25. Ключ с форсирующей емкостью и обр связью.

Цепочка Rб,Есм может быть вкл в любой схеме ключа. С её помощью можно ускорить время рассасывания ностеля из базы при выходе Т из насыщения. После исчезновения вх импульса эл-ны вытекая из базы Т поддерживают постоянной величину тока базы. При этом цепочка RБ,Есм смещаетраб точку Т т.о. что

на перех база-эмитор действует напряж ускоряющее пр-с рассасывания эл-нов. В отсутствии этой цепочки Uбаза-эмитор = 0. В насыщ ключе 2 фактор огранич быстродействие: 1) время перезаряда Свх; 2)режим насыщения. При налич Сф передн фронт вх импульса в осн передается ч-з эту емкость, т.к. фрон опис суммой гармоник составляющих. При этом Rг'<<Rг'' → ток заряда вх емкостей очень большой. Т.о. можно ре-гулир велич базового тока → степень насыщ Т. После исчезн вх импульса базовый ток поиеняет направл.

Такая схема позвол уменьшить степень насыщ Т. При подаче вх сигнала Т открыв → вых напряж на колект уменьш. В обычной схеме насыщ ключа мин напряж на колекторе может достигать Uкэ=0.03-0.3 В. В схеме с нелин обр связью при некотор велич напряж Uкэ = 0.1 – 0.3 В открывается

диод Д1. После этого потенциал колектора fiх на выбр уровне, т.е. Т не вх в глубокое насыщение. Под-бирая Rг1 и Rг2 можно изменять степень насыщ Т. В реальных схемах в кач-ве Д1 исп диод с маленьким падением напряж при прямом вкл (Д с барьером Шотки).

18. Схемы температурной стабилизации режима работы биполярного транзистора.

В реальной схеме не использ несколько отдель источников питания. Использ только Ек от кот с пом-ю Rб и Rк формируются все напряж и токи необх для работы тр-ра. Вх цепь вкл сопр Rб и переход эмитор-база. Ток базы явл фиксир Іб=(Ек - Uбэо)/Rб,

т.к. определяется источником питания и резистором имеющим пост величины. Напряж Uбэ обычно выбир на средине линейного участка входной хар-ки (опред матер тр-ра). Вых цепь: Ік = (Ек - Uкэ)/Rк. Раб точки (Іб, Uбэо) – вх, (Ік, Uкэо) – вых. В вых цепи тр-ра положение раб точки опред реж-мом работы рекомендов в справ для данного типа тр-ра Ік=Іб + Ікбо

Схема с колекторной стабилизацией.

Недостатком предыд схемы явл большая температ завис положения раб точки. Цепи смещения тр-ра выполняются с обр связью по пост току. В этой схеме введена отриц обр связь с колект тр-ра на его базу. Іб=Uб/Rб=(Uкэ - Uбэ)/Rб= =(Ек – ІкRк – Uбэ)/Rб

Ік=(Ек–Uкэ)/Rк Uкэ=Ек–ІкRк

С ростом темпер токи возраст т.к. уменьш Uкэ:

Т → (Іб, Іэ, Ік) → Uкэ↓ → Іб↓ → Ік↓ Ік=Іб+Ікбо – ток вых цепи опред велич тока бызы и коэф передачи . Рост Ікс ростом Т за счет темпер св-в п\п будет компенсир в схеме введен обратн связи, что видно из ур-ния. Увелич Ік вызывает уменьш Іб за счет обр связи, что возвращ Ік к исх значению.

Схема с эмиторной стабилизацией. Наиболее часто

Исп в реальной сх усилителя. 1) Uб=(Ек R2)/(R1+R2)

2) Ек= ІкRк+Uкэ+ІэRэ

3) Ік= Іб+(1+)Ікбо

С ростом Т происх рост токов Т → (Ік,Іэ,Іб) → (Uб,Uэ)↓ Uб=соnst в этом сл увеличение токов тр-ра вызывает рост напряж на эмиторе Uэ=ІэRэ→ Uбэ=Uб – Uэ Uбэ↓→Іб↓→Ік↓

4) Uб=соnst Для выполнения этого усл к схеме предъявл требования к эл-там цепи; 5) Ідел10Іб выполнение (5) означает, что базовый ток тр-ра много меньше чем Ідел и→ сопротивл вх цепи тр-ра, подключ паралл R2 очень большое и не влияет на величину Uб.

В этой схеме действ отриц обр связь по пост току, как и в люб схеме с темп стабилиз. Обр связь рассм по пост току, т.к. температ изменения медленные. Возможно ввести отриц обр связь по перем току. Если из схемы искл Сэ, то переменная сост тока вых цепи тр-ра будет через Rэ. В этом сл для полезного сигнала так же будет действовать обратная связь. ~Uбэ=~Uвх - ~Uэ. Роль Сэ:позволяет исключить отрицат обр связь для полезного сигнала. Резисторы R1,R2 позволяют выбрать положение рабочей точки на вх хар-ке тр-ра. R2 – сопротивл нагрузки в вых цепи.Ср1,Ср2 – разделяют по пост току соседние каскады усилителя.