
- •1. Особенности микроволнового диапазона электромагнитных колебаний. Применение микроволновых приборов:
- •3. Основные уравнения микроволновой электроники – уравнения электродинамики и уравнения движения заряженных частиц в вакууме и твердом теле.
- •В вакууме:
- •В твердом теле:
- •5. Наведённый ток. Теорема Шокли-Рамо. Упрощённое выражение для мощности взаимодействия. Удельная мощность потока с переменным полем.
- •6. Наведённый ток. Время и угол пролёта носителей заряда в пространстве взаимодействия, коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •7. Анализ особенностей движения носителей заряда в вакууме и твердом теле. Сравнение типовых значений скорости носителей и плотности зарядов. Направления совершенствования приборов.
- •9. Понятия о колебательных и волновых явлениях в потоках заряженных частиц (пзч). Плазменные колебания в твердом теле.
- •10. Приборы с квазистатическим управлением. Причины ограничения частотного диапазона приборов данного класса. Характерные конструкции.
- •11. Приборы с динамическим управлением о-типа с кратковременным взаимодействием: клистроны. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре. Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •Клистроны
- •Принцип действия и схема клистрона:
- •Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре.
- •Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •12. Приборы с динамическим управлением о-типа: лампы бегущей и обратной волны. Скоростная модуляция в замедляющей системе, сопротивление связи.
- •13. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре резонатора и замедляющей системе. Коэффициент взаимодействия, сопротивление связи.
- •Конструкции и параметры приборов.
- •15. Приборы со скрещенными полями (м-типа): - магнетроны, амплитроны и митроны. Принцип действия, коэффициент полезного действия. Основные конструктивные разновидности. Сравнение с приборами о-типа
- •Работа магнетрона в статическом режиме, т.Е. При отсутствии вч поля. (Принцип действия)
- •Амплитрон (платинотрон)
- •16. Гирорезонансные приборы. Гиротрон – источник мощного излучения в мм диапазоне. Принцип действия. Типовые конструкции. Параметры.
- •17. Релятивистские приборы. Лазеры на свободных электронах: принцип действия характеристики.
- •18. Классификация диодов с положительным динамическим сопротивлением. Функциональная роль (на примере типового приемо-передатчика). Омические и барьерные контакты в структурах диодов.
- •20. Диоды с положительным динамическим сопротивлением: смесительные диоды: конструкция, вах, вч параметры, эквивалентная схема. Особенности схемотехнического применения. Принцип действия смесителя.
- •24. Динамическое сопротивление полупроводникового образца. Слоистые структуры. Способы получения отрицательного динамического сопротивления.
- •27. Способы повышения предельной частоты и мощности транзистора. Сравнение материалов для изготовления транзисторов: кремний, арсенид галлия, карбид кремния, нитрид галлия, фосфид индия, алмаз.
- •28. Схемотехнические аспекты применения транзисторов в микроволновом диапазоне. Малошумящий усилитель.
- •29. Природа шумов в птш. Шумовая схема полевого транзистора. Анализ экспериментальных шумовых характеристик и их интерпретация.
- •30. Моделирование транзисторов: локально-полевая модель Шокли, модель двух областей, температурные модели.
- •32. Способы повышения предельной частоты и мощности микроволнового биполярного транзистора. Выбор материалов для изготовления транзисторов.
- •33. Схемотехнические аспекты применения биполярных транзисторов в микроволновом диапазоне. Усилитель мощности.
- •34. Источники шумов в элементах микроволновых цепей. Спектральные и корреляционные характеристики. Математическое описание мощности шума: формула Найквиста, формула Ван-дер-Зила.
- •35. Описание шумов двух и четырехполюсника. Эквивалентное шумовое представление диодов, транзисторов и пассивных элементов. Расчет коэффициента шума каскадного соединения.
- •36. Способы снижения коэффициента шума приборов. Сравнительная характеристика приборов по шумовым параметрам.
3. Основные уравнения микроволновой электроники – уравнения электродинамики и уравнения движения заряженных частиц в вакууме и твердом теле.
Пора бы выучить уравнения Максвелла, а то как-то некруто :(
-
rotH (ротор
напряженности магнитного поля)
-
divD (дивергенция
индукции электрического поля)
Уравнения Максвелла:
(1)
J- ток конфекционный определяет движение свободных носителей
D-индукция электрического поля
H- напряженность магнитного поля
Rot- удельная циркуляция
С точки зрения создания магнитного поля мы не можем отличить ток смещения от тока свободных зарядов
(2)
Закон электромагнитной индукции
(3)
Источников магнитного поля нет, линии поля всегда замкнуты сами на себя
(4)
Плотность заряда определяют аналогичным выражением:
Источником электрического поля являются заряды
(5)
(6)
Материальные уравнения
Взаимодействие частиц с внешним полем зависящее от материала
Вычислив дивергенцию левой и правой части уравнения (1), и подставив в результат уравнение (3), получим уравнение непрерывности:
Перенося ток смещения в правую часть (1) и вычислив дивергенцию левой и правой части уравнения (1), получим закон полного тока:
Закон полного тока означает что линии полного тока тоже должны быть непрерывны:
Рисунок 1
Уравнения движения заряженных частиц в вакууме и твердом теле.
Из электродинамики известно, что, если ЗЧ движется в инерциальной системе координат прямолинейно и равномерно, она не излучает.
Однако если она движется в электрическом поле с замедлением, ее кинетическая энергия уменьшается. Избыток энергии излучается в виде квантов электромагнитного излучения (фотонов). Этот процесс называют тормозным излучением. Мощность излучения определяется формулой:
где q — заряд частицы; a — ее замедление. При ускорении частица забирает эту мощность от электромагнитного поля, поглощая фотоны.
Движение заряженной частицы в вакууме определяется уравнением:
где p = mv — импульс частицы; q, m, v — ее заряд, масса и скорость. В правой части уравнения стоит сила, с которой поле действует на ЗЧ (сила Лоренца). Сила Лоренца создается полным полем, действующим на частицу. Это поле является суммой внешнего по отношению к данной частице электромагнитного поля и поля, создаваемого самими частицами. Суммарное поле, воздействуя на частицы, изменяет их положения и скорости, что приводит к изменению поля, излучаемого этими частицами. Таким образом, в электронике необходимо решать так называемую самосогласованную задачу, учитывая взаимное влияние поля и заряженных частиц.
Магнитное поле не производит работу над частицей. Мощность взаимодействия частицы с электромагнитным полем:
может быть как положительной (поле отдает часть своей энергии частице), таки отрицательной (частица отдает энергию полю). Именно последний эффект используется в микроволновых электронных приборах.
В
случае, если вводится поправка
,
то кинетическая составляющая энергии
в
изменяется и через закон сохранения
энергии (кинет-потенц), получаем
.
Если
его решить, то получим скорость:
, где
- релятивистский фактор. Для электронов
(q=-e, m0=me)
Рисунок 2. Зависимость скорости электрона от ускоряющего напряжения: 1 – без релятивистской поправки; 2 – с поправкой