Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Основы теории и технологии электроэрозионного формообразования прецизионных полусферических оболочек. Монография.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
Невыполнение условий самопрофилирования приводит к тому, что ЭИ работает только внутренней частью своей ра­бочей поверхности. Это способствует искажению формы об­рабатываемой поверхности заготовки.
141
ГЛАВА 7
Общий план и особенности электроэрозионного
формообразования полусферической оболочки
Маршру
т обработки заготовки с целью получения из нее прецизионной тонкостенной полусферической оболочки определяется, в первую очередь, возможностями электроэро­зионного оборудования. Если электроимпульсный станок ос­нащен генератором импульсов, обеспечивающим частоту следования импульсов 440 кГц и выше, это гарантирует дос­тижение шероховатости обработанной поверхности не ниже Rz 0,5 мкм и позволяет в ряде случаев ограничиться только ЭЭО. При более жест
ких требованиях
к шероховатости в ка­честве финишной обработки может использоваться абразив­ная доводка с использованием рабочей поверхности ЭИ без изменения настройки технологической системы.
Обработка выпуклой и вогнутой сферических поверх­ностей оболочки проводится как минимум за два установа. В первом установе обычно обрабатывается наружная поверх­ность (рис. 7.1,а), на втором – вну
ренняя поверхность обо-
т
лочки (рис. 7.1,б). Для последующей обработки торца обо­лочки используется традиционная технология, которая в на­стоящей работе не рассматривается.
142
Рабочая жидкость
а б
Рабочая жидкость
Рис. 7.1. Техн оболочки: обработка наружной (а) и внутренней (б) поверхностей
ологический процесс изготовления полусферической
Особенностью абразивной доводки является использо­вание в качестве притира ЭИ, спрофилированного в процессе ЭЭО, а также сохранение принципа электроэрозионного фор­мообразования, предшествующего доводке, что значительно упрощает ее проведение. Однако при переходе к абразивной обработке (доводке) возникает явление, аналогичное умень­шению МЭП при изменении режима ЭЭО: в данном случае МЭП уменьшается до нуля. Установлено, чт
о для определения припуска на абразивную доводку может быть использована та же методика, что и при ЭЭО. При этом значение относитель­ного объемного износа определяется экспериментально.
После ЭЭО внутренней поверхности оболочки по мере
необходимости осуществляется ее абразивная доводка.
143
ГЛАВА 8
Выбор электрических и кинематических параметров
процесса обработки
Так как процесс распространения тепла от воздействия импульсного электрического разряда протекает очень нерав­номерно (наружные слои металла мгновенно нагреваются до очень высоких температур, а для нагрева глубинных слоев требуется время), то возникает большое различие температур по глубине металла, способствующее неравномерному рас­ширению его слоев: наружные слои, как более нагретые, рас­ширяются больше, вну
т
ренние – меньше [18].
Зона обработки при ЭЭО погружается в жидкость или омывается ею, поэтому охлаждение нагретых участков также происходит весьма быстро. Столь резкое колебание темпера­туры поверхностных слоев обрабатываемого металла или ме­таллического сплава способствует возникновению в нем тер­мических напряжений. Если значения этих напряжений превы­шают предел прочности материала обрабатываемой за то в ее пов
ерхностных слоях будут возникать микротрещины.
готовки,
Если же значения внутренних напряжений меньше предела прочности, но больше предела текучести обрабатываемого материала, то внутренние напряжения могут разряжаться пу­тем пластической деформации, вызывая коробление детали.
Глубина зоны залегания внутренних упругих напряже­ний, возникающих в поверхностных слоях обрабатываемой заготовки после проведения ЭЭО, обычно определяет
я пу-
с
тем решения задачи Стефана с достаточной для практических целей точностью [18]:
144
2Rz,
hat 
T
где а
– температу
t
– длительность импульса, Rz – параметр шероховатости
и
ропроводность обрабатываемого материала,
и
(8.1)
обработанной поверхности.
Однако при ЭЭО сферической поверхности самопрофи­лирующимся инструментом при наличии вращательных дви­жений электродов формула (8.1) преобразуется:
и
dl
d
(8.2)
, l – относительное смещение
– диаметр канала разряда
где d
2Rz,

hat
Т
электродов за время действия импульса.
Численное значение Rz при обработке неподвижным инструментом (не считая его осевого перемещения в направ­лении к заготовке) определяется по формуле [34]
2
где –
Rz ,
KW
3
3
и
коэффициент перекрытия лунок (1    2); K –
(8.3)
ко­эффициент, характеризующий свойства материала, числен­ное значение которого может быть взято, например, из [34];
W
– энергия импульса. Тогда с учетом выражения (8.3) выра-
и
жение (8.2) примет вид
hat KW

20,48.
T
d
ии
dl
3
(8.4)
Как следует из выражения (8.4), глубина зоны термического влияния в большей мере зависит от длительности импульса, чем от его энергии.
Используя формулу (8.4) в качестве расчетной, можно назначить электрические параметры режима обработки по технологическим переходам. В качестве примера ниже при­ведено назначение электрических параметров режима обра-
метр котор
о
й должен быть равен 17,14
145
мм, внутренний –
–0,011
+0,011
15,44
мм. Обрабатываемый материал – вольфрамовый
сплав ВНЖ 7-3. В качестве технологического оборудования используется электроэрозионный станок с генератором им­пульсов типа ШГИ 63-440.
Итак, первый режим обработки характеризуется сле­дующими основными параметрами: частотой следования им­пульсов f = 8 кГц, скважностью q = 1,1–1,2, что соответствует длительности импульса t
110–4 с. Применяя формулу (2.33),
и
определяющую связь между энергией и длительностью элек­трического импульса, можно определить, что энергия импуль­са W
должна быть приблизительно равна 0, 12 Дж. Учитывая,
и
что среднее напряжение в импульсе в первом приближении может считаться постоянным и равным около 20 В, то по известным W пульсе J
р.ср
, tи, U
и
может быть найдена сила тока в им-
р.ср
. В данном случае J
60 А. При этих параметрах
р.ср
электрического импульса глубина зоны термического влияния
h
205 мкм, поэтому припуск на сторону для обработки на
Т1
последующем режиме должен быть не менее 205 мкм.
При достижении диаметром заготовки значения d
(чис-
1
ленно оно будет определено ниже) необходимо перейти на режим ЭЭО с параметрами: f = 22 кГц, q = 1,5, J
U
= 20 В, tи =310–5 с, Wи = 2,410–2 Дж. Глубина распро-
р.ср
= 40 А,
р.ср
странения термических напряжений в материале заготовки после обработки на этом режиме h
= 110,5 мкм, т. е. мини-
T1
мальный припуск на сторону обрабатываемой поверхности, который необходимо оставить для обработки на последую­щем режиме, должен быть равен 110,5 мкм.
Сняв заданный припуск, т. е. доведя диаметр сфериче­ской поверхности до d раметрами: f = 44 кГц, q = 2, t
U
= 20 В, Wи = 4,610–3 Дж. На этом режиме hТ3 = 68 мкм.
р.ср
Обработав заготовку до диаметра d с параметрами: f = 88 кГц, q = 3, 5, t
, необходимо перейти к режиму с па-
2
= 1,1410–5 с, J
и
, переходят к режиму
3
= 3,2510–6 с, J
и
= 20 А,
р.ср
= 12 А,
р.ср
146
U
= 20 В, Wи = 7,810–4 Дж. Значение hТ4 на этом режиме
р.ср
составит 36,5 мкм.
Обработка на вышеприведенном режиме производится до достижения диаметра d ход к режиму с параметрами: f = 200 кГц, q = 5, t
J
= 5 А, U
р.ср
= 20 В, Wи = 110–4 Дж. Значение hТ5 на этом
р.ср
, после чего осуществляется пере-
4
= 110–6 с,
и
режиме составит 20,5 мкм.
Достигнув диаметра d
, необходимо перейти к заключи-
5
тельному этапу обработки, осуществляемому на режиме с па­раметрами: f = 440 кГц, q = 5,2, t
U
= 20 В, Wи = 8,810–6 Дж. Глубина термических напряже-
р.ср
ний h
на этом режиме равна 12,5 мкм.
Т6
По достижении диаметра d
= 0,4410–6 с, J
и
выпуклой поверхности обо-
6
= 1 А,
р.ср
лочки ЭЭО должна быть завершена. При этом шероховатость Rz будет не менее 0,8 мкм. Поверхностный слой оболочки глубиной 12,5 мкм будет находиться в напряженном состоя­нии. Для удаления этого слоя и снижения шероховатости об­работанной поверхности необходима абразивная (магнитно­абразивная) доводка. Минимальный припуск под доводку на диаметр оболочки должен быть не менее 25 мкм, причем раз­мер этого припу
с
ка должен быть проверен по условию пере­профилирования ЭИ (формулы (1.16) и (1.17)) и, естественно, быть не меньшим, чем требуется по этому условию.
Приняв минимальный припуск на окончательном (дово­дочном) режиме равным 25 мкм, можно определить числен­ные значения диаметров d оболочки D = 17,14 мм, то d
d
= 17,279 мм, d3 = 17,415 мм, d2 = 17,636 мм, d1 = 18,046 мм.
4
. Поскольку наружный диаметр
6–d1
= 17,165 мм, d5 = 17,206 мм,
6
Диаметр заготовки (с учетом наличия возможного бие­ния и других устраняемых в процессе обработки погрешно­стей) должен составлять около 19–19,5 мм.
147
После обработки наружной поверхности оболочки обра­батывается ее внутренняя поверхность, причем последова­тельность и параметры режима обработки остаются такими же.
Для оболочек данного типа других размеров электриче­ские параметры режима обработки назначаются аналогично.
Кинематические параметры режима при обработке сфери­ческих поверхностей диаметром 8–25 мм, согласно эксперимен­тальным данным, целесообразно назначить следующие: для об­рабатываемой сфери для инструмента n
ч
еской поверхности n
= 250–500 об/мин.
ЭИ
= 800–1000 об/мин,
з
148
ГЛАВА 9

Контроль поверхностей сферической формы

Сферические поверхности контролируют по трем пара­метрам: линейные размеры (диаметр сферической поверхно­сти и высота сферического сегмента); отклонение формы (от­клонение от круглости сферической поверхности); отклонение расположения поверхностей (отклонение от концентричности выпуклой и вогнутой поверхностей характерно только для оболочек).
Контроль линейных размеров и формы осуществляется с помощью шаблонов (для крупногабаритных и не чр
точных сферических поверхностей). Контроль преци-
чайно
езвы-
зионных и сравнительно малоразмерных сферических по­верхностей чаще осуществляется микрометрическим инстру­ментом, рычажно-зубчатыми и оптическими приборами.
Точность формы прецизионных сферических поверхно­стей целесообразно контролировать с применением кругло­мера (рис. 9.1). Наиболее распространенным является круг­ломер отечественного производства модели 289 (рис. 9.2), обеспечивающий точность определения отклонения от кру
до 0,001 мкм.
лости
г-
149
Рис. 9.1. Схема контроля отклонения от круглости с помощью круг­ломера: 1 – измерительный наконечник индикатора, 2 – измеряемая
деталь, 3 – вращающийся стол
При измерении точности формы полусферической оболоч­ки, она располагается под углом ~45° к поверхности стола, т. е. круглограмма, снятая в плоско­сти, проходящей через полюс об­рабатываемого полусферическо­го сегмента и касательную к его экватору, содержит в определен­ном масштабе информацию о по­грешности формы сферической поверхности.
Рис. 9.2. Кругломер
Отклонение от концентричности выпуклой и вогнутой поверхностей оболочки, т. е. ее разнотолщинность, замеряет­ся с помощью индикаторной стойки. Толщину стенки в раз­личных точках определяли, приняв в качестве базовой вы­пуклую поверхность оболочки (рис. 9.3). В качестве отсчет­ного устройства применен индикатор часового типа 1МИГ.
150
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]