Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Папиров И.И. Пластическая деформация бериллия

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
21.54 Mб
Скачать

результатов следует учитывать дезориентацию образцов отно­

сительно оси сжатия, в результате которой

возможно

попереч­

ное скольжение дислокаций а в

плоскостях

(0001)

и (10Ш),

либо пирамидальное

скольжение

в системе типа

{101х} < 1120>

(см. п. 1.4.7).

 

 

 

 

 

 

Лондон, Дампано

и др. [36, 38, 68] не только

обнаружили

ли­

нии скольжения, принадлежащие

системе (1122} < 1123>,

но

идентифицировали дислокации с + а электронпомпкроскопически (см. п. 1.4.8), определили активацнонный объем и характер кри­ вых деформации. Кристаллы высокой чистоты в процессе сжа­ тия при температурах 493 и 606° К обладали измеримой пласти­ ческой деформацией (см. табл. 1.9). Сведения об упрочнении недостаточно определенны: в работе [38] сообаїалось об умень­ шении нагрузки с деформацией, что формально соответствует отрицательному упрочнению.

Активацпоннып объем определяли по зависимости напряже­ ния от скорости деформации при изменении последней в 2,5 раза. Значения активацпонного объема оказались разными в зависи­ мости от того, увеличивали или уменьшали скорость деформа­ ции [38]. В та'бл. 1.11 приведены предельные значения актива­ цпонного объема.

 

 

 

Т а б л и ц а

1.11

Активационным обьем при

пирамидальном скольжении

 

 

в бериллии и его сплавах

[38]

 

 

 

Материал

т, 'К

V %

1',

b3

Be высокой

чистоты

606

0,143—0,187 J

6,2—12,0

 

 

 

Be — 4,37%

Си

637

0,09—0,67

7,5—19,4

Be — 5 , 2 4 %

Ni

440

0,114—0,753

4,7 — 8,6

Be — 5 , 2 4 %

N i

627

0,0364—0,398

От

— 1 9 , 4

 

 

 

 

до

+ 1 2 , 1

Халсн [74] при прокатке (7, = 773°К) монокристаллов, ориен­ тированных для сжатия вдоль оси с, заметил два новых микро­ структурных эффекта, связанных с образованием деформаци­ онных полос (сбросов). Эти полосы связаны со скольжением дислокаций с небазисным вектором Бюргерса и играют важную роль в процессах деформации и рекристаллизации кри­ сталлов.

1.4.6. Ползучесть кристаллов бериллия при

сжатии вдоль

оси с . По данным французских исследователей,

пирамидальное

скольжение с небазисным вектором Бюргерса в

кристаллах бе­

риллия чистотой 99,75% отсутствует вплоть до 873° К 1 . Однако при сжатии кристаллов в области температур выше 623 °К они обладают заметной деформацией за счет ползучести [63, 65—67].

Скорость

ползучести

при температурах 623—773° К

и

напря­

жениях 30—80 кГ/мм2 непрерывно

увеличивается

со

временем.

Электронномпкроскоппческими

исследованиями

в

кристаллах

после испытаний обнаружены дислокации и петли,

лежащие в

плоскости 'базиса

и имеющие

вектор Бюргерса

с.

 

Плотность

дислокаций с возрастает с деформацией от ~ 104

слг2

(Е —

==10"'')

до

~ 1 0 ~ 8

см-2

( Є Й

Ю - 1

) .

Энергия

активации

ползуче­

сти при

7 < 7 4 8 ° К

равна

37—40

ккал/моль

и 'близка

 

к

энергии

самодиффузии. При

увеличении

 

температуры энергия

актива­

ции, возможно, возрастает. Скорость ползучести изменяется по

закону е ~ о 3 ' 5 .

Наиболее характерными особенностями ползучести берил­ лия при сжатии вдоль оси с являются отсутствие стадии уста­ новившейся ползучести, наличие переползания дислокаций а и с, а также размножения дислокаций с. В работах [66, 75] предло­ жена модель, согласно которой ползучесть бериллия при сжа­ тии вдоль оси с обусловлена исключительно диффузионным пе­

реносом

вещества по механизму Набарро — Херринга [76]. Ва­

кансии,

образующиеся за счет ступенек дислокаций а, диффун­

дируют

к дислокациям с и обеспечивают их переползание.

Большая скорость ползучести объясняется тем, что дислокации являются и источниками, и стоками вакансий. Возрастание скорости ползучести со временем, очевидно, связано с размно­ жением (либо с увеличением длины) с-дислокаций. Петли с век­ тором Бюргерса с испускаются, по-видимому, источниками типа

Бардина — Херринга

[65, 66]. Более

детально с этой

моделью

можно познакомиться

в работах [66, 75].

_

_

1.4.7. Пирамидальное скольжение в системе {10Lv}

< 1 1 2 0 > .

Скольжение

по плоскостям

{ I O I J C }

впервые

наблюдали

Туэр и

Кауфманн в

1954 г. Позднее

Геллес

с сотр. [59] более подробно

изучили этот вид деформации и показали, что скольжение пре­ имущественно происходит в системе {1011} <112 _ 0> . В дальней­ шем некоторые дополнительные сведения получены в работах

[16—18, 22, 66, 72, 77, 78]. Скольжение слабо развито

при

ком­

натной температуре

и активируется с ростом температуры. Гел­

лес с

сотр. [59] и

Пуанту [77] наблюдали линии скольжения

в этой

системе при

испытании кристаллов технической чистоты

на изгиб. Дюпуи и др. [22] заметили

единичные линии

ггира-

1 Дюпуи

[75] допускает существование

дислокаций с + а ,

которые не

скользят, по

участвуют в генерировании дислокаций с.

 

 

 

 

 

 

 

4*

51

кидального скольжения при 293° К в условиях сжатия кристал­ лов, благоприятно ориентированных для базисного скольжения. Аналогичный результат получен также нами совместно с И. А. Гиндиным и др. [25], но его интерпретация в работе [25] неправильна. Реализация пирамидального скольжения в усло­ виях развитого базисного свидетельствует о том, что напряже­

ния течения

относительно невелики.

 

 

 

 

 

При сжатии кристаллов вдоль оси с пирамидальное сколь­

жение

в системе

типа {101 х} < 1 1 2 0 >

не должно наблюдаться.

Действительно, оно обычно отсутствует при комнатной

темпе­

ратуре [22], однако при Г > 4 7 3 ° К

кроме линий

базисного

сколь­

жения

иногда наблюдаются наклонные к ним

следы

скольже­

ния ',

которые

объясняются

сдвигом

в

системах

типа

{ІОІх}

< 1 1 2 0 >

[16—18, 63, 66].

 

 

 

 

 

 

По

ряду причин эти следы скольжения

нельзя

объяснить

скольжением

небазисных дислокаций

с + а.

Во-первых,

следы

скольжения наблюдались тем реже, чем меньше дезориентация

оси с относительно

оси

сжатия. Разориенгировка

в несколько

угловых минут не

должна

сказываться

на пирамидальном

скольжении

в системе

{1122} < 1 1 2 3 > , но

может

влиять на

скольжение

в системе

типа

{lOLv} < 1 1 2 0 > . Во-вторых, предел

текучести при сжатии трудно обнаружить, что обычно происхо­

дит, когда

направление

скольжения

почти

перпендикулярно

к вектору силы. В-третьих, дислокации

с вектором

Бюргерса

с + а после деформации

обнаружить

не

удается_ [16—18,

63].

В-четвертых,

скольжение

в системе

{1122} < 1 1 2 3 >

возможно

при высоких критических напряжениях,

тогда

как

линии,

на­

клонные к базисным, наблюдались даже в условиях, когда плос­ кость (0001) находилась под углом 45° к оси приложения на­ грузки, т. е. в условиях легкого базисного скольжения. В-пятых, наклонные линии обнаружены лишь на боковых поверхностях {1120} образцов, а на гранях {1010} линии всегда параллельны следам плоскости базиса. Следовательно, плоскость скольжения может иметь индексы {Юіх} .

Четвертый индекс нельзя однозначно определить из-за изви­ листого характера линий скольжения. Не исключено, что на самом деле эти линии являются результатом поперечного сколь­ жения дислокаций а в обычных системах скольжения (0001) и

(1010). Согласно модели множественного поперечного скольже­ ния Джонстона и Гилмана [49], винтовая дислокация, первона­ чально движущаяся в своей плоскости, может покинуть ее, ко-

1 Линии скольжения, наблюдавшиеся в работах

[12, 28, 64] при

Г > 4 7 3 ° К ,

по-видимому, имеют ту же природу, что и полученные в_ работах

[16—18, 63],

и могут быть отнесены к скольжению типа

{101л.}

< 1 1 2 0 > либо

к

попереч­

ному скольжению дислокации а в плоскостях

(0001)

и (1010).

 

 

роткое расстояние скользить в другой плоскости и затем вер­ нуться в исходную плоскость скольжения. Соответствующие этому процессу линии скольжения, очевидно, могут иметь про­ извольную ориентацию, как это и наблюдается при сжатии кри­ сталлов бериллия вдоль оси с, а также при призматическом скольжении при повышенных температурах.

Пуанту и др. [77, 78], анализируя астеризм лауэграмм де­ формированных образцов и полюсные фигуры прокатанных кри­ сталлов бериллия, также пришли к выводу, что скольжение в си­

стемах типа { І О Ї А ' } < 1120>

вносит заметный вклад в формиро­

вание текстур деформации,

особенно при температурах выше

Рис. 1.17. Полюсные фигуры

(0002)

прокатанных

моно­

 

кристаллов на 1,

2 и 3-й

стадиях

деформации

[77] .

 

 

673° К. Идентификация

систем

скольжения по характеру

тек­

стур представляет собой трудную задачу, особенно

в случае

анизотропных металлов

и при

наличии

поперечного

скольже­

ния. Формально скольжение типа {101х} < 1 І 2 0 >

можно

рас­

сматривать как результат поперечного скольжения в системах

(0002) и

{10І0}.

 

 

 

 

 

 

 

 

Пуанту [77] при прокатке монокристаллов, ориентированных

благоприятно для базисного скольжения, обнаружил три

стадии

деформации в области

температур

673—1273° К

(рис.

1.17).

Вначале

полюс

(0002)

за

счет базисного скольжения

прибли­

жается к

центру

стереографической проекции

(см. рис. 1.17, а);

при этом

направление

< Ю Т о > перпендикулярно

к

направле­

нию прокатки. При 673 и

873°К

плоскость

(0001)

становится

параллельной плоскости прокатки, а выше 973°С

полюс ни­

когда не

достигает центра

полюсной фигуры,

приближаясь

к нему на углы 15—35° в зависимости от степени обжатия. На второй стадии призматические плоскости разворачиваются во­

круг оси с на угол

30° так, что

направление

<10Т0> совпадает

с осью

прокатки

(см. рис.

1.17,6). На третьей стадии

полюс

(0002)

удаляется

от центра

в

поперечном

направлении

(см.

рис. 1.17, в).

На основании анализа этих результатов Пуанту заключает, что при температурах выше 673° К возможно несколько видов пирамидального и призматического скольжений:

(1){1 ОТ 1} < 1 1 2 0 > :

(2) { Ю Н } < 1 1 2 0 > пли {1015} < 1 1 2 0 > ;

(3){ 1 0 П } < 1 1 0 1 > ;

(4){1010} < 1 1 2 3 > .

Наиболее легко осуществляется скольжение типа {101 JC} < 1120>, действующее на третьей стадии. Скольжение в системах (3) и (4), имеющих компоненту сдвига вдоль оси с, становится актив­ ным лишь в случае, когда касательные напряжения в систе­ мах (1) и (2) малы, т. е. когда плоскость базиса параллельна плоскости прокатки. Эти результаты нельзя считать окончатель­ ными, поскольку наличие (2), (3) и (4) систем скольжения в

металлах с

г. п. у.-структурой

энергетически

маловероятно

(см.

пп. 4.1—4.5). Это же относится к скольжению

дислокаций

а в

плоскостях

{10Ї2},

{1013}

и {1014}, о

котором

сообщено в

ра­

боте [ 9 ] .

 

 

 

 

 

 

 

 

1.4.8. Дислокационная

структура.

Электронномикроскопиче-

скпе исследования

кристаллов

бериллия

после деформации

сжатием вдоль оси с противоречивы. Ле Азиф, Дюпуп и Пуарье с сотр. [63, 65, 66] не обнаружили дислокаций с + а вплоть до температур испытаний 873° К, а Спенглер, Дамиано, Герман и др. [46, 68] при исследовании фольг кристаллов сплавов и сверх­ чистого бериллия, испытанных при температурах 293—637°К, идентифицировали дислокации с и с + а. Возможно, такое раз­ личие является результатом влияния примесей на характеристи­ ки пирамидального скольжения. В кристаллах технической чи­ стоты пирамидальное скольжение либо отсутствует, либо лока­ лизовано в непосредственной близости от поверхности разру­ шения. Поэтому Дамиано и др. [68] также не смогли обнару­

жить

дислокаций с + а в

фольгах монокристаллов

технической

чистоты после

испытания

на

сжатие

в

области

температур

473—678° К.

 

 

 

 

 

 

В

фольгах

сплавов и очень чистого бериллия дислокации с,

с + а

и

а часто расположены

парами

или

образуют

узлы. При

293° К

дислокации с и с + а прямые,

а при высоких

температу­

рах они заметно изгибаются.

Плотность

дислокаций с и с + а

увеличивается с ростом температуры деформации. В монокри­ сталлах сплавов Be—Си и Be — Ni количество дислокаций при

прочих равных условиях всегда выше,

чем у сверхчистого

бе­

риллия. Авторы работы

[68] полагают, что краевые дислока­

ции с + а, образующиеся

при сжатии, в

процессе разгрузки

дис­

социируют по реакции

 

 

 

4-<112з>^4-<1 1 2°>-ы0 0 0 1 ь О-5)

оd

Дислокация а может совершать скольжение в плоскости (0001), а дислокация с остается неподвижной. При повышенных темпе­ ратурах дислокации с, совпадающие с направлением, вдоль ко­ торого происходит диссоциация (т. е. с направлением пересече­ ния плоскостей (0001) и {1122}), могут покинуть исходное ме­ стоположение в результате переползания. С этим связано искривление линий дислокаций.

Возможность диссоциации дислокаций с + а по реакции (1.5) нуждается в дальнейшей проверке. С энергетической точки зре­ ния (в соответствии с критерием квадрата вектора Бюргерса, см. п. 4.1) эта реакция не дает выигрыша в энергии1 . Вместе с тем диссоциация дислокаций по реакции (1.5) наблюдалась в магнии при температурах выше 423° К [79].

Дислокации с + а идентифицированы также в фольгах поликристаллнческого бериллия после закалки от 1273°К или облу­

чения нейтронами

( 2 - Ю 2 0

нейтронісм2) при 623° К

[80]. Уол­

тере и другие непосредственно

наблюдали движение

дислокаций

с + а в электронном

микроскопе

[80] .

 

 

1.4.9. Сжатие кристаллов

бериллия вдоль оси с при

высоких

давлениях. Хэнафи,

Лондон

[39, 81], Бедер и др. [30] и

авторы

настоящей книги [82] изучали пластическую деформацию кри­ сталлов бериллия при сжатии вдоль оси с при высоких давле­ ниях. Поскольку испытания в условиях приложения гидростати­ ческого давления позволяют задержать разрушение, пирами­ дальное скольжение может возникнуть при более низких тем­ пературах. Испытания кристаллов различной чистоты при ком­

натной температуре и высоких давлениях (0—27,5

кб) показа­

ли следующее.

 

При высоких давлениях наблюдается пирамидальное сколь­

жение в системе {1122} < 1123>. Дислокации с + а

идентифици­

рованы электронномикроскопически, линии скольжения видны в

оптический микроскоп

[39, 81]. У

кристаллов высокой чистоты,

полученных после 12 проходов зонной плавки,

пирамидальное

скольжение наблюдается

при р= 12-+14 кб,

а у кристаллов более

низкой

чистоты — при

/?=19

кб.

В работе

[30], где использо­

вался

бериллий

чистотой

99,75%,

пирамидальное скольжение

не наблюдалось при р<\5

кб.

 

 

 

 

 

У кристаллов высокой чистоты критическое напряжение сдви­

га не превышает 93 кГ/мм2, что намного

ниже

значений

пре­

дела текучести,

характерных

для испытаний в

обычных

усло­

виях. У кристаллов низкой чистоты предел текучести не сни­ жается с возрастанием внешнего давления, т. е. в гидростати­ ческих условиях т j 1 } заметно увеличивается при снижении чистоты материала.

1 Небольшой выигрыш дает последующая диссоциация дислокаций а на частичные дислокации по реакции (4.4),

Пластичность кристаллов во всех случаях низкая ( в р < 1 % ) . Разрушение большей части образцов происходит вдоль плоско­ сти, наклоненной на угол 4 0 ± 2 к плоскости (0001) [она может быть идентифицирована как (1124)]. Дамиано и др. [39] пола­ гают, чторазрушение вдоль плоскости (1124) на самом деле является результатом кооперативного растрескивания вдоль пло­ скостей (0001) и {1120}, вызванного локализованным скольже­

нием дислокаций с + а. В

работе [30]

скол по (1124)

наблю­

дался и в отсутствие пирамидального

скольжения.

Изредка

происходило разрушение

по

плоскости

(1012). Напряжение

разрушения при сжатии в гидростатических

условиях возрастает

(иногда до 310 кГ/мм2 при р^20

кб). Макроскопические

трещи­

ны могут образоваться при напряжениях

меньше разрушающего

и в условиях отсутствия пирамидального скольжения. Посколь­ ку в обычных условиях этого не происходит, можно заключить, что гидростатическое давление действительно задерживает раз­ рушение.

Электронномикроскопическое исследование деформирован­ ных кристаллов выявляет сетки, образованные дислокациями с. с + а и а, а также призматические дислокационные петли не­ базисных дислокаций вокруг включений вторичных фаз, обра­ зующиеся, по-видимому, из-за различия сжимаемостей частиц и матрицы.

Дислокации с + а, по мнению Дамиано и др. [39], способны диссоциировать в плоскостях (10І0) по реакции (1.5). Поэтому предварительная деформация бериллия в условиях гидростати­

ческого давления с целью ввести

в кристалл подвижные

дисло­

кации с + а

не должна давать

существенного эффекта. Эта

точка зрения

нуждается, однако, в экспериментальной проверке.

При сжатии монокристаллов

сплава Be — 2,5% Си

вдоль

оси с пирамидальное скольжение при давлении 14 кб развито

слабо

[81]. Линии

скольжения появляются при

напряжении

— 210

кГ/мм2 как

в обычных условиях, так и в

условиях при­

ложения давления.

При увеличении напряжения

число линий

у краев образца несколько возрастает. Деформация в момент разрушения и разрушающее напряжение равны соответственно

~0,085%

и ~ 2 3 5

кГ/мм2 без приложения давления

и

~ 0 , 0 7 %

и ~ 2 8 6

кГ/мм2

при давлении 11 —14

кб. Таким образом, повы­

шение давления

до

14 кб не оказывает существенного

влияния

на пирамидальное

скольжение в сплаве B e — 2 , 5 %

Си,

но спо­

собствует увеличению

разрушающего

напряжения.

 

 

Все это позволяет

заключить, что

давление, как

и легирова­

ние бериллия медью и никелем, способствует появлению пира­ мидального скольжения не столько за счет изменения напряже­ ний активирования источников или движения с + а-дислокаций, сколько вследствие повышения разрушающих напряжений. Исключением, возможно, является бериллий высокой чистоты,

1.4.10. Роль пирамидального скольжения при пластической деформации поликристаллического бериллия. Пластичность по­ ликристаллического бериллия заметно возрастает при темпера­ турах около 470° К. Пирамидальное скольжение в монокристал­ лах высокой чистоты (и изменение характера разрушения моно­ кристаллов технической чистоты) наблюдается также в этой области температур. Поэтому эти два явления чэ.сто считают взаимосвязанными. Действительно, благодаря высокому модулю упругости бериллия даже небольшое увеличение вклада пира­ мидального скольжения может способствовать релаксации на­ пряжений и затруднит распространение трещин по плоскостям (0001) и {1120}.

Вместе с тем имеется два факта, которые в настоящее время трудно согласовать с этими представлениями: 1) у кристаллов технической чистоты при сжатии вдоль оси с при 678° К пла­

стическая

деформация

незначительна ( < 5 - 1 0 ~ 6 ) ; 2) хотя пира­

мидальное

скольжение

в монокристаллах сплавов Be—Си,

Be —Ni наблюдается при. комнатной температуре, пластичность

поликристаллических

сплавов

не

отличается

от пластичности

технического бериллия

[38],-а

по

нашим данным — снижается.

Более подробно взаимосвязь между характеристиками пла­

стической деформации

моно- и

поликристаллов

рассмотрена в

п. 3.9.

 

 

 

 

1.5.Двойникование

1.5.1.Кристаллография двойникования. Кристаллографиче­

ские аспекты,

закономерности

и теории двойникования

описаны

в работах [5,

83—86]. Здесь

будут рассмотрены лишь

некото­

рые вопросы, связанные с двойникованием бериллия. Впервые этот вид деформации бериллия обнаружен в 1928 г. [1] и в дальнейшем исследован в работах [5, 6, 8, 59, 77, 87—89].

Двойникование бериллия происходит в основном по шести независимым плоскостям системы {1012} < 1011 > . Кроме пло­ скости и направления двойникование характеризуется величиной удельного кристаллографического сдвига s, соответствующего удельному смещению атомных плоскостей в направлении двой­ никования. Величина сдвига при двойниковании бериллия в си­ стеме { 1 0 i 2 } < 1 0 T l >

 

 

У3с

3 - ( ^

0,199.

(1.6)

Из

уравнения

(1.6) следует, что величина сдвига меняет знак

при

с/а=У"3 .

Поэтому у

бериллия

( с / а < ] / 3 )

двойникование

происходит при растяжении вдоль оси с, а у цинка и кадмия — при сжатии вдоль этой оси,

 

Ma рис. 1.18 приведена схема изменения

ориентации при

двойннкованин

кристаллов с г. п. у.-структурой.

Следы

плоско­

стей базиса п двойникования обозначены соответственно

АВ и

AD.

В результате двойникования точка В, смещаясь

параллель­

но

плоскости

AD, попадает в точку В'. Угол BDB'

у

бериллия

равен ~'6°. Плоскость базиса в двонппке B'D

наклонена

отно­

сительно исходного положения в матрице на угол

84°.

Таким

 

 

T P

 

 

 

Р

 

 

 

 

 

а

 

 

 

5

 

 

 

 

Рис. 1.18. Схема

изменения

ориентации

кристалла

 

 

при дпойнмковашш. Плоскости базиса АВ

и двой­

 

 

никования AD

перпендикулярны

к плоскости

ри­

 

 

 

 

сунка:

 

 

 

 

 

 

 

а — д л и

металлов,

и м е ю щ и х г / о < Г 3:

б — дли

металлов,

 

 

 

 

имеющих с/а > V 3.

 

 

 

 

 

образом, двойникованпе

приводит

к развороту

кристаллической

решетки на большие углы.

 

 

 

 

 

 

Хотя двойники типа {1012} в бериллии не должны образо­

вываться при сжатии кристаллов вдоль оси с

(см. рис. 1.18, а),

однако

практически они

все-таки наблюдаются

[16—18, 46, 64].

Это происходит даже в случае незначительных

дезориентаций

оси с относительно оси

нагрузки

(порядка

нескольких

угловых

минут)

[46]. Причины

такой аномалии не вполне ясны. Заро­

дыши

двойников

могут

возникать

при

изготовлении

образцов

(при резке и шлифовке). Возможно, при сжатии рост этих заро­ дышей связан с появлением растягивающих напряжений в ре­

зультате

пуассоиовского расширения у поверхности кристалла

и трения

в захватах. Последнее

наиболее вероятно, так как

двойники

при сжатии вдоль оси с

наблюдаются преимуществен­

но у торцов, прилежащих к губкам захватов.

В случае произвольной ориентации образца характер его деформации можно определить с помощью стереографической проекции (рис, 1.19). Полюса шести возможных плоскостей

двойннкования

обозначены на чертеже цифрами I6.

Образцы,

ориентировка

осей

которых

отклоняется

от

центра

стерео­

графической

проекции

на

углы менее

50°

(область

А), при

двойниковании

 

удлиняются.

 

 

 

Образцы, оси которых отклоня­

 

 

 

ются от гексагональной оси на

 

 

 

углы

около

90°

(область

D),

 

 

 

при двойниковании сжимаются.

 

 

 

Образцы

с

ориентировками,

 

'5

 

соответствующими

 

областям

 

 

В и

С,

при

 

действии

одних

 

 

 

систем

двойннкования

сжима­

 

 

 

ются,

при

действии

других •—

 

 

 

удлиняются. При

ориентациях,

 

 

 

которые

соответствуют

гра­

 

 

 

ницам

указанных

областей,

 

 

 

возможно

двойникование,

не

 

 

 

сопровождающееся

деформа­

 

 

 

цией.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина деформации в ре­ зультате двойннкования при известной ориентации кристал­ ла может быть определена из уравнения [83]

Рис. 1.19. Стереографическая проек­ ция кристалла бериллия [ 5 ] :

/ - ' ' — полюса плоскостей двойннкования:

Л(1—6) — растяжение: В (3—6) — растя ­

жение,

(/—в)

— с ж а т и е :

С

(5—6) — растя­

жение,

(1—4)

— с ж а т и е :

D

(1—в) — растя -

є = -у- V1 - f 2s sin К0 cos Х0 + s2 sin l 0 ,

(1.7)

где 1 и l2 — соответственно конечный и исходный размеры об­ разца; А.о(хо)—угол между направлением деформации и пло­ скостью (направлением) двойннкования; s удельный кристал­ лографический сдвиг.

Максимальное относительное сжатие при двойниковании бе­ риллия

вмакс = - - § " + ] / - f + l « l 0 \ .

(1.8)

Сравнивая расчетные значения є для всех шести плоскостей двойннкования кристалла заданной ориентации, можно найти основную (или основные) систему, для которой деформация максимальна. Именно эта система реализуется практически в процессе деформации [5] .

При сжатии кристаллов перпендикулярно к плоскостям призм первого или второго рода двойникование позволяет изменить первоначальную ориентацию на угол, равный почти 90е . Р. И. Гарбер с сотр. [7, 8] показали, что при повышенных тем­ пературах (673° К) деформация происходит в результате утол­ щения двойниковых прослоек и оканчивается их слиянием та-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ