Многокомпонентные наноструктурированные покрытия на основе нитридов
..pdf
|
|
|
|
Окончание табл. 1 |
||
|
|
|
|
|
|
|
Техническая |
Вакуумная установка |
|
||||
ННВ-6,6-И1 |
УРМЗ 3.279.048 |
|||||
характеристика |
||||||
(ЭДИ) |
(ЭДИ и МР) [162–167] |
|||||
|
|
|||||
Диапазон стабильных рабочих |
0,45…0,75 |
|
0,8…1,2 |
|
||
давлений газовой смеси, Па |
|
|
|
|
||
Степень ионизации, % |
80 |
10 |
80 |
≈ 90 |
||
Содержание реакционного га- |
90…100 |
35…70 |
30…90 |
30…50 |
||
за (N2) в газовой смеси, % |
|
|
|
|
||
Напряжение |
смещения на |
–200…280 |
–40…80 |
–80…250 |
–80…90 |
|
подложке, В |
|
|
|
|
|
|
Напряжение на магнетроне, В |
– |
300…700 |
– |
400…500 |
||
Ток на магнетроне, А |
– |
3,0…6,0 |
– |
4,0…5,0 |
||
Ток дуги, А |
|
70…75 |
– |
80…100 |
80…90 |
|
Предельная |
мощность разря- |
– |
4,0 |
|
|
|
да, кВт |
|
|
|
|
|
|
Способ измерения толщины |
На попереч- |
На поперечном шлифе |
||||
покрытия в процессе ее осаж- |
ном шлифе |
|
|
|
||
дения |
|
|
|
|
|
|
Скорость осаждения покры- |
13…40 |
4 |
10 |
12 |
||
тия, мкм/ч |
|
|
|
|
|
Для установления влияния элементного состава, способа изготовления многокомпонентной Ti-B-Si мишени, конструктивных и технологических особенностей источников плазмы на структуру и свойства многокомпонентных Ti-B-Si-N слоев покрытий дополнительную ионизацию газа в процессе их формирования осуществляли с использованием различных видов разрядов: высокочастотный разряд МРС двухкамерной установки магнетронного распыления и разряд постоянного тока МРС (см. табл. 1).
2.2.Изменение температуры подложки и подслоя
взависимости от высокого напряжения
ипродолжительности ионной очистки
Поверхность всех тестовых образцов – пластинок из быстрорежущей стали Р6М5, твердого сплава ВК8 и аустенитной стали 12Х18Н10Т (подложка) – подвергали ионной очистке – нагреву одним
51
электродуговым испарителем с катодом из металлических элементов покрытия.
Для диагностики кратковременного процесса ионной очистки перед осаждением двухкомпонентных (TiN, ZrN) слоев покрытий изучали влияние высокого напряжения (Uвыс), подаваемого на подложку в процессе ее ионной очистки, на Тподл и Vнагр.подл.
Для диагностики процесса осаждения подслоя изучали влияние материала подслоя (Ti или Zr), типа и количества источников плазмы на температуру подслоя (Тподсл) после его осаждения.
Технологические параметры ИО подложки и осаждения подслоя перед осаждением двухкомпонентных слоев покрытия: Uвыс = 600 В, L = 270 мм, Р = 0,01 Па, ток на фокусирующей катушке Iф.к = 1,5 А, ток на стабилизирующей катушке Iс.к = 2,5 А, Iд = 80 А, газ – аргон, про-
должительность ИО tИО = 5 мин, Vнагр.подл = 70 К/мин, Тподл = 650 К, материал подслоя Ti для TiN, Zr для ZrN, Тподсл ЭДИ и МР – 615 и 605 К соответственно.
Тподл в процессе ИО увеличивается от комнатной температуры до 650 К, в процессе осаждения подслоя Тподсл уменьшается вне зависимости от его материала: при осаждении методом ЭДИ – до 615 К, мето-
дом МР – до 605 К. При проведении ИО подложки с Uвыс = 600 В, осаждении Ti подслоя магнетронным распылением и проведении крат-
ковременной (5 мин) ионной бомбардировки подслоя, Тподсл восстанавливается до Тподл. В процессе осаждения подслоя электродуговым испарителем Тподсл увеличивается в зависимости от ТехП и продолжительности осаждения.
Сповышением tИО до 30 мин увеличивается как Тподл и Тподсл, так
итемпература слоя покрытия (Тнач.с). Повышение Тнач.с до 650 К воз-
можно при уменьшении скорости термической обработки подложки до Vнагр.подл = 10 К/мин либо увеличении количества источников плазмы при осаждении подслоя. Увеличение только величины Uвыс до 700 В при кратковременной термической обработке такого эффекта не дает, Тподсл повышается только до 635 К. Максимальный подъем Тнач.с в исследуемом интервале ТехП возможен с Uвыс = 1000 В, tИО = 30 мин, осаждении металлического подслоя двумя электродуговыми испарителями или осаждении TiN подслоя в среде реакционного газа.
52
2.3. Изменение температуры двухкомпонентных слоев покрытий в зависимости от ТехП процесса их осаждения,
типа и количества источников плазмы
Общие переменные ТехП процесса: Uсм, L, P, N2/Ar – соотношение газов в газовой смеси. При осаждении слоев покрытия методом ЭДИ переменный параметр – Iд, при осаждении покрытия методом МР – N (мощность магнетронного разряда).
В связи с меньшей скоростью осаждения покрытия в процессе МР температуру слоев покрытий (TiN, ZrN) в процессе ЭДИ на неподвижной подложке измеряли каждые 10 мин при общей продолжительности осаждения (Тпр) 30 мин, в процессе МР – каждые 15 мин при Тпр = = 45 мин пирометром «Смотрич», оптическим микропирометром ВИМП−043м и инфракрасным бесконтактным пирометром «Термикс» (в зависимости от вакуумной установки). Зависимости температуры ZrN слоя покрытия от ТехП процессов ЭДИ, МР и Тпр приведены на рис. 2, 3. Повышение всех ТехП процессов ЭДИ и МР, кроме L приводит
а |
б |
в |
г |
д |
Рис. 2. Температура ZrN покрытия как функция ТехП ЭДИ: а – Iд; б – Uсм;
в – L; г – N2/Ar, %: 90/10 = 9; 70/30 = 2,3; 50/50 = 1; 30/70 = 0,43; д – Р и Tс
53
а |
б |
в г д
Рис. 3. Температура ZrN покрытия как функция ТехП МР: а – N, кВт; б – Uсм, В;
в – L, мм; г – N2/Ar, %: 30/70 = 0,43; 35/65 = 0,54; 40/60 = 0,67; 50/50 = 1,0;
д– P и Tс
кросту Тс. Однако Тс при осаждении слоя покрытия методом МР первые 10 мин процесса не изменяется, а затем увеличивается со скоростью на порядок ниже, чем в процессе ЭДИ. По данной причине в табл. 2 первое значение соответствует Тс через 10 мин ее осаждения.
Таблица 2
ТехП и ТемП осаждения двухкомпонентных покрытий после кратковременной термической обработки подложки
ТехП |
|
Тс, К |
|
Vнагр.с, К/мин |
|||
TiN |
|
ZrN |
|
TiN |
ZrN |
||
|
|
|
|
||||
|
|
Электродуговое испарение |
|
|
|||
|
0,6 |
630'…690 |
|
660'…725 |
|
2,5 |
3,7 |
|
0,8 |
640'…700 |
|
665'…730 |
|
2,9 |
3,9 |
Р, Па |
1,0* |
645'…725 |
|
670'…735 |
|
3,7 |
4,1 |
|
1,2 |
650'…730 |
|
675'…740 |
|
3,9 |
4,2 |
|
1,4 |
655'…735 |
|
690'…745 |
|
4,1 |
4,4 |
Iд, А |
90 |
650'…735 |
|
675'…740 |
|
4,1 |
4,2 |
100 |
655'…755 |
|
685'…750 |
|
4,7 |
4,7 |
|
|
|
|
54
|
|
|
|
|
|
|
Окончание табл. 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ТехП |
|
Тс, К |
|
Vнагр.с, К/мин |
||||
TiN |
|
ZrN |
|
TiN |
|
ZrN |
||
|
|
|
|
|
||||
|
80 |
625'…675 |
|
640'…670 |
|
2,1 |
|
2,1 |
Uсм, В |
100 |
635'…700 |
|
655'…710 |
|
2,9 |
|
2,9 |
150 |
640'…715 |
|
665'…730 |
|
3,4 |
|
3,4 |
|
|
|
|
|
|||||
|
250 |
670'…745 |
|
675'…750 |
|
4,4 |
|
4,4 |
|
400 |
620'…655 |
|
620'…660 |
|
1,4 |
|
1,6 |
L, мм |
360 |
620'…665 |
|
635'…695 |
|
1,7 |
|
2,7 |
330 |
620'…680 |
|
645'…710 |
|
2,2 |
|
3,2 |
|
|
|
|
|
|||||
|
300 |
620'…710 |
|
655'…725 |
|
3,2 |
|
3,7 |
|
30 |
625'…660 |
|
640'…690 |
|
1,6 |
|
2,6 |
N2, % |
50 |
635'…670 |
|
645'…695 |
|
1,9 |
|
2,7 |
|
70 |
645'…680 |
|
660'…715 |
|
2,2 |
|
3,4 |
|
|
Магнетронное распыление |
|
|
|
|||
|
0,8 |
605'…610 |
|
605'…615 |
|
0,1 |
|
0,2 |
Р, Па |
1,0** |
605'…620 |
|
605'…625 |
|
0,3 |
|
0,4 |
1,2 |
610'…625 |
|
605'…630 |
|
0,4 |
|
0,6 |
|
|
|
|
|
|||||
|
1,4 |
610'…630 |
|
– |
|
0,6 |
|
– |
|
1,70 |
605'…615 |
|
– |
|
0,2 |
|
– |
N, кВт |
2,42 |
605'…625 |
|
605'…630 |
|
0,4 |
|
0,6 |
|
3,00 |
610'…635 |
|
605'…645 |
|
0,7 |
|
0,9 |
|
40 |
605'…610 |
|
605'…610 |
|
0,1 |
|
0,1 |
Uсм, В |
60 |
605'…615 |
|
605'…620 |
|
0,2 |
|
0,3 |
|
80 |
605'…620 |
|
605'…625 |
|
0,3 |
|
0,4 |
|
100 |
605'…620 |
|
605'…625 |
|
0,3 |
|
0,4 |
L, мм |
120 |
600'…615 |
|
605'…620 |
|
0,2 |
|
0,3 |
140 |
605'…610 |
|
605'…615 |
|
0,1 |
|
0,2 |
|
|
|
|
|
|||||
|
160 |
605'…620 |
|
605'…610 |
|
0,1 |
|
0,1 |
|
30 |
605'…610 |
|
605'…610 |
|
0,1 |
|
0,1 |
N2, % |
40 |
605'…625 |
|
605'…630 |
|
0,4 |
|
0,6 |
|
50 |
610'…630 |
|
610'…635 |
|
0,6 |
|
0,7 |
625' – температура слоя покрытия после 10 мин его осаждения методом ЭДИ (начальная 615 К) и после 15 мин его осаждения методом МР (началь-
ная 605 К).
*Общие ТехП ЭДИ при осаждении TiN, ZrN слоев: 1,0 Па; 80 А; 200 В; 270 мм; 90 %.
**Общие ТехП МР при осаждении TiN и ZrN слоев: 1,0 Па; 80 В; 100 мм; 35 %; N = 2,03 кВт для TiN слоев; N = 2,09 кВт для ZrN слоев.
55
Двухкомпонентные (TiN, ZrN) слои покрытий методом ЭДИ фор-
мируются в интервале Тс = 620…755 К и Vнагр.с = 1,6…4,7 К/мин, а процесс МР протекает в области более низких ТемП: Тс = 605…635 К
и Vнагр.с = 0,1…0,9 К/мин. В связи с существующей зависимостью Тс от условий термической обработки подложки, осаждения подслоя и самого слоя покрытия: степени ионизации парового потока, комбинированного действия ТехП и энергии, передаваемой в формируемый слой покрытия, его структура и свойства будут различаться с изменением типа источника плазмы и ТемП: Тнач.с и Vнагр.с в процессе осаждения.
2.4. Эксплуатационные характеристики используемых для упрочнения ТИ и ПТ двухкомпонентных слоев покрытий
Износостойкое покрытие с высокой твердостью, высокой энергоемкостью, хорошей термостойкостью, сопротивляемостью к термическим ударам и коррозии используется для упрочнения быстрорежущей стали Р6М5 и твердого сплава ВК8 при обработке титановых и жаропрочных сплавов, поскольку она химически инертна к Ti, теплостойка и имеет низкую теплопроводность. Свойства известных ZrN покрытий приведены табл. 3.
Таблица 3 Физико-механические свойства и внутренние напряжения
вZrN покрытиях (Н – твердость, Е – модуль Юнга, Н/Е – стойкость
покрытия к упругой деформации, σвн – внутренние напряжения, Fкр – критическая нагрузка)
Материал |
Метод |
Н, |
Е, |
Н/Е |
σвн, |
Адгезия |
Источник |
слоя покрытия |
осаждения |
ГПа |
ГПа |
|
ГПа |
(Fкр, Н) |
|
ZrN |
ЭДИ |
46 |
460 |
0,10 |
– |
– |
[168] |
ZrN |
ЭДИ |
25…28 |
– |
– |
– |
40…57 |
[163] |
Zr-ZrN |
ЭДИ |
31 |
345 |
0,09 |
–5,6 |
57 |
[169] |
Известно, что высокими ФМС, ИАС и коррозионными свойствами (табл. 4) помимо многокомпонентных покрытий могут обладать и высокоэкономичные высокотвердые покрытия на основе TiN [17, 170– 173, 284–286, 294, 301–308] и ZrN [287–290, 295, 296, 306–310] с ми-
нимальным размером нанокристаллитов (зерен) до 3…5 нм.
56
Таблица 4
Физико-механические свойства, размер ОКР и внутренние напряжения в TiN покрытиях (Н3/Е*2 – стойкость покрытия к пластической деформации)
Материал покрытия / |
Н, |
Е, ГПа |
Н/Е |
Н3/Е*2, |
Размер |
Тип |
σвн, ГПа |
Источник |
метод осаждения |
ГПа |
ГПа |
ОКР, нм |
текстуры |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TiN / ЭДИ |
33…56 |
402…480 |
– |
0,222…0,806 |
10 |
– |
– |
[174] |
TiN / ЭДИ |
25…27 |
320 |
0,089…0,100 |
0,197…0,270 |
15…30 |
(111) |
– |
[170] |
TiN / ЭДИ |
41…53 |
410…440 |
0,100…0,129 |
0,430…0,885 |
15…30 |
(111) |
– |
[170] |
TiN / ЭДИ |
34…39 |
– |
– |
– |
– |
– |
– |
[173] |
TiN / ЭДИ |
45…47 |
– |
– |
– |
– |
– |
– |
[173] |
TiN / ЭДИ |
45 |
– |
– |
0,527 |
– |
– |
0,9…2,9 |
[175] |
TiN / ЭДИ |
40...68 |
410...470 |
0,145 |
1,15 |
15…30 |
(111) |
– |
[173] |
TiN / ЭДИ |
56…59 |
– |
– |
– |
– |
– |
– |
[173] |
TiN / ВЧ МР |
30…34 |
– |
– |
– |
– |
– |
– |
[176] |
57
3.УСТАНОВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
ИТЕМПЕРАТУРНЫХ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕРМИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ ПОДЛОЖКИ
ИКАТОДОВ/МИШЕНЕЙ, ТехП И ТемП ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСОБЕННОСТЕЙ ИСТОЧНИКА ПЛАЗМЫ
3.1.Методика исследования структуры
иморфологических особенностей поверхности многокомпонентных слоев многослойных покрытий
Для комплексного исследования процесса структурообразования двухкомпонентных (TiN, ZrN) слоев многослойных покрытий при различных ТехП и ТемП термической обработки подложки и их осаждения с использованием электродугового испарителя и/или магнетронного распылителя необходимо использовать электронную микроскопию высокого разрешения:
–сканирующую: растровые микроскопы: аналитический автоэмиссионный Ultra 55 с приставкой EDX-анализа, BS 300 с приставкой для микроанализа EDAX Genesis 2000, Leo1430 VP с энергодисперсион-
ным спектрометром INCA Energy-300, CARL ZEISS LEO 1430 VP, TESLA BS350;
–просвечивающую: микроскоп JEM-200CX;
–атомно-силовую: микроскопы: «Наноскан», Digital Instruments, «Фемтоскан», ТМХ-2100 «ACCUREX», зондовая нанотехнологическая установка «Луч-2»;
–туннельную: НТК «Умка», СММ-2000Т.
58
3.2. Изучение процесса структурообразования двухкомпонентных слоев покрытий на кратковременно нагретой подложке в зависимости от технологических особенностей источника
плазмы, ТехП и ТемП процесса осаждения
3.2.1. Изучение процесса структурообразования двухкомпонентных TiN покрытий в зависимости от ТехП и ТемП процесса ЭДИ
•Изучение влияния содержания азота в газовой смеси (N2 =
=30 %) и созданных ТемП (Тс = 615…660 К = (0,191…0,205)Тпл, Vнагр.с = 1,6 К/мин) на процесс структурообразования TiN покрытий
TiN слои покрытий при формировании их с минимальным содер-
жанием N2 (30 %) в газовой смеси имеют максимальную шероховатость поверхности, вызванную ее эрозией при распылении, и максимальные дефекты в виде нарушения сплошности на границе раздела зерен (рис. 4, а), растрескивания (рис. 4, б) и выкрашивания (рис. 4, в) зерен, зернограничного разрушения слоя (рис. 4, г) вследствие интенсивной ионной бомбардировки.
а |
б |
вг
Рис. 4. Дефекты поверхности TiN слоя покрытия, сформированного ЭДИ при N2 = 30 %. Максимальный размер зерна 4,5×29,0 мкм (Vнагр.подл = 70 К/мин)
59
Формирование поликристаллического TiN слоя покрытия в условиях интенсивной ионной бомбардировки в области самых низких температур Тс = 615…660 К = (0,191…0,205)Тпл (ТплTiN = 3223 К) и ми-
нимальной Vнагр.с = 1,6 К/мин связано с последовательностью следующих стадий (рис. 5): глобулярная с размером глобул до Ø 9,0 мкм (рис. 5, а); объединение глобул с максимальным размером Ø 6,5...7,5 мкм
а б
в
г |
д |
е |
жз
Рис. 5. Стадии структурообразования TiN слоя покрытия методом ЭДИ при N2 = 30 % (а–л). Несплошность («недостаток») материала
слоя покрытия (м) (Vнагр.подл = 70 К/мин) (см. также с. 61)
60