- •1. Р-n переход.
- •2. Р-n-переход под возд внешн напряжения.
- •7. Биполярный транзистор.
- •8. Схемы включения об, оэ, ок.
- •9. Статические хар-ки биполярных транзисторов.
- •11. Полевой т с управл р-n переходом.
- •3. Полупроводниковые диоды.
- •4. Стабилитрон (стабистор).
- •5. Варикап.
- •6. Импульсные диоды.
- •44. Счетчики.
- •12. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом.
- •13. Полевой тр-р с индуцированным каналом.
- •14. Параметры полевых транзисторов.
- •15. Дифференцированные параметры биполярных транзисторов.
- •16. Системы параметров транзисторов (z,у,h).
- •25. Ключ с форсирующей емкостью и обр связью.
- •18. Схемы температурной стабилизации режима работы биполярного транзистора.
- •19. Усилители, основные характеристики.
- •20. Эквивалентная схема усилителя.
- •21. Усилители на полевых транзисторах.
- •26. Ключ переключатель тока.
- •22. Электронные ключи на биполярных тр-рах, насыщенный ключ.
- •27. Ключи на полевых транзисторах.
- •28. Логические элементы, классификация.
- •29. Ртл – элемент.
- •30. Дтл – элемент.
- •31. Ттл – элемент.
- •32. Эсл – элемент.
- •33. Кмоп – элемент.
- •34. Сравнительный анализ семейств логич эл-тов.
- •35. Триггер.
- •36. Простейший триггер.
- •37. Схема и работа симметричного триггера.
- •38. Триггер Шмидта.
- •39. Rs – триггер.
- •41. Мs – триггер, временные диаграммы.
- •42. Счетный т – триггер.
11. Полевой т с управл р-n переходом.
Полевые Т – Т, кот управл полем или напряж, в отличае от биполярных, кот управляются током.
Исток – обл п\п, откуда начин движ носит зарядов.
Сток – место куда они стекаются.
Затвор - область п\п с помощью кот можно управлять током стока ( его величиной ).
Іс протекает в канале м-ду истоком и стоком. Затвор выполняется в виде кольцевой структуры в центре кот формируется канал имеющий ширину w. Для возник тока в канале необх на сток подать + на исток - .для управл током стока с пом затвора на затвор подается напряж соотв обратному смещению на РN затвора стока. При подаче напряж Uси в канале возникает Іс. Его величина опред шириной канала, кот в свою очередь зависит от ширингы РN затвор-исток, а значит от напряж Uзи. Изменяя Uзи можно изменять ширину РN, а значит увелич или уменьшт Іс. При большом напряж Uзи, наз U отсечки, ширина канала может уменьшаться до 0. Рассм структура Т соотв каналу n типа, т.е. обратное смещение на переходе затвор-исток должно быть отрицательное.
При использ Т с каналом р обл рабочих напряж затвора положит. При Uзи=0 ширина РN уменьш до 0. В этом сл ширина канала наиб и Іс – мах. Подача прямого напряж не допустима, т.к.появится ток затвора кот будет проникать в обл канала ч\з РN. Он будет расти по экспоненц з-ну и суммир с Іс.
Выходн хар-ка. С ростом напряж ток стока уменьш до величины Ісо, кот опред величиной неосн носит к канале Т. В начальной обл при малых величинах U на стоке, ток стока резко растет. С ростом U происх насыщение величины тока стока. Это насыщение объясняется смыканием обл затвора и стока при больших напряж на стоке. Этот эффект объясн тем что ширина РN зависит не только от напряж затвора, но и от напряж на стоке. Суммарное напряж на стоке опред не только внешн источником Uси но и потенциалом канала. Потенциал канала увелич по мере продвиж от ист к стоку, поскольку канал имеет большее сопротивл по отнош к затвору. Это делается для того чтоб РN эффективно расширялся в обл канала. Насыщ Іс зависит в конечном счете от сопротивл рабочей обл канала, чем оно больше, тем больше происх сужение канала ближе к стоку. Это явление нежелательное, но позволяет повысить крутизну управления Т, т.е. влияние направл затвора на Іс.
3. Полупроводниковые диоды.
П\п диодом наз п\п прибор с 2я вывод и 1 рn-перех.
По конструктивно технологическим признакам диоды подразделяют на: точечные, плоскостные, сплавные, диффузные. По функциональному назначению и признаку образования рn-перех: выпрямительные (в ист питания для преобраз перем тока в постоянный ); стабилитроны ((стабисторы)для стабилизации напряж на нагрузке); варикапы (диод с измен емкостью рn-перех, она измен при измен обратного смещения на рn-перех); тунельные (для преобразования частоты и усиления в СВЧ диапазоне); импульсные (для преобраз частоты, детектирования в радиотехнич устройствах);диоды Шотки (в них не рn перех, а металл-п\п, кот также позволяет получить однонаправленное движение носителей заряда); фотодиоды; светодиоды.
ВАХ как в рn переходе.