8. Схемы включения об, оэ, ок.

Для этих схем общим яыл тот вывод Т по отнош к кот подается вх и сним вых сигнал.

ОЭ. Іэ=Ік+Іб эти ур-ния записаны для токов обра

Ік=Іэ+Ікбо зованых осн носителями заряда.

Кроме этих токов  токи образ за счет неосн носит. Самый важный из них Ікбо (образ неосн носит в обл базы и колектора и суммир с токами осн носит ) Іб=Іэ-Ік-Ікбо. Эти ур-ния получ на осн схемы с ОБ, но справедливы для всех схем вкл. Для схемы с ОЭ:

Ік=(Ік+Іб)+Ікбо=Ік+Іб+Ікбо коэф передачи в сх

Ік=Іб/(1-)+Ікбо/(1+)=Іб+(1+)Ікбо =/(1-)

В общем случае для любой схемы:

ОБ. К = <1 т.к. Ік<Іэ, Ікбо<<Ік(на общуюю величину влияния не оказывает). Коэф усиления по току, напряж, мощности всегда запис для переменных составл тока и напряж, т.е. для полезного сигнала.

r_кб- сопротивление обратно смещению р-n перехода имеет большую величину (10-100 кОм); r _эб– очень мало 1-10 Ом. Усиление кu наибольшее из всех схем включения. Кр=100-1000. Отсутствует усиление по току, но имеется усиление по напряж и по мощности.

ОЭ.

В схеме с ОЭ имеется усиление по току, по напряжению и по мощности. Величина  может очень сильно меняться от 1 до 100. Типовое значение  50-100. Есть транзисторы с супер  (1090-500).

9. Статические хар-ки биполярных транзисторов.

Входная характеристика

ОБ ОЭ

Іэ=f(Uэб)/ Іб=f(Uбэ)

Вх хар-ки вкл тр-ра для обоих= схем изменяются по экспоненциальной зависимости, т.е. их поведение соотв ВАХ р-n перехода. Отличие м\ду хар-ками закл в том что с растом напряж на перех к-б ток эмитора растет а базы уменьш. Так повед объясн эффектом модуляции ширины базы. С ростом напряж на колект перех Uкб происх расшир колект перех в сторону базы → увелич влияние поля колектора на обл эмитора. Это приводит к увелич коэф инжекции, т.е. к росту тока эмитора. Для схемы с ОЭ увелич напряж к-б приводит к увелич напряж к-э. Рост напряж к-э увелич напряж к-б (с ОЭ). Можно увидеть, что с ролстом напряж КЭ так же происх расшир колект перехода в сторону базы. При этом происходит сужение базовой обл, по кот протекает ток базы. При этом растет объемное сопротивление в обл базы (rб) и уменьшается ток базы. С ростом температуры поведение обеих хар-к одинаковы (т.е. токи растут одинаково).

Характеристики прямой передачи.

ОБ ОЭ

Ік=f(Іэ) Ік=f(Іб)

Ік=Іо + Ікбо Ік=Іб + (1+)Ікбо

Выходная характеристика.

ОБ ОЭ

Ік=f(Uкб) Ік=f(Uкб)

Ік=Іо + Ікбо Ік=Іб + (1+)Ікбо

Выходные хар-ки Т снимаются при обратном напряжении на колекторном переходе и прямом напряжении на эмиторе, что в принципе соответствует опред активного режима (АР). Но при крайних значениях напряжения на переходах Т переходит в др режим работы. Для схемы с ОБ: с ростом тока эмитора увеличивается и ток на колекторе. Величина Іэ=0 соотв закрытому сост эмиторного перехода, т.е. в заштрихованной обл оба РN наход в закрытом сост, что соотв режиму отсрочки (РО). Соотв в той обл, где Іэ=0 Т нах в АР. Чтоб получить РН в схеме с ОБ необх поменять знак напряж на колекторном переходе, т.е. подать прямое смещение. В обл РН оба перехода открыты. В реальных схемах вкл Т переход к др режиму работы может происходить в 2 случаях :

1) если вы сами измените напряжение на переходах Т 2) если вы подадите очень большой сигнал. В этом сл Т может перейти в РО или РН.

В схеме с ОЭ, аналогично, увеличение входного тока базы вызывает увеличение выходного тока колектора. В заштрихованной обл графика так же отсутствует ток через входной эмиторный переход, т.е. закрыты оба перехода. При Іб=0 эмиторный переход является открытым, а колекторный - закрытым. Обратная связь.

ОБ ОЭ

Uэб=f(Uкб) Uбэ=f(Uкэ)

Статистика обратной связи выражает зависимость входного напряж от выходного. Сама зависимость возникает из-за эффекта модуляции. С ростом напряж на переходе колектор-база (Uкб, Uкэ) растет ширина перехода. Усиливается влияние поля кол перехода на обл эмитора, растет ток эмитора → меняется напряж Uэб и Uбэ на входе. В рабочей обл U соотв АР это влияние проявляется незначительно. Оно проявл сильно при малых Uкб.