
(1.4.83) |
|||
|
. |
|||||||
d |
||||||||
|
|
|
|
|
E |
|
|
|
Итак, задача нахождения α и β сводится к решению уравнения (1.4.79).
72