- •1. Особенности микроволнового диапазона электромагнитных колебаний. Применение микроволновых приборов:
- •3. Основные уравнения микроволновой электроники – уравнения электродинамики и уравнения движения заряженных частиц в вакууме и твердом теле.
- •В вакууме:
- •В твердом теле:
- •5. Наведённый ток. Теорема Шокли-Рамо. Упрощённое выражение для мощности взаимодействия. Удельная мощность потока с переменным полем.
- •6. Наведённый ток. Время и угол пролёта носителей заряда в пространстве взаимодействия, коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •7. Анализ особенностей движения носителей заряда в вакууме и твердом теле. Сравнение типовых значений скорости носителей и плотности зарядов. Направления совершенствования приборов.
- •9. Понятия о колебательных и волновых явлениях в потоках заряженных частиц (пзч). Плазменные колебания в твердом теле.
- •10. Приборы с квазистатическим управлением. Причины ограничения частотного диапазона приборов данного класса. Характерные конструкции.
- •11. Приборы с динамическим управлением о-типа с кратковременным взаимодействием: клистроны. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре. Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •Клистроны
- •Принцип действия и схема клистрона:
- •Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре.
- •Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •12. Приборы с динамическим управлением о-типа: лампы бегущей и обратной волны. Скоростная модуляция в замедляющей системе, сопротивление связи.
- •13. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре резонатора и замедляющей системе. Коэффициент взаимодействия, сопротивление связи.
- •Конструкции и параметры приборов.
- •15. Приборы со скрещенными полями (м-типа): - магнетроны, амплитроны и митроны. Принцип действия, коэффициент полезного действия. Основные конструктивные разновидности. Сравнение с приборами о-типа
- •Работа магнетрона в статическом режиме, т.Е. При отсутствии вч поля. (Принцип действия)
- •Амплитрон (платинотрон)
- •16. Гирорезонансные приборы. Гиротрон – источник мощного излучения в мм диапазоне. Принцип действия. Типовые конструкции. Параметры.
- •17. Релятивистские приборы. Лазеры на свободных электронах: принцип действия характеристики.
- •18. Классификация диодов с положительным динамическим сопротивлением. Функциональная роль (на примере типового приемо-передатчика). Омические и барьерные контакты в структурах диодов.
- •20. Диоды с положительным динамическим сопротивлением: смесительные диоды: конструкция, вах, вч параметры, эквивалентная схема. Особенности схемотехнического применения. Принцип действия смесителя.
- •24. Динамическое сопротивление полупроводникового образца. Слоистые структуры. Способы получения отрицательного динамического сопротивления.
- •27. Способы повышения предельной частоты и мощности транзистора. Сравнение материалов для изготовления транзисторов: кремний, арсенид галлия, карбид кремния, нитрид галлия, фосфид индия, алмаз.
- •28. Схемотехнические аспекты применения транзисторов в микроволновом диапазоне. Малошумящий усилитель.
- •29. Природа шумов в птш. Шумовая схема полевого транзистора. Анализ экспериментальных шумовых характеристик и их интерпретация.
- •30. Моделирование транзисторов: локально-полевая модель Шокли, модель двух областей, температурные модели.
- •32. Способы повышения предельной частоты и мощности микроволнового биполярного транзистора. Выбор материалов для изготовления транзисторов.
- •33. Схемотехнические аспекты применения биполярных транзисторов в микроволновом диапазоне. Усилитель мощности.
- •34. Источники шумов в элементах микроволновых цепей. Спектральные и корреляционные характеристики. Математическое описание мощности шума: формула Найквиста, формула Ван-дер-Зила.
- •35. Описание шумов двух и четырехполюсника. Эквивалентное шумовое представление диодов, транзисторов и пассивных элементов. Расчет коэффициента шума каскадного соединения.
- •36. Способы снижения коэффициента шума приборов. Сравнительная характеристика приборов по шумовым параметрам.
11. Приборы с динамическим управлением о-типа с кратковременным взаимодействием: клистроны. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре. Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
(просто про приборы О-типа)
Электровакуумными микроволновыми приборами типа «О» называют приборы с динамическим управлением, имеющие прямолинейный электронный поток (луч). Этот поток взаимодействует со стоячими или бегущими электромагнитными волнами. Постоянное магнитное поле в этих приборах если и используется, то только для транспортировки потока и не участвует в процессе взаимодействия. К числу приборов этого типа относятся клистроны, лампы бегущей волны, лампы обратной волны и гибридные приборы.
По характеру взаимодействия пучка и поля различают приборы с дискретным (кратковременным) взаимодействием и приборы с непрерывным (длительным) взаимодействием. К первому типу приборов относятся клистроны, в которых в качестве электродинамической системы применяются резонаторы. Взаимодействие пучка и поля происходит дискретно в узких зазорах взаимодействия резонаторов. Непрерывное взаимодействие реализуется в лампах бегущей и обратной волны, где электронный пучок непрерывно и длительно взаимодействует с полем, имеющим вид бегущей волны. Существуют также гибридные приборы, в которых используются оба типа взаимодействия.
Клистроны
Для усиления СВЧ колебаний средней и большой мощность в сравнительно узкой полосе частот в настоящее время широко используются многорезонаторные усилительные клистроны. Клистроны содержат в своей конструкции следующие основные элементы: устройство управления, состоящее из входного резонатора с элементом связи и промежуточных резонаторов; устройство отбора мощности, представляющее собой выходной резонатор с элементом связи, вспомогательные устройства – магнитная или электростатическая фокусирующая система, коллектор электронов, вакуумная оболочка. На практике устройство формирования электронного потока вместе с фокусирующей системой называют электронно-оптической системой (ЭОС), а систему резонаторов с элементами связи – электродинамической системой (ЭДС) клистрона.
Принцип действия и схема клистрона:
Рассмотрим устройство и принцип действия на примере двухрезонаторного пролетного клистрона:
Рисунок 4. Схема двухрезонаторного клистрона
Входной резонатор прибора возбуждается от внешнего источника, и на его зазоре взаимодействия возникает переменное электрическое поле. Электронный луч, формируемый электронной пушкой, состоящей из катода и анода, поступает в зазор первого резонатора, где он подвергается воздействию переменного электрического поля, что приводит к модуляции скорости электронов. Модулированный по скорости пучок входит в пространство дрейфа, где происходит процесс группирования электронов. Электронный пучок становится неоднородным по плотности, и возникает переменный конвекционный ток в виде последовательности сгустков. Последние, проходя зазор выходного резонатора, возбуждают в нем колебания. Электрическое поле этих колебаний в зазоре резонатора тормозит сгустки электронов, часть кинетической энергии которых передается электромагнитному полю резонатора. С точки зрения теории излучения, под воздействием поля резонатора возникает индуцированное тормозное излучение электронов. Отработавшие электроны улавливаются коллектором.