- •Введение
- •§1. Классификация технической керамики
- •§2. Технология изготовления керамики
- •2.1. Выбор и подготовка исходных компонентов
- •2.2. Расчет шихты
- •2.3. Смешивание
- •2.4. Обезвоживание и сушка
- •2.5. Гранулирование шихты
- •2.6. Формование заготовок (прессование)
- •2.6.1. Холодное прессование в пресс-формах
- •2.6.2. Мундштучное прессование
- •2.6.3. Изостатическое прессование
- •2.6.4. Прессование взрывом
- •2.6.5. Вибрационное уплотнение
- •2.6.6. Горячее прессование
- •2.6.7. Горячее литье
- •2.7. Высокотемпературный обжиг (спекание)
- •Контрольные вопросы
- •§3. Свойства керамических материалов
- •3.1. Конденсаторная керамика
- •Особенности физических свойств титаната бария
- •3.2. Позисторная керамика
- •3.3. Пьезокерамические материалы
- •3.4. Стеклокерамика (ситаллы)
- •3.5. Ферритовая керамика
- •3.5.1 Свойства ферромагнитных материалов
- •3.5.2. Способы изготовления ферритов
- •3.5.3. Промышленные ферромагнитные материалы
- •Контрольные вопросы
- •§4. Методы испытания керамики
- •4.1. Определение влажности материалов
- •4.1.1. Весовой метод
- •4.2. Определение удельного и объемного веса материалов пикнометрическим методом
- •4.3. Определение гранулометрического состава
- •4.3.1. Ситовой анализ
- •4.3.2. Седиментометрический анализ
- •4.4. Определение водопоглощения
- •4.5. Методы определения пьезоэлектрических характеристик
- •4.5.1. Квазистатический метод
- •4.5.2. Динамические методы
- •Метод "резонанса-антирезонанса"
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •§ 1. Классификация технической керамики………. … 4
- •§ 2. Технологическая схема изготовления керамики … .9
- •§ 3. Свойства керамических материалов ……………… 43
- •§ 4. Методы испытания керамики.........................……… 89
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
4.5.2. Динамические методы
Динамические методы определения пьезо-электрических характеристик кристаллов связаны с возбуждением в них упругих колебаний и распространением акустических волн. Для определения коэффициента электромеханической связи Kсв через пьезоэлектрические коэффициенты необходимо знать значения диэлектрической проницаемости (εij) и непроницаемости (ij), а также компоненты тензоров упругой податливости (smn) и упругой жесткости (cmn). Диэлектрическая проницаемость εij обычно рассчитывается из измерений электрической емкости образца по мостовой схеме.
Для нахождения упругих характеристик smn и cmn нужно определить плотность вещества и скорость распространения в нем акустических волн либо измерить геометрические размеры образца и частоту резонансных колебаний образца. Рассмотрим основные виды акустических волн в пьезоэлектрическом кристалле и найдем, как связаны между собой их скорости и упругие постоянные smn и cmn.
Метод "резонанса-антирезонанса"
Определение параметров пьезоэлектриков методом резонанса-антирезонанса обычно производят с помощью схемы, приведенной на рис. 4.3. Схема содержит плавно перестраиваемый генератор (1), электронный частотомер (2) и резистор (3), предназначенный для уменьшения влияния реактивной составляющей выходного сопротивления генератора на результаты измерений. Последовательно с генератором в цепь включают исследуемый образец пьезоэлектрического материала с нанесенными электродами. Прежде всего, для этого необходимо измерить резонансную fр и антирезонансную fа частоты резонатора, которые являются частотами механического резонанса электрически свободного и электрически зажатого образца, соответственно. Значения частот fр и fа определяют экспериментально. Для этого плавно изменяют частоту генератора 1 (рис. 4.3) и посредством частотомера 2 находят частоты fр и fа, соответствующие максимальному и минимальному отклонению стрелки вольтметра 6, причем fа > fр.
Частота fр соответствует максимуму, а частота fа - минимуму на зависимости U(f):
,
.
Эти частоты имеют следующий физический смысл. Когда частота задающего генератора такова, что выполняется условие pL - (pC)-1 = 0 для пьезоэлектрической ветви контура, сопротивление контура становится минимальным (равным R) и через кристалл течет большой ток. Поэтому частота
называется резонансной. При повышении частоты задающего генератора наступает момент (=а), когда выполняется условие
.
Полное сопротивление контура (импеданс) становится максимальным, а ток в цепи – минимальным. Эта частота называется антирезонансной:
.
По максимуму и минимуму тока в цепи регистрируют р и а.
Рис. 4.3. Схема для определения резонансной и антирезонансной частот: 1 - генератор, 2 - электронно-счетный частотомер, 3 - согласующее сопротивление, 4 - образец, 5 - сопротивление нагрузки, 6 - милливольтметр
Из двух последних выражений легко получить связь между измеряемыми частотами fр и fа и эквивалентным параметром С:
.
Статическая емкость резонатора С0 может быть вычислена по обычной формуле плоского конденсатора (или измерена с помощью моста для измерения емкостей):
,
здесь - диэлектрическая проницаемость; S - площадь электрода, d - расстояние между электродами, 0 = 8,8510-12 Ф/м - электрическая постоянная.
Таким образом, измерив fp и fa, можно вычислить эквивалентный параметр С по выше приведенной формуле.
Эквивалентный параметр L находится по формуле
.
Эквивалентный параметр R можно определить так называемым методом замещения. Известно, что на резонансной частоте сопротивление резонатора равно сопротивлению R эквивалентной цепи. Поэтому, заменив резонатор магазином сопротивлений и подобрав сопротивление, равное тому, которое имел резонатор в момент резонанса, можно определить R.
Выше уже говорилось, что частота р позволяет определить упругие характеристики кристалла. Знание обеих величин р и а позволяет определять важнейшие пьезоэлектрические характеристики – коэффициент электромеханической связи К и пьезомодуль d. Покажем это.
Резонанс наступает при . Здесь – упругая податливость кристалла при замкнутых электродах, когда напряженность поля Е=0. Условие антирезонанса (резонанса токов) соответствует минимуму тока, а при R << L току
,
где q – заряд на поверхности пьезокристалла. Отсюда следует, что q = const, а следовательно, и поляризация Р = const. Кристалл при наступлении антирезонанса оказывается элек-трически зажатым. Скорость акустических волн в кристалле в этом случае будет определяться соотношением
.
Здесь – упругая податливость кристалла при разомкнутых электродах, когда электрическая индукция D = const. Антирезонансные колебания, как и резонансные, соответствуют стоячей волне в стержне, когда на длине стержня укладывается половина длины волны, т.е. = 2 . В соответствии с этим
,
Отсюда
.
Поскольку sD < sE, то а > p. Таким образом, получим:
.
Следовательно, знание p и а позволяет определять smn и К.
При условии << и, а p
.
Более точное соотношение между К2 и относительным резонансным промежутком имеет вид
. )
Оставляя только первый член этого ряда, имеем
.