![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
podyak
.pdf![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA51x1.jpg)
где RЭН – эквивалентное сопротивление нагрузки, равное параллельному соединению RЭ и Rн;
в) выходное сопротивление
Rвых = Uвых/ Iвых = rэ + (rб + RГ)(1 – 0) |
(2.71) |
(здесь не учитывается внешняя нагрузка усилителя).
2. Область нижних частот
а) влияние конденсатора С1 на ход АЧХ:
Kн1 |
|
|
|
KU 0 |
|
; |
|
|
|
(2.72) |
||
1 |
|
1 |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
J |
н1 |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
K1 ( ) |
|
|
|
|
KU 0 |
|
|
, |
(2.73) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
1 |
|
|
|
1 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
( |
н1 )2 |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
где KU0 – коэффициент усиления на средних частотах; |
н1 = С1(RГ + |
+ Rвх(ОК)) – постоянная времени в области нижних частот для входной цепи усилителя.
Исходя из критерия определения нижней граничной частоты, по-
лучим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
н1 = 1/ н1; |
|
|
|
|
|
(2.74) |
|||||||
б) влияние конденсатора С2 на ход АЧХ: |
|
||||||||||||||
|
Kн2 |
|
|
|
|
KU 0 |
|
|
; |
|
|
|
(2.75) |
||
|
1 |
|
1 |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
J |
н2 |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
K2 |
( ) |
|
|
|
|
|
KU 0 |
|
|
|
|
, |
(2.76) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
1 |
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
( |
|
н2 )2 |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
где KU0 – коэффициент усиления на средних частотах; н2 = С2(Rвых(ОК) + + Rн) – постоянная времени в области нижних частот для выходной цепи
усилителя.
50
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA52x1.jpg)
Исходя из критерия определения нижней граничной частоты, получим
н2 = 1/ н2. |
(2.77) |
Результирующий эффект, учитывающий вклад каждого из конденсаторов в АЧХ в области нижних частот, приближенно можно оценить, перейдя к сумме:
н = н1 + н2. |
(2.78) |
3. Область высоких частот
Здесь комплексный коэффициент передачи, АЧХ и верхняя граничная частоты принимают приближенные значения:
KUв ( j ) |
|
KU 0 |
; |
(2.79) |
|
|
j |
|
|||
1 |
в.экв |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
K ( |
) |
|
|
|
|
KU 0 |
|
; |
(2.80) |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
1 |
( в.экв )2 |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
, |
|
|
|
(2.81) |
|
|
|
|
|
|
в |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в.экв |
|
|
|
|||
где в.экв |
а1 |
на2 – эквивалентная постоянная времени в области |
||||||||||||||
высших частот: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
а1 |
1 |
|
0 RЭH |
|
|
|
; |
|
н = RЭНСК( |
0 + 1); |
|||||
|
RГ |
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
Rвх(ОК) |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
а |
|
RГ |
Rвх (ОЭ) . |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
2 |
|
RГ |
Rвх(ОК) |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приведенные результаты анализа амплитудно-частотных зависимостей в схеме ОК иллюстрируются графиком АЧХ, аналогичным приведенному выше на рис. 2.13.
Сравнительная оценка свойств трех способов включения транзистора в схеме усилителя иллюстрируется табл. 2.1, где приведенные
51
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA53x1.jpg)
значения коэффициентов передачи по току, выходные сопротивления и входные для схем ОЭ, ОБ относятся к собственно транзистору.
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 2.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Схема |
KI |
Rвх |
|
|
KU |
|
|
|
Rвых |
ОЭ |
|
rб + rэ( + 1) |
|
|
βZн |
|
|
|
rк(1 – ) |
|
|
Rвх(ОЭ) |
RГ |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
ОБ |
|
rэ + rб(1 – ) |
|
|
Zн |
|
|
|
rк |
|
|
Rвх(ОБ) |
RГ |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
ОК |
+ 1 |
rб + rэ( + 1) + Zн(1 + ) |
|
(β |
1)Zн |
|
|
rэ + rб(1 – ) |
|
|
Rвх(ОК) |
RГ |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
Из представленного выше материала можно сделать следующие выводы.
1.Наибольшими и близкими по величине являются коэффициенты усиления по току в схемах ОЭ, ОБ.
2.Самым малым входным сопротивлением обладает схема ОБ, самым большим – схема ОК.
3.Схема ОБ имеет наименьшее входное сопротивление, схема ОК – наибольшее.
4.Схемы ОЭ, ОБ близки по коэффициентам усиления по напряже-
нию. Дополнительно:
а) усилитель ОЭ является инвертирующим по отношению к входному сигналу;
б) схемы ОБ, ОК принципиально имеют более широкую полосу пропускания, чем схема ОЭ.
2.7.УПРАЖНЕНИЯ К РАЗДЕЛУ 2
1.Дайте определение основных функций схемы усилителя и поясните их физический смысл
2.Назовите и нарисуйте входные и выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по способам ОЭ, ОБ. Поясните их особенности.
52
3.Нарисуйте схему замещения транзистора по постоянному току и поясните ее состав.
4.Дайте определение статического режима работы схемы.
5.Какими элементами задается рабочий режим схем усилителей ОЭ, ОБ, ОК?
6.Сформулируйте требования к выбору рабочей точки на характеристиках транзистора в схемах усилителей.
7.Какими факторами определяется стабильность положения рабочей точки? Сравните этот показатель для схем ОЭ, ОБ, ОК.
8.Поясните роль элементов, входящих в схемы усилителей ОЭ, ОБ,
ОК.
9.Нарисуйте малосигнальные схемы замещения усилителей ОЭ, ОБ, ОК.
10.Дайте определение амплитудной, амплитудно-частотной и фазочастотной характеристик (АЧХ, ФЧХ).
11.Раскройте понятия: область средних, область нижних и область верхних частот.
12.Назовите и поясните критерии определения нижней и верхней граничных частот, полосы пропускания усилителя.
13.Запишите соотношения для основных показателей работы усилителей ОЭ, ОБ, ОК и дайте сравнительную оценку их значениям.
14.Поясните назначение конденсаторов в схемах усилителей ОЭ, ОБ, ОК.
15.Назовите факторы, влияющие на работу усилителя в области высоких частот.
16.Какими зависимостями связаны между собой коэффициенты передачи по току в схемах ОЭ, ОБ, ОК?
17.Как изменятся статические и динамические параметры схемы ОЭ, если в ней отсутствует конденсатор CЭ?
18.В цепь базы схемы ОБ включили резистор. Как изменятся статический и динамический режимы работы схемы?
19.Назовите причины, вызывающие нелинейные искажения выходного сигнала в схемах ОЭ, ОБ, ОК.
20.К выходным зажимам усилителей ОЭ, ОБ, ОК подключается нагрузка, носящая резистивный характер. Как и в какой из схем следует ожидать бо´льших изменений в величине выходного сигнала?
21.То же, но при емкостной нагрузке.
53
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA55x1.jpg)
2.8. ЗАДАЧИ К РАЗДЕЛУ 2 |
|
1. В схеме рис. 2.18 ЕК = ЕБ = 10 В, R1 = 100 кОм, R2 = |
, R4 = 0, |
R3 = 1 кОм. Определить ток IБА, ток коллектора IКА, напряжение UКА, |
|
мощность рассеивания PК на коллекторе транзистора. Принять |
0 = 50, |
UБЭ = 0.6 В, IК0 = 5 мкА (t = 20 ºC). Насколько изменится ток коллектора при температуре 80 ºС?
2. В схеме рисунка 2.18 ЕК = 12 В, ЕБ = 6 В R1 = 50 кОм, R2 = 5 кОм, R4 = 0, R3 = 1 кОм. Определить ток IБА, ток коллектора IКА, напряжение
UКА, мощность рассеивания PК |
на коллекторе транзистора. Принять |
||
0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 5мкА (t = 20 ºC). |
|
||
|
ЕБ |
ЕК |
|
|
R1 |
R3 |
С2 |
|
|
||
|
|
UBЫХ |
|
|
|
|
|
|
С1 |
|
|
RГ |
|
|
RН |
ЕГ |
|
|
|
R2 |
R4 |
|
|
|
|
||
|
|
СЭ |
|
Рис. 2.18
3. В схеме рисунка 2.18 ЕК = 15 В, ЕБ = 15 В, R1 = 200 кОм, R2 = 20 кОм, R4 = 0, R3 = 3 кОм. Определить ток IБА, ток коллектора IКА, напряжение UКА, мощность рассеивания PК на коллекторе транзистора. Принять 0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 5 мкА (t = 20 ºC).
4. В схеме рис. 2.18 ЕК = 15 В, ЕБ = 5 В , R2 = |
, R4 = 0, R3 = 3 кОм. |
Определить R1, при котором UКА = 8 В. Принять |
0 = 50, UБЭ = 0.6 В, |
IК0 = 0. |
|
5. В схеме рис. 2.18 ЕК = 12 В, ЕБ = 12 В, R1 = 200 кОм, R3 = 5 кОм,
R4 = 0. Рассчитать значение R2, при котором IКА = 1.2 мА. Принять
0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0.
6. В схеме рис. 2.18 ЕК = 12 В, ЕБ = 12 В, R1 = 50 кОм, R2 = 10 кОм,
R3 = 2 кОм. Рассчитать значение R4, при котором UКА = 6 В. Принять
0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0.
7. В схеме рис. 2.18 ЕК = 12 В, ЕБ = 12 В, R3 = 5 кОм, UКA = 7 В,
UЭА = 2 В. Рассчитать значения R1, R2, R4, если коэффициент нестабильности S = 5. Принять 0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0.
54
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA56x1.jpg)
8. В схеме рис. 2.18 ЕК = 15 В, ЕБ = 10 В, R1 = 20 кОм, UКA = 8 В,
IЭА = 1 мА. Рассчитать значения R2, R3, R4, если коэффициент нестабильности S = 8. Принять 0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0.
9. В схеме рис. 2.18 ЕК = 15 В, ЕБ = 12 В, RГ = 1 кОм, R1 = 100 кОм,
R2 = 20 кОм, R3 = 2 кОм, R4 = 300 Ом, Rн = 5 кОм. Рассчитать: коэффициент усиления в области средних частот, значение нижней граничной
частоты при С1 = 1 мкФ, С2 = 0.5 мкФ, СЭ = 10 мкФ. Принять |
0 = 50. |
10. В схеме рис. 2.19 ЕК = 15 В, ЕБ = 6 В, RГ = 2 кОм, R1 = 50 кОм, |
|
R2 = 10 кОм, R3 = 3 кОм, R4 = 200 Ом, R5 = 200 Ом, |
Rн = , |
Сн = 1000 пФ. Рассчитать: |
|
а) коэффициент усиления в области средних частот; |
|
б) значение С1 при условии fн1 = 100 Гц; С2 при условии fн2 = 50 Гц; CЭ при условии fнэ = 200 Гц; в) значение верхней граничной частоты, если граничная частота транзистора f = 100 мГц. Принять 0 = 50.
11. Рассчитать и выбрать значения элементов усилителя (рис. 2.19) при следующих исходных данных: ЕГ = 100 мВ, RГ = 100 мВ, Rн = = 3 кОм, Сн = 100 пФ, K0 = 50, fн=1 = 100 Гц, fв = 1 мГц. Параметры
транзистора: 0 = 50, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 10 мкА, СК = 5 пФ, f= 50 мГц, t ºC = 20º.
|
ЕБ |
|
ЕК |
|
|
R1 |
|
R3 |
С2 |
|
|
|
||
|
|
|
UBЫХ |
|
|
|
|
|
|
|
С1 |
|
|
|
RГ |
|
|
|
RН |
ЕГ |
|
|
|
|
R2 |
|
R5 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
R4 |
|
СЭ |
|
|
|
|
Рис. 2.19
12. В схеме рис. 2.20 ЕК = 12 В, ЕЭ = 2 В, R1 = 2 кОм, R2 = 500 Ом,
R3 = . Принять коэффициент передачи по току транзистора 0 = 0.98, падение напряжения на переходе UБЭ = 0.6 В. Определить параметры статического режима усилителя.
55
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA57x1.jpg)
13.В схеме рис. 2.20 ЕК = 12 В, ЕЭ = –12 В, R1 = 5 кОм, R2 =
=10 кОм, R3 = . Принять коэффициент передачи по току транзистора
0 = 0.98, падение напряжения на переходе UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0. Определить параметры статического режима.
|
|
ЕК |
|
|
|
|
R1 |
|
С2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UBЫХ |
|
R2 |
|
|
|
|
RГ |
|
|
RН |
|
|
|
R3 |
|
|
|
|
|
|
ЕГ |
|
С1 R2 |
|
|
|
|
ЕЭ |
|
|
|
|
Рис. 2.20 |
|
|
14. Какой режим установится в схеме рис. 2.20, если: а) разорвать цепь базы, б) включить в цепь базы резистор конечной величины, в) закоротить резистор R3, г) закоротить конденсатор С1?
15. В схеме рис. 2.20 R1 = 5 кОм, R2 = 1 кОм, R3 = , RГ = 100 Ом, Rн = 10 кОм, С1 = , С2 = 0.1 мкФ. Рассчитать коэффициент усиления
K0, значения нижней и верхней граничных частот fн, fв. Принять сле-
дующие значения параметров транзистора: 0 = 0.98, |
f = 10 мГц, |
СК = 10 пФ. |
|
16. В схеме рис. 2.20 R1 = 1 кОм, R2 = 2 кОм, R3 = |
, RГ = 100 Ом, |
Rн = 10 кОм, С2 = , С1 = 1 мкФ. Рассчитать коэффициент усиления K0, значения нижней и верхней граничных частот fн, fв. Принять следующие значения параметров транзистора: 0 = 0.98, f = 10 мГц, СК = 10 пФ.
17. В схеме рис. 2.20 R1 = 3 кОм, R2 = 2 кОм, R3 = , RГ = 1000 Ом,
Rн = 10 кОм, С2 = 0.1, С1 = 1 мкФ, Сн = 2000 пФ. Рассчитать коэффициент усиления K0, значения нижней и верхней граничных частот fн, fв. Принять следующие значения параметров транзистора: 0 = 0.98,
f= 10 мГц, СК = 10 пФ.
18.В схеме рис. 2.21 рассчитать статический режим работы схемы
при следующих значениях элементов схемы:
а) ЕК = 15 В, ЕБ = 10 В, ЕЭ = 0, R1 = 50 кОм, R2 = 50 кОм, R3 = 1 кОм; б) ЕК = 12 В, ЕБ = 12 В, ЕЭ = 0, R1 = 100 кОм, R2 = 50 кОм,
R3 = 2 кОм;
56
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA58x1.jpg)
в) ЕК = 10 В, ЕБ = 0 В, ЕЭ = –5 В, R1 = , R2 = 20 кОм, R3 = 500 Ом; г) ЕК = 12 В, ЕБ = 12 В, ЕЭ = –6 В, R1 = 150 кОм, R2 = 20 кОм,
R3 = 1 кОм.
Принять 0 = 40, UБЭ = 0.6 В, IК0 = 0.
19. При условиях задачи 18а рассчитать K0, fн, fв, если RГ = 5 кОм, С1 = 0.01 мкФ, С2 = , Rн = 2 кОм. Верхняя граничная частота транзистора f = 10 мГц, 0 40 .
20. При условиях задачи 18б рассчитать K0, fн, fв, если RГ = 10 кОм,
С1 = , С2 |
= 0.1 мкФ, Rн = 5 кОм. Верхняя граничная частота |
|
f = 10 мГц, |
0 |
50 . |
|
|
21. При условиях задачи 18г рассчитать K0, fн, fв, если RГ = 5 кОм, С1 = 0.01 мкФ, С2 = 0.1 мкФ, Rн = 1 кОм. Верхняя граничная частота
f = 10 мГц, |
0 |
60 . |
|
|
22. При условиях задачи 18г определить максимальное значение входного сигнала, передаваемого в нагрузку без искажения, если
RГ = 5 кОм, С1 = , С2 = , Rн = 1 кОм, 0 40 .
23. В схеме рис. 2.21 действует сигнал ЕГ = 5 sin t, RГ = 2 кОм, Rн = 1 кОм. Рассчитать значения элементов схемы, обеспечивающих
получение K0 = 0.9, fн = 50 Гц, fв 1 мГц. Принять 0 = 50, f = 20 мГц,
СК = 10 пФ.
24. Для схемы рис. 2.18 найти выходное напряжение и выходное
сопротивление в полосе пропускания усилителя, если ЕГ = 10–2 sin t, RГ = 400 Ом, Rн = 4 кОм. Принять значения параметров транзистора:
0 = 50, rб = 200 Ом, ток в рабочей точке транзистора IЭА = 2 мА.
25. Для схемы рис. 2.21 определить входное сопротивление, выходное сопротивление, коэффициент усиления по напряжению, если RГ =
= 5 кОм, Rн = 1 |
кОм. Принять значения |
параметров |
транзистора: |
||
0 = 0.98, rб = 200 Ом, ток в рабочей точке |
|
|
ЕК |
||
транзистора IЭА = 5мА, rб = 200 Ом. Сопро- |
ЕБ |
|
|||
тивлением делителя R1, R2 пренебречь. |
R1 |
|
|
||
26. Для схемы рис. 2.22 определить па- |
С1 |
|
|
||
раметры статического режима, коэффи- |
|
|
|||
|
|
|
|||
циент усиления в области низких и сред- |
RГ |
|
С2 UBЫХ |
||
них частот, если: ЕК = 12 В, Rб = 5 кОм, |
R2 |
|
|
||
R1 = 50 кОм, R2 = 100 кОм, R3 = 1 кОм, |
R3 |
RН |
|||
ЕГ |
|||||
|
|
|
|
||
C1 = 0.1 мкФ. Принять значения парамет- |
ЕК |
|
|
||
ров транзистора: |
0 = 50, rб = 200 Ом, |
ЕЭ |
|
||
UБЭ = 0.6 В. |
|
Рис. 2.21 |
57
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA59x1.jpg)
|
|
|
|
|
|
|
|
ЕК |
|
|
R3 |
27. Для схемы рис. 2.22 определить входное |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
R2 |
|
|
|
и выходное сопротивления, если R1 = 5 кОм, |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UBЫХ |
R2 = 100 кОм, R3 = 1 кОм, ЕК = 15 В. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
С1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Определить изменение тока коллектора при |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
изменении температуры окружающей среды от |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 ºС до 80 ºС. Тепловой ток коллектора при |
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
температуре 20º равен 5 · 10–6 А, 0 = 0. |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЕГ |
|
|
|
|
28. При условиях задачи 27 определить |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
параметры статического режима схемы |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
рис. 2.22, значение K0, входного и выходно- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
го сопротивлений, если параллельно тран- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.22 |
|
|
|
зистору включить нагрузочное сопротивле- |
ние Rн = 3 кОм.
29. В схеме рис. 2.23 ЕК = 12 В, ЕЭ = –1.6 В, R1 = 5кОм, R2 = 50 кОм,
R3 = 2 кОм, R4 = 200 Ом, С1 = 10 нФ. Рассчитать параметры статического режима, значение K0, если параметры транзистора 0 = 40,
UБЭ = 0.6 В.
30.В задаче 29 сопротивление резистора R2 = 0. Получить выражение для передаточной функции усилителя (рис. 2.23) и найти значение верхней граничной частоты, пренебрегая частотными свойствами транзистора.
31.В схеме усилителя рис. 2.24 ЕК = 12 В, ЕЭ = –5 В, R1 = 500 Ом,
R2 = 10 кОм, R3 = 5 кОм, С1 = 1 мкФ, С2 = 0.01 мкФ, С3 = 0.1 мкФ.
|
|
ЕК |
|
ЕК |
|
L1 |
|
R3 |
С2 |
||
|
|||
С1 R2 |
UBЫХ |
UBЫХ |
|
|
С3 R2
R1 |
R1 |
|
R4 |
С1 |
R3 |
ЕГ |
ЕГ |
|
ЕЭ |
|
|
|
|
ЕЭ |
Рис. 2.23 |
|
Рис. 2.24 |
58
![](/html/2706/180/html_erMztk8Xgd.NQFt/htmlconvd-TggynA60x1.jpg)
Рассчитать параметры статического режима: значение индуктивности
L1, при которой собственная резонансная частота контура |
0 = 105 рад/с; |
коэффициент усиления на резонансной частоте; полосу |
пропускания. |
Принять параметры транзистора |
0 = 40, UБЭ = 0.6 В, rб = 200 Ом. Час- |
|||||
тотными зависимостями собственно транзистора пренебречь. |
|
|||||
|
2.9. ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ К РАЗДЕЛУ 2 |
|
||||
|
|
|
|
|
ЕК |
|
|
ЕБ |
ЕК |
|
|
RК |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1 |
RК |
С2 |
|
|
UBЫХ |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
UBЫХ |
|
|
|
|
С1 |
|
|
|
С2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
RГ |
|
|
|
|
RГ |
RН |
|
|
RН |
|
|
||
ЕГ |
|
|
ЕГ |
RЭ |
|
|
|
|
|
|
|||
R2 |
RЭ |
|
С1 |
|
||
|
|
|
|
|||
|
|
СЭ |
|
|
ЕЭ |
|
|
|
Рис. 2.25 |
|
|
Рис. 2.26 |
|
Пример 2.1. В схеме рис. 2.25 используется транзистор с параметрами: 0 = 50, UБЭ = 0.6 В. Значения элементов схемы: ЕК = ЕБ = 15 В, RГ = 1 кОм, Rн = 1 кОм. Также известно максимальное значение выходного напряжения Uмакс = 4 В, а требуемый коэффициент температурной нестабильности S 10. Рассчитать значения резисторов R1, R2, RК, RЭ, коэффициент усиления K0 в области средних частот.
1. По известным параметрам нагрузки и величине выходного напряжения выбираем значения напряжения UКЭ(А) и тока IКА – в рабочей точке:
UКЭ(А) = UКЭмин + 4, где UКЭмин – минимальное остаточное напряжение на коллекторе транзистора, принимаемее приблизительно равным
1–2 В. В итоге выбираем UКЭ(А) = 6 В. Ток в рабочей точке должен быть больше суммы токов нагрузки и переменной составляющей тока, протекающей через резистор RК, значение которой выбираем равным
1мА: IКА = 1 + 4 = 5 мА.
2.Задаемся падением напряжения на эмиттере: URЭ = 0.1, ЕК = 1.5 В,
и определяем величину RЭ = 1.5/5 = 300 Ом (полагая IК = IЭ).
59