Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Вольдман - фхтс часть 1 (2007)

.pdf
Скачиваний:
44
Добавлен:
24.03.2015
Размер:
1.03 Mб
Скачать

I

Ie

II

Ме0(тв

МеX(тв

Х2 (газ)

 

 

Ii

x

 

dx

 

 

 

 

δ

Рис. 21. Электрическая схема процесса образования твердого продукта dx – толщина элементарного слоя продукта, параллельного поверхностям

раздела фаз; x – расстояние от границы I до элементарного слоя;

δ – полная толщина слоя продукта (расстояние между границами I и II)

Границы (поверхности раздела фаз) I и II можно сравнить с 2 пластинами,

между которыми протекает в одном направлении электронный ток (по проводнику 1-

го рода – металлическому) и в противоположном направлении ионный ток (по

проводнику 2-го рода – электролиту), причем эти токи имеют одинаковую силу. Это

сразу же приводит к выводу, что электрической моделью процесса может служить

гальванический элемент (рис. 22).

 

Ie

3

4

 

 

Направление движения

 

Направление движения

2

1

 

 

Направление движения анионов

 

Ii

Рис. 22. Электрическая модель процесса образования твердого продукта

1, 2 – металлические пластины; 3 – электролит; 4 – внешняя цепь

91

www.mitht.ru/e-library

Следовательно, для определения силы тока, протекающего в нашей системе,

можно использовать соотношения, известные для гальванического элемента:

I E ; re ri

здесь Е – электродвижущая сила (э.д.с.); re – сопротивление внешней (external) цепи,

по которой идет электронный (electron) ток; ri – сопротивление внутренней (internal)

цепи, по которой идет ионный (ion) ток.

6.3.СООТНОШЕНИЯ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИЕ СИЛУ ТОКА

Внашей системе Е – разность потенциалов между границами I и II, а re и ri

сопротивление слоя продукта прохождению соответственно электронного и ионного

токов.

Для элементарного слоя твердого продукта толщиной dx, расположенного на расстоянии х от границы I (см. рис. 21), через который проходят те же токи,

получаем:

I

dE

.

(81)

 

dre dri

Значения dre и dri определяются известными выражениями:

dre = ρe

 

dx

=

1

 

 

dx

,

 

 

 

 

e

 

 

 

 

S

 

 

S

dri = ρi

dx

=

1

 

dx

,

 

 

 

 

 

S

i

S

где S – площадь поверхностей контакта Ме/МеХ и МеХ/Х2;

ρe и κe , ρi и κi – соответственно удельные электрические сопротивления и

электрические проводимости МеХ по отношению к электронному и ионному токам.

Простейшая измерительная схема для определения электрических проводимостей κe и κi показана на рис. 23.

92

www.mitht.ru/e-library

…... 4

3

2

5

1

Рис. 23. Принципиальная измерительная схема для

определения электрических проводимостей

1– образец для измерений (площадь боковых поверхностей S, толщина L);

2– токоподводящие обкладки; 3 – вольтметр; 4 – источник напряжения;

5 – амперметр

Если ток в пластине переносится и электронами, и ионами, то сила общего

(суммарного) тока

I0 = Iе + Ii.

Долю общего тока, переносимую каждым из носителей (т. е. каждым из видов перемещающихся заряженных частиц) называют числом переноса данного носителя; очевидно, сумма чисел переноса всех носителей равна 1. При переносе

тока электронами и ионами

ne = Iе/I0, ni = Ii/I0, ne + ni = 1.

Определив Iе и Ii, можно рассчитать ne, ni, κe, κi и полную (общую)

электрическую проводимость κ0. Используемые соотношения следуют из закона

Ома:

I0

=

U

 

 

U

0

 

US

;

 

 

 

 

 

(1/

 

)(L/ S)

 

 

 

 

 

 

 

R

0

 

 

L

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iе

=

U

 

 

U

 

e

US

= ne I0 = ne

 

US

,

 

(1/ e)(L/ S)

 

 

 

 

 

 

 

Re

 

 

L

0 L

откуда

κe = neκ0;

93

www.mitht.ru/e-library

Ii =

U

 

U

i

US

= niI0 = ni

 

US

,

 

(1/ i )(L/S)

 

 

 

 

 

Ri

 

L

0 L

откуда

κi = niκ0.

Выразим dre и dri в уравнении (70) с использованием κ0 и чисел переноса:

dre =

 

 

1

 

 

 

dx

=

1

 

 

 

 

 

dx

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

S

 

 

0

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dri =

 

1

 

 

 

dx

=

1

 

 

 

 

 

dx

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

S

 

0

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dE

 

 

 

 

 

 

dE

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

1

 

 

 

 

 

n n

 

 

dx

 

1

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

S

n n

 

 

 

S

 

 

 

 

0

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

n n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

i

 

 

 

0

 

 

e i

 

 

 

 

 

e i

откуда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I = dE

 

 

 

 

S

κ0neni.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(82)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим,

 

чем обусловлен

перепад

электрического потенциала dE на

элементарном слое dx и от чего зависит его величина.

Разность электрических потенциалов на слое МеХ в целом связана с тем, что на границе I образуются катионы Ме2+, а на границе II – анионы Х2–, соответственно

концентрация и активность катионов Ме2+ выше на границе I, чем на границе II:

aMeI 2 aMeII 2 ,

а для анионов Х2– соотношение обратное:

aIX2 aIIX2 ;

по толщине слоя активности катионов и анионов непрерывно изменяются от границы к границе.

Разность активностей ионов является источником э.д.с. Это легко показать,

применив уравнение Нернста к концентрационному гальваническому элементу,

схема которого показана на рис. 24.

94

www.mitht.ru/e-library

I

II

4

2

1

 

 

3

aI

2

aII

2

Me

 

Me

 

Рис. 24. Схема концентрационного гальванического элемента

1, 2 – металлические пластины; 3 – электролит; 4 – электролитический ключ (солевой мостик)

Уравнение Нернста для потенциала металла в растворе его соли:

Mez /Me0 = Mez /Me0 RT lnaMez ;

zF aMe0

aМеz+ и aМе0 – соответственно активности катионов металла в растворе и металла;

если металл чистый, aМе0 = 1.

Э.д.с. элемента – это разность потенциалов составляющих его электродов:

E = φ

II

– φ

I

=

RT

ln

aII z

RT

ln

aI

z

=

RT

(lnaII

z lnaI

z ).

 

 

 

Me

 

Me

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

zF aMe0 zF aMe0

 

zF

Me

Me

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Активность ионов в растворе определяет величину их химического

потенциала:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μj = 0j

+ RTlnaj,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и, следовательно, э.д.с. можно выразить через разность химических потенциалов катионов на границах:

 

1

(RT ln a

II

z

RT ln a

I

z )

1

 

II

z

I

 

,

E = zF

Me

Me

 

 

 

 

z

 

 

 

 

 

 

 

 

= zF

Me

 

Me

 

1

E = zF Mez .

95

www.mitht.ru/e-library

В общем случае: если э.д.с. вызвана различием концентраций (активностей)

иона «j», то

E = j , zjF

откуда

dE = d j . zjF

В рассматриваемой системе «j» – это MezMe+ или XzX- и соответственно zj – это zMe или zХ; очевидно, рассчитывать э.д.с. можно по химическому потенциалу любого из ионов, так как разность потенциалов одна и от способа расчета зависеть не

может.

Подставив dE в уравнение (82), получим:

I =

d j

κ0neni

S

.

(83)

zjF

dx

 

 

 

 

Выражение (83) – это дифференциальное уравнение с 2 переменными (μj и x); после разделения переменных получим

I

dx =

1

κ0neni dμj .

(84)

 

 

S

zjF

 

Переменная x в левой части уравнения (расстояние от границы I, см. рис. 22)

изменяется в пределах слоя продукта от 0 до δ, при этом в правой части уравнения

переменная μj изменяется соответственно от Ij до IIj . Интегрируем, используя эти

пределы:

 

I

 

1

IIj

 

 

0

 

dx

=

 

I

0neni d j .

(85)

S

zjF

 

 

 

 

 

j

 

 

Результат интегрирования левой части очевиден:

 

I

 

I

 

 

dx =

.

 

 

0

S

S

 

 

 

 

Для того чтобы проинтегрировать правую часть, необходимо сначала установить связь подынтегральной функции с μj. Способность проводить

электрический ток и соответственно значения всех сомножителей подынтегральной функции определяются концентрациями электронов проводимости или дырок для электронного тока и концентрацией преобладающего точечного структурного

96

www.mitht.ru/e-library

дефекта для ионного тока. Но все эти концентрации зависят от давления металлоида в равновесной газовой фазе, поэтому

κ0neni = Ф(РХ2).

А поскольку под интегралом присутствует функция РХ2, целесообразно и μj

выразить через РХ2; очевидно, это проще всего сделать, если рассматривать

химический потенциал анионов XzX, а не катионов MezMe+.

Равновесие твердой фазы, содержащей анионы XzX, химический потенциал

которых равен μXzX, с газовой фазой, парциальное давление металлоида в которой равно РХ2, определяется известным условием: переход бесконечно малого

количества металлоида из одной фазы в другую, не сопровождающийся изменением

составов фаз, температуры и давления, не должен приводить к изменению энергии Гиббса системы.

Если из твердой фазы в газовую перейдет dNX молей XzX-, энергия Гиббса твердой фазы изменится на величину

dGтв = -dNX· μXzX-;

в газовой фазе при этом образуется dNX/2 молей Х2, и ее энергия Гиббса изменится на величину

dGгаз = (dNX/2) μX2;= (dNX/2) ( X2 + RTlnРХ2).

Из условия равновесия следует:

dGтв + dGгаз = -dNX·μXzX- + (dNX/2) ( X2 + RTlnРХ2) = 0,

откуда

μXzX- = ( X2 + RTlnРХ2)/2,

dμ zX- =

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RT

 

 

RT

 

dPX

 

 

 

 

 

 

d( X

+ RTlnР ) =

 

 

dlnР =

 

 

 

2

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

2

 

 

 

 

 

2

 

Х2

2

 

Х2

2

 

PX2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Заменив в уравнении (74) zj

на zX,

dμj на dμXzX-

и пределы интегрирования

соответственно

 

 

на

PI

и PII , а

 

также подставив

в левую часть результат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

интегрирования, получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

RT

 

 

PII

 

 

dPX2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

Ф PX2

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(86)

 

 

2z

 

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

X

 

P

I

 

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим физический смысл PI

и PII .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

97

www.mitht.ru/e-library

PXII – это давление газообразного металлоида, участвующего в реакции с

2

металлом; так же, как температуру, при которой осуществляется процесс, давление металлоида выбирает тот, кто проводит процесс – технолог или исследователь.

Таким образом, PII Р

– внешнее давление Х2, величина которого должна быть

 

X2

Х2

задана.

 

 

PI

– давление металлоида на границе Ме/МеХ. При отсутствии трещин в

X2

 

слое МеХ – а мы рассматриваем образование плотного слоя продукта – молекулы Х2

не могут пройти сквозь него к поверхности металла. Для того чтобы понять, откуда же в этом случае берется газообразный металлоид на границе Ме/МеХ, представим

себе такой эксперимент: в замкнутый объем поместили какое-то количество металла и количество газообразного металлоида, недостаточное для того, чтобы весь

металл перешел в МеХ. Можно ли считать, что в этом случае взаимодействие металла и металлоида закончится после того, как будет израсходован весь

металлоид, т. е. давление металлоида станет равным нулю? Очевидно, нет: реакция

Ме(тв) + 1/2 Х2 (газ) MеХ(тв)

обратима, константа равновесия образования МеХ имеет вид

KМеХ = 1/(PX1/2 )равн,

2

и, следовательно, равновесие установится и образование МеХ закончится после

понижения давления металлоида не до нуля, а до РХ2 = 1/(KМеХ)2.

А что произойдет, если после установления равновесия откачать из объема

оставшийся газообразный металлоид? Тоже очевидно: поскольку давление станет ниже равновесного, пойдет обратная реакция – МеХ будет диссоциировать на Ме и Х2 до тех пор, пока не восстановится равновесное давление металлоида, равное

1/(KМеХ)2.

Таким образом, на границе Ме/МеХ всегда будет сохраняться постоянное (при

Т = const) давление металлоида:

PXI

2 = (РХ2)равн МеХ = 1/(KМеХ)2;

 

 

 

в дальнейшем это давление будем обозначать РХ2 (МеХ).

 

 

 

Значение РХ2 (МеХ)

можно рассчитать, если известна величина

~

~

GMeX

( GMeX

это реакции, уравнение которой составлено в расчете на 1 атом Х, т. е. на 1/2

молекулы Х2):

 

 

 

 

 

 

 

G~

 

 

 

 

KМеХ = exp

MeX

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

98

www.mitht.ru/e-library

и соответственно

 

 

 

 

2 G~

 

Р

(МеХ)

= 1/(KМеХ)2

= exp

MeX

.

 

Х2

 

 

RT

 

 

 

 

 

 

Уравнения реакций между Ме и Х2 целесообразно составлять на 1 атом Х

всегда – независимо от состава образующегося соединения. В этом легко убедиться,

сравнив выражения констант равновесия и формулы для расчета равновесного давления металлоида при обычной форме записи уравнения реакции (на целое число молей) и при составлении уравнений в расчете на 1 атом Х (на 1/2 молекулы Х2). В качестве примера рассмотрим уравнения реакций образования Ме2Х3 и МеХ2.

Обычная форма записи:

4 Ме(тв) + 3 Х2 (газ) 2 Mе2Х3 (тв)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 1/ P

3

 

P

 

 

 

GMe2X3

 

 

К

,

= 1/K1/3

= exp

 

 

;

 

 

 

Ме2Х3

X2 равн

X2 равн

Me2X3

 

3RT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ме(тв) + Х2 (газ) MеХ2 (тв)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

= 1/ P

 

,

P

 

= 1/K

= exp

GMe2X3

 

 

 

 

 

МеХ2

X2

равн

 

X2

равн

 

Me2X3

 

RT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– каждому составу образующегося соединения отвечает свое выражение константы

равновесия и своя формула для расчета равновесного давления через реакции.

Запись на 1 атом Х (на 1/2 молекулы Х2):

2/3 Ме(тв) + 1/2 Х2 (газ) 1/3 Mе2Х3 (тв)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~

 

 

 

= 1/ P

1/2 ,

P

 

 

 

2 G

К

Х3

= 1/K2

2X3

= exp

Me2X3

;

 

Ме2

X2

равн

X2

равн

Me

 

RT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1/2 Ме(тв) + 1/2 Х2 (газ) 1/2 MеХ2 (тв)

 

= 1/ P

1/2 ,

P

 

 

 

 

2 G~

 

К

= 1/K2

 

= exp

MeX2

 

 

 

МеХ2

X2

равн

X2

равн

MeX

2

 

RT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– выражения константы равновесия и формулы для расчета равновесного давления через реакции одинаковы для любого состава образующегося соединения, что,

конечно, очень удобно.

В связи с этим в дальнейшем всегда используем только форму записи уравнения реакции на 1 атом Х (на 1/2 молекулы Х2).

И в заключение рассмотрим, какой порядок имеют значения PXI2 РХ2 (МеХ).

Равновесное давление Х2 над стабильными сложными веществами (т. е. давление

диссоциации) ничтожно мало:

99

www.mitht.ru/e-library

PX2 равн = 10n·10 атм.,

где n – единицы или даже десятки;

например, PO2 равн над твердым оксидом цинка ZnO при температуре 377°С

составляет ~10–46 атм.

Насколько мало это давление, можно проиллюстрировать с помощью несложного расчета. При нормальных условиях (температура 0°С и давление 1 атм.)

1 моль идеального газа (6,02·1023 молекул) занимает объем 22,4 л, т. е. в 1 л

содержится 2,7·1022 молекул. При той же температуре и давлении 10–46 атм. объем,

занимаемый 1 молем, составляет 22,4/10–46 = = 2,24·1047 л, и число молекул в 1

литре равно 2,7·10–24. Это значит, что на 1 молекулу приходится объем 1/(2,7·10–24) ≈ 4·1023 л, или ~4·1011 км3.

Естественно, что при подобных давлениях никакой газовой прослойки на

границе Ме/МеХ нет, PXI2 – это чисто расчетная величина.

6.4. УРАВНЕНИЯ СКОРОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДОГО ПРОДУКТА

Перейдем от силы тока к скорости образования твердого продукта. Для этого в

левой части уравнения (86) с помощью соотношения (80) заменим силу тока числом

молей продукта, образующегося в единицу времени:

dm

 

RT

 

PII

Ф PX2

dPX2

 

 

 

 

X2

 

 

=

 

 

.

(87)

 

2(z

 

F)

2

 

Sd

X

 

P

I

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

В левой части уравнения (87) dm/(Sd ) – удельная скорость (поток) реакции,

т. е. число молей продукта, образующегося в единицу времени на единице площади

поверхности раздела фаз. Правая часть уравнения при постоянных значениях температуры и давления металлоида не зависит от времени и определяет скорость

образования продукта, поэтому она представляет собой константу скорости процесса. Обозначив ее К, получим:

 

 

 

RT

 

PII

Ф PX2

dPX2

 

 

К

 

X2

 

 

 

 

,

(88)

 

2

 

 

 

 

2(z

X

F)

 

P

I

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

 

 

 

X2

 

 

 

 

 

dm

= К.

 

 

 

 

 

 

(89)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кроме dm/(Sd ), в левой части уравнения присутствует – толщина слоя продукта, пропорциональная количеству продукта. Очевидно, характеризовать

100

www.mitht.ru/e-library