Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Синтез линейных электрических цепей. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
08.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
Окончание табл. 2.1
Z
Z
Z
№
п/п
2
3
Тип резонатора
bY
Основные
соотношения
1
tgYl
вх
вФ

bCYn
0 эв
;
ln
2
1
CctgYl
 
вх
11
0 вФ

0
v

ctg csc

в
00 0
 
v
2
1, 2, 3 . ..n
вФ
ctgCl
0
Ф
2
0
v
0
v
l
2
2.2. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ОТРЕЗКОВ ЛИНИЙ ПЕРЕДАЧИ
При проведении синтеза линейных СВЧ цепей весьма полезными оказываются эквивалентные схемы отрезков ЛП на сосредоточенных элементах [12]. В табл. 2.2 приведены два вида эквивалентных схем и расчетные формулы для их параметров. Отметим, что такие эквива­лентные схемы справедливы для ограниченной области частот.
Из приближенных формул для параметров П- и Т-схем замещения коротких
отрезков ЛП следует, что сосредоточенная индуктивность мо­жет быть замещена короткозамкнутым отрезком ЛП, волновое сопро­тивление которого относительно большое, практически
100Z
в
Ом.
Последовательно включенная в тракт СВЧ сосредоточенная индуктив­ность может быть также приближенно заменена отрезком линии пере­дачи с большим волновым сопротивлением. В области частот до
31
500…1000 МГц это замещение оказывается достаточно точным и
X
Z
Z
адекватным. Аналогично сосредоточенная емкость замещается разо­мкнутым отрезком ЛП, волновое сопротивление которого удовлетво­ряет неравенству
Эквивалентные схемы отрезка линии передачи с Т-волной
Отрезок линии Эквивалентные схемы Расчетные формулы
10...20Z
в
Ом.
Таблица 2.2
ll
ZZ

tg
вв
222
1
BlY
XZ lZ
Bll
222
sin

вФ
sin

вв
1
tg

вФ
v
Ф
l
в
v
l
v
Ф
Y
в
v
Приведенные в табл. 2.2 эквивалентные схемы отрезка линии пере­дачи небольшой длины часто используются в практических конструк­циях для реализации индуктивных и емкостных элементов, в том числе подстроечных элементов.
2.3. МАТРИЦЫ РАССЕЯНИЯ И ПЕРЕДАЧИ
Отрезки ЛП, одиночные или связанные, как показано выше, со­ставляют основу (элементную базу) разнообразных устройств СВЧ, которые по отношению к внешним портам (коаксиальным или коакси­ально-полосковым переходам) могут рассматриваться как четырехпо­люсник.
Набор таких элементарных четырехполюсников соединяется отрез­ками ЛП разнообразной длины, образуя сложное СВЧ устройство. При этом в соединительных
отрезках ЛП должен выполняться согласован­ный режим передачи электромагнитной энергии для каждого последо­вательно включенного каскада.
32
Если волна, падающая от генератора, является полезной, то волна,
отраженная от нагрузки при достаточной ее амплитуде может служить источником разнообразных вредных явлений, таких как искажение АЧХ и ФЧХ в рабочей полосе частот или самовозбуждение усилитель­ных каскадов. Следовательно, на входе и выходе каждого четырехпо­люсника должна решаться задача обеспечения режима согласования при котором минимизируются отражения.
Сколь угодно сложная линейная СВЧ цепь, имеющая входы и вы­ходы в виде однородных линий передачи (рис. 2.2), в которых распро­страняется преимущественно основной тип волны, описывается систе­мой алгебраических уравнений относительно комплексных амплитуд падающих и отраженных волн в заданных сечениях (референсных плоскостях) [1].
Рис. 2.2. Система падающих и отраженных волн
четырехполюсника
,
Токи и напряжения на входах четырехполюсника (рис. 2.2) с уче­том того, что в подводящих однородных линиях существует неполное согласование, могут быть представлены в следующем виде:
UU U
11пад 1отр
1
IUU
;
11пад 1отр
Z
в
1
UU U
22пад 2отр
1

22пад 2отр
Z
в2
,
()
,
()IUU
33
,
где
Z
s
заданных сечениях подключения линий;
,,,UU I I – комплексные амплитуды напряжений и токов в
1212
, , , UU UU –
1пад 2пад 1отр 2отр
комплексные амплитуды соответственно падающих и отраженных
,
волн в тех же сечениях;
Z – волновые сопротивления входной и
в1 в2
выходной линии передачи.
Связь между падающими и отраженными волнами определяется с помощью волновой матрицы передачи и матрицы рассеяния:
UU

tt
1пад 2пад
UU
1отр 2отр
U

1отр

U
2отр



11 12


tt
21 22


ss

11 12

ss
21 22

U
 
U

, (2.8)
1пад
, (2.9)
2пад
где
t и
ij
– элементы ненормированных волновых матриц переда-
ij
чи (2.8) и матрицы рассеяния (2.9) соответственно.
Неоднозначность определения для волноведущих устройств тока, напряжения и волнового сопротивления делает актуальным переход к величинам, определение которых однозначно и не зависит от типа волн, распространяющихся в подводящих ЛП.
Такой величиной, как показано в [10], может служить произведе­ние
нормированных комплексно-сопряженных величин, пропорцио-
1

нальных средним значениям мощности падающей
1

отраженной волны, где
bb
nn

2

aZ
n
U
пад
n
, а
bZ
в
n
n
aa

2

U
пад
в
n
n
n
n
. Тогда
и
соотношения (2.8) и (2.9) примут вид
aTTa
 
111122
 
bTTb
121222
 
bSSa
 
111121
 
bSSa
221222
 
34
;
(2.10)
.
Формулы, связывающие нормированные значения ijT и ijS различ-
Z
Z
ZZ
ных четырехполюсников и восьмиполюсников, приведены в [5, 6] и могут быть полезны как для понимания физических процессов распро­странения волн в отрезках ЛП, так и для аналитического описания ха­рактеристик СВЧ цепей различного назначения.
В большинстве случаев матрицы рассеяния позволяют полностью описать многокаскадное и разветвленное СВЧ устройство без строгой формулировки электромагнитной
задачи и определения граничных
условий.
Элементы матрицы рассеяния четырехполюсника, как следует из (2.10), представляют набор величин, связывающих между собой па­дающую и отраженные волны в сечениях соединяемых между собой СВЧ компонентов. Такая матрица рассеяния описывает поведение СВЧ устройства при любых заданных значениях (комплексных коэф- фициентах отражения) его нагрузок.
Рассмотрим линейный четырехполюсник (
он может быть активным или пассивным), находящийся между двумя отрезками линий передачи (ЛП) с волновым сопротивлением
казано на рис. 2.2. Чаще всего
и
в1
в1 в2
трансформацией сопротивлений. Далее, полагая
соответственно, как по-
в2
, кроме случаев, связанных с
0a
и
1
0a
, по-
2
лучим
b
1
S
11 0
|
(2.11)
a
2
a
1
– коэффициент отражения от входа четырехполюсника, при согласо- ванной нагрузке на выходе;
b
1
|
S
12 0
a
(2.12)
a
1
2
– коэффициент передачи из второго плеча четырехполюсника в первое, при согласованной нагрузке на входе;
b
S
2
|
(2.13)
21 0
a
35
a
2
1
– коэффициент передачи из первого плеча четырехполюсника во вто-

рое, при согласованной нагрузке на выходе, определяет ослабление или усиление;
b
S
2
|
(2.14)
22 0
a
1
a
2
– коэффициент отражения от выхода четырехполюсника, при согласо-
ванной нагрузке на входе.
Необходимо отметить, что все введенные выше элементы (2.11)–(2.14)
матрицы рассеяния являются безразмерными.
2.4. ВЗАИМНЫЕ И СИММЕТРИЧНЫЕ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКИ
Математически условие взаимности для четырехполюсника и мно­гополюсника формулируется следующим образом: необходимым и достаточным условием является симметрия его матрицы рассеяния. При этом для четырехполюсников это дает
форме записи
[] []SS
, где []St – транспонированная матрица рассе-
t
SS
12
, или в матричной
21
яния.
У симметричных обратимых четырехполюсников элементы матри­цы рассеяния сохраняются неизменными при изменении направления передачи энергии. Математически это формулируется следующим об­разом:
SS
11 12
[] ,
S
SS
12 11
[] .
TT

T
11 12

TT
12 22

(2.15)
Антиметричным называется четырехполюсник, у которого норми­рованное входное сопротивление в режиме холостого хода при прямом (обратном) направлении передачи СВЧ сигнала равно нормированной входной проводимости при прямом (обратном) направлении передачи.
Антиметричные четырехполюсники описываются матрицами:
SS
11 12
[] ,
S
SS
12 11
 
36
TT

T

11 12

TT
12 22

.
(2.16)
Реактивные четырехполюсники (без потерь) подчиняются условию
Z
E
[][][1],
унитарности
SS
t
с матрицей []S ; [1]
где
[]
S
– матрица эрмитово–сопряженная
t
единичная матрица. Для обратимого четырехпо-
люсника без потерь будем иметь:
22
11 12
SS S S
1;SS

11 12 21 22
22
21 22
0
. (2.18)
1SS, (2.17)
Из соотношений (2.17) и (2.18) следует
SS
11 21
и
SS
22 12
   .
11 22 12 21
Для взаимного четырехполюсника, включенного между генерато-
ром с внутренним сопротивлением
и сопротивлением нагрузки,
G
как показано на рис. 2.3, ослабление сигнала (рабочее затухание или вносимое ослабление) определяется выражением [10]
2
/4
Z
G
10 lg
a
p
UI
22
[дБ].
Рис. 2.3. Определение рабочего затухания, вносимого
реактивным четырехполюсником
37
Учитывая то, что для четырехполюсника на СВЧ
Z
Z
Z
n
(волновые сопротивления подводящих ЛП) рабочее затуха-
в2
ние рассчитывается по соотношению
и
Z
G
в1
10 lg 10 lgaT
 .
р 11
2
1
2
S
21
2.5. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛИНЕЙНЫХ ЦЕПЕЙ
В данном подразделе рассмотрена задача оптимизации параметров широкополосных линейных цепей различного назначения. Проведен обзор математических методов оптимизации, сделан сравнительный анализ описанных методов оптимизации. На основании проведенного обзора и анализа сделан вывод о предпочтительном методе оптимиза­ции СВЧ устройств, в том числе с диссипативными потерями, и сдела­на оценка полученных результатов.
В
компьютерных САПР используются многообразные методы оп-
тимизации: случайный локально (random local), симплексный (simp-
lex), градиентный (gradient), равномерное генетическое изменение (ge­netic uniform mutation), гауссовское генетическое изменение (genetic Gaussian mutation), симплексный метод имитации отжига (simulated annealing simplex), локальный метод имитации отжига (simulated annealing local) и некоторые другие методы.
Опыт проектирования и разработки СВЧ устройств показывает, что во многих случаях наиболее эффективными оказываются симплексный и градиентный методы оптимизации
[3, 15]. Кратко рассмотрим оба
этих метода.
Сущность симплексного метода состоит в следующем. Симплекс – это правильный многогранник, показанный на рис. 2.4 и имеющий
вершин, где n – число факторов, влияющих на процесс оптими-
1n
зации. Так, например, если на процесс влияют два фактора, то сим­плекс имеет вид правильного треугольника.
Началом серии опытов являются вершины исходного треугольника
(симплекса), точки 1, 2 и 3. Из области значений факторов берутся
38
условия первых опытов, соответствующих наиболее благоприятным из известных режимов оптимизируемого процесса. Далее на основе сравнения между собой результатов опытов в исходных точках (точки 1, 2 и 3) определяется самый неблаго­приятный из них – исходя из вы­бранного критерия оптимальности. Допустим, что в нашем случае са­мым плохим опытом оказался опыт в
точке 1, относительно других опытов – в точках 2 и 3. Отметим, что в качестве критерия оптимиза­ции обычно принимается значение коэффициента стоячей волны в заданной полосе частот, либо от­клонение АЧХ от номинального значения. Для СВЧ цепей с дисси­пативными потерями рекомендуется
Рис. 2.4. Симплексный метод
оптимизации
сформировать целевую функцию из перечисленных выше двух параметров
с соответствующими весовыми
коэффициентами. В этом случае оптимизация называется векторной.
Следующий шаг: сравниваются результаты опытов нового сим­плекса (точки 2, 3 и 4). Сравниваем результаты между собой и исклю­чаем вершину (точку 2), результаты опыта в которой оказались худ­шими. Далее определяем новую вершину симплекса (точка 5). Данная операция повторяется в
течение всего процесса оптимизации.
Процесс оптимизации и, как следствие, дальнейшее продвижение симплекса прекращается, если выполняется условие достижения экс­тремума в соответствии с критерием оптимальности. Это означает, что при дальнейшем продвижении симплекса алгоритм вернет его в предыдущую точку факторного пространства. Также отметим, что симплексный метод, как и большинство других методов оптимизации, является локальным методом поиска экстремума. Поэтому, если функ­ция имеет несколько экстремумов критерия оптимальности, то сим­плексный метод найдет тот экстремум, который ближе всего находится к точкам исходного симплекса. Из этого следует, что если существует задача поиска нескольких экстремумов, необходимо начинать оптими­зацию каждый раз из разных областей факторного пространства. После
39
чего нужно провести сравнительный анализ найденных оптимальных
Р
условий и выбрать из них наилучший.
Необходимо заметить, что при использовании данного метода не обязательно повторять опыты, так как ошибка в каком-то одном опыте лишь замедлит оптимизацию, и если следующие опыты выполняются без ошибок, то продвижение симплекса к оптимальному значению продолжается.
Частный случай
симплексного метода оптимизации – это поиск оп­тимального экстремума по деформируемому многограннику. Он пред­ставляет собой распространенный метод локального поиска. Его еще
называют методом Нелдера–Мида, по фамилиям авторов этого метода. Пред­положим, что существуют также две переменные, влияющие на процесс. То­гда симплексом соответственно будет являться равносторонний треугольник. И точки
испытаний находятся в верши-
нах этого симплекса (треугольника),
ис. 2.5. Симплекс для двух переменных в форме равносто­ роннего треугольника
представленного на рис. 2.5.
Тогда из вершины симплекса, где целевая функция минимальна, в данном случае это точка 1, спроецируем пря-
мую, проходящую через центр тяжести симплекса. После чего необхо­димо построить новый, так называемый отраженный симплекс из новой точки 4 и старых точек 2
и 3. При этом точка 4 находится на проецируемой прямой с надлежащим расстоянием до центра тяжести симплекса. Данная операция, при которой с каждым шагом симплекса исключается вершина (точка) с максимальной целевой функцией, обеспечивает движение к экстремуму. Также существует правило предотвращения циклического движения в области минимума и умень­шения размера симплекса.
Применение регулярных многогранников имеет ряд недостатков, таких как неоптимальный поиск в искривленных областях, замедление поиска экстремумов в некоторых ситуациях. В свою очередь деформа­ция многогранника симплекса позволяет изменять свою форму и размер, что обеспечивает более эффективный поиск оптимума в мно­гомерных поверхностях. Пример работы метода деформируемого мно­гогранника представлен на рис
. 2.6.
40
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]