![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Папиров И.И. Пластическая деформация бериллия
.pdfрезультатов следует учитывать дезориентацию образцов отно
сительно оси сжатия, в результате которой |
возможно |
попереч |
||||
ное скольжение дислокаций а в |
плоскостях |
(0001) |
и (10Ш), |
|||
либо пирамидальное |
скольжение |
в системе типа |
{101х} < 1120> |
|||
(см. п. 1.4.7). |
|
|
|
|
|
|
Лондон, Дампано |
и др. [36, 38, 68] не только |
обнаружили |
ли |
|||
нии скольжения, принадлежащие |
системе (1122} < 1123>, |
но |
идентифицировали дислокации с + а электронпомпкроскопически (см. п. 1.4.8), определили активацнонный объем и характер кри вых деформации. Кристаллы высокой чистоты в процессе сжа тия при температурах 493 и 606° К обладали измеримой пласти ческой деформацией (см. табл. 1.9). Сведения об упрочнении недостаточно определенны: в работе [38] сообаїалось об умень шении нагрузки с деформацией, что формально соответствует отрицательному упрочнению.
Активацпоннып объем определяли по зависимости напряже ния от скорости деформации при изменении последней в 2,5 раза. Значения активацпонного объема оказались разными в зависи мости от того, увеличивали или уменьшали скорость деформа ции [38]. В та'бл. 1.11 приведены предельные значения актива цпонного объема.
|
|
|
Т а б л и ц а |
1.11 |
|
Активационным обьем при |
пирамидальном скольжении |
|
|
||
в бериллии и его сплавах |
[38] |
|
|
|
|
Материал |
т, 'К |
V % |
1', |
b3 |
|
Be высокой |
чистоты |
606 |
0,143—0,187 J |
6,2—12,0 |
|
|
|
|
|||
Be — 4,37% |
Си |
637 |
0,09—0,67 |
7,5—19,4 |
|
Be — 5 , 2 4 % |
Ni |
440 |
0,114—0,753 |
4,7 — 8,6 |
|
Be — 5 , 2 4 % |
N i |
627 |
0,0364—0,398 |
От |
— 1 9 , 4 |
|
|
|
|
до |
+ 1 2 , 1 |
Халсн [74] при прокатке (7, = 773°К) монокристаллов, ориен тированных для сжатия вдоль оси с, заметил два новых микро структурных эффекта, связанных с образованием деформаци онных полос (сбросов). Эти полосы связаны со скольжением дислокаций с небазисным вектором Бюргерса и играют важную роль в процессах деформации и рекристаллизации кри сталлов.
1.4.6. Ползучесть кристаллов бериллия при |
сжатии вдоль |
оси с . По данным французских исследователей, |
пирамидальное |
скольжение с небазисным вектором Бюргерса в |
кристаллах бе |
риллия чистотой 99,75% отсутствует вплоть до 873° К 1 . Однако при сжатии кристаллов в области температур выше 623 °К они обладают заметной деформацией за счет ползучести [63, 65—67].
Скорость |
ползучести |
при температурах 623—773° К |
и |
напря |
||||||||||
жениях 30—80 кГ/мм2 непрерывно |
увеличивается |
со |
временем. |
|||||||||||
Электронномпкроскоппческими |
исследованиями |
в |
кристаллах |
|||||||||||
после испытаний обнаружены дислокации и петли, |
лежащие в |
|||||||||||||
плоскости 'базиса |
и имеющие |
вектор Бюргерса |
с. |
|
Плотность |
|||||||||
дислокаций с возрастает с деформацией от ~ 104 |
слг2 |
(Е — |
||||||||||||
==10"'') |
до |
~ 1 0 ~ 8 |
см-2 |
( Є Й |
Ю - 1 |
) . |
Энергия |
активации |
ползуче |
|||||
сти при |
7 < 7 4 8 ° К |
равна |
37—40 |
ккал/моль |
и 'близка |
|
к |
энергии |
||||||
самодиффузии. При |
увеличении |
|
температуры энергия |
актива |
ции, возможно, возрастает. Скорость ползучести изменяется по
закону е ~ о 3 ' 5 .
Наиболее характерными особенностями ползучести берил лия при сжатии вдоль оси с являются отсутствие стадии уста новившейся ползучести, наличие переползания дислокаций а и с, а также размножения дислокаций с. В работах [66, 75] предло жена модель, согласно которой ползучесть бериллия при сжа тии вдоль оси с обусловлена исключительно диффузионным пе
реносом |
вещества по механизму Набарро — Херринга [76]. Ва |
кансии, |
образующиеся за счет ступенек дислокаций а, диффун |
дируют |
к дислокациям с и обеспечивают их переползание. |
Большая скорость ползучести объясняется тем, что дислокации являются и источниками, и стоками вакансий. Возрастание скорости ползучести со временем, очевидно, связано с размно жением (либо с увеличением длины) с-дислокаций. Петли с век тором Бюргерса с испускаются, по-видимому, источниками типа
Бардина — Херринга |
[65, 66]. Более |
детально с этой |
моделью |
|||
можно познакомиться |
в работах [66, 75]. |
_ |
_ |
|||
1.4.7. Пирамидальное скольжение в системе {10Lv} |
< 1 1 2 0 > . |
|||||
Скольжение |
по плоскостям |
{ I O I J C } |
впервые |
наблюдали |
Туэр и |
|
Кауфманн в |
1954 г. Позднее |
Геллес |
с сотр. [59] более подробно |
изучили этот вид деформации и показали, что скольжение пре имущественно происходит в системе {1011} <112 _ 0> . В дальней шем некоторые дополнительные сведения получены в работах
[16—18, 22, 66, 72, 77, 78]. Скольжение слабо развито |
при |
ком |
||||
натной температуре |
и активируется с ростом температуры. Гел |
|||||
лес с |
сотр. [59] и |
Пуанту [77] наблюдали линии скольжения |
||||
в этой |
системе при |
испытании кристаллов технической чистоты |
||||
на изгиб. Дюпуи и др. [22] заметили |
единичные линии |
ггира- |
||||
1 Дюпуи |
[75] допускает существование |
дислокаций с + а , |
которые не |
|||
скользят, по |
участвуют в генерировании дислокаций с. |
|
|
|||
|
|
|
|
|
4* |
51 |
кидального скольжения при 293° К в условиях сжатия кристал лов, благоприятно ориентированных для базисного скольжения. Аналогичный результат получен также нами совместно с И. А. Гиндиным и др. [25], но его интерпретация в работе [25] неправильна. Реализация пирамидального скольжения в усло виях развитого базисного свидетельствует о том, что напряже
ния течения |
относительно невелики. |
|
|
|
|
|
|||
При сжатии кристаллов вдоль оси с пирамидальное сколь |
|||||||||
жение |
в системе |
типа {101 х} < 1 1 2 0 > |
не должно наблюдаться. |
||||||
Действительно, оно обычно отсутствует при комнатной |
темпе |
||||||||
ратуре [22], однако при Г > 4 7 3 ° К |
кроме линий |
базисного |
сколь |
||||||
жения |
иногда наблюдаются наклонные к ним |
следы |
скольже |
||||||
ния ', |
которые |
объясняются |
сдвигом |
в |
системах |
типа |
|||
{ІОІх} |
< 1 1 2 0 > |
[16—18, 63, 66]. |
|
|
|
|
|
|
|
По |
ряду причин эти следы скольжения |
нельзя |
объяснить |
||||||
скольжением |
небазисных дислокаций |
с + а. |
Во-первых, |
следы |
скольжения наблюдались тем реже, чем меньше дезориентация
оси с относительно |
оси |
сжатия. Разориенгировка |
в несколько |
|||
угловых минут не |
должна |
сказываться |
на пирамидальном |
|||
скольжении |
в системе |
{1122} < 1 1 2 3 > , но |
может |
влиять на |
||
скольжение |
в системе |
типа |
{lOLv} < 1 1 2 0 > . Во-вторых, предел |
текучести при сжатии трудно обнаружить, что обычно происхо
дит, когда |
направление |
скольжения |
почти |
перпендикулярно |
|||
к вектору силы. В-третьих, дислокации |
с вектором |
Бюргерса |
|||||
с + а после деформации |
обнаружить |
не |
удается_ [16—18, |
63]. |
|||
В-четвертых, |
скольжение |
в системе |
{1122} < 1 1 2 3 > |
возможно |
|||
при высоких критических напряжениях, |
тогда |
как |
линии, |
на |
клонные к базисным, наблюдались даже в условиях, когда плос кость (0001) находилась под углом 45° к оси приложения на грузки, т. е. в условиях легкого базисного скольжения. В-пятых, наклонные линии обнаружены лишь на боковых поверхностях {1120} образцов, а на гранях {1010} линии всегда параллельны следам плоскости базиса. Следовательно, плоскость скольжения может иметь индексы {Юіх} .
Четвертый индекс нельзя однозначно определить из-за изви листого характера линий скольжения. Не исключено, что на самом деле эти линии являются результатом поперечного сколь жения дислокаций а в обычных системах скольжения (0001) и
(1010). Согласно модели множественного поперечного скольже ния Джонстона и Гилмана [49], винтовая дислокация, первона чально движущаяся в своей плоскости, может покинуть ее, ко-
1 Линии скольжения, наблюдавшиеся в работах |
[12, 28, 64] при |
Г > 4 7 3 ° К , |
||
по-видимому, имеют ту же природу, что и полученные в_ работах |
[16—18, 63], |
|||
и могут быть отнесены к скольжению типа |
{101л.} |
< 1 1 2 0 > либо |
к |
попереч |
ному скольжению дислокации а в плоскостях |
(0001) |
и (1010). |
|
|
роткое расстояние скользить в другой плоскости и затем вер нуться в исходную плоскость скольжения. Соответствующие этому процессу линии скольжения, очевидно, могут иметь про извольную ориентацию, как это и наблюдается при сжатии кри сталлов бериллия вдоль оси с, а также при призматическом скольжении при повышенных температурах.
Пуанту и др. [77, 78], анализируя астеризм лауэграмм де формированных образцов и полюсные фигуры прокатанных кри сталлов бериллия, также пришли к выводу, что скольжение в си
стемах типа { І О Ї А ' } < 1120> |
вносит заметный вклад в формиро |
вание текстур деформации, |
особенно при температурах выше |
Рис. 1.17. Полюсные фигуры |
(0002) |
прокатанных |
моно |
|
||
кристаллов на 1, |
2 и 3-й |
стадиях |
деформации |
[77] . |
|
|
673° К. Идентификация |
систем |
скольжения по характеру |
тек |
|||
стур представляет собой трудную задачу, особенно |
в случае |
|||||
анизотропных металлов |
и при |
наличии |
поперечного |
скольже |
||
ния. Формально скольжение типа {101х} < 1 І 2 0 > |
можно |
рас |
сматривать как результат поперечного скольжения в системах
(0002) и |
{10І0}. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Пуанту [77] при прокатке монокристаллов, ориентированных |
|||||||||
благоприятно для базисного скольжения, обнаружил три |
стадии |
||||||||
деформации в области |
температур |
673—1273° К |
(рис. |
1.17). |
|||||
Вначале |
полюс |
(0002) |
за |
счет базисного скольжения |
прибли |
||||
жается к |
центру |
стереографической проекции |
(см. рис. 1.17, а); |
||||||
при этом |
направление |
< Ю Т о > перпендикулярно |
к |
направле |
|||||
нию прокатки. При 673 и |
873°К |
плоскость |
(0001) |
становится |
|||||
параллельной плоскости прокатки, а выше 973°С |
полюс ни |
||||||||
когда не |
достигает центра |
полюсной фигуры, |
приближаясь |
к нему на углы 15—35° в зависимости от степени обжатия. На второй стадии призматические плоскости разворачиваются во
круг оси с на угол |
30° так, что |
направление |
<10Т0> совпадает |
|||
с осью |
прокатки |
(см. рис. |
1.17,6). На третьей стадии |
полюс |
||
(0002) |
удаляется |
от центра |
в |
поперечном |
направлении |
(см. |
рис. 1.17, в).
На основании анализа этих результатов Пуанту заключает, что при температурах выше 673° К возможно несколько видов пирамидального и призматического скольжений:
(1){1 ОТ 1} < 1 1 2 0 > :
(2) { Ю Н } < 1 1 2 0 > пли {1015} < 1 1 2 0 > ;
(3){ 1 0 П } < 1 1 0 1 > ;
(4){1010} < 1 1 2 3 > .
Наиболее легко осуществляется скольжение типа {101 JC} < 1120>, действующее на третьей стадии. Скольжение в системах (3) и (4), имеющих компоненту сдвига вдоль оси с, становится актив ным лишь в случае, когда касательные напряжения в систе мах (1) и (2) малы, т. е. когда плоскость базиса параллельна плоскости прокатки. Эти результаты нельзя считать окончатель ными, поскольку наличие (2), (3) и (4) систем скольжения в
металлах с |
г. п. у.-структурой |
энергетически |
маловероятно |
(см. |
||||
пп. 4.1—4.5). Это же относится к скольжению |
дислокаций |
а в |
||||||
плоскостях |
{10Ї2}, |
{1013} |
и {1014}, о |
котором |
сообщено в |
ра |
||
боте [ 9 ] . |
|
|
|
|
|
|
|
|
1.4.8. Дислокационная |
структура. |
Электронномикроскопиче- |
||||||
скпе исследования |
кристаллов |
бериллия |
после деформации |
сжатием вдоль оси с противоречивы. Ле Азиф, Дюпуп и Пуарье с сотр. [63, 65, 66] не обнаружили дислокаций с + а вплоть до температур испытаний 873° К, а Спенглер, Дамиано, Герман и др. [46, 68] при исследовании фольг кристаллов сплавов и сверх чистого бериллия, испытанных при температурах 293—637°К, идентифицировали дислокации с и с + а. Возможно, такое раз личие является результатом влияния примесей на характеристи ки пирамидального скольжения. В кристаллах технической чи стоты пирамидальное скольжение либо отсутствует, либо лока лизовано в непосредственной близости от поверхности разру шения. Поэтому Дамиано и др. [68] также не смогли обнару
жить |
дислокаций с + а в |
фольгах монокристаллов |
технической |
|||||
чистоты после |
испытания |
на |
сжатие |
в |
области |
температур |
||
473—678° К. |
|
|
|
|
|
|
||
В |
фольгах |
сплавов и очень чистого бериллия дислокации с, |
||||||
с + а |
и |
а часто расположены |
парами |
или |
образуют |
узлы. При |
||
293° К |
дислокации с и с + а прямые, |
а при высоких |
температу |
|||||
рах они заметно изгибаются. |
Плотность |
дислокаций с и с + а |
увеличивается с ростом температуры деформации. В монокри сталлах сплавов Be—Си и Be — Ni количество дислокаций при
прочих равных условиях всегда выше, |
чем у сверхчистого |
бе |
|
риллия. Авторы работы |
[68] полагают, что краевые дислока |
||
ции с + а, образующиеся |
при сжатии, в |
процессе разгрузки |
дис |
социируют по реакции |
|
|
|
4-<112з>^4-<1 1 2°>-ы0 0 0 1 ь О-5)
оd
Дислокация а может совершать скольжение в плоскости (0001), а дислокация с остается неподвижной. При повышенных темпе ратурах дислокации с, совпадающие с направлением, вдоль ко торого происходит диссоциация (т. е. с направлением пересече ния плоскостей (0001) и {1122}), могут покинуть исходное ме стоположение в результате переползания. С этим связано искривление линий дислокаций.
Возможность диссоциации дислокаций с + а по реакции (1.5) нуждается в дальнейшей проверке. С энергетической точки зре ния (в соответствии с критерием квадрата вектора Бюргерса, см. п. 4.1) эта реакция не дает выигрыша в энергии1 . Вместе с тем диссоциация дислокаций по реакции (1.5) наблюдалась в магнии при температурах выше 423° К [79].
Дислокации с + а идентифицированы также в фольгах поликристаллнческого бериллия после закалки от 1273°К или облу
чения нейтронами |
( 2 - Ю 2 0 |
нейтронісм2) при 623° К |
[80]. Уол |
||
тере и другие непосредственно |
наблюдали движение |
дислокаций |
|||
с + а в электронном |
микроскопе |
[80] . |
|
|
|
1.4.9. Сжатие кристаллов |
бериллия вдоль оси с при |
высоких |
|||
давлениях. Хэнафи, |
Лондон |
[39, 81], Бедер и др. [30] и |
авторы |
настоящей книги [82] изучали пластическую деформацию кри сталлов бериллия при сжатии вдоль оси с при высоких давле ниях. Поскольку испытания в условиях приложения гидростати ческого давления позволяют задержать разрушение, пирами дальное скольжение может возникнуть при более низких тем пературах. Испытания кристаллов различной чистоты при ком
натной температуре и высоких давлениях (0—27,5 |
кб) показа |
ли следующее. |
|
При высоких давлениях наблюдается пирамидальное сколь |
|
жение в системе {1122} < 1123>. Дислокации с + а |
идентифици |
рованы электронномикроскопически, линии скольжения видны в
оптический микроскоп |
[39, 81]. У |
кристаллов высокой чистоты, |
|||||||
полученных после 12 проходов зонной плавки, |
пирамидальное |
||||||||
скольжение наблюдается |
при р= 12-+14 кб, |
а у кристаллов более |
|||||||
низкой |
чистоты — при |
/?=19 |
кб. |
В работе |
[30], где использо |
||||
вался |
бериллий |
чистотой |
99,75%, |
пирамидальное скольжение |
|||||
не наблюдалось при р<\5 |
кб. |
|
|
|
|
|
|||
У кристаллов высокой чистоты критическое напряжение сдви |
|||||||||
га не превышает 93 кГ/мм2, что намного |
ниже |
значений |
пре |
||||||
дела текучести, |
характерных |
для испытаний в |
обычных |
усло |
виях. У кристаллов низкой чистоты предел текучести не сни жается с возрастанием внешнего давления, т. е. в гидростати ческих условиях т j 1 } заметно увеличивается при снижении чистоты материала.
1 Небольшой выигрыш дает последующая диссоциация дислокаций а на частичные дислокации по реакции (4.4),
Пластичность кристаллов во всех случаях низкая ( в р < 1 % ) . Разрушение большей части образцов происходит вдоль плоско сти, наклоненной на угол 4 0 ± 2 к плоскости (0001) [она может быть идентифицирована как (1124)]. Дамиано и др. [39] пола гают, чторазрушение вдоль плоскости (1124) на самом деле является результатом кооперативного растрескивания вдоль пло скостей (0001) и {1120}, вызванного локализованным скольже
нием дислокаций с + а. В |
работе [30] |
скол по (1124) |
наблю |
||
дался и в отсутствие пирамидального |
скольжения. |
Изредка |
|||
происходило разрушение |
по |
плоскости |
(1012). Напряжение |
||
разрушения при сжатии в гидростатических |
условиях возрастает |
||||
(иногда до 310 кГ/мм2 при р^20 |
кб). Макроскопические |
трещи |
|||
ны могут образоваться при напряжениях |
меньше разрушающего |
и в условиях отсутствия пирамидального скольжения. Посколь ку в обычных условиях этого не происходит, можно заключить, что гидростатическое давление действительно задерживает раз рушение.
Электронномикроскопическое исследование деформирован ных кристаллов выявляет сетки, образованные дислокациями с. с + а и а, а также призматические дислокационные петли не базисных дислокаций вокруг включений вторичных фаз, обра зующиеся, по-видимому, из-за различия сжимаемостей частиц и матрицы.
Дислокации с + а, по мнению Дамиано и др. [39], способны диссоциировать в плоскостях (10І0) по реакции (1.5). Поэтому предварительная деформация бериллия в условиях гидростати
ческого давления с целью ввести |
в кристалл подвижные |
дисло |
|
кации с + а |
не должна давать |
существенного эффекта. Эта |
|
точка зрения |
нуждается, однако, в экспериментальной проверке. |
||
При сжатии монокристаллов |
сплава Be — 2,5% Си |
вдоль |
оси с пирамидальное скольжение при давлении 14 кб развито
слабо |
[81]. Линии |
скольжения появляются при |
напряжении |
— 210 |
кГ/мм2 как |
в обычных условиях, так и в |
условиях при |
ложения давления. |
При увеличении напряжения |
число линий |
у краев образца несколько возрастает. Деформация в момент разрушения и разрушающее напряжение равны соответственно
~0,085% |
и ~ 2 3 5 |
кГ/мм2 без приложения давления |
и |
~ 0 , 0 7 % |
|||
и ~ 2 8 6 |
кГ/мм2 |
при давлении 11 —14 |
кб. Таким образом, повы |
||||
шение давления |
до |
14 кб не оказывает существенного |
влияния |
||||
на пирамидальное |
скольжение в сплаве B e — 2 , 5 % |
Си, |
но спо |
||||
собствует увеличению |
разрушающего |
напряжения. |
|
|
|||
Все это позволяет |
заключить, что |
давление, как |
и легирова |
ние бериллия медью и никелем, способствует появлению пира мидального скольжения не столько за счет изменения напряже ний активирования источников или движения с + а-дислокаций, сколько вследствие повышения разрушающих напряжений. Исключением, возможно, является бериллий высокой чистоты,
1.4.10. Роль пирамидального скольжения при пластической деформации поликристаллического бериллия. Пластичность по ликристаллического бериллия заметно возрастает при темпера турах около 470° К. Пирамидальное скольжение в монокристал лах высокой чистоты (и изменение характера разрушения моно кристаллов технической чистоты) наблюдается также в этой области температур. Поэтому эти два явления чэ.сто считают взаимосвязанными. Действительно, благодаря высокому модулю упругости бериллия даже небольшое увеличение вклада пира мидального скольжения может способствовать релаксации на пряжений и затруднит распространение трещин по плоскостям (0001) и {1120}.
Вместе с тем имеется два факта, которые в настоящее время трудно согласовать с этими представлениями: 1) у кристаллов технической чистоты при сжатии вдоль оси с при 678° К пла
стическая |
деформация |
незначительна ( < 5 - 1 0 ~ 6 ) ; 2) хотя пира |
мидальное |
скольжение |
в монокристаллах сплавов Be—Си, |
Be —Ni наблюдается при. комнатной температуре, пластичность
поликристаллических |
сплавов |
не |
отличается |
от пластичности |
технического бериллия |
[38],-а |
по |
нашим данным — снижается. |
|
Более подробно взаимосвязь между характеристиками пла |
||||
стической деформации |
моно- и |
поликристаллов |
рассмотрена в |
|
п. 3.9. |
|
|
|
|
1.5.Двойникование
1.5.1.Кристаллография двойникования. Кристаллографиче
ские аспекты, |
закономерности |
и теории двойникования |
описаны |
в работах [5, |
83—86]. Здесь |
будут рассмотрены лишь |
некото |
рые вопросы, связанные с двойникованием бериллия. Впервые этот вид деформации бериллия обнаружен в 1928 г. [1] и в дальнейшем исследован в работах [5, 6, 8, 59, 77, 87—89].
Двойникование бериллия происходит в основном по шести независимым плоскостям системы {1012} < 1011 > . Кроме пло скости и направления двойникование характеризуется величиной удельного кристаллографического сдвига s, соответствующего удельному смещению атомных плоскостей в направлении двой никования. Величина сдвига при двойниковании бериллия в си стеме { 1 0 i 2 } < 1 0 T l >
|
|
У3с |
3 - ( ^ |
0,199. |
(1.6) |
Из |
уравнения |
(1.6) следует, что величина сдвига меняет знак |
|||
при |
с/а=У"3 . |
Поэтому у |
бериллия |
( с / а < ] / 3 ) |
двойникование |
происходит при растяжении вдоль оси с, а у цинка и кадмия — при сжатии вдоль этой оси,
|
Ma рис. 1.18 приведена схема изменения |
ориентации при |
||||
двойннкованин |
кристаллов с г. п. у.-структурой. |
Следы |
плоско |
|||
стей базиса п двойникования обозначены соответственно |
АВ и |
|||||
AD. |
В результате двойникования точка В, смещаясь |
параллель |
||||
но |
плоскости |
AD, попадает в точку В'. Угол BDB' |
у |
бериллия |
||
равен ~'6°. Плоскость базиса в двонппке B'D |
наклонена |
отно |
||||
сительно исходного положения в матрице на угол |
84°. |
Таким |
|
|
T P |
|
|
|
Р |
|
|
|
|
|
а |
|
|
|
5 |
|
|
|
|
Рис. 1.18. Схема |
изменения |
ориентации |
кристалла |
|
||||
|
при дпойнмковашш. Плоскости базиса АВ |
и двой |
|
||||||
|
никования AD |
перпендикулярны |
к плоскости |
ри |
|
||||
|
|
|
сунка: |
|
|
|
|
|
|
|
а — д л и |
металлов, |
и м е ю щ и х г / о < Г 3: |
б — дли |
металлов, |
|
|||
|
|
|
имеющих с/а > V 3. |
|
|
|
|
|
|
образом, двойникованпе |
приводит |
к развороту |
кристаллической |
||||||
решетки на большие углы. |
|
|
|
|
|
|
|||
Хотя двойники типа {1012} в бериллии не должны образо |
|||||||||
вываться при сжатии кристаллов вдоль оси с |
(см. рис. 1.18, а), |
||||||||
однако |
практически они |
все-таки наблюдаются |
[16—18, 46, 64]. |
||||||
Это происходит даже в случае незначительных |
дезориентаций |
||||||||
оси с относительно оси |
нагрузки |
(порядка |
нескольких |
угловых |
|||||
минут) |
[46]. Причины |
такой аномалии не вполне ясны. Заро |
|||||||
дыши |
двойников |
могут |
возникать |
при |
изготовлении |
образцов |
(при резке и шлифовке). Возможно, при сжатии рост этих заро дышей связан с появлением растягивающих напряжений в ре
зультате |
пуассоиовского расширения у поверхности кристалла |
|
и трения |
в захватах. Последнее |
наиболее вероятно, так как |
двойники |
при сжатии вдоль оси с |
наблюдаются преимуществен |
но у торцов, прилежащих к губкам захватов.
В случае произвольной ориентации образца характер его деформации можно определить с помощью стереографической проекции (рис, 1.19). Полюса шести возможных плоскостей
двойннкования |
обозначены на чертеже цифрами I—6. |
Образцы, |
|||||||||
ориентировка |
осей |
которых |
отклоняется |
от |
центра |
стерео |
|||||
графической |
проекции |
на |
углы менее |
50° |
(область |
А), при |
|||||
двойниковании |
|
удлиняются. |
|
|
|
||||||
Образцы, оси которых отклоня |
|
|
|
||||||||
ются от гексагональной оси на |
|
|
|
||||||||
углы |
около |
90° |
(область |
D), |
|
|
|
||||
при двойниковании сжимаются. |
|
|
|
||||||||
Образцы |
с |
ориентировками, |
|
'5 |
|
||||||
соответствующими |
|
областям |
|
|
|||||||
В и |
С, |
при |
|
действии |
одних |
|
|
|
|||
систем |
двойннкования |
сжима |
|
|
|
||||||
ются, |
при |
действии |
других •— |
|
|
|
|||||
удлиняются. При |
ориентациях, |
|
|
|
|||||||
которые |
соответствуют |
гра |
|
|
|
||||||
ницам |
указанных |
областей, |
|
|
|
||||||
возможно |
двойникование, |
не |
|
|
|
||||||
сопровождающееся |
деформа |
|
|
|
|||||||
цией. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Величина деформации в ре зультате двойннкования при известной ориентации кристал ла может быть определена из уравнения [83]
Рис. 1.19. Стереографическая проек ция кристалла бериллия [ 5 ] :
/ - ' ' — полюса плоскостей двойннкования:
Л(1—6) — растяжение: В (3—6) — растя
жение, |
(/—в) |
— с ж а т и е : |
С |
(5—6) — растя |
жение, |
(1—4) |
— с ж а т и е : |
D |
(1—в) — растя - |
є = -у- V1 - f 2s sin К0 cos Х0 + s2 sin l 0 , |
(1.7) |
где 1-і и l2 — соответственно конечный и исходный размеры об разца; А.о(хо)—угол между направлением деформации и пло скостью (направлением) двойннкования; s — удельный кристал лографический сдвиг.
Максимальное относительное сжатие при двойниковании бе риллия
вмакс = - - § " + ] / - f + l « l 0 \ . |
(1.8) |
Сравнивая расчетные значения є для всех шести плоскостей двойннкования кристалла заданной ориентации, можно найти основную (или основные) систему, для которой деформация максимальна. Именно эта система реализуется практически в процессе деформации [5] .
При сжатии кристаллов перпендикулярно к плоскостям призм первого или второго рода двойникование позволяет изменить первоначальную ориентацию на угол, равный почти 90е . Р. И. Гарбер с сотр. [7, 8] показали, что при повышенных тем пературах (673° К) деформация происходит в результате утол щения двойниковых прослоек и оканчивается их слиянием та-