Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Многокомпонентные наноструктурированные покрытия на основе нитридов

..pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
13.3 Mб
Скачать

 

 

 

 

Окончание табл. 1

 

 

 

 

 

 

Техническая

Вакуумная установка

 

ННВ-6,6-И1

УРМЗ 3.279.048

характеристика

(ЭДИ)

(ЭДИ и МР) [162–167]

 

 

Диапазон стабильных рабочих

0,45…0,75

 

0,8…1,2

 

давлений газовой смеси, Па

 

 

 

 

Степень ионизации, %

80

10

80

≈ 90

Содержание реакционного га-

90…100

35…70

30…90

30…50

за (N2) в газовой смеси, %

 

 

 

 

Напряжение

смещения на

–200…280

–40…80

–80…250

–80…90

подложке, В

 

 

 

 

 

Напряжение на магнетроне, В

300…700

400…500

Ток на магнетроне, А

3,0…6,0

4,0…5,0

Ток дуги, А

 

70…75

80…100

80…90

Предельная

мощность разря-

4,0

 

 

да, кВт

 

 

 

 

 

Способ измерения толщины

На попереч-

На поперечном шлифе

покрытия в процессе ее осаж-

ном шлифе

 

 

 

дения

 

 

 

 

 

Скорость осаждения покры-

13…40

4

10

12

тия, мкм/ч

 

 

 

 

 

Для установления влияния элементного состава, способа изготовления многокомпонентной Ti-B-Si мишени, конструктивных и технологических особенностей источников плазмы на структуру и свойства многокомпонентных Ti-B-Si-N слоев покрытий дополнительную ионизацию газа в процессе их формирования осуществляли с использованием различных видов разрядов: высокочастотный разряд МРС двухкамерной установки магнетронного распыления и разряд постоянного тока МРС (см. табл. 1).

2.2.Изменение температуры подложки и подслоя

взависимости от высокого напряжения

ипродолжительности ионной очистки

Поверхность всех тестовых образцов – пластинок из быстрорежущей стали Р6М5, твердого сплава ВК8 и аустенитной стали 12Х18Н10Т (подложка) – подвергали ионной очистке – нагреву одним

51

электродуговым испарителем с катодом из металлических элементов покрытия.

Для диагностики кратковременного процесса ионной очистки перед осаждением двухкомпонентных (TiN, ZrN) слоев покрытий изучали влияние высокого напряжения (Uвыс), подаваемого на подложку в процессе ее ионной очистки, на Тподл и Vнагр.подл.

Для диагностики процесса осаждения подслоя изучали влияние материала подслоя (Ti или Zr), типа и количества источников плазмы на температуру подслоя (Тподсл) после его осаждения.

Технологические параметры ИО подложки и осаждения подслоя перед осаждением двухкомпонентных слоев покрытия: Uвыс = 600 В, L = 270 мм, Р = 0,01 Па, ток на фокусирующей катушке Iф.к = 1,5 А, ток на стабилизирующей катушке Iс.к = 2,5 А, Iд = 80 А, газ – аргон, про-

должительность ИО tИО = 5 мин, Vнагр.подл = 70 К/мин, Тподл = 650 К, материал подслоя Ti для TiN, Zr для ZrN, Тподсл ЭДИ и МР – 615 и 605 К соответственно.

Тподл в процессе ИО увеличивается от комнатной температуры до 650 К, в процессе осаждения подслоя Тподсл уменьшается вне зависимости от его материала: при осаждении методом ЭДИ – до 615 К, мето-

дом МР – до 605 К. При проведении ИО подложки с Uвыс = 600 В, осаждении Ti подслоя магнетронным распылением и проведении крат-

ковременной (5 мин) ионной бомбардировки подслоя, Тподсл восстанавливается до Тподл. В процессе осаждения подслоя электродуговым испарителем Тподсл увеличивается в зависимости от ТехП и продолжительности осаждения.

Сповышением tИО до 30 мин увеличивается как Тподл и Тподсл, так

итемпература слоя покрытия (Тнач.с). Повышение Тнач.с до 650 К воз-

можно при уменьшении скорости термической обработки подложки до Vнагр.подл = 10 К/мин либо увеличении количества источников плазмы при осаждении подслоя. Увеличение только величины Uвыс до 700 В при кратковременной термической обработке такого эффекта не дает, Тподсл повышается только до 635 К. Максимальный подъем Тнач.с в исследуемом интервале ТехП возможен с Uвыс = 1000 В, tИО = 30 мин, осаждении металлического подслоя двумя электродуговыми испарителями или осаждении TiN подслоя в среде реакционного газа.

52

2.3. Изменение температуры двухкомпонентных слоев покрытий в зависимости от ТехП процесса их осаждения,

типа и количества источников плазмы

Общие переменные ТехП процесса: Uсм, L, P, N2/Ar – соотношение газов в газовой смеси. При осаждении слоев покрытия методом ЭДИ переменный параметр – Iд, при осаждении покрытия методом МР – N (мощность магнетронного разряда).

В связи с меньшей скоростью осаждения покрытия в процессе МР температуру слоев покрытий (TiN, ZrN) в процессе ЭДИ на неподвижной подложке измеряли каждые 10 мин при общей продолжительности осаждения (Тпр) 30 мин, в процессе МР – каждые 15 мин при Тпр = = 45 мин пирометром «Смотрич», оптическим микропирометром ВИМП043м и инфракрасным бесконтактным пирометром «Термикс» (в зависимости от вакуумной установки). Зависимости температуры ZrN слоя покрытия от ТехП процессов ЭДИ, МР и Тпр приведены на рис. 2, 3. Повышение всех ТехП процессов ЭДИ и МР, кроме L приводит

а

б

в

г

д

Рис. 2. Температура ZrN покрытия как функция ТехП ЭДИ: а Iд; б Uсм;

в L; г – N2/Ar, %: 90/10 = 9; 70/30 = 2,3; 50/50 = 1; 30/70 = 0,43; д Р и Tс

53

а

б

в г д

Рис. 3. Температура ZrN покрытия как функция ТехП МР: а N, кВт; б Uсм, В;

в L, мм; г – N2/Ar, %: 30/70 = 0,43; 35/65 = 0,54; 40/60 = 0,67; 50/50 = 1,0;

дP и Tс

кросту Тс. Однако Тс при осаждении слоя покрытия методом МР первые 10 мин процесса не изменяется, а затем увеличивается со скоростью на порядок ниже, чем в процессе ЭДИ. По данной причине в табл. 2 первое значение соответствует Тс через 10 мин ее осаждения.

Таблица 2

ТехП и ТемП осаждения двухкомпонентных покрытий после кратковременной термической обработки подложки

ТехП

 

Тс, К

 

Vнагр.с, К/мин

TiN

 

ZrN

 

TiN

ZrN

 

 

 

 

 

 

Электродуговое испарение

 

 

 

0,6

630'…690

 

660'…725

 

2,5

3,7

 

0,8

640'…700

 

665'…730

 

2,9

3,9

Р, Па

1,0*

645'…725

 

670'…735

 

3,7

4,1

 

1,2

650'…730

 

675'…740

 

3,9

4,2

 

1,4

655'…735

 

690'…745

 

4,1

4,4

Iд, А

90

650'…735

 

675'…740

 

4,1

4,2

100

655'…755

 

685'…750

 

4,7

4,7

 

 

 

54

 

 

 

 

 

 

 

Окончание табл. 2

 

 

 

 

 

 

 

 

ТехП

 

Тс, К

 

Vнагр.с, К/мин

TiN

 

ZrN

 

TiN

 

ZrN

 

 

 

 

 

 

80

625'…675

 

640'…670

 

2,1

 

2,1

Uсм, В

100

635'…700

 

655'…710

 

2,9

 

2,9

150

640'…715

 

665'…730

 

3,4

 

3,4

 

 

 

 

 

250

670'…745

 

675'…750

 

4,4

 

4,4

 

400

620'…655

 

620'…660

 

1,4

 

1,6

L, мм

360

620'…665

 

635'…695

 

1,7

 

2,7

330

620'…680

 

645'…710

 

2,2

 

3,2

 

 

 

 

 

300

620'…710

 

655'…725

 

3,2

 

3,7

 

30

625'…660

 

640'…690

 

1,6

 

2,6

N2, %

50

635'…670

 

645'…695

 

1,9

 

2,7

 

70

645'…680

 

660'…715

 

2,2

 

3,4

 

 

Магнетронное распыление

 

 

 

 

0,8

605'…610

 

605'…615

 

0,1

 

0,2

Р, Па

1,0**

605'…620

 

605'…625

 

0,3

 

0,4

1,2

610'…625

 

605'…630

 

0,4

 

0,6

 

 

 

 

 

1,4

610'…630

 

 

0,6

 

 

1,70

605'…615

 

 

0,2

 

N, кВт

2,42

605'…625

 

605'…630

 

0,4

 

0,6

 

3,00

610'…635

 

605'…645

 

0,7

 

0,9

 

40

605'…610

 

605'…610

 

0,1

 

0,1

Uсм, В

60

605'…615

 

605'…620

 

0,2

 

0,3

 

80

605'…620

 

605'…625

 

0,3

 

0,4

 

100

605'…620

 

605'…625

 

0,3

 

0,4

L, мм

120

600'…615

 

605'…620

 

0,2

 

0,3

140

605'…610

 

605'…615

 

0,1

 

0,2

 

 

 

 

 

160

605'…620

 

605'…610

 

0,1

 

0,1

 

30

605'…610

 

605'…610

 

0,1

 

0,1

N2, %

40

605'…625

 

605'…630

 

0,4

 

0,6

 

50

610'…630

 

610'…635

 

0,6

 

0,7

625' – температура слоя покрытия после 10 мин его осаждения методом ЭДИ (начальная 615 К) и после 15 мин его осаждения методом МР (началь-

ная 605 К).

*Общие ТехП ЭДИ при осаждении TiN, ZrN слоев: 1,0 Па; 80 А; 200 В; 270 мм; 90 %.

**Общие ТехП МР при осаждении TiN и ZrN слоев: 1,0 Па; 80 В; 100 мм; 35 %; N = 2,03 кВт для TiN слоев; N = 2,09 кВт для ZrN слоев.

55

Двухкомпонентные (TiN, ZrN) слои покрытий методом ЭДИ фор-

мируются в интервале Тс = 620…755 К и Vнагр.с = 1,6…4,7 К/мин, а процесс МР протекает в области более низких ТемП: Тс = 605…635 К

и Vнагр.с = 0,1…0,9 К/мин. В связи с существующей зависимостью Тс от условий термической обработки подложки, осаждения подслоя и самого слоя покрытия: степени ионизации парового потока, комбинированного действия ТехП и энергии, передаваемой в формируемый слой покрытия, его структура и свойства будут различаться с изменением типа источника плазмы и ТемП: Тнач.с и Vнагр.с в процессе осаждения.

2.4. Эксплуатационные характеристики используемых для упрочнения ТИ и ПТ двухкомпонентных слоев покрытий

Износостойкое покрытие с высокой твердостью, высокой энергоемкостью, хорошей термостойкостью, сопротивляемостью к термическим ударам и коррозии используется для упрочнения быстрорежущей стали Р6М5 и твердого сплава ВК8 при обработке титановых и жаропрочных сплавов, поскольку она химически инертна к Ti, теплостойка и имеет низкую теплопроводность. Свойства известных ZrN покрытий приведены табл. 3.

Таблица 3 Физико-механические свойства и внутренние напряжения

вZrN покрытиях (Н – твердость, Е – модуль Юнга, Н/Е – стойкость

покрытия к упругой деформации, σвн – внутренние напряжения, Fкр – критическая нагрузка)

Материал

Метод

Н,

Е,

Н/Е

σвн,

Адгезия

Источник

слоя покрытия

осаждения

ГПа

ГПа

 

ГПа

(Fкр, Н)

 

ZrN

ЭДИ

46

460

0,10

[168]

ZrN

ЭДИ

25…28

40…57

[163]

Zr-ZrN

ЭДИ

31

345

0,09

–5,6

57

[169]

Известно, что высокими ФМС, ИАС и коррозионными свойствами (табл. 4) помимо многокомпонентных покрытий могут обладать и высокоэкономичные высокотвердые покрытия на основе TiN [17, 170– 173, 284–286, 294, 301–308] и ZrN [287–290, 295, 296, 306–310] с ми-

нимальным размером нанокристаллитов (зерен) до 3…5 нм.

56

Таблица 4

Физико-механические свойства, размер ОКР и внутренние напряжения в TiN покрытиях (Н3/Е*2 – стойкость покрытия к пластической деформации)

Материал покрытия /

Н,

Е, ГПа

Н/Е

Н3/Е*2,

Размер

Тип

σвн, ГПа

Источник

метод осаждения

ГПа

ГПа

ОКР, нм

текстуры

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TiN / ЭДИ

33…56

402…480

0,222…0,806

10

[174]

TiN / ЭДИ

25…27

320

0,089…0,100

0,197…0,270

15…30

(111)

[170]

TiN / ЭДИ

41…53

410…440

0,100…0,129

0,430…0,885

15…30

(111)

[170]

TiN / ЭДИ

34…39

[173]

TiN / ЭДИ

45…47

[173]

TiN / ЭДИ

45

0,527

0,9…2,9

[175]

TiN / ЭДИ

40...68

410...470

0,145

1,15

15…30

(111)

[173]

TiN / ЭДИ

56…59

[173]

TiN / ВЧ МР

30…34

[176]

57

3.УСТАНОВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ

ИТЕМПЕРАТУРНЫХ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕРМИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ ПОДЛОЖКИ

ИКАТОДОВ/МИШЕНЕЙ, ТехП И ТемП ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСОБЕННОСТЕЙ ИСТОЧНИКА ПЛАЗМЫ

3.1.Методика исследования структуры

иморфологических особенностей поверхности многокомпонентных слоев многослойных покрытий

Для комплексного исследования процесса структурообразования двухкомпонентных (TiN, ZrN) слоев многослойных покрытий при различных ТехП и ТемП термической обработки подложки и их осаждения с использованием электродугового испарителя и/или магнетронного распылителя необходимо использовать электронную микроскопию высокого разрешения:

сканирующую: растровые микроскопы: аналитический автоэмиссионный Ultra 55 с приставкой EDX-анализа, BS 300 с приставкой для микроанализа EDAX Genesis 2000, Leo1430 VP с энергодисперсион-

ным спектрометром INCA Energy-300, CARL ZEISS LEO 1430 VP, TESLA BS350;

просвечивающую: микроскоп JEM-200CX;

атомно-силовую: микроскопы: «Наноскан», Digital Instruments, «Фемтоскан», ТМХ-2100 «ACCUREX», зондовая нанотехнологическая установка «Луч-2»;

туннельную: НТК «Умка», СММ-2000Т.

58

3.2. Изучение процесса структурообразования двухкомпонентных слоев покрытий на кратковременно нагретой подложке в зависимости от технологических особенностей источника

плазмы, ТехП и ТемП процесса осаждения

3.2.1. Изучение процесса структурообразования двухкомпонентных TiN покрытий в зависимости от ТехП и ТемП процесса ЭДИ

Изучение влияния содержания азота в газовой смеси (N2 =

=30 %) и созданных ТемП (Тс = 615…660 К = (0,191…0,205)Тпл, Vнагр.с = 1,6 К/мин) на процесс структурообразования TiN покрытий

TiN слои покрытий при формировании их с минимальным содер-

жанием N2 (30 %) в газовой смеси имеют максимальную шероховатость поверхности, вызванную ее эрозией при распылении, и максимальные дефекты в виде нарушения сплошности на границе раздела зерен (рис. 4, а), растрескивания (рис. 4, б) и выкрашивания (рис. 4, в) зерен, зернограничного разрушения слоя (рис. 4, г) вследствие интенсивной ионной бомбардировки.

а

б

вг

Рис. 4. Дефекты поверхности TiN слоя покрытия, сформированного ЭДИ при N2 = 30 %. Максимальный размер зерна 4,5×29,0 мкм (Vнагр.подл = 70 К/мин)

59

Формирование поликристаллического TiN слоя покрытия в условиях интенсивной ионной бомбардировки в области самых низких температур Тс = 615…660 К = (0,191…0,205)Тпл (ТплTiN = 3223 К) и ми-

нимальной Vнагр.с = 1,6 К/мин связано с последовательностью следующих стадий (рис. 5): глобулярная с размером глобул до Ø 9,0 мкм (рис. 5, а); объединение глобул с максимальным размером Ø 6,5...7,5 мкм

а б

в

г

д

е

жз

Рис. 5. Стадии структурообразования TiN слоя покрытия методом ЭДИ при N2 = 30 % (ал). Несплошность («недостаток») материала

слоя покрытия (м) (Vнагр.подл = 70 К/мин) (см. также с. 61)

60