
- •1. Особенности микроволнового диапазона электромагнитных колебаний. Применение микроволновых приборов:
- •3. Основные уравнения микроволновой электроники – уравнения электродинамики и уравнения движения заряженных частиц в вакууме и твердом теле.
- •В вакууме:
- •В твердом теле:
- •5. Наведённый ток. Теорема Шокли-Рамо. Упрощённое выражение для мощности взаимодействия. Удельная мощность потока с переменным полем.
- •6. Наведённый ток. Время и угол пролёта носителей заряда в пространстве взаимодействия, коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •7. Анализ особенностей движения носителей заряда в вакууме и твердом теле. Сравнение типовых значений скорости носителей и плотности зарядов. Направления совершенствования приборов.
- •9. Понятия о колебательных и волновых явлениях в потоках заряженных частиц (пзч). Плазменные колебания в твердом теле.
- •10. Приборы с квазистатическим управлением. Причины ограничения частотного диапазона приборов данного класса. Характерные конструкции.
- •11. Приборы с динамическим управлением о-типа с кратковременным взаимодействием: клистроны. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре. Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •Клистроны
- •Принцип действия и схема клистрона:
- •Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре.
- •Коэффициент взаимодействия, электронная нагрузка.
- •12. Приборы с динамическим управлением о-типа: лампы бегущей и обратной волны. Скоростная модуляция в замедляющей системе, сопротивление связи.
- •13. Скоростная модуляция в высокочастотном зазоре резонатора и замедляющей системе. Коэффициент взаимодействия, сопротивление связи.
- •Конструкции и параметры приборов.
- •15. Приборы со скрещенными полями (м-типа): - магнетроны, амплитроны и митроны. Принцип действия, коэффициент полезного действия. Основные конструктивные разновидности. Сравнение с приборами о-типа
- •Работа магнетрона в статическом режиме, т.Е. При отсутствии вч поля. (Принцип действия)
- •Амплитрон (платинотрон)
- •16. Гирорезонансные приборы. Гиротрон – источник мощного излучения в мм диапазоне. Принцип действия. Типовые конструкции. Параметры.
- •17. Релятивистские приборы. Лазеры на свободных электронах: принцип действия характеристики.
- •18. Классификация диодов с положительным динамическим сопротивлением. Функциональная роль (на примере типового приемо-передатчика). Омические и барьерные контакты в структурах диодов.
- •20. Диоды с положительным динамическим сопротивлением: смесительные диоды: конструкция, вах, вч параметры, эквивалентная схема. Особенности схемотехнического применения. Принцип действия смесителя.
- •24. Динамическое сопротивление полупроводникового образца. Слоистые структуры. Способы получения отрицательного динамического сопротивления.
- •27. Способы повышения предельной частоты и мощности транзистора. Сравнение материалов для изготовления транзисторов: кремний, арсенид галлия, карбид кремния, нитрид галлия, фосфид индия, алмаз.
- •28. Схемотехнические аспекты применения транзисторов в микроволновом диапазоне. Малошумящий усилитель.
- •29. Природа шумов в птш. Шумовая схема полевого транзистора. Анализ экспериментальных шумовых характеристик и их интерпретация.
- •30. Моделирование транзисторов: локально-полевая модель Шокли, модель двух областей, температурные модели.
- •32. Способы повышения предельной частоты и мощности микроволнового биполярного транзистора. Выбор материалов для изготовления транзисторов.
- •33. Схемотехнические аспекты применения биполярных транзисторов в микроволновом диапазоне. Усилитель мощности.
- •34. Источники шумов в элементах микроволновых цепей. Спектральные и корреляционные характеристики. Математическое описание мощности шума: формула Найквиста, формула Ван-дер-Зила.
- •35. Описание шумов двух и четырехполюсника. Эквивалентное шумовое представление диодов, транзисторов и пассивных элементов. Расчет коэффициента шума каскадного соединения.
- •36. Способы снижения коэффициента шума приборов. Сравнительная характеристика приборов по шумовым параметрам.
17. Релятивистские приборы. Лазеры на свободных электронах: принцип действия характеристики.
Основной задачей СВЧ электроники является увеличение выходной мощности прибора, которая черпается из мощности электронных потоков Поэтому увеличение мощности возможно за счет повышения переносимых электронами токов. Учитывая закон степени 3/2, связывающий токи и напряжения в электронных системах, работающих при ограничении тока пространственным зарядом, можно сказать, что, при большом увеличении мощности электронных потоков, мы в конце концов, вынуждены будем использовать электроны с релятивистскими скоростями. Отсюда и возникло название для такого типа приборов.
Релятивистские приборы делятся на два типа:
• Классические
• Специфические
К классическим относятся: Клистрон, ЛБВ (ЛОВ), магнетрон
К специфическим: убитрон, ЛСЭ, скертрон
Релятивистский клистрон:
Рисунок 1 – Схема релятивистского клистрона: а — двухкаскадного; б — трехкаскадного. 1, 2 — лезвийный катод и анод, 3 — трубчатый электронный поток, 4 — модулирующая канавка, 5, 6 — отбирающие канавки, 7 — выходной рупор
Электронный поток 3, сформированный электронной пушкой 1, 2 подается на вход электродинамической системы генератора, состоящей из отрезка полого цилиндрического нерегулярного волновода на котором имеется одна модулирующая канавка 4 и одна или две отбирающие канавки 5, 6. Между канавками 4, 5 находится регулярный участок дрейфа и группирования электронного пучка. Модулирующая канавка 4 полностью отражает Е01-волну и заграждает катод. Её параметры подбираются из условия полного отражения Е01-волны на рабочей частоте. Параметры же канавок 5, 6 и связанного с ними и согласованного с рупором 7 выходного волновода подбираются такими, чтобы обеспечить нагруженную добротность резонансной системы канавка-дрейф-канавка-вывод энергии в пределах 100–200. Вывод СВЧ-мощности на волне Е01 производится через выходной рупор 7. Отработавший электронный поток осаждается на стенку волновода сразу за отбирающими канавками.
Таблица 1 – Параметры релятивистского клистрона
Частота, ГГц |
Выходная мощность, МВт |
Коэф. усиления, дБ |
КПД, % |
Ускоряющее напряжение, кВ |
Ток луча, А |
Число резонаторов |
Длина прибора, см |
8,57 |
200 |
65 |
50 |
1000 |
750 |
6 |
98 |
Источник: https://cyberleninka.ru/article/n/relyativistskiy-klistron-generator-s-prostranstvenno-razvitym-silnotochnym-puchkom/viewer
Релятивистская ЛОВ:
Рисунок 2 – Схема релятивистской ЛОВ. 1 - катод; 2 - рефлектор; 3 - волновод-отсечка; 4 - замедляющая система; 5 - пучок; 6 - соленоид
Таблица 2 – Параметры релятивистских ЛОВ
Разработка |
F, ГГц |
Тип волны |
U0, кВ |
I0, кА |
|
P, МВт |
ФИАН |
9,7 |
Е01 |
600 |
4 |
15 |
350 |
США |
10,3 |
Е11 |
500 |
3 |
20 |
500 |
США |
10 |
Е02 |
1400 |
10 |
1400 |
200 |
Источник: http://www.iep.uran.ru/russian/leu/Sharypov_thesis.pdf
Релятивистский магнетрон:
Рисунок 3 – Схема устройства релятивистского магнетрона. 1 – холодный катод из графита, 2 – анод с восемью щелевыми резонаторами, 3 – отрезок регулярного волновода, 4 – вакуумное окно, 5 – рупор, 6 – магнит
Особенностью этого магнетрона является дифракционный вывод энергии, который, кроме увеличения электрической прочности, позволяет возбудить рабочий тип волны в выходном волноводе (в данном случае Н41). Для этого глубина щелевых резонаторов в анодном блоке плавно уменьшается до нуля при переходе к регулярному волноводу.
Магнитная система релятивистских магнетронов должна обеспечивать необходимое значение индукции магнитного поля, которая увеличивается с ростом анодного напряжения. Для получения требуемой индукции используются, как правило, соленоиды или сверхпроводящие магниты.
В настоящее время релятивистский магнетрон – наиболее простой и надежный прибор, позволяющий получать импульсы гигаваттного уровня мощности. К сожалению, эти приборы не могут эффективно работать на частотах более 10 ГГц, так размеры анодного блока становятся слишком малыми, что вызывает пробои и трудности с отводом тепла.
Таблица 3 – Параметры релятивистских магнетронов
Разработчик |
Число резонаторов |
Длина волны, см |
Напряжение анода, МВ |
Выходная мощность, ГВт |
Длительность импульса, нс |
КПД, % |
ИПФ АН |
8 |
3,3 |
0,57 |
0,5 |
20 |
15 |
ТПИ |
6 |
10 |
1 |
10 |
30 |
43 |
CPI (Канада) |
6 |
10 |
0,9 |
4,5 |
- |
25 |
SLAC (США) |
6 |
10 |
0.36 |
1.7 |
20 |
35 |
Лазеры на свободных электронах (ЛСЭ)
Рисунок 4 – Схема лазера на свободных электронах. 1 – входящий электронный пучок 2 – ондулятор 3 – отработавший электронный пучок 4 – входящее излучение 5 – усиленное излучение
ЛСЭ – это приборы, преобразующие энергию ультрарелятивистских электронов (т. е. электронов, энергия которых во много раз превышает их энергию покоя 0,511 МэВ = 0,8·10-13 Дж), в энергию электромагнитного излучения.
Для того, чтобы релятивистские электроны сильно (резонансно) взаимодействовали с электромагнитной волной, их траекторию, которая в пустом пространстве является прямой, делают слегка периодически искривленной – в виде спирали или волнистой линии. Магнитную систему, с магнитным полем, необходимым для создания такой траектории, называют ондулятором или вигглером. Если при прохождении одного
периода траектории электрон отстает от электромагнитной волны ровно на одну длину волны (это условие называется условием синхронизма), то такая волна может эффективно замедлять электрон вдоль всей волнистой траектории. В этом случае поле излучения электрона будет складываться с полем начальной волны, усиливая последнюю (раз электрон замедляется, он теряет энергию, которая переходит в волну).
Пусть электронный пучок и электромагнитная волна входят в ондулятор. Если энергия электронов и длина волны таковы, что удовлетворяется условие синхронизма, то одна половина электронов начинает терять энергию, а другая, поступившая в ондулятор на половину периода волны позже – набирать. Таким образом, сначала средняя энергия электронов не меняется, но происходит модуляция энергии, т. е., пучок разбивается на слои толщиной в половину длины волны с чередующимся отклонением энергии от начальной. Однако частицы с меньшей энергией летят медленнее, а с большей – быстрее. Поэтому «быстрые» слои догоняют «медленные». Следовательно, возникают уплотнения и разрежения, т. е. модуляция плотности электронов с пространственным периодом, примерно равным длине волны. Далее повторяется то же, что было в первой половине ондулятора: одни «полуволновые» слои пучка замедляются, а другие – ускоряются, но теперь энергию теряют слои с большей плотностью частиц, а приобретают - слои с меньшей плотностью. В результате средняя энергия электронов уменьшается, а мощность электромагнитной волны растет.
Если, как и во многих других лазерах, на оси системы слева и справа от ондулятора поставить два зеркала, то волна будет циркулировать между ними и, многократно проходя через ондулятор, каждый раз усиливаться. Конечно, рост интенсивности излучения ограничен. Одной из причин ограничения интенсивности (насыщения) может быть практически полная группировка электронов во второй половине ондулятора. В этом случае дальнейший рост мощности излучения на входе ЛСЭ приводит к уменьшению группировки (разгруппировке) и, следовательно, к снижению мощности, передаваемой пучком в излучение.
Таблица 4 – Характеристики ЛСЭ-автогенератора
Электронный пучок |
|
Энергия пучка |
43 МэВ |
Релятивистский фактор |
85 |
Ток в импульсе |
1,3 А |
Длительность импульса |
3 пс |
Пространственная протяженность импульса |
1 мм |
Период следования импульсов |
25,4 мм |
Радиус пучка |
0,25 мм |
Ондулятор |
|
Длина ондулятора |
5,3 м |
Период магнитного поля |
3,3 см |
Амплитуда поля |
0,23 Т |
Резонатор и параметры излучения |
|
Расстояние между зеркалами |
12,7 м |
Радиус кривизны зеркал |
7,5 м |
Длина волны излучения |
3,3 мкм |
Размер пятна излучения |
1,6 мм |