4. Стабилитрон (стабистор).

Это диод исп участок ВАХ РN, соотв-ий обратному эл пробою. Ему свойственна стабильность, неизменность падения напряжения на нем при изменении в несколько раз тока, протекающегочерез него. Поэтому они широко применяются в кач-ве источников опорного напряж, кот должно оставаться неизменным при каких-либо изменениях др пар-ров схемы. Применяются и как стабилизаторы напряжения при небольших мощностях нагрузки.

Во избежание теплового пробоя, последовательно со стабилитроном вкл резистор Rо ограничивающий ток Іст , кот явл обратным током

для РN-структуры стабилитрона. При изменениях Uвх изменяется ток Іст и падение напряжения от этого тока на Rо. Значения Іст и его изменений определяются точками А, В, С пересечения ВАХ РN и прямых проведенных под углом аrсtg Rо из точек Uвх и его изменений, отложенных на оси Uобр . на участке ВС:

rдиф = Uст / Іст

Uвх = Uст + ІстRо

Uст = Uвх / (1+Rо/rдиф)

Rоrдиф → Uст << Uвх и стабилизация тем лучше, чем больше отношение Rо/rдиф.

Основные параметры: Uст – напр стабилизации; Іст – мин ток стабил, при кот наступает устойчивый эл пробой РN; Іст мах – при кот мощность на ст не превыш допуст значения; rдиф; Рмах – мах миощность рассеивания; аст – темпер коэф-т стабилизации аст = Uст / Uст Т

5. Варикап.

П\п диод у кот используется барьерная емкость запертого РN, зависящая от значения приложенного к варикапу обратного напряжения.

Внешнее обратное напряжение, втягивая эл-ны в глубь N-обл, а дырки в Р-обл, расширяет РN переход и в соотв с выражением Сбар = s / изменяет барьерную емкость. Осн хар-кой варикапа явл зависимость его емкости от значения обратного напряжения – вольт фарадная хар-ка.

Осн пар-рами варикапов явл номинальная емкость и диапазон ее изменения, а так же допустимое обратное напряжение и мощность. Применяются для электрической настройки колебательных контуров в радиоаппаратуре.

6. Импульсные диоды.

Диоды предназн для работы в импульсных цепях, должны иметь малую длительность переходных пр-ов что можно обеспечить лишь уменьшением емкости РN до долей пикофарад. Уменьшение емкости достигается за счет сокращения площади РN. Однако это ухудшает теплоотвод от РN-структуры, поэтому допуст мощности рассеивания у них не велики (30 – 40 мВт). При подаче к диоду импульса напряж прямой полярности происходит инжекция неосновных носителей (дырок) из Р-обл в N-обл и диод переходит

Из запертого сост в открытое. Этот процесс определяет время установления прямого напряжения tуст. При изменении импульса напряжения требуется время для рассасывания неосновных носителей из N-обл и восстановления исх сост. Это рассасывание происходит как за счет рекомбинации зарядов (дырок с эл-нами принадл N-обл), так и за счет возвращения дырок в Р-обл. в рез-те последнего явления возникает значительный импульс обратного тока, постепенно спадающий до значения Іо.

Этот пр-с хар-ся временем восстановления обратного сопротивления tвосст. Оно определяется временем, в течении кот обратный ток уменьшается до значения 0,1Іпрям. Учитывая важность перех пр-ов для оценки работы импульсных диодов, они (в дополнение к пар-рам выпрямительных диодов: Uобр, Іпр ср, Іпр, Іобр ср, Uпр ср, Рср д, rдиф) хар-ся сл пар-рами: tуст, tвосст, а так же емкостью диода Сд и мах прямым импульсным напряжением Uпр мах.