Вольдман - фхтс часть 1 (2007)
.pdf2.4.4. Типы структурной разупорядоченности
кристаллов
Тепловые точечные структурные дефекты образуются одновременно по всем рассмотренным механизмам, но, в зависимости от свойств решетки (и прежде всего
– от размеров и взаимного расположения ионов) эти механизмы обеспечивают
разные равновесные концентрации дефектов, причем концентрации различаются очень сильно (обычно на порядки). В связи с этим без заметной погрешности можно
считать, что реализуется только один механизм образования тепловых точечных структурных дефектов – тот, который обеспечивает преобладающую концентрацию дефектов.
Взависимости от того, какой именно механизм преобладает, кристалл относят
кодному из четырех типов разупорядоченности: к типу «Френкель», если
преобладают дефекты, образующиеся в результате перехода катионов междоузлия
(межузельные катионы и вакансии катионов); к типу «анти-Френкель», если
преобладают дефекты, образующиеся в результате перехода в междоузлия анионов
(т. е. межузельные анионы и вакансии анионов); к типу «Шоттки», если преобладают вакансии катионов и анионов, образующиеся в результате выхода эквивалентных количеств катионов и анионов из объема на поверхность кристалла; к типу «анти-
Шоттки» в случае преобладания межузельных катионов и анионов, образующихся при переходе эквивалентных количеств катионов и анионов с поверхности кристалла в его объем.
Таким образом, если кристалл относится к типу «Френкель», это значит, что из
4 возможных точечных структурных дефектов в заметных количествах в нем могут присутствовать только MeizMe и VMezMe , концентрации которых связаны константой
равновесия
(MeizMe )(VMezMe ) = KФ;
остальные дефекты можно не учитывать.
В кристалле типа «анти-Френкель» следует принимать во внимание только
XizX и VXzX , равновесие между которыми описывается уравнением
(XzX )(VzX ) = K |
аФ |
, |
|
|
|
|
|
|
|
i |
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
в кристалле |
типа |
«Шоттки» с формулой |
Me |
MezMe |
X |
XzX |
– V zMe |
и VzX , |
|
|
|
|
|
|
|
Me |
X |
концентрации которых связаны константой равновесия
31
www.mitht.ru/e-library
|
|
VMezMe Me |
VXzX X = KШ, |
а в кристалле типа «анти-Шоттки» с той же формулой – MeizMe и XizX , равновесие между которыми описывается уравнением
|
|
MeizMe Me |
XizX X = KаШ. |
Для того, чтобы определить, к какому типу разупорядоченности относится тот или иной кристалл, нужно рассчитать равновесные концентрации точечных структурных дефектов, обеспечиваемые каждым из четырех механизмов
образования дефектов, и установить механизм, обеспечивающий наибольшую концентрацию. Для такого расчета необходимо предварительно найти константы
равновесия каждого из механизмов.
Значения констант равновесия определяют, исходя из оценок энергии образования каждого из дефектов в данной кристаллической решетке. Для расчета используют известное соотношение RTlnKeq = GT , из которого следует
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GT |
|
|||
Keq = exp |
|
|
|
, |
||
|
||||||
|
RT |
|
||||
|
|
|
|
|
причем обычно принимают
GT = HT = Hdeff ,
где Hdeff – изменение энтальпии решетки, вызванное возникновением в ней дефектов данного вида (f – сокращение от английского form – образовывать, def –
сокращение от defect).
В приведенных формулах GT и HT измеряются в Дж/моль, а R – в
Дж/(моль·К), т. е. соответствуют образованию 1 моля, или NА (6,02·1023) дефектов. В
теории разупорядоченности оперируют энергиями образования 1 дефекта, т.е.
величинами, в NА раз меньшими, и соответственно вместо универсальной газовой постоянной R используют константу Больцмана k = R/NА:
|
|
f |
|
|
Keq = exp |
|
Hdef |
. |
(39) |
|
||||
|
|
kT |
|
|
|
|
|
|
При этом энергию образования дефектов и постоянную Больцмана выражают не в Дж, а в эВ (1 эВ – это энергия, равная работе перемещения частицы с зарядом,
равным заряду электрона, между точками с разностью потенциалов 1 В); 1 эВ = 1,6021·10–19 Дж,
k = 8,6168·10–5 эВ/К.
32
www.mitht.ru/e-library
Энергия образования одного точечного структурного дефекта составляет от нескольких десятых эВ до нескольких эВ.
Поскольку значения констант равновесия различных вариантов тепловой
разупорядоченности и соответственно отвечающие им концентрации тепловых дефектов определяются энергиями образования дефектов, то, очевидно, в
кристалле будут преобладать те парные дефекты, возникновение которых сопровождается наименьшим увеличением внутренней энергии (энтальпии)
кристаллической решетки. В свою очередь, энергия образования того или иного дефекта определяется характером кристаллической решетки – соотношением размеров катионов и анионов и плотностью их упаковки.
При сравнительно близких размерах ионов образование вакансий приводит к
меньшему искажению кристаллической решетки и соответственно к меньшему
увеличению энтальпии, чем появление ионов в междоузлиях. Можно ожидать, что в этом случае будет преобладать образование дефектов по механизму «Шоттки», и
основными точечными структурными дефектами будут VMezMe и VXzX . Однако если кристаллическая решетка образована мелкими катионами и крупными анионами,
присутствие катиона в междоузлии будет меньше искажать кристаллическую
решетку, чем вакансия аниона; можно ожидать, что в таком кристалле будет преобладать механизм «Френкель» и основными дефектами будут MeizMe и VMezMe . А
если кристаллическая решетка образована крупными катионами и мелкими
анионами, можно ожидать, что преобладать будут дефекты, образовавшиеся по механизму «анти-Френкель» – XizX и VXzX .
Что же касается механизма «анти-Шоттки», то кристаллическую решетку, в
которой могли бы преобладать одновременно MeizMe и XizX , представить себе
невозможно. В самом деле: условие незначительного искажения кристаллической решетки при переходе в междоузлия катионов – малый размер катионов и большой размер анионов, а при переходе в междоузлия анионов – малый размер анионов при большом размере катионов, т.е. эти условия взаимоисключающие и одновременно
реализоваться не могут. Поэтому можно ожидать, что это чисто гипотетический тип
разупорядоченности.
33
www.mitht.ru/e-library
2.4.5. Распространенность различных типов
разупорядоченности
Для того, чтобы оценить, насколько распространены в природе различные типы разупорядоченности, можно воспользоваться подходом, суть которого иллюстрирует следующая аналогия.
Предположим, имеется большое число одинаковых ящиков, которые заполнены смесью красных, синих, желтых и зеленых шаров, взятых в самых
разнообразных случайных соотношениях, при этом суммарные числа шаров разных цветов различны – больше всего красных, меньше синих, еще меньше желтых и меньше всего зеленых. В соответствии с этим в среднем по всем ящикам (а
следовательно, в «среднестатистическом ящике») доля шаров каждого цвета уменьшается в последовательности: красные > синие > желтые > зеленые. Можно
ли, исходя из соотношения между шарами в «среднестатистическом ящике»,
сделать вывод о доле ящиков, в которых преобладают шары того или иного цвета?
По-видимому, на этот вопрос следует дать положительный ответ: если в
«среднестатистическом ящике» больше всего красных шаров и меньше всего зеленых, то можно ожидать, что красные шары будут преобладать в наибольшем числе ящиков, а зеленые – в наименьшем. Иначе говоря, соотношение между числом ящиков с преобладанием шаров того или иного цвета будет коррелироваться с соотношением между долей шаров в «среднестатистическом ящике», т.е. будет соответствовать последовательности красные > синие > желтые > зеленые.
Исходя из этой аналогии, соотношение между долей кристаллов с преобладанием того или иного механизма тепловой разупорядоченности должно соответствовать соотношению между концентрациями парных точечных структурных дефектов, образующихся по различным механизмам, в среднестатистическом кристалле с усредненными значениями энергии образования дефектов.
Среднестатистические значения энтальпии образования дефектов:
def |
VzMe |
V zX |
MezMe |
XzX |
e– + e+ |
|
Me |
X |
i |
i |
|
Hdeff , эВ |
1 |
1 |
1,5 |
2 |
≥ 5 10 |
Результаты расчета концентрации тепловых точечных структурных дефектов,
образующихся по различным механизмам, и электронных дефектов в среднестатистическом кристалле МеХ (zMe = zX) при температуре 1000 К, приведены
в табл. 1.
34
www.mitht.ru/e-library
Таблица 1
Концентрации тепловых дефектов в среднестатистическом кристалле МеХ при температуре 1000 К
Вид разуп. |
Френк. |
анти- |
Шоттки |
анти- |
|
Электронная |
||||
|
|
Фр. |
|
|
Ш. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Парные |
MeizMe |
XzX |
VzMe |
MeizMe |
|
|
|
|
||
|
i |
Me |
|
|
|
|
|
|
|
|
тепловые |
+ |
+ |
+ |
|
+ |
|
e– + e+ |
|
||
дефекты |
VMezMe |
VXzX |
VXzX |
|
XizX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Hdeff , |
2,5 |
3,0 |
2,0 |
|
3,5 |
|
≥ 5 10 |
|
||
эВ |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Keq(1000 K) |
10–12,5 |
10–15 |
10–10 |
10–17,5 |
≤10–50 10–25 |
|||||
1/2 |
~6·10– |
~3·10– |
~1·10 |
–5 |
~2·10 |
–9 |
1·10 |
–25 |
3·10 |
–13 |
(def)=Keq |
7 |
8 |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таким образом, в среднестатистическом кристалле концентрации тепловых точечных структурных дефектов, соответствующих различным механизмам их
образования, располагаются в последовательности
Шоттки > Френкель > анти-Френкель > антиШоттки;
можно ожидать, что распространенность соответствующих типов
разупорядоченности должна отвечать этой же последовательности.
Действительно, наиболее распространены кристаллы, для которых характерно образование вакансий в обеих подрешетках (т.е. VMezMe и VXzX ) и не характерен переход катионов или анионов в междоузлия – кристаллы с типом разупорядоченности «Шоттки».
Вторая по распространенности группа кристаллов – кристаллы, для которых характерны MeizMe и VMezMe и не характерны XizX и VXzX , т.е. кристаллы с типом разупорядоченности «Френкель».
Сочетание «крупные катионы – мелкие анионы», необходимое для преобладания дефектов, образующихся по механизму «анти-Френкель» (XizX и
VXzX ), встречается очень редко – как правило, анионы, даже простые, крупнее катионов. Поэтому известно всего 6 соединений с этим типом разупорядоченности;
35
www.mitht.ru/e-library
это соединения с самыми маленькими простыми анионами F– и О2–:
CaF2; BaF2; LnF3
Ta2O5; ThO2; UO2.
И, наконец, кристаллы с типом разупорядоченности «анти-Шоттки», в которых преобладали бы MeizMe и XizX , как и следовало ожидать, не удалось ни найти в природе, ни синтезировать.
В дальнейшем будут рассматриваться в основном кристаллы с наиболее распространенными типами разупорядоченности – «Шоттки» и «Френкель».
Анализ данных, приведенных в табл. 1, позволяет сформулировать очень важный вывод: концентрация тепловых электронных дефектов на много порядков
меньше, чем концентрации тепловых точечных структурных дефектов.
36
www.mitht.ru/e-library
3.ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ НЕСТЕХИОМЕТРИИ
3.1. ТОЧЕЧНЫЕ СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ
ОТКЛОНЕНИЕМ СОСТАВА ОТ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО
Каждая фаза имеет более или менее широкую область гомогенности – т.е.
интервал состава, в пределах которого соотношение чисел катионных и анионных узлов в кристаллической решетке остается неизменным, отвечающим формуле
соединения. В то же время любое изменение состава сопровождается изменением соотношения между числами катионов и анионов; следовательно, при отклонении состава от стехиометрического соотношение между числами катионов и анионов отличается от соотношения между числами катионных и анионных узлов. Это отличие обусловлено присутствием в нестехиометрическом кристалле
дополнительных по отношению к тепловым точечных структурных дефектов –
дефектов нестехиометрии.
Нетрудно сообразить, что присутствие в катионной подрешетке вакансий уменьшает, а присутствие катионов в междоузлиях увеличивает число катионов в
единице объема по сравнению с числом катионных узлов:
NMe |
NMe0 |
|
NVMe |
NMe i |
, |
(40) |
|
где NMe , |
NMe0 , NV |
и |
NMe |
– |
соответственно число катионов металла, катионных |
||
|
|
Me |
|
|
i |
|
|
узлов, вакансий катиона и катионов в междоузлиях в единице объема кристалла
(заряды опущены для упрощения записей).
Аналогичное выражение определяет число анионов металлоида в единице
объема кристалла: |
|
|
NX NX0 NVX |
NXi . |
(41) |
Следовательно, отношение чисел катионов |
и анионов связано с числом |
катионных и анионных узлов и числами различных точечных структурных дефектов в единице объема кристалла уравнением
N |
Me |
|
NMe0 NV |
NMe |
i |
. |
(42) |
||||
|
|
|
Me |
|
|
||||||
|
|
N0 |
N |
|
N |
|
|
||||
N |
X |
VX |
Xi |
|
|
|
|||||
|
|
X |
|
|
|
|
|
Выражение (42) имеет общий характер; в зависимости от типа разупорядоченности кристалла в нем останутся только те два вида дефектов из четырех, которые соответствуют данному типу разупорядоченности. Ниже
37
www.mitht.ru/e-library
рассмотрено использование этого выражения для кристаллов, относящихся к двум основным типам разупорядоченности – «Френкель» и «Шоттки»
Тип «Френкель»
Возможные точечные структурные дефекты – VMe и Меi, соответственно
|
N |
Me |
|
|
|
NMe0 |
NV |
NMe |
i |
. |
|
|
|
|
|
(43) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
NX0 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
NX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
В стехиометрическом кристалле |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
N |
Me |
|
|
N0 |
|
|
Me |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
NX0 |
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
NX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
(например, в случае соединения Ме2Х3 |
N |
Me |
|
N0 |
2 |
). |
|||||||||||||
|
|
Me |
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
3 |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NX |
NX0 |
|
||||
Это условие выполняется при NV |
=NMe |
, что соответствует образованию пары |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
i |
|
|
дефектов в результате перехода катиона в междоузлие при тепловой
разупорядоченности; таким образом, в стехиометрическом кристалле дефекты
только тепловые.
В кристалле с избытком металла (недостатком металлоида)
|
N |
Me |
|
N0 |
|
|
Me |
, |
|
|
|
|
||||
|
|
Me |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
NX0 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
NX |
|
|
X |
|
|
|
|
||||||||
что достигается при NMe |
i |
>NV |
|
(катионов в междоузлиях больше, а вакансий катиона |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
||
меньше, чем при тепловой разупорядоченности). |
||||||||||||||||
В кристалле с избытком металлоида (недостатком металла) |
||||||||||||||||
|
N |
Me |
|
|
N0 |
|
|
|
Me |
, |
|
|
|
|
||
|
|
|
Me |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
NX0 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
NX |
|
|
X |
|
|
|
|
||||||||
что достигается при NV |
|
>NMe |
i |
(вакансий катиона больше, а катионов в междоузлиях |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
меньше, чем при тепловой разупорядоченности).
Тип «Шоттки»
Возможные точечные структурные дефекты – VMe и VХ, соответственно
|
N |
Me |
|
NMe0 NV |
. |
|
|
|
|
(44) |
||||||
|
|
|
|
Me |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
N0 |
N |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
N |
X |
VX |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
В стехиометрическом кристалле |
||||||||||||||||
|
N |
Me |
|
|
NMe0 NV |
|
N0 |
|
Me |
. |
||||||
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
Me |
|
|
|||||
|
|
|
|
N0 |
N |
|
|
|
|
|
||||||
|
N |
X |
VX |
|
N0 |
|
X |
|||||||||
|
|
|
X |
|
|
X |
|
|
38
www.mitht.ru/e-library
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NV |
|
N0 |
||
Нетрудно показать, что это условие выполняется при |
Me |
|
Me |
. |
||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NVX |
|
NX0 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
N0 |
|
|
|
|
||
Действительно, в этом случае NV |
|
NV |
|
|
|
Me |
, и |
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
X |
NX0 |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
N0 |
N |
|
N0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
Me |
|
|
NMe0 (NX0 NV |
) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
N |
|
|
VX N0 |
|
N0 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
Me |
|
Me |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
X |
|
|
X |
|
|
Me |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
NX |
NX0 NVX |
NX0(NX0 NVX ) |
|
NX0 |
|
|
|
|
|
|
|
Таким образом, в стехиометрическом кристалле соотношение между числами
вакансий катионов и анионов в единице объема равно отношению Ме : Х в формуле соединения – а именно в этом соотношении образуются вакансии при возникновении тепловых дефектов по механизму «Шоттки». Следовательно, в стехиометрическом кристалле дефекты только тепловые.
В кристалле с избытком металла (недостатком металлоида)
|
|
N |
Me |
|
NMe0 |
NV |
|
|
|
|
N0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
Me |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
N0 |
N |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
N |
X |
|
VX |
|
|
|
|
N |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
что |
достигается |
при |
|
|
NV |
|
|
|
N0 |
|
(вакансий катиона |
меньше, |
а |
вакансий |
аниона |
||||||||||
|
|
|
|
Me |
|
|
Me |
|
|||||||||||||||||
|
|
NVX |
|
|
NX0 |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
больше, чем при тепловой разупорядоченности). |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
В кристалле с избытком металлоида (недостатком металла) |
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
N |
Me |
|
NMe0 |
NV |
|
|
|
|
N0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
Me |
|
|
|
Me |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
N0 |
N |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
N |
X |
|
VX |
|
|
|
|
N |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
что |
достигается |
при |
|
|
NV |
|
|
|
N0 |
|
(вакансий катиона |
больше, |
а |
вакансий |
аниона |
||||||||||
|
|
|
|
Me |
|
|
Me |
|
|||||||||||||||||
|
|
NVX |
|
NX0 |
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
меньше, чем при тепловой разупорядоченности).
3.2. УСЛОВИЯ И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОЙ
ФАЗЫ
3.2.1. Связь между давлением газообразного
металлоида и составом равновесной твердой фазы
Характер зависимости равновесного давления металлоида (PX2 ) от состава
конденсированной системы, рассматривавшийся в курсе «Физико-химический анализ
39
www.mitht.ru/e-library
и материаловедение», показан на рис. 13 (наклонные отрезки ломаной линии условно показаны линейными).
Изменение состава от левой (точка 2) до правой (точка 4) границ области
гомогенности фазы β на основе соединения МеХ сопровождается увеличением
равновесного давления металлоида в газовой фазе от PX2 min до PX2 max , причем
стехиометрическому составу соответствует равновесное давление PX0 . Уменьшение
2
содержания металлоида Х в фазе β сопровождается понижением, а увеличение –
повышением равновесного давления Х2 по отношению к PX0 .
2
Очевидно, что можно рассматривать не только зависимость равновесного
давления металлоида от состава твердой фазы, но и зависимость равновесного состава твердой фазы от давления металлоида в газовой фазе: если в системе
поддерживать постоянное давление Х2, равное PX0 , то равновесная твердая фаза
2
будет иметь стехиометрический состав; если поддерживать постоянное давление
P |
min |
≤P |
<P0 , равновесная фаза β будет содержать избыток металла (недостаток |
X2 |
X2 |
X2 |
металлоида), а при P0 |
<P |
≤P |
– избыток металлоида (недостаток металла). |
|||
X2 |
X2 |
X2 max |
|
|
|
|
t, °C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
β |
|
|
|
|
+β |
|
|
|
|
t0 |
1 |
|
2 |
3 |
4 |
|
|
|
|
||||
0 |
|
|
|
50 |
|
|
Ме |
|
% (ат.) Х |
|
МеХ |
|
|
PX2 равн |
|
|
|
|
|
|
PX2 max |
|
|
|
|
4′ |
|
P0 |
|
|
|
3′ |
|
|
X2 |
|
|
|
|
|
|
PX2 min |
1′ |
|
|
2′ |
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
Рис. 13. Характер зависимости равновесного давления металлоида (PX2 |
) |
|||||
от состава конденсированной системы при температуре t0 |
|
40
www.mitht.ru/e-library