30. Дтл – элемент.

Если хотя бы на 1 из входов логич эл-та имеется уровень логич 0 то соотв вход (х3) оказывается соединенным с землейц (общ проводом). В этом сл на Д3 образуется падение напряж за счет Ід. Диод оказ вкл в прямом напряж и UА≥0,7 В. На базе тр-ра формир Uбэ=0,7 – UД4 – UД5. Если на все 3 входа пост высокий уровень, уровень 1 в базу тр-ра протекает ток то источника питания → тр-р открывается и на выходе формир уровень логич 0.

31. Ттл – элемент.

На входе вкл многоэлектронные тр-р Т1, кот выпол ф-цию И. Если хотя бы на 1 из входов имеется низкий уровень (уровень 0), Т2 оказ соединенным с общим проводом. В базовой цепи будет протекать ток и Т1 откроется. На его колекторе формируется низкий уровень, кровень 0. Низкий уровень напряж на колекторе Т1 соотв низкому уровню напряж на базе Т2, т.е. Т2 будет закрыт, т.е. напряж на колекторе Т2 = Ек., а напряж на эмиторе ~0 → Т4 будет закрыт, а Т3 открыт. На выходе формир высокий уровень (1). Диод Д1 выполн защитную ф-цию. Если на все 3 входа одновременно поступает высокий уровень 1, Т1 будет закрыт, т.е. на его аолекторе возникает высокий уровень напряжения на базе → открывание Т2. При открытом Т2 напряж его колект и эмит очень близки Uк=Uэ=Ек R4 / (R2+R4). Резисторы R2,R4 подобраны т.о. что при открытом Т2 напряж базы Т4 больше 0,7В и тр-р открывается.

32. Эсл – элемент.

Т1,Т2,Т3 – реализ ф-цию ИЛИ; Т1 – Т4 выполн ф-цию ключа переключ тока ; Т5 – генератор стабильн тока; Д1 – вып ф-цию стабистора; с пом-ю R3 можно измен величину тока; Т6 – источн опорного напряж; на базе напряж стабилизир стабилитроном Д2 → на эмиторе тоже стабильное напряж; Т7,Т8 – вых эмитор повторители. (Схема эмит повторителя позвол получ малое вых сопротивл). Опорное напряж (Uоп ~0,4В) на базе Т4 Uоп~Uпор для ключа Т4. С помощью ист тока, имеющ большое вых сопротивл создается необх ток Іо, величина кот выбирается такой., чтоб Т1 и Т4 не могли бы войти в насыщение. В этом случ, если хотя бы на 1 из входов х1 – х3 будет подано напряж больше чем Uоп → соотв тр-р Т1 – Т3 будет открыт в больш степ чем Т4 и ток будет протекать через него. При этом Т4 будет резко закр т.к. он наход на пороге срабат → на колект Т3 формир низк уровень напряж (ур-ень логич 0), а на колект Т4 – высокий (1). Эти 2 уровня поступят на вых у1,у2. Если на все 3 входа х1 – х3 подать низк ур (0) (Uвх<Uоп)→ тр-ры Т1 –Т3 буд закр и ток от ист тока через Т4 и R2 будет проход в нагр, открыв Т4. Достоинства: 1) отсутств режима насыщ → высок быстродейст 2) врем перекл наносек 3) част-ы работ МГц. Недостаток: 1) большая потребл мощность, т.к. сильное влиян напряж помехи обусл маленьким перепадом логич уровней. При активн реж нельзя обесп пере

пад логич ур большим U1–Uо=0,9В.