- •1. Р-n переход.
- •2. Р-n-переход под возд внешн напряжения.
- •7. Биполярный транзистор.
- •8. Схемы включения об, оэ, ок.
- •9. Статические хар-ки биполярных транзисторов.
- •11. Полевой т с управл р-n переходом.
- •3. Полупроводниковые диоды.
- •4. Стабилитрон (стабистор).
- •5. Варикап.
- •6. Импульсные диоды.
- •44. Счетчики.
- •12. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом.
- •13. Полевой тр-р с индуцированным каналом.
- •14. Параметры полевых транзисторов.
- •15. Дифференцированные параметры биполярных транзисторов.
- •16. Системы параметров транзисторов (z,у,h).
- •25. Ключ с форсирующей емкостью и обр связью.
- •18. Схемы температурной стабилизации режима работы биполярного транзистора.
- •19. Усилители, основные характеристики.
- •20. Эквивалентная схема усилителя.
- •21. Усилители на полевых транзисторах.
- •26. Ключ переключатель тока.
- •22. Электронные ключи на биполярных тр-рах, насыщенный ключ.
- •27. Ключи на полевых транзисторах.
- •28. Логические элементы, классификация.
- •29. Ртл – элемент.
- •30. Дтл – элемент.
- •31. Ттл – элемент.
- •32. Эсл – элемент.
- •33. Кмоп – элемент.
- •34. Сравнительный анализ семейств логич эл-тов.
- •35. Триггер.
- •36. Простейший триггер.
- •37. Схема и работа симметричного триггера.
- •38. Триггер Шмидта.
- •39. Rs – триггер.
- •41. Мs – триггер, временные диаграммы.
- •42. Счетный т – триггер.
1. Р-n переход.
Р-n переход – полупроводн состоящий из 2х обл с разной проводимостью. В р-обл осн носит заряда явл дырки, в n-обл – электроны. В каждом п\п имеются основные и неосновные носители. Концентр неосн носит на 3-4 порядка меньше осн. При соединении 2х п\п с разной проводимостью вдоль их границы разделаначинается взаимод эл-нов и дырок, в рез-те образ нейтр атомы и наз такок взаимод рекомбинацией.
Эл-ны проник из n-обл в р-обл, а дырки из р в n и на месте ушедших зарядов вдоль границы раздела оста-юьт ионизир ионы примеси имеющ противопол знак. Взаимод эл-нов и дырок про-исход в основном вдоль границы разделов двух п\п. Около этой границы образ заряж слои. Они наз объединенными. После возникн 2х заряж слоев в п\п образ внутр поле. Оно препятствует дальнейшему переходу и взаимод основных носителей. Образ равновесное сост, т.е. заряж слои имеют опред ширину (w), кот определ шириной поля Е0, а она завис от материала п\п. Два объедин слоя и есть р-n-переход.
2. Р-n-переход под возд внешн напряжения.
Возм 2 варианта подачи напряж на р-n переход отлич только полярностью источн напряж. 1. При подаче прямого смещения на р-n переход (+; -), эл-ны и дырки в соседних обл движ в сторону р-n перехода. При этом происх уменьш ширины объедин слоев, т.е. ширины р-n перех, поскольку эл-ны и дырки заполн свободн места в ионах примеси. Это можно объясн взаимод поля создаваем внешн источником (Евн) и поля Е0, если Евн<Е0 – р-n переход существ, при некотор величине Евн оно полностью компенсир Ео и р-n переход исчезает. В этом случае осн носители заряда своб перемещ навстречу друг другу образуя суммарный ток І=Ір+Іn, при равенстве концентрац (р=n) І→0 рn – условие существ тока Іо (ток р-n перех при прямом смещении).
2. При подаче обратного смещения на р-n переход, эл-ны и дырки отходят от р-n перехода → образ доп ионы примеси и растет шир р-n перех. При некотор величине Евн р-n перех может занять весь объем п\п. При обратном смещении ток через р-n перех определ только неосн носителями. Т.к. их концентрац мала, ток неосн носит тоже очень мал (мкА). Величина Іо примерно пост до участка лавинного пробоя. лавинный пробой явл в принципе обратимым, т.е. при снятии напряж св-ва п\п восстанавливаются. При дальнейшем росте обратного смещения происх тепловой пробой (выгорание п\п)
7. Биполярный транзистор.
Предназн для усиления, генерирования и преобраз частоты в радиоэл схемах. Сост из 3х п\п с черед типом проводимости. Содерж 2 р-n перех (эмиторный и колекторный) и 3 вывода. Можнт нах в 1 из 4х режимов работы: в завис от величины и полярности –напряж на переходах тр-ра:
1. Реж отсечки (на оба р-n перех подает обратн смещ) 2. Реж насыщения ( на оба подает прямое смещение) 3. Активный режим (основной: тр-ром можно управлять, т.е. менять величину протек через него тока изменяя напряж на переходах Т; создается при прямом смещ на эмиторном перех и обратном на колект) 4. Инверсный режим ( обратное смещ на эмиторном перех и прямое на колекторном). Режимы насыщ и отсечки явл основными при работе Т в кач-ве эл ключа. В активном режиме Т явл усилителем.
Активный режим. При подаче напряж на эмиторный перех формир ток эмитора равный Іэ=Ір+Іn – прямой ток ч\з р-n перех. В Т всегда nр: для формир направл потока от эмитора к базе. Процесс переноса носителей заряда ч\з прямосмещ р-n перех наз инжекцией. В базе происх рекомбинац эл-нов пришедших из обл эмитора и дырок базы. Она происх частичная т.к. 1) nр 2)ширина базы w мала (ширина базы должна быть меньше, чем длина свободного пробега). Ч\з некотор время после подачи напряж смещ база оказ заполненой эл-нами. Эл-ны нах в базе подвергаются действию поля колектора, кот перемещает их ч\з колект перех в обл колектора.
Ток базы: Іэ=Ік+Ібр. Коэф инжекции (<1) γ=Іn\Іэ. Коэф экстракции (<1) ǽ=Ік\Іn. Коэф передачи тока эмитора = ǽ*γ=Ік\Іэ.