Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Пузырев В.А. Тонкие ферромагнитные пленки в радиотехнических цепях

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
6.97 Mб
Скачать

•Осуществляя подстановку (2.27) в (2.33), с учетом соотношения

 

 

 

ап

cos /гт cos 2-е -f- bn sin w cos 2т

=

 

 

 

 

 

=

\

 

an

{cos [(/г -

 

2) г] +

cos [(я + 2) *])

+

 

 

 

 

+

-

i

-

 

{sin [(/г -

2) т] +

sin [(п +

2) x]}

=

 

 

 

 

= 4 " ( a " - 2 + Л + 2 ) + - i - ( £ „ _ 2

+ b n + 2 )

 

 

 

будем

иметь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°" =

( l b ~ / ? - 5 u , 2 C t ) a » + Я ш С ? Л

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ 7~ ( a « + 2 + а п - г ) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

I

 

 

N

 

 

 

 

1

 

( 2 - 3 4 )

— действительные

величины для всех

//., а~х = ах

и

=

= -

V

 

 

 

для апсп-\-

 

b„dn

к andп

— bnc„,

 

 

 

ные

Выражения

 

получен­

из системы

(2.34),

запишутся

как

 

 

 

 

 

 

 

 

ancn

+

b„dn

=

Al ( ±

~

nWCT)

- f

 

 

 

- f

Г-

И д + зА, COS (<p„+ 2 -

<p„) - f Л „ - 2 И Я COS (cp„-2

-

tpj] ,

 

 

M »

-

 

bncn

= -

Л„/гшОт

+ ~

П+2АП

X

 

 

 

X s i n ( 9

|

| + а -

<p„) +

Л „ _ 2 Л „ sin (<p„_2 -

? „)J,

 

 

(2.35)

где

A^l

= A1

 

и cp_j =

? 1 .

 

 

 

 

 

 

 

 

В ы р а ж е н и я

(2.35)

позволяют

получить

окончательное

решение

системы

(2.26)

и

(2.33), которая

характеризует

совместное поведение пленки, отраженное ее эквивалент ­

ной схемой, и внешней цепи. П о д с т а в л я я полученные вы­

р а ж е н и я

(2.35)

в уравнения, характеризующие поведение

внешней

цепи

(2.32), и р е ш а я полученную систему отно­

сительно величины Р, находим условие стабильных коле­ баний:

Р2 = ( ^ ) 2

{iF

- - л W C T L 0 r

+ ip +

+

[С? (я<о) +

nuQTL0r]2}.

(2.36)

90

Э то в ы р а ж е н и е может быть использовано для получения приближенных значений гармоник потокосцепления. Д л я п = 1 из уравнения (2.36) имеем приближенное значение амплитуды поля подкачки и значение фазового угла ерь

р«- = [F (ш) - ш * С т £ 0 т +

I ] 2 + Н + ш О т / . 0 т ] 2 ,

(2.37)

G (ш) + toGT L0

(2.38)

tg2<p,=

— < * * C T i e T + 1

 

 

В ы р а ж е н и е (2.36) может

быть использовано для

оценки

величины поля подкачки, необходимой для возбуждения параметрических колебаний в сигнальном контуре.

0,7

0,74

0,78

0,82

0,85

0,90

0,91

0,98

1,02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

Р и с .

2.16

 

 

 

На рис. 2.16

приведены

зоны

генерации параметрона,

полученные

на

основании

в ы р а ж е н и я

(2.36). Зависимо ­

сти построены дл я т = 0,4 к р и в а я 1 и

т — 0,1 кри­

вая 2 н t, =

0,2.

Н а этом ж е рисунке дл я сравнения нане­

сена экспериментально снятая зависимость — кривая 3 —

д л я t = 0,2 и #ол =

К .

Л и н е й н а я аппроксимация

не

дает зон затягивания, ограничения сверху

зоны генера­

ции, а т а к ж е

гистерезиса.

 

 

 

 

 

 

 

Экспериментальное исследование параметроиов в низ - ,

кочастотном

диапазоне

(работающих

с частотой

поля

подкачки порядка 10 МГц )

показало,

что

амплитудно-

частотные характеристики при

определенных

значениях

смещающего

поля

Я о л имеют

гистерезисные

зоны

как

в низкочастотной, так и в высокочастотной

областях ха­

рактеристики

р и с ' 2.17.

На

этом рисунке

 

приведены

амплитудно-частотные характеристики при увеличиваю­ щемся поле Яол-

91

0,71

0.73

0.87 S-L

0,71

0,79

0,87 0J_

 

a

 

 

u).

 

 

 

 

0,71

0,79

0,87 ш_

 

 

0,6

 

 

0,2

 

 

0,71

0 79

0,87 J±L

 

 

u,0

РИС. 2.17

Учет при аппроксимации уравнения (2.24) нелиней­ ных компонент при помощи двух дополнительных членов степенного ряда

(1 - ф2 )-> ^

1 + Ф1 + Ф'>,

(1 _ ф 2 т ) - 1 / 2 ~ 1 +

4 - ф ? + 4 ф -

(1 — Ф ? ) - 2 ^ 1 + 2 Ф ? + з ф :

позволяет получить более точное решение рассматривае ­ мой з а д а ч и — решение системы уравнений (2.24), (2.26). П р и м е н я я для расчета метод гармонического баланса,

92

будем иметь амплитудную и фазовую характеристики, записанные д л я п = 1 в следующем виде:

Р-

= [F Н

+

S + Br2

+ «PYrz -

c , 2 C T Z 0 T r 0 ] V . r 2

-f

 

 

+

(ш) +

ш О ^ о . г ^ / у 2 ,

(2.39)

где r0 ,

r i , r2,

/'з,

Г4, r 5

— функциональные зависимости,

представленные в

виде

трех членов

степенного разложе ­

ния по отношению /Ь/Ч'от.

 

 

 

Следует отметить,

что

полученные результаты

спра­

ведливы для однодоменного состояния пленки. При уве­ личении амплитудного значения поля подкачки увели­

чивается

влияние факторов, обусловленных нелинейно­

сти ми, а

т а к ж е иеоднородностями пленки. Поэтому учет

дополнительных членов в степенном разложении с увели­

чением амплитуд, действующих на пленку полей,

может

не привести к уточнению решения

системы (2.24),

(2.26).

Результаты проведенного анализа позволяют оценить

для основной частоты ток, протекающий

по

сигнальному

контуру

iT,

напряжение

па емкости

С

(рис.

2.14)

и дру ­

гие параметры. Учитывая, что i\

=

BfiK

+

 

оконча­

тельно

имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ - [ / " И

+ О ' Н М ? / ^ -

 

 

(2.41)

Выражение

для

напряжения на

 

емкости

С б у д е т вы­

г л я д е т ь

так:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Средняя величина мощности Рс

в

сигнальном

контуре

может быть

представлена в форме

 

 

 

 

 

 

 

Я

с =

^ \

 

 

 

 

0 ( Ш ) .

(2.43)

 

 

 

- я /2

~

 

о 7

От

 

 

Д л я

определения

эффективности

работы

параметрона

необходимо

определить

мощность,

рассеиваемую

в плен­

ке на основной

частоте,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*/2

 

 

 

 

^2

 

 

 

р п = ± [

( ч у Р

+ d t = 4 - Ч - ° -

 

( 2 - 4 4 )

93

г де / р = Hjfx

ток подкачки; W2 — э. д . с. на уча­

стке взаимодействия пленки с системой подкачки. Обозначая эффективность работы параметроиа как

отношение мощности на выходе к полной подводимой к цепи подкачки мощности, получаем

11 =

Ра

+ \ =

1 +

uZ 0 T G T /G («) •

( 2 - 4 5 )

Н а резонансной

частоте

со =

о)0

эффективность

будет

определяться

так

 

 

 

 

 

 

 

М^о-

г + о т Р » / / г

( 2 - 4 6 )

Д л я увеличения эффективности

параметроиа

необхо­

димо уменьшать второе слагаемое знаменателя,

которое

определяется

в основном

потерями

в пленке GT [29J. Как

и при определении эффективности модулятора, получен­ ное в ы р а ж е н и е характеризует касательную зависимости

r\ = f(Pc

+ PTm)

в начальной точке, т. е. справедливо толь­

ко для

малых

полей подкачки.

2.2.3. Ортогональный СВЧ ключ

Такие физические свойства пленок, как высокая скорость изменения намагниченности под воздействием быстроизменяющихся внешних полей и наличие анизо­ тропных свойств, позволяют использовать пх для по­

строения

ключевых устройств. Н и ж е

будет рассмотрено

ключевое

устройство, использующее

включение пленки

во внешнюю цепь по схеме четырехполюсника. Ключ со­ стоит из входной и выходной полосковых линий, закоро ­ ченных на концах и расположенных ортогонально (рис. 2.18). В месте пересечения полосковых линий рас­ полагается тонкая ферромагнитная пленка. Ось легкого

намагничивания

пленки направлена

вдоль

нормали к

входной линии

[30].

 

 

 

 

Принцип работы

ортогонального

С В Ч ключа, подоб­

но рассмотренному

выше

модуляторному

устройству,

состоит в управлении связи

по высокой частоте м е ж д у

д в у м я (входной

и выходной)

полосковыми линиями . Уп­

равление осуществляется внешним у п р а в л я ю щ и м полем,

изменяющим намагниченность Т Ф П ,

м а г и

и т о с в я з а н н о й с

л и н и я м и . У п р а в л я ю щ е е магнитное

поле

формируется

при помощи специальной у п р а в л я ю щ е й обмотки или по лосковой линии. Рабочие частоты ключа л е ж а т вблизи частоты ферромагнитного резонанса пленки. Согласова ­ ние низкоомиых входной и выходной полосковых линий с передающим трактом может быть осуществлено путем

использования

плавных

или

четвертьволновых

транс ­

форматоров .

 

 

 

 

 

 

Д л я

ортогонального

ключа

характерны

два

состоя­

ния: открытое,

при

котором

С В Ч сигнал

из

входной

линии д о л ж е н проходить в нагрузку без

существенных

потерь,

и закрытое,

при котором в нагрузку С В Ч сиг-

пал практически

не д о л ж е н проходить. Д л я

обеспечения

оли

Р и с . 2.18

открытого состояния, что д о л ж н о

соответствовать макси­

мальной

передаче

мощности, к

пленке прикладывается

внешнее

у п р а в л я ю щ е е поле. К а к

и в случае

рассмотрен­

ного ранее модулятора, управляющее поле

подается под

некоторым углом

к трудной оси

пленки.

 

М а к с и м а л ь н о е значение коммутируемой тонкопленоч-

иым ключем

высокочастотной мощности ограничивается

в основном

следующими факторами: пробоем внешней

цепи; недопустимым разогревом пленки, при котором те­

ряются ее

магнитные

свойства,

а т а к ж е релаксационны ­

ми явлениями, обусловленными

нелинейными

э ф ф е к т а м и

изменения

намагниченности Т Ф П . Б л а г о д а р я

большому

отношению

площади

поверхности пленки к

ее объему,,

перегрев наблюдается при более высоком уровне высо­ кочастотной мощности, чем уровень мощности пробоя внешней цепи. К а к показали исследования, при исполь­ зовании многослойных пленок нелинейные свойства про ­ являются при мощности высокочастотного электромаг ­ нитного поля порядка нескольких десятков ватт. В связи

9 95

с незначительным зазором м е ж д у полосковыми провод­

никами

м а к с и м а л ь н а я мощность в ключевых устройствах

на основе Т Ф П

ограничивается пробоем

внешней

цепи

и не превышает

нескольких

ватт.

 

 

Основными

п а р а м е т р а м и

ключевого

устройства

яв­

л я ю т с я :

рабочее затухание

в открытом

и закрытом

со­

стояниях, значение управляющего поля и его направле ­ ние, входное сопротивление ключа, ослабление и коэффи­

циент

отражения

в

открытом состоянии и другие пара­

метры. Д л я того

чтобы

найти

аналитические

соотноше­

ния, характеризующие

основные

параметры

тонкопле­

ночного ключевого

устройства,

воспользуемся

получен­

ной в

первой главе

эквивалентной

схемой магинтосвя-

.занной

пленки.

 

 

 

 

 

 

Р и с . 2.19

Эквивалентная схема пленки, включенной по схеме

•четырехполюсника, имеет

вид, показанный па рис. 2.1,6.

П о л н а я эквивалентная

схема ортогонального СВЧ

ключа

имеет вид, приведенный на рис. 2.19. Так как дли­

на закороченных

участков

обычно

много

меньше

Х/4

(порядка 5—6

м м ) ,

то индуктивностями

L B . T и L B T

(рис. 2.1,6) можно пренебречь.

 

 

 

 

 

 

В

идеальном

случае,

когда

у п р а в л я ю щ е е

поле

не

п р и к л а д ы в а е т с я

к

пленочному

элементу

Я у

=

0, связь

м е ж д у

входной

 

и

выходной цепями

д о л ж н а

отсутство­

вать.

Однако

из-за

наличия

паразитной

емкости

С п

между полосковыми проводниками в закрытом состоя­

нии

( Я у = 0)

па выход ключа

проходит некоторый сиг­

нал.

Величину

этого сигнала в

значительной мере можно

уменьшить, если развернуть выходную полосковую ли­ нию на некоторый угол (1—3°). При этом параллельно паразитной емкости С п будет подсоединена индуктивная

96

компонента L n

. Таким образом, на рабочей частоте эти­

ми элементами

образуется

режекторный контур. Ка к по­

к а з ы в а ю т экспериментальные

исследования,

ослабление

в этом случае в закрытом

состоянии

можно

получить

более 40 д Б .

 

 

 

 

 

 

 

Если у п р а в л я ю щ е е поле

не воздействует

на пленку

( Я у =

0),

то

из уравнения

(1.29) видно, что взаимоин­

дукция

Мп

в

этом случае

равна нулю.

Связь

между

входной и выходной цепями через пленку отсутствует —

закрытое

состояние. П о д действием

управляющего

поля

намагниченность пленки отклоняется

на

некоторый

угол

от оси легкого намагничивания,

что соответствует конеч­

ному значению Мл.

В выходной

цепи

появляется

сигнал,

так ка к

значение

взаимоиндукции

Мт

т а к ж е

конечно.

Пленка,

связанная

с входной и

выходной полосковыми

линиями, выполняет роль согласующего четырехполюс­

ника. Ка к и в случае рассмотренного ранее

модуляторно ­

го устройства,

в зависимости от величины и 'направления

у п р а в л я ю щ е г о

поля могут быть

реализованы р е ж и м ы ,

обеспечивающие

балансную и

фазоимпульсную

моду­

ляцию .

 

 

 

 

 

Д л я анализа

ключевого устройства используем

мат­

рицы

передачи

 

[37]. Представив эквивалентную

схему

(рис.

2.19) в виде каскадного

соединения

простейших

четырехполюсников, после перемножения матриц пере­

дачи д л я

отдельных

простейших четырехполюсников

по­

лучим

суммарную

матрицу передачи в виде

 

 

 

[а]

 

 

1 л

2

 

°

 

 

 

'МЖг G

^

+ J a ' C ^ - ^ r )

Z T J

I "

 

- 4 7 )

 

( 2

С учетом

обычного

условия pi = р 2 =

RH

выражение

д л я нормированной матрицы будет иметь вид

 

 

 

[А]

=

Liu

1*2

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мпм.

 

 

 

 

 

 

 

Рабочее затухание может быть определено из соотно­ шения

Г ( А п + А12 + А.п + А22)

(2.48)

где Ап, А12, А21, А22 элементы нормированной матрицы передачи. Подставляя значения элементов нормированной

4 Заказ № 247

97

матрицы

передачи,

будем

иметь

 

 

 

 

 

 

 

 

( 1

л 2 + ^ т 2 + 7 ? „ О т 1 т 1 ) 2

+

 

 

 

 

4M{Mi

 

 

 

 

 

 

 

 

+ a > * / ? 2 „ ( C T Z T l - - J r ) 2 ] .

(2.49)

И з в ы р а ж е н и я

(2.49)

видно,

что

рабочее

затухание

зависит

от

частоты

коммутируемого

электромагнитного

поля;

от

произведения проводимости

С?т, характеризую ­

щей

потери

в

магнитосвязанной

пленке, на

величину

сопротивления

нагрузки

а т а к ж е

от величины и на­

правления управляющего

поля. Н а рис. 2.20

приведены

о,в 1,6 гл

3,2 w лт

 

Р и с .

2.20

 

теоретические

и экспериментальные зависимости

i6v от

у п р а в л я ю щ и х

полей. И з рисунка видно, что при

неко­

торых значениях компонент управляющего поля ослаб ­ ление в открытом состоянии минимально.

Д л я определения

оптимальных значений

компонент

управляющего

поля

можн о

воспользоваться в ы р а ж е н и е м

д л я входного

сопротивления

ключа. И м п о л ь з у я

матрицы

передачи, дл я схемы

рис. 2.19 получаем

 

у

_

Дц^н ~Ь а

о

|

• у

^"вх —

D _!_/»_.

^вх

Т~ J-Л вх>

где

 

«21#Н + Я22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

">2 £Л 2^Н (^Т2 + £Т 1#нОТ )

.

Я 2

(2 -

о>2 /.л 1 Ст )Ч " 2

(LrlGTR„+

I T 2 ) 2 '

Rl (2 - Ш а 1 л 1 С т ) 2 + <o2 (LTlGTRa

+ L T 2 ) *

(2.50)

(2.51)

(2.52)

98

Н а

рис.

2.21 показаны теоретические и эксперименталь ­

ные

зависимости

активной

и реактивной составляющих

полного

входного

сопротивления

от управляющих полей.

Д л я

передачи

мощности

без

отражений в открытом

состоянии ключа необходимо подавать такое у п р а в л я ю ­ щее поле, чтобы реактивная составляющая входного со­ противления была равна нулю, а активная совпадала с сопротивлением нагрузки (условие согласования) . При­

равняв

правую

часть

в ы р а ж е н и я (2.52)

нулю, получаем

 

 

 

to2 =

со2 F',

(2.53)

т а к как

L T i =

2LTJF',

F'

определяется

соотношением

(1.23). Уравнение (2.53) является условием для опреде­ ления частоты ферромагнитного резонанса в пленке. При выполнении условия (2.53) соотношение (2.51) для активной составляющей входного сопротивления будет иметь вид

т г»

или, выраженное через относительное потокосцепление»

К а к можно видеть, величина

входного сопротивления за­

висит от связи пленки с полосковой

линией,

от

величины

и направления

управляющего

поля,

а т а к ж е

от

парамет ­

ров пленки и нагрузки, определяемых

произведением

эквивалентной

проводимости

магнитосвязанной

пленки

па сопротивление нагрузки

GTRn.

 

 

 

 

(2.54)

Из условия

согласования

Rs^ =

RH

с учетом

имеем

 

 

 

 

 

 

 

Находим удовлетворяющую этому условию величину от­ носительного потокосцепления:

Так к а к

величина Ф 2

не

может

превышать единицы,

получаем

неравенство

д л я

выбора

коэффициента пере­

счета k:

 

 

 

 

 

 

&>GTRK.

(2.57)

4*

99

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ